गैलियम फॉस्फेट

गैलियम फॉस्फेट

Names
Other names Gallium monophosphate Phosphoric acid, gallium salt (1:1) Gallium orthophosphate
Identifiers
CAS Number	14014-97-2 Y
3D model (JSmol)	Interactive image Interactive image
ChemSpider	7991051 Y
PubChem CID	9815301
CompTox Dashboard (EPA)	DTXSID101045828
InChI InChI=1S/Ga.H3O4P/c;1-5(2,3)4/h;(H3,1,2,3,4)/q+3;/p-3 Key: LWFNJDOYCSNXDO-UHFFFAOYSA-K
SMILES O=P12O[Ga](O1)O2 [Ga+3].[O-]P([O-])([O-])=O
Properties
Chemical formula	GaPO4
Molar mass	164.694 g/mol
Appearance	Transparent crystals
Solubility in water	Insoluble
Refractive index (nD)	no=1.605, ne=1.623
Except where otherwise noted, data are given for materials in their standard state (at 25 °C [77 °F], 100 kPa). Infobox references

GaPO4
General
Category	crystal
Chemical formula (or Composition)	GaPO4
Identification
Color	Clear
Crystal system	Trigonal
Crystal class	32 or D3 (Schönflies)
Cleavage	None
Fracture	Conchoidal
Mohs Scale hardness	5.5
Refractive index	no=1.605, ne=1.623
Pleochroism	None
Streak	White
Density	3570 kg/m3
Solubility	insoluble in pH = 5 - 8
other properties
Pyroelectricity	None
Particular characteristics	quartz isotype, piezoelectric effect up to 950°C (1742°F)

गैलियम फॉस्फेट GaPO₄ या गैलियम ऑर्थोफोस्फेट एक रंगहीन त्रिकोणीय क्रिस्टल है। जिसमें मोहस पैमाने पर 5.5 की कठोरता होती है। GaPO₄ क्वार्ट्ज के समान गुण रखने वाला आइसोटाइपिक के रूप में होते है, लेकिन सिलिकॉन परमाणुओं को वैकल्पिक रूप से गैलियम और फास्फोरस के साथ प्रतिस्थापित किया जाता है और इस प्रकार पाइजोइलेक्ट्रिक प्रभाव को दोगुना कर दिया जाता है। इस दोहरीकरण के कारण GaPO₄ के प्रोद्योगिकीय अनुप्रयोगों के लिए क्वार्ट्ज पर कई लाभ हैं, जैसे क्रिस्टल रेज़ोनेटर्स में एक उच्च विद्युत यांत्रिक युग्मन गुणांक इस दोहरीकरण के कारण क्वार्ट्ज के विपरीत GaPO₄ प्रकृति के रूप में नहीं पाया जाता है। इसलिए, क्रिस्टल को संश्लेषित करने के लिए ऊष्ण जलीय संश्लेषण प्रक्रिया का उपयोग किया जाना चाहिए।

संशोधन

गैपीओ₄ क्वार्ट्ज के विपरीत, कोई α-β चरण संक्रमण नहीं होता है, इस प्रकार GaPO की निम्न तापमान संरचना (α-क्वार्ट्ज जैसी संरचना)₄ 970 डिग्री सेल्सियस तक स्थिर है, जैसा कि इसके अधिकांश अन्य भौतिक गुण हैं। 970 डिग्री सेल्सियस के आसपास एक और चरण संक्रमण होता है जो निम्न क्वार्ट्ज संरचना को क्रिस्टोबलाइट के समान दूसरी संरचना में बदल देता है।

संरचना

GaPO की विशिष्ट संरचना₄ GaO से युक्त चतुष्फलक की व्यवस्था को दर्शाता है₄ और पीओ₄ जो थोड़ा झुका हुआ हो। इन चतुष्फलकों की पेचदार व्यवस्था के कारण, GaPO के दो संशोधन₄ विभिन्न ऑप्टिकल रोटेशन (चिरलिटी (रसायन विज्ञान)) के साथ मौजूद हैं।

स्रोत

कारण₄ प्रकृति में नहीं होता है; इस प्रकार इसे कृत्रिम रूप से उगाया जाना चाहिए। वर्तमान में, ऑस्ट्रिया में केवल एक कंपनी व्यावसायिक रूप से इन क्रिस्टल का उत्पादन करती है।

इतिहास और प्रोद्योगिकीय महत्व

उच्च तापमान (300 डिग्री सेल्सियस से ऊपर) पर अनुप्रयोगों के लिए क्वार्ट्ज पर आधारित पीजोइलेक्ट्रिक सेंसर को पानी से ठंडा करना पड़ता है। 1994 से शुरू होकर इन बड़े सेंसरों को GaPO पर आधारित छोटे, बिना ठंडे वाले सेंसरों से बदलना संभव था₄. GaPO के और असाधारण गुण₄ उच्च तापमान पर अनुप्रयोगों के लिए इसके लगभग तापमान स्वतंत्र पीजो प्रभाव और 900 डिग्री सेल्सियस तक उत्कृष्ट विद्युत इन्सुलेशन शामिल हैं। बल्क गुंजयमान अनुप्रयोगों के लिए, यह क्रिस्टल क्वार्ट्ज के साथ तुलनीय क्रिस्टल ऑसिलेटर होने पर 500 ° C तक के क्रिस्टल ऑसिलेटर को प्रदर्शित करता है। इन भौतिक गुणों के कारण, GaPO₄ उच्च तापमान पर पीजोइलेक्ट्रिक सेंसर और उच्च तापमान microbalance के लिए बहुत उपयुक्त है।

साहित्य

• Gautschi, Gustav (2013-06-29). पीजोइलेक्ट्रिक सेंसरिक्स: बल तनाव दबाव त्वरण और ध्वनिक उत्सर्जन सेंसर सामग्री और एम्पलीफायर. ISBN 978-3-662-04732-3.

बाहरी संबंध

• data sheet