एनवीडीआईएमएम: Difference between revisions

From Vigyanwiki
No edit summary
No edit summary
Line 1: Line 1:
{{short description|Type of random-access memory for computers}}
{{short description|Type of random-access memory for computers}}
एक एनवीडीआईएमएम (उच्चारण एन-वी-डिम) या गैर-वाष्पशील [[डीआईएमएम]] व्यापक रूप से डीआईएमएम फॉर्म-कारकों का उपयोग करने वाले कंप्यूटरों के लिए एक प्रकार की लगातार [[ रैंडम एक्सेस मेमोरी |रैंडम एक्सेस मेमोरी]] है। गैर-वाष्पशील मेमोरी वह मेमोरी है जो विद्युत ऊर्जा को हटा दिए जाने पर भी अपने  डेटा को निरंतर बनाये रखती है, उदाहरण के लिए अप्रत्याशित बिजली की हानि, सिस्टम क्रैश या सामान्य शटडाउन से। उचित रूप से उपयोग किए जाने पर, एनवीडीआईएमएम एप्लिकेशन प्रदर्शन और सिस्टम क्रैश रिकवरी समय में सुधार कर सकता है।<ref name=":0" />वे [[ ठोस राज्य ड्राइव |ठोस राज्य ड्राइव]] (SSD) धीरज और विश्वसनीयता बढ़ाते हैं।<ref>{{cite web|url=https://www.microsoft.com/en-us/research/wp-content/uploads/2012/02/grupp2-8-12_FAST.pdf|title=नंद फ्लैश मेमोरी का अंधकारमय भविष्य|last=Grupp|first=Laura M.|last2=Davis|first2=John|date=February 2012|website=|publisher=[[Microsoft Research]]|archive-url=https://web.archive.org/web/20190210024254/https://www.microsoft.com/en-us/research/wp-content/uploads/2012/02/grupp2-8-12_FAST.pdf|archive-date=2019-02-10|url-status=live|accessdate=2014-05-08|last3=Swanson|first3=Steven}}</ref><ref>{{cite web|url=https://www.storagenewsletter.com/2013/03/11/ohio-state-university-and-hp-labs-ssds/|title=SSDs बड़े पैमाने पर डेटा हानि का जोखिम उठाते हैं|last=Maleval|first=Jean Jacques|date=2013-03-11|work=Storage Newsletter |accessdate=2013-09-06|url-access=subscription}}</ref>
एक '''एनवीडीआईएमएम''' (उच्चारण एन-वी-डिम) या गैर-अस्थिरता [[डीआईएमएम]] व्यापक रूप से डीआईएमएम फॉर्म-कारकों का उपयोग करने वाले कंप्यूटरों के लिए एक प्रकार की लगातार [[ रैंडम एक्सेस मेमोरी |रैंडम एक्सेस मेमोरी]] है। गैर-अस्थिरता मेमोरी वह मेमोरी है जो विद्युत ऊर्जा को हटा दिए जाने पर भी अपने  डेटा को निरंतर बनाये रखती है, उदाहरण के लिए अप्रत्याशित बिजली की हानि, सिस्टम क्रैश या सामान्य शटडाउन से। उचित रूप से उपयोग किए जाने पर, एनवीडीआईएमएम एप्लिकेशन प्रदर्शन और सिस्टम क्रैश रिकवरी समय में सुधार कर सकता है।<ref name=":0" />वे [[ ठोस राज्य ड्राइव |ठोस राज्य ड्राइव]] (SSD) धीरज और विश्वसनीयता बढ़ाते हैं।<ref>{{cite web|url=https://www.microsoft.com/en-us/research/wp-content/uploads/2012/02/grupp2-8-12_FAST.pdf|title=नंद फ्लैश मेमोरी का अंधकारमय भविष्य|last=Grupp|first=Laura M.|last2=Davis|first2=John|date=February 2012|website=|publisher=[[Microsoft Research]]|archive-url=https://web.archive.org/web/20190210024254/https://www.microsoft.com/en-us/research/wp-content/uploads/2012/02/grupp2-8-12_FAST.pdf|archive-date=2019-02-10|url-status=live|accessdate=2014-05-08|last3=Swanson|first3=Steven}}</ref><ref>{{cite web|url=https://www.storagenewsletter.com/2013/03/11/ohio-state-university-and-hp-labs-ssds/|title=SSDs बड़े पैमाने पर डेटा हानि का जोखिम उठाते हैं|last=Maleval|first=Jean Jacques|date=2013-03-11|work=Storage Newsletter |accessdate=2013-09-06|url-access=subscription}}</ref>
कई गैर-वाष्पशील उत्पाद सामान्य ऑपरेशन के समय वाष्पशील मेमोरी का उपयोग करते हैं और ऑन-बोर्ड बैकअप पावर स्रोत का उपयोग करके  डेटा को गैर-वाष्पशील मेमोरी में डंप कर देते हैं। अस्थिर स्मृति गैर-वाष्पशील से तेज़ है; यह बाइट-एड्रेसेबल है; और पहनने और डिवाइस के जीवनकाल के बारे में चिंता किए बिना इसे मनमाने ढंग से लिखा जा सकता है। चूंकि, गैर-अस्थिरता (और ऑन-बोर्ड बैकअप पावर स्रोत) को प्राप्त करने के लिए दूसरी मेमोरी सहित वाष्पशील मेमोरी की तुलना में उत्पाद लागत बढ़ जाती है।
कई गैर-अस्थिरता उत्पाद सामान्य ऑपरेशन के समय अस्थिरता मेमोरी का उपयोग करते हैं और ऑन-बोर्ड बैकअप पावर स्रोत का उपयोग करके  डेटा को गैर-अस्थिरता मेमोरी में डंप कर देते हैं। अस्थिर स्मृति गैर-अस्थिरता से तेज़ है; यह बाइट-एड्रेसेबल है; और पहनने और डिवाइस के जीवनकाल के बारे में चिंता किए बिना इसे मनमाने ढंग से लिखा जा सकता है। चूंकि, गैर-अस्थिरता (और ऑन-बोर्ड बैकअप पावर स्रोत) को प्राप्त करने के लिए दूसरी मेमोरी सहित अस्थिरता मेमोरी की तुलना में उत्पाद लागत बढ़ जाती है।


