एकल-परत सामग्री: Difference between revisions

Revision as of 10:38, 16 June 2023

सामग्री विज्ञान में एकल-परत सामग्री या 2D सामग्री शब्द क्रिस्टलीय ठोस पदार्थों को संदर्भित करने के लिए उपयुक्त होता है जिसमें परमाणुओं की परत को सम्मिलित किया जाता हैं। ये सामग्रियां कुछ अनुप्रयोगों के लिए आशाजनक होती हैं इस कारण इन अनुसंधानों का केंद्र भी बना रहता हैं। इस प्रकार एकल तत्वों से प्राप्त होने वाले एकल-परत सामग्री को सामान्यतः उनके नामों में -ene प्रत्यय लगा कर उपयोग किया जाता है, उदाहरण के लिए ग्राफीन इसका प्रमुख उदाहरण हैं। एकल-परत सामग्री जो दो या दो से अधिक तत्वों के यौगिक के रूप में बनायी जाती हैं, इनमें मुखयतः -ene या -आइड प्रत्यय का उपयोग होता हैं। इस प्रकार 2डी सामग्री को सामान्यतःविभिन्न तत्वों के 2डी यौगिकों (दो या अधिक सहसंयोजक बंधन तत्वों से मिलाकर बनाया जाता हैं) के रूप में वर्गीकृत किया जा सकता है।

यह भविष्यवाणी की जाती है कि सैकड़ों स्थिर एकल-परत सामग्री हैं।^[1]^[2] इन और कई अन्य संभावित संश्लेषण योग्य एकल-परत सामग्रियों की परमाणु संरचना और परिकलित मौलिक गुण, कम्प्यूटेशनल डेटाबेस में पाए जा सकते हैं।^[3] इस प्रकार मुख्य रूप से दो दृष्टिकोणों का उपयोग करके 2डी सामग्री का उत्पादन किया जा सकता है: टॉप-डाउन एक्सफोलिएशन और बॉटम-अप सिंथेसिस के रूप में उपयोग किया जाता हैं। इस प्रकार एक्सफोलिएशन विधियों में सोनिकेशन, यांत्रिक, हाइड्रोथर्मल, विद्युत रसायन, लेजर-असिस्टेड और माइक्रोवेव-असिस्टेड एक्सफोलिएशन को सम्मलित किया जाता हैं।^[4]

एकल तत्व सामग्री

सी: ग्राफीन

कार्बन परमाणुओं के परमाणु-पैमाने पर छत्ते की ।

ग्राफीन लगभग पारदर्शी परमाणु पर मोटी शीट के रूप में कार्बन का क्रिस्टलीय यौगिक है। इसके भार के लिए यह अधिकतम इस्पात से सैकड़ों गुना अधिक शक्तिशाली होता है।^[5] इस प्रकार इसमें उच्चतम ज्ञात तापीय और विद्युत चालकता है, जो तांबे की तुलना में 1,000,000 गुना धारा घनत्व प्रदर्शित करता है।^[6] इसे पहली बार 2004 में बनाया गया था।^[7]

अन्य गीम और कॉन्स्टेंटिन नोवोसेलोव ने दो आयामी सामग्री ग्राफीन के बारे में ग्राउंडब्रेकिंग प्रयोगों के लिए भौतिकी में 2010 का नोबेल पुरस्कार जीता हैं। इस प्रकार उन्होंने सर्वप्रथम संयोजित होने वाले टेप के साथ बल्क ग्रेफाइट से ग्राफीन के समूह का प्रयोग किया और फिर उन्हें सिलिकॉन वेफर पर स्थानांतरित करके इसका उत्पादन किया था।^[8]

ग्राफीन

ग्राफीन अन्य 2-आयामी कार्बन अलॉट्रोप है जिसकी संरचना ग्राफीन के समान है। इस प्रकार इसे एसिटिलीन बॉन्ड से जुड़े बेंजीन के छल्लों के नेट के रूप में देखा जा सकता है। इस प्रकार एसिटिलीन समूहों की सामग्री के आधार पर, ग्राफीन को मिश्रित कक्षीय संकरण, spⁿ माना जा सकता है, जहां 1 < n < 2,^[9]^[10] ग्राफीन की तुलना में (शुद्ध sp²) और हीरा (शुद्ध sp³) हैं।

फोनन बिखरना और एब इनिटियो या एब-इनिटियो परिमित तापमान, क्वांटम यांत्रिक आणविक गतिकी सिमुलेशन का उपयोग करते हुए प्रथम-सिद्धांत की गणना ने ग्राफीन और इसके बोरॉन नाइट्राइड एनालॉग्स को स्थिर दिखाया गया हैं।^[11]

1960 से पहले ग्राफीन के अस्तित्व का अनुमान लगाया गया था।^[12] इसे अभी तक संश्लेषित नहीं किया गया है। चूंकि इस प्रकार ग्राफडीयन (डायसटाइलेन समूहों के साथ ग्राफीन) को कॉपर सबस्ट्रेट्स पर संश्लेषित किया गया था।^[13] इस प्रकार हाल ही में, दिशा-निर्भर डायराक शंकु की क्षमता के कारण इसे ग्राफीन के लिए प्रतियोगी होने का प्रमाण किया गया है।^[14]^[15]

