एफईटी प्रवर्धक: Difference between revisions
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[[File:FET2.01.jpg|thumb|एम्पलीफायर के रूप में सामान्यीकृत एफईटी]]एक एफईटी [[एम्पलीफायर]] एक एम्पलीफायर है जो एक या अधिक [[ फील्ड इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर ]] (एफईटी) का उपयोग करता है। | |||
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स्रोत इनपुट और आउटपुट दोनों के लिए सामान्य है। | स्रोत इनपुट और आउटपुट दोनों के लिए सामान्य है। | ||
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क्षेत्र -इफेक्ट ट्रांजिस्टर (एफईटी) एम्पलीफायर का मूल सिद्धांत पहली बार 1925 में ऑस्ट्रो-हंगेरियन भौतिक विज्ञानी [[जूलियस एडगर लिलियनफेल्ड]] द्वारा प्रस्तावित किया गया था।<ref name=p1>Lilienfeld, Julius Edgar (1926-10-08) "Method and apparatus for controlling electric currents" {{US Patent|1745175A}}</ref> चूँकि, उनकी प्रारंभिक एफईटी अवधारणा एक व्यावहारिक डिज़ाइन नहीं थी।<ref name="kahng">{{cite web |title=दावों कहंग|url=https://www.invent.org/inductees/dawon-kahng |website=[[National Inventors Hall of Fame]] |accessdate=27 June 2019}}</ref> एफईटी अवधारणा को बाद में 1930 के दशक में [[Oskar Heil|ऑस्कर हील]] और 1940 के दशक में [[विलियम शॉक्ले]] द्वारा भी सिद्धांतित किया गया था।<ref name="computerhistory"/> किंतु उस समय कोई व्यावहारिक व्यावहारिक एफईटी नहीं बनाया गया था।<ref name="kahng"/> | |||
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एमओएसएफईटी एमओएस क्षेत्र -इफेक्ट ट्रांजिस्टर (एमओएसएफईटी) एम्पलीफायर का आविष्कार 1959 में मोहम्मद अटाला और डॉन काहंग द्वारा किया गया था।<ref name="computerhistory">{{cite journal|url=https://www.computerhistory.org/siliconengine/metal-oxide-semiconductor-mos-transistor-demonstrated/|title=1960: Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated|journal=The Silicon Engine: A Timeline of Semiconductors in Computers|publisher=[[Computer History Museum]] |accessdate=August 31, 2019}}</ref> वे [[सेमीकंडक्टर डिवाइस का निर्माण|अर्धचालक उपकरण का निर्माण]] 1959 में उपकरण का निर्माण करते हैं,<ref name="Bassett22">{{cite book |last1=Bassett |first1=Ross Knox |title=To the Digital Age: Research Labs, Start-up Companies, and the Rise of MOS Technology |date=2007 |publisher=[[Johns Hopkins University Press]] |isbn=9780801886393 |pages=22 |url=https://books.google.com/books?id=UUbB3d2UnaAC&pg=PA22}}</ref> और इसे सिलिकॉन के रूप में प्रस्तुत किया{{ndash}}1960 की प्रारंभिक में सिलिकॉन डाइऑक्साइड क्षेत्र प्रेरित सतह उपकरण,<ref>{{cite journal |last1=Atalla |first1=M. |author1-link=Mohamed M. Atalla |last2=Kahng |first2=D. |author2-link=Dawon Kahng |title=Silicon{{ndash}}silicon dioxide field induced surface devices |journal=IRE-AIEE Solid State Device Research Conference |publisher=[[Carnegie Mellon University Press]] |date=1960}}</ref> [[करनेगी मेलों विश्वविद्याल]] में आयोजित सॉलिड-स्टेट उपकरण कॉन्फ्रेंस में<ref>{{cite web |title=Oral-History: Goldey, Hittinger and Tanenbaum |url=https://ethw.org/Oral-History:Goldey,_Hittinger_and_Tanenbaum |publisher=[[Institute of Electrical and Electronics Engineers]] |date=25 September 2008 |accessdate=22 August 2019}}</ref> उपकरण को दो [[पेटेंट]] द्वारा आवरण किया गया है, प्रत्येक मार्च 1960 में अटाला और कहंग द्वारा अलग-अलग अंकित किया गया था।<ref>{{US patent|3206670}} (1960)</ref><ref>{{US patent|3102230}} (1960)</ref> | |||
