मैग्नेटो-इलेक्ट्रिक स्पिन-ऑर्बिट
मैग्नेटो-इलेक्ट्रिक स्पिन-ऑर्बिट (एमईएसओ) मापनीय एकीकृत परिपथ के निर्माण के लिए प्रारूपित की गई एक तकनीक है, जो इंटेल द्वारा प्रस्तावित मॉस्फेट जैसे सीएमओएस उपकरणों के सापेक्ष में एक अलग संचालन सिद्धांत के साथ काम करता है।[1] यह प्रौद्योगिकी सीएमओएस उपकरण निर्माण तकनीक और मशीनरी के साथ संगत है।[2][3]एमईएसओ के प्रारंभ से पहले, इंटेल ने बियॉन्ड सीएमओएस प्रवर्धन के लिए 17 अलग-अलग उपकरण स्थापत्य का मूल्यांकन किया था, जिसका उद्देश्य एकीकृत परिपथ में उपयोग किए जाने वाले एमओएसएफईटी जैसे सीएमओएस उपकरणों के साथ उपस्थित प्रवर्धन चुनौतियों को पार करना था।
ये स्थापत्य उत्पाद प्रक्रिया के साथ बनाए गए थे जो सीएमओएस उपकरणों के उपयोग के लिए किए गए थे, क्योंकि कुछ सीएमओएस उपकरण अब भी अन्य परिपथों के साथ इंटरफेस के लिए और एक एकीकृत प्रक्रिया परिपथ के लिए घड़ी की संकेत प्रदान करने के लिए आवश्यक होते हैं, और उपस्थित उत्पाद उपकरणों को पुनर्गुणवत करने के लिए आवश्यक हैं:।[4][2] टनलिंग एफईटीएस, ग्रेफेन पी-एन जंक्शन्स, आईटीएफईटीएस, बिसएफईटी, स्पिनएफईटीएस, ऑल स्पिन लॉजिक, स्पिन टॉर्क ऑसिलेटर्स, डोमेन वॉल लॉजिक, स्पिन टॉर्क मेजॉरिटी, स्पिन टॉर्क त्रिकोण, स्पिन वेव डिवाइस, नैनो मैग्नेट लॉजिक, चार्ज स्पिन लॉजिक, पायजो एफईटीएस, एमआईटीएफईटीएस, एफईफईटीएस और नेगेटिव कैपैसिटेंस एफईटीएस परीक्षण किया गया और पाया गया कि इनमें से कोई भी सीएमओएस के सापेक्ष में कम शक्ति खपत का संयोजन प्रदान नहीं किया था। वेंचरबीट के अनुसार, अनुकरण ने दिखाया कि, 32-बिट एएलयू पर, एमईएसओ उपकरण सीएमओएस एचपी उपकरणों के सापेक्ष में उच्च प्रदर्शन और कम पावर डेंसिटी (ऊर्जा घनत्व) प्रदान करते हैं, जो सभी अन्य डिवाइसों में एमईएसओ के अतिरिक्त सबसे उच्च प्रदर्शन था।
एमईएसओ उपकरण स्पिन ऑर्बिट कपलिंग प्रभाव के साथ मैग्नेटोइलेक्ट्रिक प्रभाव के युग्मन द्वारा संचालित होते हैं।[3]विशेष रूप से, मैग्नेटोइलेक्ट्रिक प्रभाव एक प्रेरित विद्युत क्षेत्र के कारण उपकरण के भीतर चुंबकत्व में बदलाव को प्रेरित करेगा, जिसे स्पिन ऑर्बिट युग्मन घटक द्वारा पढ़ा जा सकता है जो इसे विद्युत चार्ज में परिवर्तित करता है।[5][3]यह तंत्र इस बात के अनुरूप है कि कैसे एकसीएमओएस उपकरण एक लॉजिक गेट बनाने के लिए स्रोत, गेट और ड्रेन इलेक्ट्रोड के साथ मिलकर काम करता है।
सीएमओएस की तुलना में, एमईएसओ परिपथ को स्विचिंग के लिए कम ऊर्जा की आवश्यकता हो सकती है, कम ऑपरेटिंग वोल्टेज हो सकता है, उच्च एकीकरण घनत्व हो सकता है, इसमें गैर-अस्थिरता होती है जो अल्ट्रा कम स्टैंडबाय बिजली की खपत की अनुमति देती है, और एमईएसओ उपकरणों को स्विच करने के लिए आवश्यक ऊर्जा क्यूबिक रूप से कम हो जाती है। उपकरण के दो के कारक द्वारा प्रत्येक लघुकरण के साथ।[3]ये विशेषताएं एकीकृत परिपथ में भविष्य के लॉजिक गेट और परिपथ के डिजाइन में सीएमओएस उपकरणों को बदलने के लिए एमईएसओ को आकर्षक बनाती हैं क्योंकि यह उनके प्रदर्शन को बढ़ाने और उनकी बिजली की खपत को कम करने में मदद कर सकती है।
