माइक्रोमॉर्फ
सूटकेस माइक्रोमॉर्फ माइक्रोक्रिस्टलाइन और अनाकार शब्दों का एक संयोजन है। इसका उपयोग एक प्रकार के सिलिकॉन आधारित मल्टीजंक्शन सौर सेल पतली फिल्म सौर सेल के लिए किया जाता है।
माइक्रोमॉर्फ सेल
माइक्रोमॉर्फ कोशिकाएं पतली फिल्म वाली सौर कोशिकाएं होती हैं जो एक मल्टीजंक्शन फोटोवोल्टिक सेल-आर्किटेक्चर पर आधारित होती हैं जिसमें दो सौर कोशिकाएं होती हैं जो एक दूसरे के ऊपर खड़ी होती हैं। जबकि पतली अनाकार सिलिकॉन शीर्ष कोशिका नीली रोशनी को अवशोषित करती है, मोटी माइक्रोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन नीचे की कोशिका लाल और निकट-अवरक्त प्रकाश को अवशोषित करती है, जिससे इस तथाकथित अग्रानुक्रम सेल को सौर स्पेक्ट्रम की एक विस्तृत श्रृंखला को कवर करने की अनुमति मिलती है।
अनाकार सिलिकॉन के बैंडगैप के बाद से (1.7 eV) और माइक्रोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन (1.1 eV) अग्रानुक्रम सौर कोशिकाओं के लिए अच्छी तरह से अनुकूल हैं, इस सेल की शॉक्ले-क्विज़र सीमा 30% से अधिक की रूपांतरण क्षमता की अनुमति देती है। वास्तव में इस सीमा तक नहीं पहुंचा जा सकता है और विशिष्ट स्थिर दक्षता लगभग 9% (विश्व रिकॉर्ड 11.7%) है। यह एकल जंक्शन पतली फिल्म सिलिकॉन सौर कोशिकाओं की स्थिर क्षमता से काफी अधिक है जो लगभग 6% है। वेफर (इलेक्ट्रॉनिक्स) (200 μm) की तुलना में सिलिकॉन पतली फिल्म सौर कोशिकाओं की कम लागत का एक कारण इसकी बहुत कम मोटाई (2 μm) है। लाल और इन्फ्रारेड वेवलेंथ रेंज में 2 μm सिलिकॉन सभी प्रकाश को अवशोषित करने के लिए पर्याप्त नहीं है और इसलिए 'लाइट ट्रैपिंग' की आवश्यकता है।
माइक्रोमॉर्फ दृष्टिकोण का लाभ यह है कि यह अनाकार शीर्ष कोशिका की मोटाई को कम रखता है। यह प्रकाश द्वारा प्रेरित गिरावट के प्रभाव को कम करता है (स्टैबलर-व्रोन्स्की प्रभाव)। मल्टीजंक्शन सेल में टॉप और बॉटम सेल को समान करंट उत्पन्न करना होता है। लेकिन शीर्ष सेल स्टैबलर-व्रोनस्की प्रभाव द्वारा सीमित है और इसलिए इसकी धारा को बढ़ाते हुए शीर्ष सेल की मोटाई कम रखने के लिए प्रकाश ट्रैपिंग और एक मध्यवर्ती परावर्तक की आवश्यकता होती है।
मध्यवर्ती परावर्तक
मध्यवर्ती परावर्तक ऊपर और नीचे की कोशिका के बीच ज़िंक ऑक्साइड (ZnO मध्यवर्ती परावर्तक: ZIR) या सिलिकॉन ऑक्साइड (SiOx मध्यवर्ती परावर्तक: SOIR) की एक परत (IRL) है। आसपास के सिलिकॉन (4) की तुलना में इसके लगभग 2 के निचले अपवर्तक सूचकांक के कारण प्रकाश वापस शीर्ष सेल में परिलक्षित होता है। यह शीर्ष सेल करंट को लगभग 10 से बढ़ा देता है क्या/कितना2 से 12 क्या/कितना2, लेकिन निचले सेल करंट को समान मात्रा में कम करता है।
माइक्रोमॉर्फ शब्द
इस कृत्रिम शब्द का पहली बार उल्लेख वर्ष 1995 में लेखक जे. मायर द्वारा प्रोफेसर अरविन्द शाह के यूनिवर्सिटी ऑफ न्यूचैटल शोध समूह के एक वैज्ञानिक प्रकाशन में किया गया था।[1] लेकिन कई लेखकों और कई वर्षों के लंबे अग्रणी शोध पर आधारित है। प्रकाशनों की विस्तृत सूची के लिए, http://pvlab.epfl.ch के अंतर्गत और https://web.archive.org/web/20110222142422/http://www.fz-juelich के अंतर्गत दो मुख्य अनुसंधान समूहों के प्रकाशनों की वेबसाइट देखें .de/ief/ief-5/publicger/
वर्षों बाद, अन्य यूरोपीय, जापानी और अमेरिकी अनुसंधान समूहों ने ढेर सौर सेल अवधारणा का उपयोग करके पतली-फिल्म सिलिकॉन सौर कोशिकाओं की रूपांतरण दक्षता में सुधार के क्षेत्र में अनुसंधान गतिविधियों को शुरू किया, माइक्रोमॉर्फ डिवाइस 'हाइब्रिड' सौर सेल का नामकरण या माइक्रोक्रिस्टलाइन का नामकरण सिलिकॉन अवशोषक 'नैनोक्रिस्टलाइन' या यहां तक कि 'पॉलीक्रिस्टलाइन' सिलिकॉन।
'माइक्रोमोर्फ' शब्द का हाल ही में सिलिकॉन कोटिंग टूल्स के एक उपकरण निर्माता से संबंधित होने का दावा किया गया है, लेकिन एक पेटेंट निर्णय में, इस दावे को यूरोपीय पेटेंट कार्यालयों द्वारा स्वीकार नहीं किया गया है।[2]
यह भी देखें
- दूरभाष सौर (पूर्व ऑरलिकॉन सौर)
बाहरी संबंध
- Presentation with informative pictures and current state of industrial production: http://www.swisslaser.net/libraries.files/UlrichKrollOerlikon.pdf
संदर्भ
- ↑ J. Meier, S. Dubail, D. Fischer, J. A. Anna Selvan, N. Pellaton Vaucher, R. Platz, C. Hof, R. Flückiger, U. Kroll, N. Wyrsch, P. Torres, H. Keppner, A. Shah, K.-D. Ufert, "The 'Micromorph' Solar Cells: a New Way to High Efficiency Thin Film Silicon Solar Cells", Proceedings of the 13th EC Photovoltaic Solar Energy Conference, Nice, October 1995, pp. 1445–1450.
- ↑ O. Papathanasiou, "A good day for Ms. Schönefeld-Schnuck PI 5/2009 page 44", http://www.op-solar.de/pdfs/A%20good%20day%20for%20Schoenefeld-Schnuck.pdf