बी: बोरोफेन

A B
₃₆ क्लस्टर को सबसे छोटे बोरोफेन के रूप में देखा जा सकता है, सामने और बगल का दृश्य

बोरोफेन बोरॉन का क्रिस्टलीय परमाणु मोनोपरत है और इसे बोरॉन शीट के रूप में भी जाना जाता है।

पहली बार 1990 के दशक के मध्य में फ्रीस्टैंडिंग स्थिति में सिद्धांत द्वारा भविष्यवाणी की गई थी,^[16] और फिर थाई एट अल द्वारा सबस्ट्रेट्स पर अलग-अलग मोनोआटोमिक परतों के रूप में प्रदर्शित किया गया हैं।^[17] इस प्रकार 2015 में विभिन्न बोरोफिन संरचनाओं की प्रयोगात्मक रूप से पुष्टि की गई थी।^[18]^[19]

जीई: जर्मनिन

जर्मेने हिरन के छत्ते की संरचना के साथ जर्मेनियम का द्वि-आयामी यौगिक है।^[20] प्रयोगात्मक रूप से संश्लेषित जर्मेनिन मधुकोश संरचना प्रदर्शित करता है।^[21]^[22] इस मधुकोश संरचना में दो षट्भुज वाले नेट के रूप में प्रकट होते हैं जो इस प्रकार लंबवत रूप से दूसरे से 0.2 ए द्वारा विस्थापित होते हैं।^[23]

हां: सिलिसीन

4×4) और दूसरी परतों की स्कैनिंग टनलिंग माइक्रोस्कोप छवि (√3×√3-β) पतली चांदी की फिल्म पर उगाए गए सिलिसीन का। छवि का आकार 16 × 16 एनएम।

सिलिसीन सिलिकॉन का द्वि-आयामी यौगिक है, जिसमें ग्राफीन के समान हेक्सागोनल मधुकोश संरचना होती है।^[24]^[25]^[26] इसकी वृद्धि द्वि-आयामी परत के नीचे व्यापक Si/Ag(111) सतह मिश्र धातु द्वारा प्रदर्शित किया जाता हैं।^[27]

एसएन: स्टेनिन

नमूने के बड़े क्षेत्र के इलेक्ट्रॉन माइक्रोग्राफ को दिखाते हुए मध्य इनसेट के साथ स्टेनिन परत की दार छवि। सही इनसेट हेक्सागोनल संरचना की पुष्टि करने वाला इलेक्ट्रॉन विवर्तन पैटर्न है।

स्टैनेन अनुमानित टोपोलॉजिकल रोधक है जो कमरे के तापमान के सुपरकंडक्टर के पास अपने किनारों पर अपव्यय रहित धाराओं को प्रदर्शित कर सकता है। इस प्रकार यह परत में व्यवस्थित विश्वास करना के परमाणुओं से बना है, इस प्रकार जो ग्राफीन के समान है।^[28] इसकी बंधी हुई संरचना NO_x और SH_x जैसे सामान्य वायु प्रदूषकों के खिलाफ उच्च प्रतिक्रियाशीलता की ओर ले जाती है और इस प्रकार यह उन्हें कम तापमान पर फँसाने और अलग करने में सक्षम है।^[29]

कम ऊर्जा वाले इलेक्ट्रॉन विवर्तन का उपयोग करते हुए स्टेनिन की संरचना निर्धारण ने घन (111) सतह पर अल्ट्रा-फ्लैट स्टेनिन दिखाया है।^[30]

पीबी: साहुल

प्लंबिन लेड का द्वि-आयामी अलॉट्रोप है, जिसमें ग्राफीन के समान हेक्सागोनल मधुकोश संरचना होती है।^[31]

पी: फॉस्फोरिन

फॉस्फोरिन संरचना: (ए) झुका हुआ दृश्य, (बी) साइड व्यू, (सी) शीर्ष दृश्य। लाल (नीली) गेंदें निचली (ऊपरी) परत में फॉस्फोरस परमाणुओं का प्रतिनिधित्व करती हैं।

फास्फोरस का 2-आयामी, क्रिस्टलीय यौगिक है। इसकी मोनो-परमाणु हेक्सागोनल संरचना इसे वैचारिक रूप से ग्राफीन के समान बनाती है। चूंकि, फॉस्फोरिन में काफी भिन्न इलेक्ट्रॉनिक गुण होते हैं, विशेष रूप से इसमें उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता प्रदर्शित करते समय नॉनजीरो बैंड गैप होता है।^[32] इस प्रकार यह संपत्ति संभावित रूप से इसे ग्राफीन की तुलना में बेहतर अर्धचालक बनाती है।^[33] फॉस्फोरिन के संश्लेषण में मुख्य रूप से माइक्रोयांत्रिक क्लीवेज या तरल चरण एक्सफोलिएशन विधियाँ होती हैं। इस प्रकार पूर्व में कम उपज होती है जबकि बाद में सॉल्वेंट में मुक्त खड़े नैनोशीट का उत्पादन न कि ठोस समर्थन पर होता है। रासायनिक वाष्प जमाव (सीवीडी) जैसे नीचे-ऊपर के दृष्टिकोण इसकी उच्च प्रतिक्रियाशीलता के कारण अभी भी खाली हैं। इसलिए, धारा परिदृश्य में, फॉस्फोरिन की पतली फिल्मों के बड़े क्षेत्र के निर्माण के लिए सबसे प्रभावी विधि में वेट असेंबली तकनीकें सम्मलित हैं जैसेलिंगमुईर ब्लॉडगेट फिल्म या लिंगमुईर ब्लॉडगेट में असेंबली सम्मलित है जिसके बाद ठोस समर्थन पर नैनोशीट्स का निक्षेपण होता है।^[34]

