बीज क्रिस्टल: Difference between revisions
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बड़े क्रिस्टल बीज को [[अतिसंतृप्त विलयन]] में डुबो कर, पिघली हुई सामग्री में, जिसे बाद में ठंडा किया जाता है, या उसके ऊपर उगाई जाने वाली सामग्री के वाष्प को | बड़े क्रिस्टल बीज को [[अतिसंतृप्त विलयन]] में डुबो कर, पिघली हुई सामग्री में, जिसे बाद में ठंडा किया जाता है, या उसके ऊपर उगाई जाने वाली सामग्री के वाष्प को पारित करके बीज के चेहरे पर वृद्धि करके क्रिस्टल की वृद्धि हो सकती है। | ||
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माना जाता है कि इस प्रभाव के पीछे का सिद्धांत सुपरसैचुरेटेड सॉल्यूशन (रसायन विज्ञान) (या संभवतः वाष्प) में यौगिकों के बीच होने वाली भौतिक अंतर-आणविक बातचीत से प्राप्त होता है। समाधान में, मुक्त (घुलनशील) अणु (विलेय) यादृच्छिक प्रवाह में घूमने के लिए स्वतंत्र होते हैं। यह यादृच्छिक प्रवाह दो या दो से अधिक आणविक यौगिकों के परस्पर क्रिया करने की संभावना की अनुमति देता है। यह अंतःक्रिया अलग-अलग अणुओं के बीच अंतर-आणविक बलों को प्रबल कर सकती है और एक [[क्रिस्टल लैटिस]] के लिए एक आधार बना सकती है। समाधान में एक बीज क्रिस्टल की नियुक्ति यादृच्छिक आणविक टकराव या बातचीत की आवश्यकता को समाप्त करके [[पुनर्संरचना (रसायन विज्ञान)]] प्रक्रिया को तेज करने की अनुमति देती है। कार्य करने के लिए लक्ष्य क्रिस्टल के पहले से गठित आधार को | माना जाता है कि इस प्रभाव के पीछे का सिद्धांत सुपरसैचुरेटेड सॉल्यूशन (रसायन विज्ञान) (या संभवतः वाष्प) में यौगिकों के बीच होने वाली भौतिक अंतर-आणविक बातचीत से प्राप्त होता है। समाधान में, मुक्त (घुलनशील) अणु (विलेय) यादृच्छिक प्रवाह में घूमने के लिए स्वतंत्र होते हैं। यह यादृच्छिक प्रवाह दो या दो से अधिक आणविक यौगिकों के परस्पर क्रिया करने की संभावना की अनुमति देता है। यह अंतःक्रिया अलग-अलग अणुओं के बीच अंतर-आणविक बलों को प्रबल कर सकती है और एक [[क्रिस्टल लैटिस]] के लिए एक आधार बना सकती है। समाधान में एक बीज क्रिस्टल की नियुक्ति यादृच्छिक आणविक टकराव या बातचीत की आवश्यकता को समाप्त करके [[पुनर्संरचना (रसायन विज्ञान)]] प्रक्रिया को तेज करने की अनुमति देती है। कार्य करने के लिए लक्ष्य क्रिस्टल के पहले से गठित आधार को प्रारंभ करने से, यादृच्छिक प्रवाह पर विश्वास करने की तुलना में इंटरमॉलिक्युलर इंटरैक्शन अधिक सरलता से या सरलता से बनते हैं। अधिकांशतः, क्रिस्टल जाली के समाधान में विलेय से इस चरण के संक्रमण को [[ केंद्रक ]] के रूप में संदर्भित किया जाएगा। इसलिए कहा जाता है कि पुनर्संरचना प्रक्रिया में न्यूक्लिएशन के लिए आवश्यक समय की आवश्यक मात्रा को कम करने के लिए सीडिंग की जाती है। | ||
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एक उदाहरण जहां एक [[कटोरा (क्रिस्टल)]] का उपयोग बड़े बाउल (क्रिस्टल) या एकल क्रिस्टल के सिल्लियों को विकसित करने के लिए किया जाता है, वह [[ अर्धचालक ]] उद्योग है जहां [[Czochralski प्रक्रिया]] या [[ब्रिजमैन तकनीक]] जैसी विधियों को नियोजित किया जाता है। | एक उदाहरण जहां एक [[कटोरा (क्रिस्टल)|बाउल (क्रिस्टल)]] का उपयोग बड़े बाउल (क्रिस्टल) या एकल क्रिस्टल के सिल्लियों को विकसित करने के लिए किया जाता है, वह [[ अर्धचालक ]] उद्योग है जहां [[Czochralski प्रक्रिया|ज़ोक्राल्स्की प्रक्रिया]] या [[ब्रिजमैन तकनीक]] जैसी विधियों को नियोजित किया जाता है। | ||
