22 एनएम प्रक्रिया

22 एनएम नोड सीएमओएस एमओएसएफईटी अर्धचालक उपकरण निर्माण में 32 एनएम प्रक्रिया के बाद प्रक्रिया चरण है। प्रक्रिया का उपयोग करने वाले मेमोरी सेल के लिए विशिष्ट आधा पिच (अर्थात , एक सरणी में समान सुविधाओं के बीच की आधी दूरी) लगभग 22 नैनोमीटर है। यह सेमीकंडक्टर कंपनी द्वारा पहली बार 2008 में रैंडम एक्सेस मेमोरी मेमोरी में उपयोग के लिए प्रदर्शित किया गया था। 2010 में, तोशीबा ने 24 एनएम फ्लैश मेमोरी चिप्स की शिपिंग प्रारंभ की, और सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने बड़े पैमाने पर 20 एनएम फ्लैश मेमोरी चिप्स का उत्पादन प्रारंभ किया। इंटेल आइवी ब्रिज (माइक्रोआर्किटेक्चर) प्रोसेसर के साथ अप्रैल 2012 में प्रारंभ हुई 22 एनएम प्रक्रिया का उपयोग कर पहली उपभोक्ता-स्तरीय केंद्रीय प्रसंस्करण इकाई वितरण।

सेमीकंडक्टर 2006 फ्रंट एंड प्रोसेस अपडेट के लिए अंतर्राष्ट्रीय प्रौद्योगिकी रोडमैप इंगित करता है कि समतुल्य भौतिक ऑक्साइड मोटाई 0.5 एनएम (एक सिलिकॉन परमाणु के व्यास का लगभग दोगुना) से कम नहीं होगी, जो कि 22 एनएम नोड पर अपेक्षित मूल्य है। यह एक संकेत है कि इस क्षेत्र में सीएमओएस स्केलिंग इस बिंदु पर एक दीवार तक पहुंच गया है, संभवतः मूर के कानून को परेशान कर रहा है।

20-नैनोमीटर नोड 22-नैनोमीटर प्रक्रिया के आधार पर एक मध्यवर्ती आधा-नोड मरना सिकुड़ना है।

TSMC ने 20 का बड़े पैमाने पर उत्पादन प्रारंभ किया{{nbsp}एनएम नोड्स 2014 में। 2014 में वाणिज्यिक 14 एनएम प्रक्रिया | 14 एनएम FinFET तकनीक द्वारा 22 एनएम प्रक्रिया का स्थान लिया गया था।

प्रौद्योगिकी डेमो

18 अगस्त, 2008 को, एएमडी, फ्रीस्केल, आईबीएम, STMicroelectronics, तोशिबा और कॉलेज ऑफ नैनोस्केल साइंस एंड इंजीनियरिंग (सीएनएसई) ने घोषणा की कि उन्होंने संयुक्त रूप से एक 22 एनएम स्टेटिक रैंडम एक्सेस मेमोरी सेल का विकास और निर्माण किया है, जो एक पारंपरिक छह-ट्रांजिस्टर पर बनाया गया है। 300 मिमी वेफ़र (इलेक्ट्रॉनिक्स) पर डिज़ाइन, जिसकी मेमोरी सेल का आकार केवल 0.1 माइक्रोमीटर|μm था^{2</उप>। सेल को विसर्जन लिथोग्राफी का उपयोग करके मुद्रित किया गया था। 22 एनएम नोड पहली बार हो सकता है जहां गेट की लंबाई आवश्यक रूप से प्रौद्योगिकी नोड पदनाम से छोटी नहीं है। उदाहरण के लिए, 25 एनएम गेट की लंबाई 22 एनएम नोड के लिए विशिष्ट होगी।}

22 सितंबर, 2009 को, इंटेल डेवलपर फोरम#2009 इवेंट्स के दौरान, इंटेल ने 22 एनएम वेफर दिखाया और घोषणा की कि 22 एनएम तकनीक वाले चिप्स 2011 की दूसरी छमाही में उपलब्ध होंगे। SRAM सेल का आकार 0.092 माइक्रोन बताया गया है², अब तक की सबसे छोटी रिपोर्ट।

3 जनवरी, 2010 को इंटेल और माइक्रोन प्रौद्योगिकी ने 25 एनएम एनएएनडी गेट उपकरणों के परिवार में पहली घोषणा की।

2 मई, 2011 को, इंटेल ने अपने पहले 22 एनएम माइक्रोप्रोसेसर, कोडनेम आइवी ब्रिज (माइक्रोआर्किटेक्चर) की घोषणा की, जिसमें 3-डी त्रि-गेट नामक FinFET तकनीक का उपयोग किया गया था। IBM POWER8 प्रोसेसर इंसुलेटर प्रक्रिया पर 22 nm सिलिकॉन में निर्मित होता है।

शिप किए गए उपकरण

• तोशिबा ने घोषणा की कि वह 31 अगस्त, 2010 को 24 एनएम फ्लैश मेमोरी एनएएनडी उपकरणों की शिपिंग कर रहा है।
• 2010 में, सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने 64 का बड़े पैमाने पर उत्पादन प्रारंभ किया उसे जाना होगा एनएएनडी फ्लैश मेमोरी चिप्स 20 एनएम प्रक्रिया का उपयोग कर रहा है।
• इसके अतिरिक्त 2010 में, हाइनिक्स ने 64 प्रस्तुत किया जीबीटी एनएएनडी फ्लैश मेमोरी चिप 20 एनएम प्रक्रिया का उपयोग कर रही है।
• 23 अप्रैल 2012 को, Intel के आइवी ब्रिज (माइक्रोआर्किटेक्चर) पर आधारित Intel Core i7 और Intel Core i5 प्रोसेसर, श्रृंखला 7 चिपसेट के लिए 22 nm तकनीक दुनिया भर में बिक्री के लिए चली गई। 22 एनएम प्रोसेसर का वॉल्यूम उत्पादन छह महीने पहले प्रारंभ हुआ था, जैसा कि 19 अक्टूबर, 2011 को इंटेल के पूर्व सीईओ पॉल ओटेलिनी ने पुष्टि की थी।
• 3 जून 2013 को, Intel ने Intel के Haswell (माइक्रोआर्किटेक्चर) माइक्रोआर्किटेक्चर पर आधारित Intel Core i7 और Intel Core i5 प्रोसेसर को श्रृंखला 8 चिपसेट के लिए 22 nm ट्राई-गेट FinFET तकनीक में शिपिंग करना प्रारंभ किया।

संदर्भ

Preceded by 32 nm (CMOS)

MOSFET manufacturing processes

Succeeded by 14 nm (FinFET)