एसबी: एंटीमोनिन

एंटिमोनिन एंटीमनी का द्वि-आयामी यौगिक है, जिसके परमाणु हिरन के छत्ते की में व्यवस्थित होते हैं। सैद्धांतिक गणना^[35] ने भविष्यवाणी की थी कि (ऑप्टो) इलेक्ट्रॉनिक्स के लिए उपयुक्त प्रदर्शन के साथ एंटीमोनीन परिवेशी परिस्थितियों में स्थिर अर्धचालक होगा। इस प्रकार एंटीमोनिन को पहली बार 2016 में माइक्रोयांत्रिक एक्सफोलिएशन द्वारा अलग किया गया था^[36] और यह परिवेशी परिस्थितियों में बहुत स्थिर पाया गया। इसके गुण इसे बायोमेडिकल और ऊर्जा अनुप्रयोगों के लिए भी अच्छा उम्मीदवार बनाते हैं।^[37]

2018 में किए गए अध्ययन में,^[38] एंटीमोनिन संशोधित स्क्रीन-मुद्रित इलेक्ट्रोड (एसपीई) को उनके सुपरकैपेसिटिव गुणों को चिह्नित करने के लिए दो-इलेक्ट्रोड दृष्टिकोण का उपयोग करके गैल्वेनोस्टैटिक चार्ज / डिस्चार्ज टेस्ट के अधीन किया गया था। सबसे अच्छा विन्यास देखा गया, जिसमें एसपीई में 36 नैनोग्राम एंटीमोनिन सम्मलित थे, इस प्रकार 1578 F G^-1 की विशिष्ट धारिता दिखाई दी 14 A g^-1 की धारा पर इन गैल्वेनोस्टैटिक चक्रों में से 10,000 से अधिक, पहले 800 चक्रों के पश्चात प्रारंभ में धारिता अवधारण मान 65% तक गिर जाता है, अपितु फिर शेष 9,200 चक्रों के लिए 65% और 63% के बीच रहता है। इस प्रकार 36 एनजी एंटीमोनीन/एसपीई सिस्टम ने 20 mW^-1h किग्रा का ऊर्जा घनत्व भी दिखाया और 4.8 kW^-1 किग्रा का पावर घनत्व के रूप में प्रयोग किया जाता हैं। इन सुपरकैपेसिटिव गुणों से संकेत मिलता है कि एंटीमोनीन सुपरकैपेसिटर सिस्टम के लिए आशाजनक इलेक्ट्रोड सामग्री है। इस प्रकार हालिया अध्ययन,^[39] एंटीमोनिन संशोधित एसपीई से संबंधित ऑक्सीजन युक्त वातावरण में इलेक्ट्रोनालिटिकल माप की सुविधा के लिए विद्युत रसायनी निष्क्रिय परतों को बनाने के लिए एंटीमोनिन परतों की अंतर्निहित क्षमता को दर्शाता है, जिसमें भंग ऑक्सीजन की उपस्थिति सामान्य रूप से विश्लेषणात्मक प्रक्रिया में बाधा डालती है। इस प्रकार इसी अध्ययन में नाइट्रोएरोमैटिक यौगिकों के निर्धारण के लिए इलेक्ट्रोकैटलिटिक प्लेटफॉर्म के रूप में एंटीमोनिन ऑक्साइड/पेडॉट: पीएसएस नैनोकंपोजिट्स के इन-सीटू उत्पादन को भी दर्शाया गया है।

द्वि: बिस्मथिन

बिस्मथिन, बिस्मुथ के द्वि-आयामी (2डी) एलोट्रॉप, को स्थलीय रोधक होने की भविष्यवाणी की गई थी। इस प्रकार यह भविष्यवाणी की गई थी कि 2015 में सिलिकन कार्बाइड पर उगाए जाने पर बिस्मुथीन अपने टोपोलॉजिकल चरण को बरकरार रखता है।^[40] 2016 में भविष्यवाणी को सफलतापूर्वक साकार और संश्लेषित किया गया था।^[41] पहली नज़र में प्रणाली ग्राफीन के समान है, क्योंकि द्वि परमाणु छत्ते की में व्यवस्थित होते हैं। चूंकि इस प्रकार ऊर्जा अंतराल बीआई परमाणुओं के बड़े स्पिन-ऑर्बिट इंटरेक्शन (युग्मन) और सब्सट्रेट के साथ उनकी बातचीत के कारण 800mV जितना बड़ा है। इस प्रकार, क्वांटम स्पिन हॉल प्रभाव के कमरे के तापमान के अनुप्रयोग पहुंच में आते हैं। इस प्रकार यह अपनी प्राकृतिक अवस्था में सबसे बड़ा गैर-तुच्छ बैंडगैप 2डी टोपोलॉजिकल इंसुलेटर बताया गया है।^[42]^[43] विभिन्न मामलों में बिस्मुथीन के टॉप-डाउन एक्सफोलिएशन की सूचना मिली है^[44]^[45] इस प्रकार विद्युत रसायन सेंसिंग के क्षेत्र में बिस्मुथीन के कार्यान्वयन को बढ़ावा देने वाले हालिया कार्यों के साथ।^[46]^[47] इमदादुल एट अल ने ^[48] परमाणु-पैमाने पर विश्लेषण के माध्यम से मोनोपरत β-बिस्मुथीन की यांत्रिक शक्ति और फोनन तापीय चालकता की भविष्यवाणी की। इस प्रकार प्इस प्रकार राप्त कमरे का तापमान (300K) फ्रैक्चर ताकत ~ 4.21 N/m आर्मचेयर दिशा के साथ और ~ 4.22 N/m ज़िगज़ैग दिशा के साथ है। 300 K पर, इसके यंग के मोडुली को आर्मचेयर और ज़िगज़ैग दिशाओं के साथ क्रमशः ~ 26.1 N/m और ~ 25.5 N/m बताया गया है। इसके अतिरिक्त, 300 K पर ~ 1.3 W/m∙K की उनकी अनुमानित फोनन तापीय चालकता अन्य समान 2D मधुकोशों की तुलना में काफी कम है, जो इसे थर्मोइलेक्ट्रिक संचालन के लिए आशाजनक सामग्री बनाती है।