विकास में कई उभरती हुई गैर-वाष्पशील यादें हैं और कुछ जिन्हें [[मैग्नेटोरेसिस्टिव रैम]] (एमआरएएम) और इंटेल के [[3डी एक्सपॉइंट]] सहित लॉन्च किया गया है। एमआरएएम की तरह, [[कार्बन नैनोट्यूब]] पर आधारित [[नैनो-रैम]] एक ऐसी तकनीक है जो प्रदर्शन, बाइट-एड्रेसेबिलिटी और डिवाइस लाइफ के मानदंड पर डीआरएएम के करीब आने का इरादा रखती है; फैब्रिकेशन पार्टनर फुजित्सु से 2021 में मध्यम घनत्व पर पहले उत्पादों की उम्मीद है।<ref name="Clarke2020">{{cite web  
विकास में कई उभरती हुई गैर-अस्थिरता यादें हैं और कुछ जिन्हें [[मैग्नेटोरेसिस्टिव रैम]] (एमआरएएम) और इंटेल के [[3डी एक्सपॉइंट]] सहित लॉन्च किया गया है। एमआरएएम की तरह, [[कार्बन नैनोट्यूब]] पर आधारित [[नैनो-रैम]] एक ऐसी तकनीक है जो प्रदर्शन, बाइट-एड्रेसेबिलिटी और डिवाइस लाइफ के मानदंड पर डीआरएएम के करीब आने का इरादा रखती है; फैब्रिकेशन पार्टनर फुजित्सु से 2021 में मध्यम घनत्व पर पहले उत्पादों की उम्मीद है।<ref name="Clarke2020">{{cite web  
   |url=https://www.eenewsanalog.com/news/first-carbon-nanotube-nram-products-due-2020-says-nantero  
   |url=https://www.eenewsanalog.com/news/first-carbon-nanotube-nram-products-due-2020-says-nantero  
   |accessdate=19 September 2020
   |accessdate=19 September 2020
Line 14: Line 14:
}}</ref> इस तकनीक का लक्ष्य लागत-प्रभावी रूप से स्केल आउट करने में सक्षम है, इसलिए लगातार मेमोरी DRAM को एंटरप्राइज़ सिस्टम में मुख्य सिस्टम मेमोरी के रूप में बदल सकती है।<ref name=":0">{{Citation|title=Non-Volatile Memory and Its Use in Enterprise Applications|date=January 2014|url=http://snia.org/sites/default/files/Non-Volatile%20Memory%20&%20Its%20Use%20in%20Enterprise%20Applications.pdf|others=Viking Technology|publisher=[[Storage Networking Industry Association|SNIA]]}}</ref>
}}</ref> इस तकनीक का लक्ष्य लागत-प्रभावी रूप से स्केल आउट करने में सक्षम है, इसलिए लगातार मेमोरी DRAM को एंटरप्राइज़ सिस्टम में मुख्य सिस्टम मेमोरी के रूप में बदल सकती है।<ref name=":0">{{Citation|title=Non-Volatile Memory and Its Use in Enterprise Applications|date=January 2014|url=http://snia.org/sites/default/files/Non-Volatile%20Memory%20&%20Its%20Use%20in%20Enterprise%20Applications.pdf|others=Viking Technology|publisher=[[Storage Networking Industry Association|SNIA]]}}</ref>