साथ ही चॉकलेट को तड़का लगाने की प्रक्रिया के | साथ ही चॉकलेट को तड़का लगाने की प्रक्रिया के समय, अनुकूल प्रकार V क्रिस्टल के विकास को बढ़ावा देने के लिए बीज क्रिस्टल का उपयोग किया जा सकता है<ref>{{Cite web|url=https://chocolatealchemy.com/cocoa-butter-silk|title = Cocoa butter Silk}}</ref> | ||
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एक बीज क्रिस्टल एकल क्रिस्टल या पॉलीक्रिस्टल सामग्री का एक छोटा सा टुकड़ा होता है जिसमें से प्रयोगशाला में सामान्यतः एक ही सामग्री का एक बड़ा क्रिस्टल उगाया जाता है। सामग्री को दोहराने के लिए प्रयोग किया जाता है, विकास को बढ़ावा देने के लिए बीज क्रिस्टल का उपयोग प्राकृतिक क्रिस्टल विकास की अन्यथा धीमी यादृच्छिकता से बचाता है और उद्योग के लिए उपयुक्त पैमाने पर निर्माण की अनुमति देता है।
क्रिस्टल इज़ाफ़ा
बड़े क्रिस्टल बीज को अतिसंतृप्त विलयन में डुबो कर, पिघली हुई सामग्री में, जिसे बाद में ठंडा किया जाता है, या उसके ऊपर उगाई जाने वाली सामग्री के वाष्प को पारित करके बीज के चेहरे पर वृद्धि करके क्रिस्टल की वृद्धि हो सकती है।
सिद्धांत
माना जाता है कि इस प्रभाव के पीछे का सिद्धांत सुपरसैचुरेटेड सॉल्यूशन (रसायन विज्ञान) (या संभवतः वाष्प) में यौगिकों के बीच होने वाली भौतिक अंतर-आणविक बातचीत से प्राप्त होता है। समाधान में, मुक्त (घुलनशील) अणु (विलेय) यादृच्छिक प्रवाह में घूमने के लिए स्वतंत्र होते हैं। यह यादृच्छिक प्रवाह दो या दो से अधिक आणविक यौगिकों के परस्पर क्रिया करने की संभावना की अनुमति देता है। यह अंतःक्रिया अलग-अलग अणुओं के बीच अंतर-आणविक बलों को प्रबल कर सकती है और एक क्रिस्टल लैटिस के लिए एक आधार बना सकती है। समाधान में एक बीज क्रिस्टल की नियुक्ति यादृच्छिक आणविक टकराव या बातचीत की आवश्यकता को समाप्त करके पुनर्संरचना (रसायन विज्ञान) प्रक्रिया को तेज करने की अनुमति देती है। कार्य करने के लिए लक्ष्य क्रिस्टल के पहले से गठित आधार को प्रारंभ करने से, यादृच्छिक प्रवाह पर विश्वास करने की तुलना में इंटरमॉलिक्युलर इंटरैक्शन अधिक सरलता से या सरलता से बनते हैं। अधिकांशतः, क्रिस्टल जाली के समाधान में विलेय से इस चरण के संक्रमण को केंद्रक के रूप में संदर्भित किया जाएगा। इसलिए कहा जाता है कि पुनर्संरचना प्रक्रिया में न्यूक्लिएशन के लिए आवश्यक समय की आवश्यक मात्रा को कम करने के लिए सीडिंग की जाती है।
उपयोग करता है
एक उदाहरण जहां एक बाउल (क्रिस्टल) का उपयोग बड़े बाउल (क्रिस्टल) या एकल क्रिस्टल के सिल्लियों को विकसित करने के लिए किया जाता है, वह अर्धचालक उद्योग है जहां ज़ोक्राल्स्की प्रक्रिया या ब्रिजमैन तकनीक जैसी विधियों को नियोजित किया जाता है।
साथ ही चॉकलेट को तड़का लगाने की प्रक्रिया के समय, अनुकूल प्रकार V क्रिस्टल के विकास को बढ़ावा देने के लिए बीज क्रिस्टल का उपयोग किया जा सकता है[1]
यह भी देखें
- क्रिस्टल की संरचना
- क्रिस्टलीकरण
- लेजर गर्म कुरसी विकास
- माइक्रो-पुलिंग-डाउन
- पॉलीक्रिस्टल
- एकल क्रिस्टल
- वेफर (इलेक्ट्रॉनिक्स)
- बहुरूपियों का गायब होना
संदर्भ
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