धातु

बहुस्तरीय पैलेडियम नैनोशीट की 3डी एएफएम स्थलाकृति छवि।^[49]

द्वि-आयामी फिल्म ज्यामिति में प्लैटिनम की एकल और दोहरी परमाणु परतों का प्रदर्शन किया गया है।^[50]^[51] ये परमाणु रूप से पतली प्लेटिनम फिल्में ग्राफीन पर प्रस्तुत की जाने वाली एपिटाक्सी हैं^[50]जो कंप्रेसिव स्ट्रेन लगाता है जो प्लेटिनम की सतह रसायन विज्ञान को संशोधित करता है, जबकि ग्राफीन के माध्यम से चार्ज ट्रांसफर की अनुमति भी देता है।^[51] दुर्ग की एकल परमाणु परतें जिनकी मोटाई 2.6 Å तक कम है,^[49] और इस प्रकार रोडियाम जिसकी मोटाई 4 Å से कम है^[52] भी संश्लेषित किया गया है और परमाणु बल माइक्रोस्कोपी और ट्रांसमिशन इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी के साथ विशेषता है।

2डी मिश्र

द्वि-आयामी मिश्र धातु (या सतह मिश्र धातु) मिश्र धातु की एकल परमाणु परत होती है जो अंतर्निहित सब्सट्रेट के साथ असंगत होती है। उदाहरण Sn के साथ और Bi के साथ Pb की 2D क्रमित मिश्रधातु है।^[53]^[54] इस प्रकार सिलीसीन के मामले में, सतह मिश्र धातुओं को द्वि-आयामी परतों को मचान करने के लिए पाया गया है।^[27]

2डी सुपरक्रिस्टल

2डी सामग्रियों के सुपरक्रिस्टल प्रस्तावित किए गए हैं और सैद्धांतिक रूप से अनुकरण किए गए हैं।^[55]^[56] ये मोनोपरत क्रिस्टल सुप्रा परमाणु आवधिक संरचनाओं से बने होते हैं जहां (समूह) के नोड्स में परमाणुओं को सममित परिसरों द्वारा प्रतिस्थापित किया जाता है। इस प्रकार उदाहरण के लिए, 4 या 6 कार्बन परमाणुओं के ग्राफीन पैटर्न की हेक्सागोनल संरचना में क्रिस्टल संरचना यूनिट सेल में दोहराए जाने वाले नोड के रूप में एकल परमाणुओं के अतिरिक्त हेक्सागोनल रूप से व्यवस्थित किया जाएगा।

यौगिक

बोरॉन नाइट्राइड नैनोशीट

हेक्सागोनल बोरॉन नाइट्राइड की दो वैकल्पिक रूप से खड़ी परतें

टाइटेनेट नैनोशीट
बोरोकार्बोनाइट्राइड्स
एमएक्सेन्स
2डी सिलिका
नाइओबियम ब्रोमाइड और नाइओबियम क्लोराइड (Nb
₃[X]
₈)^[57]^[58]^[59]

ट्रांज़िशन मेटल डाइक्लोजेनाइड मोनोपरत्स

सबसे अधिक अध्ययन किया जाने वाला द्वि-आयामी संक्रमण धातु डाइक्लोजेनाइड (TMD) मोनोपरत मोलिब्डेनम डाइसल्फ़ाइड (MoS2) है।₂). कई चरण ज्ञात हैं, विशेष रूप से 1T और 2H चरण। नामकरण परिपाटी संरचना को दर्शाती है: 1T चरण में त्रिकोणीय क्रिस्टल प्रणाली में प्रति यूनिट सेल में शीट (S-Mo-S की परत से मिलकर, आकृति देखें) होती है, जबकि 2H चरण में हेक्सागोनल में प्रति यूनिट सेल में दो शीट होती हैं। क्रिस्टल प्रणाली। 2H चरण अधिक सामान्य है, क्योंकि इस प्रकार 1T चरण मेटा-स्थिरता है और अतिरिक्त इलेक्ट्रॉन दाताओं (सामान्यतःसतह S रिक्तियों) द्वारा स्थिरीकरण के बिना 2H में परिवर्तित हो जाता हैं।^[60]

