टौक प्लॉट: Difference between revisions
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अपने मूल कार्य [[जान टौक]] में ({{IPAc-en|t|aʊ|t|s}}) ने दिखाया कि असंगत [[जर्मेनियम]] का ऑप्टिकल [[अवशोषण स्पेक्ट्रम]] [[क्रिस्टलीय]] जर्मेनियम में [[प्रत्यक्ष और अप्रत्यक्ष बैंडगैप|प्रत्यक्ष और अप्रत्यक्ष ऊर्जा अंतराल]] के स्पेक्ट्रम जैसा दिखता है (साथ ही कम ऊर्जा पर स्थानीयकृत स्थितियों के कारण टेल), और इन क्रिस्टलीय जैसी अवस्थाओं के ऑप्टिकल ऊर्जा अंतराल को खोजने के लिए बहिर्क्षेपण का प्रस्ताव रखा <ref name="Tauc, J. et al.">{{cite journal|doi=10.1002/pssb.19660150224|title=अनाकार जर्मेनियम के ऑप्टिकल गुण और इलेक्ट्रॉनिक संरचना|year=1966|last1=Tauc|first1=J.|last2=Grigorovici|first2=R.|last3=Vancu|first3=A.|journal=Physica Status Solidi B|volume=15|issue=2|pages=627|bibcode = 1966PSSBR..15..627T |s2cid=121844404 |url=https://doklady.belnauka.by/jour/article/view/554}}</ref> सामान्यतः, टौक प्लॉट एब्सिस्सा (एक्स-समन्वय) पर मात्रा hν (फोटॉन ऊर्जा) और कोर्डिनेट (y-निर्देशांक) पर मात्रा (αhν)<sup>1/2</sup> दिखाता है। , जहां α पदार्थ का [[अवशोषण गुणांक]] है। इस प्रकार, इस रैखिक क्षेत्र को एब्सिस्सा में बहिर्क्षेपण करने से असंगत पदार्थ के ऑप्टिकल ऊर्जा अंतराल की ऊर्जा प्राप्त होती है। | अपने मूल कार्य [[जान टौक]] में ({{IPAc-en|t|aʊ|t|s}}) ने दिखाया कि असंगत [[जर्मेनियम]] का ऑप्टिकल [[अवशोषण स्पेक्ट्रम]] [[क्रिस्टलीय]] जर्मेनियम में [[प्रत्यक्ष और अप्रत्यक्ष बैंडगैप|प्रत्यक्ष और अप्रत्यक्ष ऊर्जा अंतराल]] के स्पेक्ट्रम जैसा दिखता है (साथ ही कम ऊर्जा पर स्थानीयकृत स्थितियों के कारण टेल), और इन क्रिस्टलीय जैसी अवस्थाओं के ऑप्टिकल ऊर्जा अंतराल को खोजने के लिए बहिर्क्षेपण का प्रस्ताव रखा <ref name="Tauc, J. et al.">{{cite journal|doi=10.1002/pssb.19660150224|title=अनाकार जर्मेनियम के ऑप्टिकल गुण और इलेक्ट्रॉनिक संरचना|year=1966|last1=Tauc|first1=J.|last2=Grigorovici|first2=R.|last3=Vancu|first3=A.|journal=Physica Status Solidi B|volume=15|issue=2|pages=627|bibcode = 1966PSSBR..15..627T |s2cid=121844404 |url=https://doklady.belnauka.by/jour/article/view/554}}</ref> सामान्यतः, टौक प्लॉट एब्सिस्सा (एक्स-समन्वय) पर मात्रा hν (फोटॉन ऊर्जा) और कोर्डिनेट (y-निर्देशांक) पर मात्रा (αhν)<sup>1/2</sup> दिखाता है। , जहां α पदार्थ का [[अवशोषण गुणांक]] है। इस प्रकार, इस रैखिक क्षेत्र को एब्सिस्सा में बहिर्क्षेपण करने से असंगत पदार्थ के ऑप्टिकल ऊर्जा अंतराल की ऊर्जा प्राप्त होती है। | ||
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Revision as of 08:29, 14 August 2023
टौक प्लॉट [1] का उपयोग अव्यवस्थित [2] या असंगत [3] अर्धचालकों के ऑप्टिकल ऊर्जा अंतराल या टौक ऊर्जा अंतराल को निर्धारित करने के लिए किया जाता है।
अपने मूल कार्य जान टौक में (/taʊts/) ने दिखाया कि असंगत जर्मेनियम का ऑप्टिकल अवशोषण स्पेक्ट्रम क्रिस्टलीय जर्मेनियम में प्रत्यक्ष और अप्रत्यक्ष ऊर्जा अंतराल के स्पेक्ट्रम जैसा दिखता है (साथ ही कम ऊर्जा पर स्थानीयकृत स्थितियों के कारण टेल), और इन क्रिस्टलीय जैसी अवस्थाओं के ऑप्टिकल ऊर्जा अंतराल को खोजने के लिए बहिर्क्षेपण का प्रस्ताव रखा [4] सामान्यतः, टौक प्लॉट एब्सिस्सा (एक्स-समन्वय) पर मात्रा hν (फोटॉन ऊर्जा) और कोर्डिनेट (y-निर्देशांक) पर मात्रा (αhν)1/2 दिखाता है। , जहां α पदार्थ का अवशोषण गुणांक है। इस प्रकार, इस रैखिक क्षेत्र को एब्सिस्सा में बहिर्क्षेपण करने से असंगत पदार्थ के ऑप्टिकल ऊर्जा अंतराल की ऊर्जा प्राप्त होती है।
