आयन किरणपुंज अश्ममुद्रण: Difference between revisions
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आयन | आयन किरणपुंज अश्ममुद्रण बहुत छोटी संरचनाओं जैसे कि एकीकृत परिपथ या अन्य [[नैनोस्ट्रक्चर]] बनाने के लिए एक सतह पर एक परिपथ वाले प्रकार में [[केंद्रित आयन बीम|केंद्रित आयन किरण]] को क्रमवीक्षण करने का अभ्यास है।<ref>F. Watt∗, A. A. Bettiol, J. A. Van Kan, E. J. Teo and M. B. H. Breese http://www.ciba.nus.edu.sg/publications/files/pbw/pbw2005_1.pdf {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20110721202729/http://www.ciba.nus.edu.sg/publications/files/pbw/pbw2005_1.pdf |date=2011-07-21 }} "Ion Beam Lithography and Nanofabrication: a Review"], ''[[The Guardian]]'', London, 17 December 2004. Retrieved on 2011-03-03.</ref> | ||
== विवरण == | == विवरण == | ||
आयन | आयन किरणपुंज अश्ममुद्रण को त्रि-आयामी सतहों पर उच्च-निष्ठा पतिरूप स्थानांतरित करने के लिए उपयोगी पाया गया है। <ref>Dhara Parikh, Barry Craver, Hatem N. Nounu, Fu-On Fong, and John C. Wolfe, "Nanoscale Pattern Definition on Nonplanar Surfaces Using Ion Beam Proximity Lithography and Conformal Plasma-Deposited Resist", Journal of microelectromechanical systems, vol. 17, no. 3, June 2008</ref> | ||
आयन किरणपुंज अश्ममुद्रण यूवी, एक्स-रे, या इलेक्ट्रॉन किरण अश्ममुद्रण की तुलना में उच्च विश्लेषण संरूपण प्रदान करती है क्योंकि इन भारी कणों में अधिक गति होती है। यह आयन बीम को एक ई-बीम की तुलना में एक छोटा तरंग दैर्ध्य देता है और इसलिए लगभग कोई विवर्तन नहीं होता है। संवेग भी लक्ष्य में और किसी भी अवशिष्ट गैस में बिखराव को कम करता है। एक्स-रे और ई-किरण अश्ममुद्रण की तुलना में संवेदनशील अंतर्निहित संरचनाओं के लिए कम संभावित विकिरण प्रभाव भी है।<ref>{{cite book|last=Madou|first=Mark|title=Fundamentals of Microfabrication and Nanotechnology volume 2|year=2012|publisher=CRC Press|location=Boca Raton, Fl|isbn=978-1-4200-5519-1|pages=655}}</ref> | |||
आयन किरणपुंज अश्ममुद्रण, या आयन-प्रक्षेपण अश्ममुद्रण, [[इलेक्ट्रॉन बीम लिथोग्राफी|इलेक्ट्रॉन किरण अश्ममुद्रण]] के समान है, लेकिन बहुत अधिक आवेशित कणों, आयनों का उपयोग करता है। विवर्तन नगण्य होने के अतिरिक्त, आयन निर्वात और पदार्थ दोनों के माध्यम से इलेक्ट्रॉनों की तुलना में स्ट्राइटर पथों में चलते हैं, इसलिए बहुत उच्च विश्लेषण की संभावना प्रतीत होती है। आयनों की कम गति के कारण द्वितीयक कणों (इलेक्ट्रॉनों और परमाणुओं) की सीमा बहुत कम होती है। दूसरी ओर, तीव्र स्रोत बनाना अधिक कठिन होता है और किसी दिए गए सीमा के लिए उच्च त्वरण वोल्टेज की आवश्यकता होती है। उच्च ऊर्जा हानि दर, दी गई सीमा के लिए उच्च कण ऊर्जा और महत्वपूर्ण स्थान आवेश प्रभावों की अनुपस्थिति के कारण, शॉट रव अधिक होगा। | |||
तीव्रता से चलने वाले आयन इलेक्ट्रॉनों की तुलना में अलग तरह से पारस्परिक क्रिया करते हैं, और उनकी उच्च गति के कारण, उनके दृक् गुण अलग होते हैं। उनके पास द्रव्य में बहुत कम सीमा होती है और वे इसके माध्यम से आगे बढ़ते हैं। कम ऊर्जा पर, सीमा के अंत में, वे परमाणुओं के स्थान पर परमाणु नाभिक में अपनी अधिक ऊर्जा खो देते हैं, जिससे परमाणु आयनित होने के स्थान पर अव्यवस्थित हो जाते हैं। यदि आयन प्रतिरोध से बाहर नहीं निकलते हैं, तो वे इसे वार्निश कर देते हैं। पदार्थ में ऊर्जा हानि एक [[ब्रैग वक्र]] का अनुसरण करती है और इसका एक छोटा सांख्यिकीय प्रसार होता है। वे वैकल्पिक रूप से कठोर हैं, उन्हें ध्यान केंद्रित करने या मोड़ने के लिए बड़े क्षेत्रों या दूरियों की आवश्यकता होती है। उच्च गति अंतरिक्ष आवेश प्रभाव का विरोध करती है। | |||