मोलिब्डेनम डाइसल्फ़ाइड के 1T और 2H चरणों की संरचनाएं (MoS₂), जैसा कि b अक्ष के नीचे देखा गया है। इस प्रकार सहसंयोजक बंधन को दर्शाने के लिए प्रत्येक चरण के लिए दो परतें दिखाई जाती हैं, जो केवल चादरों के भीतर सम्मलित होती हैं।

MoS का 2H चरण₂ (पियर्सन प्रतीक HP6, संरचना रिपोर्ट पदनाम C7) में अंतरिक्ष समूह P6 है₃/ एमएमसी। प्रत्येक परत में त्रिकोणीय प्रिज्मीय समन्वय में S से घिरा हुआ Mo उपयोग होता है।^[61] इसके विपरीत, 1T चरण (पियर्सन प्रतीक hP3) में अंतरिक्ष समूह P-3m1, और ऑक्टाहेड्रली-समन्वित Mo, 1T यूनिट सेल में केवल परत होती है, इस प्रकार यूनिट सेल में 2H यूनिट सेल (क्रमशः 5.95 Å और 12.30 Å) की लंबाई के आधे से थोड़ा कम एसी पैरामीटर होता है।^[62] दो चरणों की विभिन्न क्रिस्टल संरचनाओं के परिणामस्वरूप उनके इलेक्ट्रॉनिक बैंड संरचना में भी अंतर होता है। इस प्रकार 2H-MoS के D-ऑर्बिटल्स₂ तीन बैंड में बांटा गया है: D_z², D_x²-y²,xy, और D_xz,yz. इनमें से केवल D_z² भरा है, यह 1.9eV के बैंडगैप के साथ अर्धचालक में विभाजित होने के कारण प्राप्त होने वाले परिणामों के साथ संयुक्त है।^[63] 1T₂, दूसरी ओर, आंशिक रूप से भरे हुए D-ऑर्बिटल्स हैं जो इसे धातु का लक्षण देते हैं।

क्योंकि संरचना में इन-प्लेन सहसंयोजक बंधन और इंटर-परत वैन डेर वाल्स बल होते हैं, मोनोपरत टीएमडी के इलेक्ट्रॉनिक गुण अत्यधिक अनिसोट्रोपिक होते हैं। उदाहरण के लिए, MoS की चालकता₂ तलीय परत के समानांतर दिशा में (0.1–1 ओम^-1सेमी^-1) परतों के लंबवत चालकता से ~2200 गुना बड़ा है।^[64] इस प्रकार बल्क सामग्री की तुलना में मोनोपरत के गुणों में भी अंतर हैं: कमरे के तापमान पर इलेक्ट्रॉन गतिशीलता गतिशीलता मोनोपरत 2H MoS₂ के लिए काफी कम है। (0.1-10 सेमी^{2 V^{-1 S^{-1) बल्क MoS₂ की तुलना में (100-500 सेमी^{2 V^{-1 S^{-1) यह अंतर मुख्य रूप से मोनोपरत और उस पर जमा होने वाले सब्सट्रेट के बीच चार्ज ट्रैप के कारण उत्पन्न होता है।^[65]}}}}}}

NO₂ (इलेक्ट्रो) कटैलिसीस में महत्वपूर्ण अनुप्रयोग हैं। इस प्रकार अन्य द्वि-आयामी सामग्रियों की तरह, गुण अत्यधिक ज्यामिति-निर्भर हो सकते हैं, MoS₂ की सतह उत्प्रेरक रूप से निष्क्रिय है, अपितु किनारे उत्प्रेरित प्रतिक्रियाओं के लिए सक्रिय साइटों के रूप में कार्य कर सकते हैं।^[66] इस कारण से, डिवाइस इंजीनियरिंग और निर्माण में उत्प्रेरक सतह क्षेत्र को अधिकतम करने के लिए विचार सम्मलित हो सकते हैं, इस प्रकार उदाहरण के लिए बड़ी शीट्स के अतिरिक्त छोटे नैनोकणों का उपयोग करके^[66] या क्षैतिज के अतिरिक्त लंबवत रूप से जमा करना।^[67] इस प्रकार उत्प्रेरक दक्षता भी चरण पर दृढ़ता से निर्भर करती है: इस प्रकार 2H MoS₂ के उपरोक्त इलेक्ट्रॉनिक गुण इसे कटैलिसीस अनुप्रयोगों के लिए खराब उम्मीदवार बनाते हैं, अपितु इन मुद्दों को धात्विक (1T) चरण में संक्रमण के माध्यम से रोका जा सकता है। इस प्रकार 1T चरण में 10 mA/cm^{2 के धारा घनत्व के साथ अधिक उपयुक्त गुण हैं, इस प्रकार RHE के सापेक्ष -187 mV की अतिविभव, और इस प्रकार 43 mV/दशक का टैफेल समीकरण 2H चरण के लिए 94 mV/दशक की तुलना में हो सकते हैं।^{^[68]^[69]}}

