आयन किरणपुंज अश्ममुद्रण
आयन-बीम लिथोग्राफी बहुत छोटी संरचनाओं जैसे कि एकीकृत सर्किट या अन्य नैनोस्ट्रक्चर बनाने के लिए एक सतह पर एक पैटर्न वाले फैशन में केंद्रित आयन बीम को स्कैन करने का अभ्यास है।[1]
विवरण
आयन-बीम लिथोग्राफी को त्रि-आयामी सतहों पर उच्च-निष्ठा पैटर्न स्थानांतरित करने के लिए उपयोगी पाया गया है।[2] आयन-बीम लिथोग्राफी यूवी, एक्स-रे, या इलेक्ट्रॉन बीम लिथोग्राफी की तुलना में उच्च रिज़ॉल्यूशन पैटर्निंग प्रदान करती है क्योंकि इन भारी कणों में अधिक गति होती है। यह आयन बीम को एक ई-बीम की तुलना में एक छोटा मैटर_वेव # डी ब्रोगली संबंध देता है और इसलिए लगभग कोई विवर्तन नहीं होता है। संवेग भी लक्ष्य में और किसी भी अवशिष्ट गैस में बिखराव को कम करता है। एक्स-रे और ई-बीम लिथोग्राफी की तुलना में संवेदनशील अंतर्निहित संरचनाओं के लिए कम संभावित विकिरण प्रभाव भी है।[3] आयन-बीम लिथोग्राफी, या आयन-प्रक्षेपण लिथोग्राफी, इलेक्ट्रॉन बीम लिथोग्राफी के समान है, लेकिन बहुत अधिक आवेशित कणों, आयनों का उपयोग करता है। विवर्तन नगण्य होने के अलावा, आयन निर्वात और पदार्थ दोनों के माध्यम से इलेक्ट्रॉनों की तुलना में स्ट्राइटर पथों में चलते हैं, इसलिए बहुत उच्च रिज़ॉल्यूशन की संभावना प्रतीत होती है। आयनों की कम गति के कारण द्वितीयक कणों (इलेक्ट्रॉनों और परमाणुओं) की सीमा बहुत कम होती है। दूसरी ओर, तीव्र स्रोत बनाना अधिक कठिन होता है और किसी दिए गए रेंज के लिए उच्च त्वरण वोल्टेज की आवश्यकता होती है। उच्च ऊर्जा हानि दर, दी गई सीमा के लिए उच्च कण ऊर्जा और महत्वपूर्ण स्थान आवेश प्रभावों की अनुपस्थिति के कारण, शॉट शोर अधिक होगा।
तेजी से चलने वाले आयन इलेक्ट्रॉनों की तुलना में अलग तरह से बातचीत करते हैं, और उनकी उच्च गति के कारण, उनके ऑप्टिकल गुण अलग होते हैं। उनके पास मामले में बहुत कम सीमा होती है और वे इसके माध्यम से आगे बढ़ते हैं। कम ऊर्जा पर, सीमा के अंत में, वे परमाणुओं के बजाय परमाणु नाभिक में अपनी अधिक ऊर्जा खो देते हैं, जिससे परमाणु आयनित होने के बजाय अव्यवस्थित हो जाते हैं। यदि आयन प्रतिरोध से बाहर नहीं निकलते हैं, तो वे इसे डोप कर देते हैं। पदार्थ में ऊर्जा हानि एक ब्रैग वक्र का अनुसरण करती है और इसका एक छोटा सांख्यिकीय प्रसार होता है। वे वैकल्पिक रूप से कठोर हैं, उन्हें ध्यान केंद्रित करने या मोड़ने के लिए बड़े क्षेत्रों या दूरियों की आवश्यकता होती है। उच्च गति अंतरिक्ष आवेश प्रभाव का विरोध करती है।
कोलाइडर कण त्वरक ने दिखाया है कि बहुत अधिक सटीकता के साथ उच्च गति वाले आवेशित कणों पर ध्यान केंद्रित करना और उन्हें चलाना संभव है।
यह भी देखें
संदर्भ
- ↑ F. Watt∗, A. A. Bettiol, J. A. Van Kan, E. J. Teo and M. B. H. Breese http://www.ciba.nus.edu.sg/publications/files/pbw/pbw2005_1.pdf Archived 2011-07-21 at the Wayback Machine "Ion Beam Lithography and Nanofabrication: a Review"], The Guardian, London, 17 December 2004. Retrieved on 2011-03-03.
- ↑ Dhara Parikh, Barry Craver, Hatem N. Nounu, Fu-On Fong, and John C. Wolfe, "Nanoscale Pattern Definition on Nonplanar Surfaces Using Ion Beam Proximity Lithography and Conformal Plasma-Deposited Resist", Journal of microelectromechanical systems, vol. 17, no. 3, June 2008
- ↑ Madou, Mark (2012). Fundamentals of Microfabrication and Nanotechnology volume 2. Boca Raton, Fl: CRC Press. p. 655. ISBN 978-1-4200-5519-1.