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* [[फोटोलिथोग्राफी]] | * [[फोटोलिथोग्राफी]] | ||
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आयन किरणपुंज अश्ममुद्रण बहुत छोटी संरचनाओं जैसे कि एकीकृत परिपथ या अन्य नैनोस्ट्रक्चर बनाने के लिए एक सतह पर एक परिपथ वाले प्रकार में केंद्रित आयन किरण को क्रमवीक्षण करने का अभ्यास है।[1]
विवरण
आयन किरणपुंज अश्ममुद्रण को त्रि-आयामी सतहों पर उच्च-निष्ठा पतिरूप स्थानांतरित करने के लिए उपयोगी पाया गया है। [2]
आयन किरणपुंज अश्ममुद्रण यूवी, एक्स-रे, या इलेक्ट्रॉन किरण अश्ममुद्रण की तुलना में उच्च विश्लेषण संरूपण प्रदान करती है क्योंकि इन भारी कणों में अधिक गति होती है। यह आयन बीम को एक ई-बीम की तुलना में एक छोटा तरंग दैर्ध्य देता है और इसलिए लगभग कोई विवर्तन नहीं होता है। संवेग भी लक्ष्य में और किसी भी अवशिष्ट गैस में बिखराव को कम करता है। एक्स-रे और ई-किरण अश्ममुद्रण की तुलना में संवेदनशील अंतर्निहित संरचनाओं के लिए कम संभावित विकिरण प्रभाव भी है।[3]
आयन किरणपुंज अश्ममुद्रण, या आयन-प्रक्षेपण अश्ममुद्रण, इलेक्ट्रॉन किरण अश्ममुद्रण के समान है, लेकिन बहुत अधिक आवेशित कणों, आयनों का उपयोग करता है। विवर्तन नगण्य होने के अतिरिक्त, आयन निर्वात और पदार्थ दोनों के माध्यम से इलेक्ट्रॉनों की तुलना में स्ट्राइटर पथों में चलते हैं, इसलिए बहुत उच्च विश्लेषण की संभावना प्रतीत होती है। आयनों की कम गति के कारण द्वितीयक कणों (इलेक्ट्रॉनों और परमाणुओं) की सीमा बहुत कम होती है। दूसरी ओर, तीव्र स्रोत बनाना अधिक कठिन होता है और किसी दिए गए सीमा के लिए उच्च त्वरण वोल्टेज की आवश्यकता होती है। उच्च ऊर्जा हानि दर, दी गई सीमा के लिए उच्च कण ऊर्जा और महत्वपूर्ण स्थान आवेश प्रभावों की अनुपस्थिति के कारण, शॉट रव अधिक होगा।
तीव्रता से चलने वाले आयन इलेक्ट्रॉनों की तुलना में अलग तरह से पारस्परिक क्रिया करते हैं, और उनकी उच्च गति के कारण, उनके दृक् गुण अलग होते हैं। उनके पास द्रव्य में बहुत कम सीमा होती है और वे इसके माध्यम से आगे बढ़ते हैं। कम ऊर्जा पर, सीमा के अंत में, वे परमाणुओं के स्थान पर परमाणु नाभिक में अपनी अधिक ऊर्जा खो देते हैं, जिससे परमाणु आयनित होने के स्थान पर अव्यवस्थित हो जाते हैं। यदि आयन प्रतिरोध से बाहर नहीं निकलते हैं, तो वे इसे वार्निश कर देते हैं। पदार्थ में ऊर्जा हानि एक ब्रैग वक्र का अनुसरण करती है और इसका एक छोटा सांख्यिकीय प्रसार होता है। वे वैकल्पिक रूप से कठोर हैं, उन्हें ध्यान केंद्रित करने या मोड़ने के लिए बड़े क्षेत्रों या दूरियों की आवश्यकता होती है। उच्च गति अंतरिक्ष आवेश प्रभाव का विरोध करती है।
कोलाइडर कण त्वरक ने दिखाया है कि बहुत अधिक सटीकता के साथ उच्च गति वाले आवेशित कणों पर ध्यान केंद्रित करना और उन्हें चलाना संभव है।
यह भी देखें
संदर्भ
- ↑ F. Watt∗, A. A. Bettiol, J. A. Van Kan, E. J. Teo and M. B. H. Breese http://www.ciba.nus.edu.sg/publications/files/pbw/pbw2005_1.pdf Archived 2011-07-21 at the Wayback Machine "Ion Beam Lithography and Nanofabrication: a Review"], The Guardian, London, 17 December 2004. Retrieved on 2011-03-03.
- ↑ Dhara Parikh, Barry Craver, Hatem N. Nounu, Fu-On Fong, and John C. Wolfe, "Nanoscale Pattern Definition on Nonplanar Surfaces Using Ion Beam Proximity Lithography and Conformal Plasma-Deposited Resist", Journal of microelectromechanical systems, vol. 17, no. 3, June 2008
- ↑ Madou, Mark (2012). Fundamentals of Microfabrication and Nanotechnology volume 2. Boca Raton, Fl: CRC Press. p. 655. ISBN 978-1-4200-5519-1.