ग्रैफाणे

जबकि ग्राफीन में हेक्सागोनल मधुकोश संरचना होती है, जिसमें वैकल्पिक रूप से इसके एसपी से निकलने वाले डबल-बॉन्ड होते हैं।²-बंधित कार्बन, ग्रैफेन, अभी भी हेक्सागोनल संरचना को बनाए रखता है, इस प्रकार sp के साथ ग्राफीन का पूरी तरह से हाइड्रोजनीकृत संस्करण है³-संकरित कार्बन हाइड्रोजन से जुड़ा हुआ है ((CH) का रासायनिक सूत्र_n). इसके अतिरिक्त, जबकि ग्राफीन अपनी डबल-बॉन्ड प्रकृति के कारण प्लेनर है, ग्राफीन बीहड़ है, जिसमें हेक्सागोन कुर्सी या नाव जैसे विभिन्न आउट-ऑफ-प्लेन स्ट्रक्चरल कंफर्मर्स को अपनाते हैं, आदर्श 109.5° कोणों की अनुमति देने के लिए जो रिंग स्ट्रेन को कम करते हैं, में साइक्लोहेक्सेन के कन्फ़र्मर्स के लिए सीधा सादृश्य किया गया था।^[70] ग्रैफेन को पहली बार 2003 में प्रमेयित किया गया था,^[71] इस प्रकार 2007 में पहले सिद्धांतों ऊर्जा गणनाओं का उपयोग करके स्थिर दिखाया गया था,^[72] और इस प्रकार पहली बार प्रयोगात्मक रूप से 2009 में संश्लेषित किया गया था।^[73] इस प्रकार ग्रेफेन बनाने के लिए विभिन्न प्रायोगिक मार्ग उपलब्ध हैं, इस प्रकार जिसमें प्लाज़्मा/हाइड्रोजन गैस का उपयोग करके ग्रेफाइट के घोल में कमी या ग्रेफाइट के हाइड्रोजनीकरण के साथ-साथ रासायनिक वाष्प जमाव के नीचे-ऊपर के दृष्टिकोण सहित टॉप-डाउन दृष्टिकोण सम्मलित हैं।^[74] इस प्रकार ग्रैफेन इंसुलेटर है, जिसमें 3.5 eV का अनुमानित बैंड गैप है,^[75] चूंकि आंशिक रूप से हाइड्रोजनीकृत ग्राफीन अर्ध-चालक है, जिसमें बैंड गैप को हाइड्रोजनीकरण की डिग्री द्वारा नियंत्रित किया जाता है।^[76]

जर्मन जर्मनेन जर्मेनियम से बना एकल-परत क्रिस्टल है जिसमें प्रत्येक परमाणु के लिए जेड-दिशा में हाइड्रोजन बंध होता है।^[77] जर्मनेन की संरचना ग्राफीन के समान है,^[78] इस प्रकार बल्क जर्मेनियम इस संरचना को नहीं अपनाता है। जर्मनेन [[कैल्शियम जर्मेनाइड]] से प्रारम्भ होने वाले दो-चरणीय मार्ग में निर्मित होता है। इस प्रकार इस सामग्री से सूत्र GeH के साथ स्तरित ठोस देने के लिए कैल्शियम (Ca) को HCl के साथ डी-इंटरकलेशन (रसायन विज्ञान) द्वारा हटा दिया जाता है।^[79] ज़िंटल-चरण Ca₂Ge में Ca₂ साइटें HCl समाधान में हाइड्रोजन परमाणुओं के साथ इंटरचेंज, जीएचएच और सीएसीएल का उत्पादन किया जाता हैं।

संयुक्त सतह मिश्र धातु

अधिकांशतः एकल-परत सामग्री, विशेष रूप से तात्विक यौगिक, सतह मिश्र धातुओं के माध्यम से सहायक सब्सट्रेट से जुड़े होते हैं।^[27]^[28] अब तक, यह घटना सिलिसीन के लिए विभिन्न माप तकनीकों के संयोजन के माध्यम से सिद्ध हो चुकी है,^[27] जिसके लिए मिश्र धातु को ही तकनीक से सिद्ध करना कठिन है, और इस प्रकार इसलिए लंबे समय से इसकी उम्मीद नहीं की जा रही थी। इसलिए, द्वि-आयामी सामग्री के नीचे इस तरह की मचान सतह मिश्र अन्य द्वि-आयामी सामग्री के नीचे भी अपेक्षित हो सकती है, जो द्वि-आयामी परत के गुणों को महत्वपूर्ण रूप से प्रभावित करती है। इस प्रकार विकास के समय, मिश्रधातु द्वि-आयामी परत के लिए नींव और मचान दोनों के रूप में कार्य करती है, जिसके लिए यह मार्ग प्रशस्त करती है।^[27]

जैविक

Ni₃(HITP)₂ उच्च सतह क्षेत्र के साथ कार्बनिक, क्रिस्टलीय, संरचनात्मक रूप से ट्यून करने योग्य विद्युत कंडक्टर है। HITP कार्बनिक रसायन (2,3,6,7,10,11-हेक्साएमिनोट्रिफेनिलीन) है। यह ग्राफीन की हेक्सागोनल मधुकोश संरचना को साझा करता है। हेक्सागोन्स के केंद्रों पर समान 2-एनएम के उद्घाटन के साथ, कई परतें स्वाभाविक रूप से पूरी तरह से संरेखित स्टैक बनाती हैं। कमरे का तापमान विद्युत चालकता ~40 सीमेंस (इकाई) सेमी^-1 है, बल्क ग्रेफाइट की तुलना में और किसी भी कंडक्टिंग धातु-जैविक ढांचा (MOFs) के लिए उच्चतम में से एक। इसकी चालकता की तापमान निर्भरता 100 K और 500 K के बीच के तापमान पर रैखिक होती है, जो असामान्य आवेश परिवहन तंत्र का सुझाव देती है जिसे पहले कार्बनिक अर्धचालक में नहीं देखा गया है।^[80]