 
== प्रकार ==
 
[[JEDEC]] मानक संगठन द्वारा तीन प्रकार के NVDIMM कार्यान्वयन हैं:<ref>{{cite web|url=http://www.plexistor.com/aliquam-erat-volutpat/|title=NVDIMM कार्ड के युग में आपका स्वागत है|last=Golander|first=Amit|date=2015-08-23|work=Plexistor|archive-url=https://web.archive.org/web/20181223030214/http://www.plexistor.com/aliquam-erat-volutpat/|archive-date=2018-12-23|url-status=live|accessdate=2015-08-23}}</ref>
प्रकार
 
[[JEDEC]] मानक संगठन द्वारा तीन प्रकार के NVDIMM कार्यान्वयन हैं:<ref>{{cite web|url=http://www.plexistor.com/aliquam-erat-volutpat/|title=NVDIMM कार्ड के युग में आपका स्वागत है|last=Golander|first=Amit|date=2015-08-23|work=Plexistor|archive-url=https://web.archive.org/web/20181223030214/http://www.plexistor.com/aliquam-erat-volutpat/|archive-date=2018-12-23|url-status=live|accessdate=2015-08-23}}</ref>{{Primary source inline|date=August 2015}}
*NVDIMM-F: फ्लैश स्टोरेज के साथ DIMM। सिस्टम उपयोगकर्ताओं को एक पारंपरिक DRAM DIMM के साथ स्टोरेज DIMM को पेयर करना होगा। जबकि कोई आधिकारिक मानक नहीं है, एनवीडीआईएमएम-एफ प्रकार के मॉड्यूल 2014 से उपलब्ध हैं।
*NVDIMM-F: फ्लैश स्टोरेज के साथ DIMM। सिस्टम उपयोगकर्ताओं को एक पारंपरिक DRAM DIMM के साथ स्टोरेज DIMM को पेयर करना होगा। जबकि कोई आधिकारिक मानक नहीं है, एनवीडीआईएमएम-एफ प्रकार के मॉड्यूल 2014 से उपलब्ध हैं।
*NVDIMM-N: फ्लैश स्टोरेज के साथ DIMM और एक ही मॉड्यूल पर पारंपरिक DRAM। सिस्टम रनटाइम के समय कंप्यूटर पारंपरिक DRAM को सीधे एक्सेस करता है। बिजली की विफलता की स्थिति में, मॉड्यूल अस्थिर पारंपरिक DRAM से डेटा को लगातार फ्लैश मेमोरी में कॉपी करता है, और बिजली बहाल होने पर इसे वापस कॉपी करता है। यह मॉड्यूल के लिए एक छोटे बैकअप पावर स्रोत का उपयोग करता है जबकि डीआरएएम में डेटा को फ्लैश स्टोरेज में कॉपी किया जा रहा है।
*NVDIMM-N: फ्लैश स्टोरेज के साथ DIMM और एक ही मॉड्यूल पर पारंपरिक DRAM। सिस्टम रनटाइम के समय कंप्यूटर पारंपरिक DRAM को सीधे एक्सेस करता है। बिजली की विफलता की स्थिति में, मॉड्यूल अस्थिर पारंपरिक DRAM से डेटा को लगातार फ्लैश मेमोरी में कॉपी करता है, और बिजली बहाल होने पर इसे वापस कॉपी करता है। यह मॉड्यूल के लिए एक छोटे बैकअप पावर स्रोत का उपयोग करता है जबकि डीआरएएम में डेटा को फ्लैश स्टोरेज में कॉपी किया जा रहा है।
Line 24: Line 21:


