22 एनएम प्रक्रिया

22 एनएम नोड सीएमओएस मॉस्फेट अर्धचालक डिवाइस फैब्रिकेशन में 32 एनएम के बाद की प्रक्रिया है। सामान्य अर्ध-पिच अर्थात इस प्रक्रिया का उपयोग करने वाले मेमोरी सेल के लिए एक सरणी में समान सुविधाओं के बीच की आधी दूरी लगभग 22 नैनोमीटर होती है। इसका पहली बार 2008 में रैंडम एक्सेस मेमोरी में उपयोग के लिए अर्धचालक कंपनियों द्वारा प्रदर्शन किया गया था। 2010 में तोशीबा ने 24 एनएम फ्लैश मेमोरी चिप की शिपिंग प्रारंभ की गई और सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने बड़े पैमाने पर 20 एनएम फ्लैश मेमोरी चिप का उत्पादन प्रारंभ किया था। इंटेल आइवी ब्रिज (माइक्रोआर्किटेक्चर) प्रोसेसर के साथ अप्रैल 2012 में प्रारंभ हुआ और 22 एनएम प्रक्रिया का उपयोग करने वाली पहली उपभोक्ता स्तरीय सीपीयू डिलीवरी शुरू हुई थी।

अर्धचालक 2006 फ्रंट एंड प्रक्रिया अपडेट के लिए अंतर्राष्ट्रीय प्रौद्योगिकीय रोडमैप को इंगित करता है और इस प्रकार समतुल्य भौतिक ऑक्साइड मोटाई 0.5 एनएम एक सिलिकॉन परमाणु के व्यास का लगभग दोगुना से कम होता है, जो कि 22 एनएम नोड पर अपेक्षित मूल्य के रूप में होता है। यह एक संकेत है कि इस क्षेत्र में सीएमओएस स्केलिंग इस बिंदु पर एक दीवार तक पहुंच गया है और इस प्रकार संभवतः मूर के नियम को को बाधित करता है।

20-नैनोमीटर नोड 22-नैनोमीटर प्रक्रिया के आधार पर एक मध्यवर्ती अर्ध-नोड डाई श्रिंक के रूप में होता है।

टीएसएमसी ने 2014 में 20 एनएम नोड्स का बड़े पैमाने पर उत्पादन प्रारंभ किया था। वर्ष 2014 में वाणिज्यिक 14 एनएम फिनफिट प्रौद्योगिकीय द्वारा 22 एनएम प्रक्रिया का स्थान दिया गया था।

प्रौद्योगिकीय डेमो

18 अगस्त, 2008 को, एएमडी, फ्रीस्केल, आईबीएम, एसटीमाइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स, तोशिबा और कॉलेज ऑफ नैनोस्केल साइंस एंड इंजीनियरिंग (सीएनएसई) ने घोषणा की कि उन्होंने संयुक्त रूप से एक 22 एनएम स्टेटिक रैंडम एक्सेस मेमोरी सेल का निर्माण किया है, जो एक पारंपरिक छह-ट्रांजिस्टर पर बनाया गया है। 300 मिमी वेफ़र इलेक्ट्रॉनिक्स पर डिज़ाइन किया गया है, जिसकी मेमोरी सेल का आकार केवल 0.1 माइक्रोमीटर^{2 था। सेल को इमर्शन लिथोग्राफी का उपयोग करके मुद्रित किया गया था।}

22 एनएम नोड पहली बार किया जा सकता है, जहां की गेट लंबाई प्रौद्योगिकीय नोड पदनाम से छोटी नहीं है। उदाहरण के लिए 25 एनएम गेट की लंबाई 22 एनएम नोड के लिए विशिष्ट रूप में होती है।

22 सितंबर, 2009 को इंटेल डेवलपर फोरम 2009 इवेंट्स के समय इंटेल ने 22 एनएम वेफर दिखाया और घोषणा की कि 22 एनएम प्रौद्योगिकीय वाले चिप 2011 की दूसरी छमाही में उपलब्ध होंगे। एसआरएम सेल का आकार 0.092 माइक्रोनमीटर² कहा जाता है, जो अब तक की सबसे छोटी रिपोर्ट के रूप में किया गया है।

3 जनवरी, 2010 को इंटेल और माइक्रोन प्रौद्योगिकीय ने 25 एनएम नन्द गेट उपकरणों के फॅमिली के रूप में पहली घोषणा की थी।

2 मई, 2011 को इंटेल ने अपने पहले 22 एनएम माइक्रोप्रोसेसर, कोडनेम आइवी ब्रिज माइक्रोआर्किटेक्चर की घोषणा की थी, जिसमें 3-डी त्रि-गेट नामक फिनफिट प्रौद्योगिकीय का उपयोग किया गया था।

आईबीएम की पावर8 प्रोसेसर इंसुलेटर प्रक्रिया पर 22 एनएम सिलिकॉन के रूप में उत्पादित होते हैं।

शिप किए गए उपकरण

• तोशिबा ने घोषणा की कि वह 31 अगस्त, 2010 को 24 एनएम फ्लैश मेमोरी नन्द उपकरणों की शिपिंग कर रहा है।
• 2010 में, सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने 64 जीबीटी नंद फ्लैश मेमोरी चिप का 20 एनएम प्रक्रिया का प्रयोग कर बड़े पैमाने पर उत्पादन प्रारंभ किया था।
• इसके अतिरिक्त 2010 में, हाइनिक्स ने 64 जीबीटी नंद फ्लैश मेमोरी चिप 20 एनएम प्रक्रिया का प्रयोग कर प्रारंभ किया था।
• 23 अप्रैल 2012 को, इंटेल के आइवी ब्रिज माइक्रोआर्किटेक्चर पर आधारित होते है इंटेल कोर i7 और इंटेल कोर i5 प्रोसेसर, श्रृंखला 7 चिपसेट के लिए 22 एनएम प्रौद्योगिकीय दुनिया भर में बिक्री के लिए चली गई। और इस प्रकार 22 एनएम प्रोसेसर का वॉल्यूम उत्पादन छह महीने पहले प्रारंभ हुआ था, जैसा कि 19 अक्टूबर, 2011 को इंटेल के पूर्व सीईओ पॉल ओटेलिनी ने पुष्टि की थी।
• 3 जून 2013 को, इंटेल ने इंटेल के हस्वेल्ल माइक्रोआर्किटेक्चर पर आधारित इंटेल कोर i7 और इंटेल कोर i5 प्रोसेसर को श्रृंखला 8 चिपसेट के लिए 22 एनएम ट्राई-गेट फिनफिट प्रौद्योगिकीय में शिपिंग करना प्रारंभ किया गया था।

संदर्भ

Preceded by 32 nm (CMOS)

MOSFET manufacturing processes

Succeeded by 14 nm (FinFET)