क्रिस्टलीय अर्धचालकों के ऑप्टिकल बैंडगैप को निर्धारित करने के लिए एक समान प्रक्रिया अपनाई जाती है।[5] चूँकि इस स्थिति में कोटि (α)1/r द्वारा दी गई है जिसमें घातांक 1/r संक्रमण की प्रकृति को दर्शाता है[6],[7],[8]
- r = 1/2 प्रत्यक्ष और अप्रत्यक्ष बैंड अंतराल के लिए
- r = 3/2 प्रत्यक्ष निषिद्ध परिवर्तन के लिए।
- r = 2 अप्रत्यक्ष परिवर्तन के लिए
- r = 3 अप्रत्यक्ष निषिद्ध परिवर्तन के लिए
फिर, परिणामी प्लॉट (अधिकांशतः, गलत विधि से टौक प्लॉट के रूप में पहचाना जाता है) में भिन्न रैखिक क्षेत्र होता है, जो एब्सिस्सा के लिए बहिर्क्षेपण होता है, जो पदार्थ के ऑप्टिकल ऊर्जा अंतराल की ऊर्जा उत्पन्न करता है।[9]
यह भी देखें
संदर्भ
- ↑ Tauc, J. (1968). "Optical properties and electronic structure of amorphous Ge and Si". Materials Research Bulletin. 3: 37–46. doi:10.1016/0025-5408(68)90023-8.
- ↑
Mott, N. F. & Davis, E. A. (1979). Electronic processes in non-crystalline materials. Clarendon Press, Oxford. ISBN 0-19-851288-0.
{{cite book}}: CS1 maint: multiple names: authors list (link) - ↑ Street, R. A. (1991). Hydrogenated amorphous silicon. Cambridge Univ. Press, Cambridge. ISBN 0-521-37156-2.
- ↑ Tauc, J.; Grigorovici, R.; Vancu, A. (1966). "अनाकार जर्मेनियम के ऑप्टिकल गुण और इलेक्ट्रॉनिक संरचना". Physica Status Solidi B. 15 (2): 627. Bibcode:1966PSSBR..15..627T. doi:10.1002/pssb.19660150224. S2CID 121844404.
- ↑
Yu, P. Y. & Cardona, M. (1996). Fundamentals of semiconductors. Springer, Berlin. ISBN 3-540-61461-3.
{{cite book}}: CS1 maint: multiple names: authors list (link) - ↑ MacFarlane, G. G. & Roberts, V. (1955). "जाली किनारे के पास जर्मेनियम का अवरक्त अवशोषण". Physical Review. 97 (6): 1714–1716. Bibcode:1955PhRv...97.1714M. doi:10.1103/PhysRev.97.1714.2.
{{cite journal}}: CS1 maint: multiple names: authors list (link) - ↑ MacFarlane, G. G., McLean, T. P., Quarrington, J. E. & Roberts, V. (1958). "सी के अवशोषण-किनारे स्पेक्ट्रम में ठीक संरचना". Physical Review. 111 (5): 1245–1254. Bibcode:1958PhRv..111.1245M. doi:10.1103/PhysRev.111.1245.
{{cite journal}}: CS1 maint: multiple names: authors list (link) - ↑ Davis, E. A.; Mott, N. F. (1970). "गैर-क्रिस्टलीय प्रणालियों में चालन V. अनाकार अर्धचालकों में चालकता, ऑप्टिकल अवशोषण और फोटोकंडक्टिविटी". Philosophical Magazine A. 22 (179): 903–922. Bibcode:1970PMag...22..903D. doi:10.1080/14786437008221061.
- ↑ Zanatta, A. R. (2019). "Revisiting the optical bandgap of semiconductors and the proposal of a unified methodology to its determination". Scientific Reports. 9 (1): 11225–12pp. Bibcode:2019NatSR...911225Z. doi:10.1038/s41598-019-47670-y. PMC 6677798. PMID 31375719.