गैर-मानक NVDIMM कार्यान्वयन:
गैर-मानक NVDIMM कार्यान्वयन:
* NVDIMM-X: NAND फ्लैश स्टोरेज के साथ DDR4 DIMM और उसी मॉड्यूल पर वाष्पशील DRAM, जिसे Xitore द्वारा विकसित किया गया है।
* NVDIMM-X: NAND फ्लैश स्टोरेज के साथ DDR4 DIMM और उसी मॉड्यूल पर अस्थिरता DRAM, जिसे Xitore द्वारा विकसित किया गया है।


नवंबर 2012 तक, अधिकांश एनवीडीआईएमएम ने गैर-वाष्पशील मेमोरी के रूप में [[फ्लैश मेमोरी]] का उपयोग किया।<ref>{{cite web|url=http://www.storage-switzerland.com/Blog/Entries/2012/10/2_Does_DRAM_Storage_Still_Make_Sense.html|title=Does DRAM Storage Still Make Sense?|last=Crump|first=George|date=2012-10-02|website=Storage Switzerland|archive-url=https://archive.today/20130616142850/http://www.storage-switzerland.com/Blog/Entries/2012/10/2_Does_DRAM_Storage_Still_Make_Sense.html|archive-date=2013-06-16|url-status=dead|access-date=}}</ref> उभरती हुई स्मृति प्रौद्योगिकियों का उद्देश्य कैश या दो अलग-अलग यादों के बिना एनवीडीआईएमएम हासिल करना है। Intel और Micron ने NVDIMM-F में 3D XPoint [[चरण-परिवर्तन स्मृति]] तकनीक के उपयोग की घोषणा की है।<ref>{{cite web|url=https://www.pcworld.com/article/2973549/storage/intels-crazy-fast-3d-xpoint-optane-memory-heads-for-ddr-slots-but-with-a-catch.html|title=Intels crazy fast 3D XPoint Optane memory heads for DDR slots but with a cache|last=Mah Ung|first=Gordon|date=2015-08-21|work=[[PCWorld]]|archive-url=https://web.archive.org/web/20150823185737/https://www.pcworld.com/article/2973549/storage/intels-crazy-fast-3d-xpoint-optane-memory-heads-for-ddr-slots-but-with-a-catch.html|archive-date=2015-08-23|url-status=live|accessdate=2015-08-21}}</ref> [[Sony]] और [[Sanmina Corporation]] ने [[ReRAM]] तकनीक पर आधारित एक NVDIMM-N उत्पाद की घोषणा की है।<ref>{{cite web|url=http://www.techeye.net/business/viking-technology-and-sony-in-reram-memory-mashup|title=रेराम मेमोरी मैशअप में वाइकिंग तकनीक और सोनी|author=Russell|first=Gil|date=2015-08-11|work=TechEye|archive-url=https://web.archive.org/web/20160416182553/http://www.techeye.net/business/viking-technology-and-sony-in-reram-memory-mashup|archive-date=2016-04-16|url-status=dead|accessdate=2015-08-11}}</ref> 2015 में, [[ SAMSUNG |SAMSUNG]] और [[नेटलिस्ट (कंपनी)]] ने संभवत: Z-NAND पर आधारित एक NVDIMM-P उत्पाद की घोषणा की।<ref>{{Cite web|last=Armstrong|first=Adam|date=2015-11-19|title=एनवीडीआईएमएम-पी डिलीवर करने के लिए नेटलिस्ट और सैमसंग पार्टनर|url=https://www.storagereview.com/news/netlist-and-samsung-partner-to-deliver-nvdimm-p|url-status=live|archive-url=https://web.archive.org/web/20210102221842/https://www.storagereview.com/news/netlist-and-samsung-partner-to-deliver-nvdimm-p|archive-date=2021-01-02|access-date=|website=Storage Review}}</ref>
नवंबर 2012 तक, अधिकांश एनवीडीआईएमएम ने गैर-अस्थिरता मेमोरी के रूप में [[फ्लैश मेमोरी]] का उपयोग किया।<ref>{{cite web|url=http://www.storage-switzerland.com/Blog/Entries/2012/10/2_Does_DRAM_Storage_Still_Make_Sense.html|title=Does DRAM Storage Still Make Sense?|last=Crump|first=George|date=2012-10-02|website=Storage Switzerland|archive-url=https://archive.today/20130616142850/http://www.storage-switzerland.com/Blog/Entries/2012/10/2_Does_DRAM_Storage_Still_Make_Sense.html|archive-date=2013-06-16|url-status=dead|access-date=}}</ref> उभरती हुई स्मृति प्रौद्योगिकियों का उद्देश्य कैश या दो अलग-अलग यादों के बिना एनवीडीआईएमएम हासिल करना है। Intel और Micron ने NVDIMM-F में 3D XPoint [[चरण-परिवर्तन स्मृति]] तकनीक के उपयोग की घोषणा की है।<ref>{{cite web|url=https://www.pcworld.com/article/2973549/storage/intels-crazy-fast-3d-xpoint-optane-memory-heads-for-ddr-slots-but-with-a-catch.html|title=Intels crazy fast 3D XPoint Optane memory heads for DDR slots but with a cache|last=Mah Ung|first=Gordon|date=2015-08-21|work=[[PCWorld]]|archive-url=https://web.archive.org/web/20150823185737/https://www.pcworld.com/article/2973549/storage/intels-crazy-fast-3d-xpoint-optane-memory-heads-for-ddr-slots-but-with-a-catch.html|archive-date=2015-08-23|url-status=live|accessdate=2015-08-21}}</ref> [[Sony]] और [[Sanmina Corporation]] ने [[ReRAM]] तकनीक पर आधारित एक NVDIMM-N उत्पाद की घोषणा की है।<ref>{{cite web|url=http://www.techeye.net/business/viking-technology-and-sony-in-reram-memory-mashup|title=रेराम मेमोरी मैशअप में वाइकिंग तकनीक और सोनी|author=Russell|first=Gil|date=2015-08-11|work=TechEye|archive-url=https://web.archive.org/web/20160416182553/http://www.techeye.net/business/viking-technology-and-sony-in-reram-memory-mashup|archive-date=2016-04-16|url-status=dead|accessdate=2015-08-11}}</ref> 2015 में, [[ SAMSUNG |SAMSUNG]] और [[नेटलिस्ट (कंपनी)]] ने संभवत: Z-NAND पर आधारित एक NVDIMM-P उत्पाद की घोषणा की।<ref>{{Cite web|last=Armstrong|first=Adam|date=2015-11-19|title=एनवीडीआईएमएम-पी डिलीवर करने के लिए नेटलिस्ट और सैमसंग पार्टनर|url=https://www.storagereview.com/news/netlist-and-samsung-partner-to-deliver-nvdimm-p|url-status=live|archive-url=https://web.archive.org/web/20210102221842/https://www.storagereview.com/news/netlist-and-samsung-partner-to-deliver-nvdimm-p|archive-date=2021-01-02|access-date=|website=Storage Review}}</ref>




