जेनर प्रभाव
इलेक्ट्रानिक्स में, जेनर प्रभाव एक प्रकार का विद्युत विघटन है, जिसे क्लेरेंस जेनर द्वारा खोजा गया था। यह एक विपरीत पुर्वाग्राहित पीएन डायोड में होता है, जब विद्युत क्षेत्र एक अर्धचालक के संयोजन क्षमता से प्रवाहकत्त्व पट्टी तक इलेक्ट्रॉनों की क्वांटम सुरंग निर्माण को सक्षम करता है, जिससे अनेक मुक्त अल्पसंख्यक वाहक निर्मित होते हैं, जो अचानक विपरीत विद्युत प्रवाह को बढ़ा देते हैं।[1]
तंत्र
एक उच्च विपरीत-पुर्वाग्राहित विभव के अंतर्गत, पी-एन जंक्शन का अवक्षय क्षेत्र चौड़ा हो जाता है, जो जंक्शन के पार एक उच्च शक्ति वाले विद्युत क्षेत्र की ओर जाता है।[2] पर्याप्त रूप से प्रभावी विद्युत क्षेत्र अर्धचालक के रिक्तीकरण क्षेत्र में इलेक्ट्रॉनों की सुरंग निर्माण करने में सक्षम होते हैं, जिससे अर्धचालकों में अनेक मुक्त आवेश वाहक निर्मित होते हैं। वाहकों की यह अचानक पीढ़ी तीव्रता से विपरीत धारा को बढ़ाती है, और जेनर डायोड के उच्च प्रवणता प्रवाहकत्त्व को जन्म देती है।
हिमस्खलन प्रभाव से संबंध
जेनर प्रभाव हिमस्खलन टूटने से अलग है। हिमस्खलन टूटने में संक्रमण क्षेत्र में अल्पसंख्यक वाहक इलेक्ट्रॉन सम्मिलित होते हैं, विद्युत क्षेत्र द्वारा त्वरित इलेक्ट्रॉनों के साथ टकराव के माध्यम से इलेक्ट्रॉन-छिद्र युग्म को मुक्त करने के लिए पर्याप्त ऊर्जा उत्पन्न करते है। जेनर और हिमस्खलन प्रभाव एक साथ या एक दूसरे से स्वतंत्र रूप से हो सकते हैं। सामान्यतः, 5 वोल्ट से नीचे होने वाले डायोड जंक्शन विघटन जेनर प्रभाव के कारण होते हैं, जबकि 5 वोल्ट से ऊपर होने हिमस्खलन टूटना हिमस्खलन प्रभाव के कारण होते हैं।[3] 5 वोल्ट के निकट विभव पर होने वाले विघटन सामान्यतः दो प्रभावों के संयोजन के कारण होते हैं। जेनर विघटन विभव संभवतः 3×107 V/m के विद्युत क्षेत्र की तीव्रता पर पाया जाता है।.[1]जेनर विघटन अत्यधिक डोप्ड जंक्शनों में होता है, जो एक व्यापक कमी क्षेत्र का उत्पादन करता है।[2] हिमस्खलन विघटन हल्के डोप्ड जंक्शनों में होता है, जो एक व्यापक कमी क्षेत्र का उत्पादन करता है। जंक्शन में तापमान में वृद्धि से विघटन में जेनर प्रभाव का योगदान में वृद्धी हो जाता है, और हिमस्खलन प्रभाव का योगदान न्यूनतम हो जाता है।
संदर्भ
- ↑ 1.0 1.1 "PN junction breakdown characteristics". Circuits Today. August 25, 2009. Retrieved August 16, 2011.
- ↑ 2.0 2.1 "Zener and Avalanche Breakdown/Diodes", School of Engineering and Applied Sciences, Harvard University
- ↑ Fair, R.B.; Wivell, H.W. (May 1976). "यथा-प्रत्यारोपित निम्न-वोल्टेज Si n-p जंक्शनों में जेनर और हिमस्खलन टूटना". IEEE Transactions on Electron Devices. 23 (5): 512–518. doi:10.1109/T-ED.1976.18438. ISSN 1557-9646. S2CID 12322965.