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* [[आरएफ शक्ति एम्पलीफायर]] | * [[आरएफ शक्ति एम्पलीफायर]] | ||
Revision as of 14:36, 11 May 2023
एक एफईटी एम्पलीफायर एक एम्पलीफायर है जो एक या अधिक क्षेत्र इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर (एफईटी) का उपयोग करता है। एफईटी प्रवर्धक का सबसे सामान्य प्रकार एमओएसएफईटी प्रवर्धक है, जो एमओएसएफईटी | धातु-ऑक्साइड-अर्धचालक एफईटी (एमओएसएफईटी) का उपयोग करता है। प्रवर्धन के लिए उपयोग किए जाने वाले एफईटी का मुख्य लाभ यह है कि इसमें बहुत अधिक इनपुट प्रतिबाधा और कम आउटपुट प्रतिबाधा होती है।
विस्तार से
ट्रांसकंडक्शन द्वारा दिया जाता है
पुनर्व्यवस्थित करने पर, हम प्राप्त करते हैं
समतुल्य परिपथ
आंतरिक प्रतिरोध Rgs, गेट और स्रोत के बीच नाली और स्रोत के बीच दिखाई देता है। Rds नाली और स्रोत के बीच आंतरिक प्रतिरोध है। जैसा Rgs बहुत अधिक है, इसे अनंत माना जाता है और Rds उपेक्षित है। [1]
वोल्टेज लाभ
आदर्श एफईटी समतुल्य परिपथ के लिए, वोल्टेज लाभ द्वारा दिया जाता है,
समतुल्य परिपथ से,
और ट्रांसकंडक्शन की परिभाषा से,
हम पाते हैं[1]
एफईटी एम्पलीफायरों के प्रकार
तीन प्रकार के एफईटी एम्पलीफायर हैं, जिसके आधार पर टर्मिनल सामान्य इनपुट और आउटपुट है। (यह द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर (बीजेटी) एम्पलीफायर के समान है।)
सामान्य गेट एम्पलीफायर
गेट इनपुट और आउटपुट दोनों के लिए सामान्य है।
सामान्य स्रोत एम्पलीफायर
स्रोत इनपुट और आउटपुट दोनों के लिए सामान्य है।
सामान्य नाली एम्पलीफायर
नाली इनपुट और आउटपुट दोनों के लिए सामान्य है। इसे स्रोत अनुयायी के रूप में भी जाना जाता है।[2]
इतिहास
क्षेत्र -इफेक्ट ट्रांजिस्टर (एफईटी) एम्पलीफायर का मूल सिद्धांत पहली बार 1925 में ऑस्ट्रो-हंगेरियन भौतिक विज्ञानी जूलियस एडगर लिलियनफेल्ड द्वारा प्रस्तावित किया गया था।[3] चूँकि, उनकी प्रारंभिक एफईटी अवधारणा एक व्यावहारिक डिज़ाइन नहीं थी।[4] एफईटी अवधारणा को बाद में 1930 के दशक में ऑस्कर हील और 1940 के दशक में विलियम शॉक्ले द्वारा भी सिद्धांतित किया गया था।[5] किंतु उस समय कोई व्यावहारिक व्यावहारिक एफईटी नहीं बनाया गया था।[4]
एमओएसएफईटी एम्पलीफायर
1950 के दशक के अंत में मिस्र के इंजीनियर मोहम्मद एम. अटाला के काम से एक सफलता मिली।[6] उन्होंने सतह निष्क्रियता की विधि विकसित की, जो बाद में अर्धचालक उद्योग के लिए महत्वपूर्ण हो गई क्योंकि इसने सिलिकॉन अर्धचालक प्रौद्योगिकी, जैसे एकीकृत परिपथ (आईसी) चिप्स के बड़े मापदंड पर उत्पादन को संभव बनाया।[7][4][8] सतह निष्क्रियता प्रक्रिया के लिए, उन्होंने थर्मल ऑक्सीकरण की विधि विकसित की, जो सिलिकॉन अर्धचालक प्रौद्योगिकी में एक सफलता थी।[9] 1957 में अटाला द्वारा सरफेस पैसिवेशन विधि प्रस्तुत की गई थी।[10] सतह निष्क्रियता पद्धति पर निर्माण, अटाला ने धातु-ऑक्साइड-अर्धचालक (एमओएस) प्रक्रिया विकसित की,[7] थर्मली ऑक्सीडाइज्ड सिलिकॉन का उपयोग।[11][12] उन्होंने प्रस्तावित किया कि एमओएस प्रक्रिया का उपयोग पहले काम करने वाले सिलिकॉन एफईटी के निर्माण के लिए किया जा सकता है, जिसे उन्होंने कोरियाई भर्ती डावन कहंग की सहायता से बनाना प्रारंभ किया।[7]