Line 32: Line 29:
NVDIMMs BBU (बैटरी समर्थित) DIMM से विकसित हुए हैं, जो 72 घंटे तक अस्थिर मेमोरी को पावर बनाए रखने के लिए [[बैकअप बैटरी]] का उपयोग करते हैं। यद्यपि, कंप्यूटर घटकों में [[बैटरी (बिजली)]] का विरोध किया जाता है क्योंकि उनका जीवनकाल सीमित होता है, उन्हें [[खतरनाक अपशिष्ट]] माना जा सकता है, और इसमें [[भारी धातु (रसायन विज्ञान)]] हो सकता है।{{fact|date=November 2018}} जो खतरनाक पदार्थों के प्रतिबंध के निर्देश के अनुपालन का उल्लंघन करते हैं।
NVDIMMs BBU (बैटरी समर्थित) DIMM से विकसित हुए हैं, जो 72 घंटे तक अस्थिर मेमोरी को पावर बनाए रखने के लिए [[बैकअप बैटरी]] का उपयोग करते हैं। यद्यपि, कंप्यूटर घटकों में [[बैटरी (बिजली)]] का विरोध किया जाता है क्योंकि उनका जीवनकाल सीमित होता है, उन्हें [[खतरनाक अपशिष्ट]] माना जा सकता है, और इसमें [[भारी धातु (रसायन विज्ञान)]] हो सकता है।{{fact|date=November 2018}} जो खतरनाक पदार्थों के प्रतिबंध के निर्देश के अनुपालन का उल्लंघन करते हैं।