2020 तक, प्रौद्योगिकी इंटेल और कैलिफोर्निया विश्वविद्यालय, बर्कले द्वारा विकसित की जा रही है।[6]2020 में nanoGUNE में किए गए पहले प्रयोग ने साबित कर दिया कि MESO को लागू करने के लिए स्पिन-ऑर्बिट कपलिंग का उपयोग किया जा सकता है। [7]
| Feature Size [nm][3] | Supply Voltage [mV][3] | Switching Energy [J][3] | |
|---|---|---|---|
| CMOS | 10 | 100 - 700 | 300x10−18 |
| MESO | 10 | 10 - 100 | 10x10−18 |
संदर्भ
- ↑ https://www.extremetech.com/computing/286163-intels-fundamentally-new-meso-architecture-could-arrive-in-a-few-years
- ↑ 2.0 2.1 "इंटेल CMOS से आगे MESO तक की ओर देखता है". 14 January 2022.
- ↑ 3.0 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.6 Manipatruni, Sasikanth; Nikonov, Dmitri E.; Lin, Chia-Ching; Gosavi, Tanay A.; Liu, Huichu; Prasad, Bhagwati; Huang, Yen-Lin; Bonturim, Everton; Ramesh, Ramamoorthy; Young, Ian A. (2018). "Scalable energy-efficient magnetoelectric spin–orbit logic". Nature. 565 (7737): 35–42. doi:10.1038/s41586-018-0770-2. PMID 30510160. S2CID 54444242.
- ↑ https://www.eetimes.com/intel-shows-life-beyond-cmos/
- ↑ Lin, Chia-Ching; Gosavi, Tanay; Nikonov, Dmitri E.; Huang, Yen-Lin; Prasad, Bhagwati; Choi, WonYoung; Pham, Van Tuong; Groen, Inge; Chen, Jun-Yang; DC, Mahendra; Liu, Huichu; Oguz, Kaan; Walker, Emily S; Plombon, John; Buford, Benjamin; Naylor, Carl H.; Wang, Jian-Ping; Casanova, Felix; Ramesh, Ramamoorthy; Young, Ian A. (2019). "Experimental demonstration of integrated magneto-electric and spin-orbit building blocks implementing energy-efficient logic". 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). pp. 37.3.1–37.3.4. doi:10.1109/IEDM19573.2019.8993620. ISBN 978-1-7281-4032-2. S2CID 211210115.
{{cite book}}:|journal=ignored (help)CS1 maint: date and year (link) - ↑ "How the New Quantum 'MESO' Architecture Could Replace CMOS". DesignNews. 10 January 2019. Retrieved 2019-07-27.
- ↑ Pham, Van Tuong; Groen, Inge; Manipatruni, Sasikanth; Choi, Won Young; Nikonov, Dmitri E.; Sagasta, Edurne; Lin, Chia-Ching; Gosavi, Tanay A.; Marty, Alain; Hueso, Luis E.; Young, Ian A. (June 2020). "Spin–orbit magnetic state readout in scaled ferromagnetic/heavy metal nanostructures". Nature Electronics (in English). 3 (6): 309–315. arXiv:2002.10581. doi:10.1038/s41928-020-0395-y. ISSN 2520-1131. S2CID 211296841.
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