इस प्रकार सामग्री को धातुओं और / या कार्बनिक यौगिकों को स्विच करके बनाए गए समूह का पहला होने का दावा किया गया था। इस प्रकार सामग्री को 2 और 40 s सेमी^-1 के चालकता मूल्यों के साथ पाउडर या फिल्म के रूप में अलग किया जा सकता है।^[81]

पॉलिमर

एक मोनोमर के रूप में मेलामाइन (कार्बन और नाइट्रोजन रिंग संरचना) का उपयोग करते हुए, शोधकर्ताओं ने 2DPA-1 बनाया, 2-आयामी बहुलक शीट जो हाइड्रोजन बंध द्वारा साथ रखी गई थी। इस प्रकार शीट अनायास समाधान में बनती है, जिससे पतली फिल्मों को स्पिन-लेपित किया जा सकता है। इस प्रकार पॉलिमर में स्टील की तुलना में दोगुनी शक्ति होती है, और यह गोली - रोक शीशे की तुलना में छह गुना अधिक विरूपण बल का प्रतिरोध करता है। यह गैसों और तरल पदार्थों के लिए अभेद्य है।^[82]^[83]

संयोजन

2D सामग्रियों की एकल परतों को स्तरित असेंबली में जोड़ा जा सकता है।^[84] उदाहरण के लिए, बाइपरत ग्राफीन सामग्री है जिसमें ग्राफीन की दो परतें होती हैं। इस प्रकार बाइपरत ग्राफीन की पहली रिपोर्ट में से आंद्रे गीम और उनके सहयोगियों द्वारा 2004 के विज्ञान (जर्नल) पेपर में थी, इस प्रकार जिसमें उन्होंने उन उपकरणों का वर्णन किया था जिनमें केवल एक, दो या तीन परमाणु परतें थीं। इस प्रकार विभिन्न 2D सामग्रियों के स्तरित संयोजनों को सामान्यतःवैन डेर वाल्स हेटरोस्ट्रक्चर कहा जाता है। इस प्रकार ट्विस्ट्रोनिक्स इस बात का अध्ययन है कि द्वि-आयामी सामग्रियों की परतों के बीच का कोण (मोड़) उनके विद्युत गुणों को कैसे बदल सकता है।

विशेषता

माइक्रोस्कोपी तकनीक जैसे ट्रांसमिशन इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी,^[85]^[86]^[87] 3डी इलेक्ट्रॉन विवर्तन,^[88] स्कैनिंग जांच माइक्रोस्कोपी,^[89] स्कैनिंग टनलिंग माइक्रोस्कोप,^[85]और परमाणु-बल माइक्रोस्कोपी^[85]^[87]^[89] 2डी सामग्री की मोटाई और आकार को चिह्नित करने के लिए उपयोग किया जाता है। इस प्रकार विद्युत गुण और संरचनात्मक गुण जैसे रचना और दोष की विशेषता रमन स्पेक्ट्रोस्कोपी द्वारा की जाती है,^[85]^[87]^[89] एक्स - रे क्रिस्टलोग्राफी या एक्स-रे विवर्तन,^[85]^[87]और एक्स - रे फ़ोटोइलैक्ट्रॉन स्पेक्ट्रोस्कोपी का उपयोग किया जाता हैं।^[90]

यांत्रिक लक्षण वर्णन

कई 2डी सामग्रियों में सम्मलित परिवेशी प्रतिक्रियाशीलता और सब्सट्रेट बाधाओं के कारण 2डी सामग्रियों का यांत्रिक लक्षण वर्णन मुश्किल है। इसके लिए, आणविक गतिशीलता सिमुलेशन या आणविक यांत्रिकी सिमुलेशन का उपयोग करके कई यांत्रिक गुणों की गणना की जाती है। इस प्रकार प्रायोगिक यांत्रिक लक्षण वर्णन 2डी सामग्रियों में संभव है जो प्रायोगिक सेटअप की स्थितियों में जीवित रह सकते हैं और साथ ही उपयुक्त सबस्ट्रेट्स पर जमा किए जा सकते हैं या मुक्त रूप में सम्मलित हो सकते हैं। इस प्रकार कई 2डी सामग्रियों में विमान के बाहर की विकृति भी होती है जो माप को और जटिल बनाती है।^[91]