जब मॉड्यूल में गैर-वाष्पशील मेमोरी सम्मिलित होती है, तो कंप्यूटर की मुख्य शक्ति विफल होने के बाद केवल थोड़े समय के लिए बैकअप पावर की आवश्यकता होती है, जबकि मॉड्यूल डेटा को वाष्पशील से गैर-वाष्पशील मेमोरी में कॉपी करता है। इसलिए, आधुनिक एनवीडीआईएमएम ऊर्जा को स्टोर करने के लिए ऑन-बोर्ड [[सुपरकैपेसिटर]] का उपयोग करते हैं।
जब मॉड्यूल में गैर-अस्थिरता मेमोरी सम्मिलित होती है, तो कंप्यूटर की मुख्य शक्ति विफल होने के बाद केवल थोड़े समय के लिए बैकअप पावर की आवश्यकता होती है, जबकि मॉड्यूल डेटा को अस्थिरता से गैर-अस्थिरता मेमोरी में कॉपी करता है। इसलिए, आधुनिक एनवीडीआईएमएम ऊर्जा को स्टोर करने के लिए ऑन-बोर्ड [[सुपरकैपेसिटर]] का उपयोग करते हैं।


== इंटरफ़ेस ==
== इंटरफ़ेस ==
Line 42: Line 39:


== यह भी देखें ==
== यह भी देखें ==
* [[गैर-वाष्पशील रैंडम-एक्सेस मेमोरी]] (एनवीआरएएम)
* [[गैर-वाष्पशील रैंडम-एक्सेस मेमोरी|गैर-अस्थिरता रैंडम-एक्सेस मेमोरी]] (एनवीआरएएम)
* गैर-वाष्पशील मेमोरी (एनवीएम)
* गैर-अस्थिरता मेमोरी (एनवीएम)


==संदर्भ==
==संदर्भ==

Revision as of 00:51, 14 June 2023

एक एनवीडीआईएमएम (उच्चारण एन-वी-डिम) या गैर-अस्थिरता डीआईएमएम व्यापक रूप से डीआईएमएम फॉर्म-कारकों का उपयोग करने वाले कंप्यूटरों के लिए एक प्रकार की लगातार रैंडम एक्सेस मेमोरी है। गैर-अस्थिरता मेमोरी वह मेमोरी है जो विद्युत ऊर्जा को हटा दिए जाने पर भी अपने डेटा को निरंतर बनाये रखती है, उदाहरण के लिए अप्रत्याशित बिजली की हानि, सिस्टम क्रैश या सामान्य शटडाउन से। उचित रूप से उपयोग किए जाने पर, एनवीडीआईएमएम एप्लिकेशन प्रदर्शन और सिस्टम क्रैश रिकवरी समय में सुधार कर सकता है।[1]वे ठोस राज्य ड्राइव (SSD) धीरज और विश्वसनीयता बढ़ाते हैं।[2][3] कई गैर-अस्थिरता उत्पाद सामान्य ऑपरेशन के समय अस्थिरता मेमोरी का उपयोग करते हैं और ऑन-बोर्ड बैकअप पावर स्रोत का उपयोग करके डेटा को गैर-अस्थिरता मेमोरी में डंप कर देते हैं। अस्थिर स्मृति गैर-अस्थिरता से तेज़ है; यह बाइट-एड्रेसेबल है; और पहनने और डिवाइस के जीवनकाल के बारे में चिंता किए बिना इसे मनमाने ढंग से लिखा जा सकता है। चूंकि, गैर-अस्थिरता (और ऑन-बोर्ड बैकअप पावर स्रोत) को प्राप्त करने के लिए दूसरी मेमोरी सहित अस्थिरता मेमोरी की तुलना में उत्पाद लागत बढ़ जाती है।

विकास में कई उभरती हुई गैर-अस्थिरता यादें हैं और कुछ जिन्हें मैग्नेटोरेसिस्टिव रैम (एमआरएएम) और इंटेल के 3डी एक्सपॉइंट सहित लॉन्च किया गया है। एमआरएएम की तरह, कार्बन नैनोट्यूब पर आधारित नैनो-रैम एक ऐसी तकनीक है जो प्रदर्शन, बाइट-एड्रेसेबिलिटी और डिवाइस लाइफ के मानदंड पर डीआरएएम के करीब आने का इरादा रखती है; फैब्रिकेशन पार्टनर फुजित्सु से 2021 में मध्यम घनत्व पर पहले उत्पादों की उम्मीद है।[4] इस तकनीक का लक्ष्य लागत-प्रभावी रूप से स्केल आउट करने में सक्षम है, इसलिए लगातार मेमोरी DRAM को एंटरप्राइज़ सिस्टम में मुख्य सिस्टम मेमोरी के रूप में बदल सकती है।[1]