एमओएसएफईटी एमओएस क्षेत्र -इफेक्ट ट्रांजिस्टर (एमओएसएफईटी) एम्पलीफायर का आविष्कार 1959 में मोहम्मद अटाला और डॉन काहंग द्वारा किया गया था।[5] वे अर्धचालक उपकरण का निर्माण 1959 में उपकरण का निर्माण करते हैं,[13] और इसे सिलिकॉन के रूप में प्रस्तुत किया–1960 की प्रारंभिक में सिलिकॉन डाइऑक्साइड क्षेत्र प्रेरित सतह उपकरण,[14] करनेगी मेलों विश्वविद्याल में आयोजित सॉलिड-स्टेट उपकरण कॉन्फ्रेंस में[15] उपकरण को दो पेटेंट द्वारा आवरण किया गया है, प्रत्येक मार्च 1960 में अटाला और कहंग द्वारा अलग-अलग अंकित किया गया था।[16][17]
यह भी देखें
- ऑडियो पावर एम्पलीफायर
- एलडीएमओएस
- बिजली के इलेक्ट्रॉनिक्स
- पावर अर्धचालक डिवाइस
- पावर एमओएसएफईटी
- आरएफ शक्ति एम्पलीफायर
संदर्भ
- ↑ 1.0 1.1 Thomas L. Floyd (2011). Electronic Devices. Dorling Kinersley (India) Pvt. Ltd., licensees of Pearson Education in South Asia. p. 252. ISBN 978-81-7758-643-5.
- ↑ Allen Mottershead (2003). Electronic Devices and circuits. Prentice-Hall of India, New Delhi-110001. ISBN 81-203-0124-2.
- ↑ Lilienfeld, Julius Edgar (1926-10-08) "Method and apparatus for controlling electric currents" U.S. Patent 1745175A
- ↑ 4.0 4.1 4.2 "दावों कहंग". National Inventors Hall of Fame. Retrieved 27 June 2019.
- ↑ 5.0 5.1 "1960: Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated". The Silicon Engine: A Timeline of Semiconductors in Computers. Computer History Museum. Retrieved August 31, 2019.
- ↑ Puers, Robert; Baldi, Livio; Voorde, Marcel Van de; Nooten, Sebastiaan E. van (2017). Nanoelectronics: Materials, Devices, Applications, 2 Volumes. John Wiley & Sons. p. 14. ISBN 9783527340538.
- ↑ 7.0 7.1 7.2 "मार्टिन (जॉन) एम। अटाला". National Inventors Hall of Fame. 2009. Retrieved 21 June 2013.
- ↑ Lojek, Bo (2007). सेमीकंडक्टर इंजीनियरिंग का इतिहास. Springer Science & Business Media. pp. 321–3. ISBN 9783540342588.
- ↑ Huff, Howard (2005). High Dielectric Constant Materials: VLSI MOSFET Applications. Springer Science & Business Media. p. 34. ISBN 9783540210818.
- ↑ Lojek, Bo (2007). सेमीकंडक्टर इंजीनियरिंग का इतिहास. Springer Science & Business Media. p. 120. ISBN 9783540342588.
- ↑ Deal, Bruce E. (1998). "Highlights Of Silicon Thermal Oxidation Technology". सिलिकॉन सामग्री विज्ञान और प्रौद्योगिकी. The Electrochemical Society. p. 183. ISBN 9781566771931.
- ↑ U.S. Patent 2,953,486
- ↑ Bassett, Ross Knox (2007). To the Digital Age: Research Labs, Start-up Companies, and the Rise of MOS Technology. Johns Hopkins University Press. p. 22. ISBN 9780801886393.
- ↑ Atalla, M.; Kahng, D. (1960). "Silicon–silicon dioxide field induced surface devices". IRE-AIEE Solid State Device Research Conference. Carnegie Mellon University Press.
- ↑ "Oral-History: Goldey, Hittinger and Tanenbaum". Institute of Electrical and Electronics Engineers. 25 September 2008. Retrieved 22 August 2019.
- ↑ U.S. Patent 3,206,670 (1960)
- ↑ U.S. Patent 3,102,230 (1960)