प्रकार

JEDEC मानक संगठन द्वारा तीन प्रकार के NVDIMM कार्यान्वयन हैं:[5]

  • NVDIMM-F: फ्लैश स्टोरेज के साथ DIMM। सिस्टम उपयोगकर्ताओं को एक पारंपरिक DRAM DIMM के साथ स्टोरेज DIMM को पेयर करना होगा। जबकि कोई आधिकारिक मानक नहीं है, एनवीडीआईएमएम-एफ प्रकार के मॉड्यूल 2014 से उपलब्ध हैं।
  • NVDIMM-N: फ्लैश स्टोरेज के साथ DIMM और एक ही मॉड्यूल पर पारंपरिक DRAM। सिस्टम रनटाइम के समय कंप्यूटर पारंपरिक DRAM को सीधे एक्सेस करता है। बिजली की विफलता की स्थिति में, मॉड्यूल अस्थिर पारंपरिक DRAM से डेटा को लगातार फ्लैश मेमोरी में कॉपी करता है, और बिजली बहाल होने पर इसे वापस कॉपी करता है। यह मॉड्यूल के लिए एक छोटे बैकअप पावर स्रोत का उपयोग करता है जबकि डीआरएएम में डेटा को फ्लैश स्टोरेज में कॉपी किया जा रहा है।
  • NVDIMM-P: फरवरी 2021 में JEDEC द्वारा पूरी तरह से जारी विनिर्देश।[6] यह लगातार मेमोरी तकनीक का उपयोग करके कंप्यूटर की मुख्य मेमोरी को लगातार बनाए रखने में सक्षम बनाता है और DDR4 SDRAM या DDR5 SDRAM DIMM इंटरकनेक्ट को DRAM DIMM के साथ साझा कर सकता है।

गैर-मानक NVDIMM कार्यान्वयन:

  • NVDIMM-X: NAND फ्लैश स्टोरेज के साथ DDR4 DIMM और उसी मॉड्यूल पर अस्थिरता DRAM, जिसे Xitore द्वारा विकसित किया गया है।

नवंबर 2012 तक, अधिकांश एनवीडीआईएमएम ने गैर-अस्थिरता मेमोरी के रूप में फ्लैश मेमोरी का उपयोग किया।[7] उभरती हुई स्मृति प्रौद्योगिकियों का उद्देश्य कैश या दो अलग-अलग यादों के बिना एनवीडीआईएमएम हासिल करना है। Intel और Micron ने NVDIMM-F में 3D XPoint चरण-परिवर्तन स्मृति तकनीक के उपयोग की घोषणा की है।[8] Sony और Sanmina Corporation ने ReRAM तकनीक पर आधारित एक NVDIMM-N उत्पाद की घोषणा की है।[9] 2015 में, SAMSUNG और नेटलिस्ट (कंपनी) ने संभवत: Z-NAND पर आधारित एक NVDIMM-P उत्पाद की घोषणा की।[10]


बैकअप पावर

NVDIMMs BBU (बैटरी समर्थित) DIMM से विकसित हुए हैं, जो 72 घंटे तक अस्थिर मेमोरी को पावर बनाए रखने के लिए बैकअप बैटरी का उपयोग करते हैं। यद्यपि, कंप्यूटर घटकों में बैटरी (बिजली) का विरोध किया जाता है क्योंकि उनका जीवनकाल सीमित होता है, उन्हें खतरनाक अपशिष्ट माना जा सकता है, और इसमें भारी धातु (रसायन विज्ञान) हो सकता है।[citation needed] जो खतरनाक पदार्थों के प्रतिबंध के निर्देश के अनुपालन का उल्लंघन करते हैं।

जब मॉड्यूल में गैर-अस्थिरता मेमोरी सम्मिलित होती है, तो कंप्यूटर की मुख्य शक्ति विफल होने के बाद केवल थोड़े समय के लिए बैकअप पावर की आवश्यकता होती है, जबकि मॉड्यूल डेटा को अस्थिरता से गैर-अस्थिरता मेमोरी में कॉपी करता है। इसलिए, आधुनिक एनवीडीआईएमएम ऊर्जा को स्टोर करने के लिए ऑन-बोर्ड सुपरकैपेसिटर का उपयोग करते हैं।

इंटरफ़ेस

कुछ सर्वर विक्रेता अभी भी कंप्यूटर के लिए DDR3 इंटरफ़ेस का उपयोग करके उत्पाद बनाते हैं, किन्तु मानकीकरण 2014 और 2015 में काम करता है, जैसे कि JEDEC में[11] और उन्नत कॉन्फ़िगरेशन और पावर इंटरफ़ेस,[12] DDR4 इंटरफ़ेस पर आधारित था।

उपयोग करता है

BBU DIMM को मूल रूप से RAID HBAs (होस्ट बस एडेप्टर) या सिस्टम के कैश के रूप में उपयोग करने के लिए डिज़ाइन किया गया था, जिससे कि कैश में डेटा को पावर विफलता से बचने के लिए सक्षम किया जा सके। NVDIMMs डेटा सेंटर और क्लाउड कम्प्यूटिंग के लिए तेजी से भंडारण उपकरणों या इन-मेमोरी प्रोसेसिंग में RAID अनुप्रयोगों से आगे बढ़ गए हैं।[13]


यह भी देखें

संदर्भ

  1. ↑ 1.0 1.1 Non-Volatile Memory and Its Use in Enterprise Applications (PDF), Viking Technology, SNIA, January 2014{{citation}}: CS1 maint: others (link)
  2. ↑ Grupp, Laura M.; Davis, John; Swanson, Steven (February 2012). "नंद फ्लैश मेमोरी का अंधकारमय भविष्य" (PDF). Microsoft Research. Archived (PDF) from the original on 2019-02-10. Retrieved 2014-05-08.
  3. ↑ Maleval, Jean Jacques (2013-03-11). "SSDs बड़े पैमाने पर डेटा हानि का जोखिम उठाते हैं". Storage Newsletter. Retrieved 2013-09-06.
  4. ↑ Clarke, Peter (14 April 2020). "First carbon nanotube NRAM products due in 2020, says Nantero". eenewsanalog.com. European Business Press. Retrieved 19 September 2020.
  5. ↑ Golander, Amit (2015-08-23). "NVDIMM कार्ड के युग में आपका स्वागत है". Plexistor. Archived from the original on 2018-12-23. Retrieved 2015-08-23.
  6. ↑ "JEDEC Publishes DDR4 NVDIMM-P Bus Protocol Standard". JEDEC. 2021-02-17. Retrieved 2021-02-17.
  7. ↑ Crump, George (2012-10-02). "Does DRAM Storage Still Make Sense?". Storage Switzerland. Archived from the original on 2013-06-16.
  8. ↑ Mah Ung, Gordon (2015-08-21). "Intels crazy fast 3D XPoint Optane memory heads for DDR slots but with a cache". PCWorld. Archived from the original on 2015-08-23. Retrieved 2015-08-21.
  9. ↑ Russell, Gil (2015-08-11). "रेराम मेमोरी मैशअप में वाइकिंग तकनीक और सोनी". TechEye. Archived from the original on 2016-04-16. Retrieved 2015-08-11.
  10. ↑ Armstrong, Adam (2015-11-19). "एनवीडीआईएमएम-पी डिलीवर करने के लिए नेटलिस्ट और सैमसंग पार्टनर". Storage Review. Archived from the original on 2021-01-02.
  11. ↑ "JEDEC ने NVDIMM हाइब्रिड मेमोरी मॉड्यूल को समर्थन देने की घोषणा की". JEDEC. 2015-05-26. Archived from the original on 2016-04-24. Retrieved 2015-05-26.
  12. ↑ Larabel, Michael (2015-05-21). "ACPI 6 Non-Volatile Memory Device Support NFIT libND For Linux". Phoronix. Archived from the original on 2018-12-23. Retrieved 2015-05-21.
  13. ↑ Verity, John W. (2012-09-19). "गैर-वाष्पशील DRAM ऐप्स को बड़ा बढ़ावा देने के लिए तैयार है". Datacenter Acceleration. Archived from the original on 2013-06-16. Retrieved 2013-09-06.


बाहरी संबंध

Retrieved from ‘https://www.vigyanwiki.in/index.php?title=एनवीडीआईएमएम&oldid=191737’