नैनो इंडेंटेशन परीक्षण सामान्यतः2डी सामग्री के तन्यता युक्त मॉड्यूलस, कठोरता और भंग को प्रयोगात्मक रूप से मापने के लिए प्रयोग किया जाता है। इस प्रकार इन सीधे मापा मूल्यों से, मॉडल सम्मलित हैं जो फ्रैक्चर की कठोरता, कड़ी मेहनत, अवशिष्ट तनाव और उपज (इंजीनियरिंग) के अनुमान की अनुमति देते हैं। ये प्रयोग समर्पित नैनोइंडेंटेशन उपकरण या परमाणु बल माइक्रोस्कोपी (AFM) का उपयोग करके चलाए जाते हैं। इस प्रकार नैनोइंडेंटेशन प्रयोग सामान्यतः2डी सामग्री के साथ चलाए जाते हैं, इस प्रकार दोनों सिरों पर वेज द्वारा इंडेंटेशन का अनुभव करने वाली रेखीय पट्टी के रूप में, या 2डी सामग्री के साथ केंद्र में घुमावदार टिप द्वारा इंडेंटेशन का अनुभव करने वाली परिधि के चारों ओर गोलाकार झिल्ली के रूप में। पट्टी ज्यामिति तैयार करना मुश्किल है अपितु रैखिक परिणामी तनाव क्षेत्रों के कारण आसान विश्लेषण की अनुमति देता है। इस प्रकार परिपत्र ड्रम जैसी ज्यामिति का अधिक सामान्यतः उपयोग किया जाता है और इसे पैटर्न वाले सब्सट्रेट पर नमूनों को एक्सफ़ोलीएटिंग करके आसानी से तैयार किया जा सकता है। इस प्रकार क्लैम्पिंग प्रक्रिया में फिल्म पर लागू होने वाले तनाव को अवशिष्ट तनाव कहा जा सकता है। 2डी सामग्री की बहुत पतली परतों के मामले में झुकने वाले तनाव को सामान्यतःइंडेंटेशन मापन में अनदेखा किया जाता है, साथ ही बहुपरत नमूनों में झुकाव तनाव प्रासंगिक हो जाता है। प्रयोगात्मक बल-विस्थापन वक्र के रैखिक और घन भागों का निर्धारण करके तन्यता युक्त मापांक और अवशिष्ट तनाव मान निकाले जा सकते हैं। इस प्रकार नमूने की विफलता पर लागू तनाव से 2डी शीट का फ्रैक्चर तनाव निकाला जाता है। इस प्रकार एएफएम टिप आकार तन्यता युक्त संपत्ति माप पर बहुत कम प्रभाव पाया गया था, अपितु ब्रेकिंग बल को टिप के शीर्ष पर तनाव एकाग्रता के कारण मजबूत टिप आकार निर्भरता पाया गया था।^[92] इन तकनीकों का उपयोग करते हुए ग्राफीन की तन्यता युक्त मापांक और उपज शक्ति क्रमशः 342 N/m और 55 N/m पाई जाती हैं।^[92]

2डी सामग्री में पोइसन का अनुपात माप सामान्यतःसीधा होता है। मान प्राप्त करने के लिए, 2D शीट को तनाव में रखा जाता है और इस प्रकार विस्थापन प्रतिक्रियाओं को मापा जाता है, या एमडी गणना की जाती है। 2डी सामग्रियों में पाई जाने वाली अनूठी संरचनाओं का परिणाम फॉस्फोरिन में औक्सेटिक्स व्यवहार के रूप में पाया गया है,^[93] और ग्राफीन^[94] और त्रिकोणीय जालक बोरोफेन में शून्य का प्वासों अनुपात हैं।^[95]

एक डबल पैडल ऑसिलेटर प्रयोग के साथ-साथ एमडी सिमुलेशन में अनुनाद आवृत्ति बदलाव को मापकर ग्राफीन के कतरनी मापांक माप को निकाला गया है।^[96]^[97] मोड आई क्रैक में 2D सामग्री की फ्रैक्चर टफनेस (K_IC) पूर्व-दरार परतों को खींचकर और वास्तविक समय में दरार प्रसार की जांच करके सीधे मापा गया है।^[98] एमडी सिमुलेशन के साथ-साथ आणविक यांत्रिकी सिमुलेशन का उपयोग मोड I में फ्रैक्चर क्रूरता की गणना करने के लिए भी किया गया है। इस प्रकार अनिसोट्रोपिक सामग्रियों में, जैसे कि फॉस्फोरिन प्रसार कुछ दिशाओं के साथ अधिमानतः होता पाया गया।^[99] अधिकांश 2डी सामग्री भंगुर फ्रैक्चर से गुजरती पाई गई हैं।

अनुप्रयोग

शोधकर्ताओं के बीच प्रमुख अपेक्षा यह है कि उनके असाधारण गुणों को देखते हुए, 2डी सामग्री इलेक्ट्रॉनिक की नई पीढ़ी देने के लिए पारंपरिक अर्धचालक्स का स्थान लेती हैं।

जैविक अनुप्रयोग

2डी नेनो सामग्री पर अनुसंधान अभी भी अपनी शैशवावस्था में है, जिसमें अधिकांश शोध अद्वितीय सामग्री विकट: विशेषता को स्पष्ट करने पर केंद्रित है और 2डी नैनोमैटेरियल्स के जैव चिकित्सा अनुप्रयोगों पर ध्यान केंद्रित करने वाली कुछ रिपोर्टें हैं।^[100] इस प्रकार फिर भी, 2डी नैनोमटेरियल्स में हाल ही में तेजी से हुई प्रगति ने जैविक अंशों के साथ उनकी बातचीत के बारे में महत्वपूर्ण अपितु रोमांचक प्रश्न उठाए हैं। इस प्रकार कार्बन आधारित 2डी सामग्री, सिलिकेट क्ले, ट्रांजिशन मेटल डाइक्लोजेनाइड्स (टीएमडी) और ट्रांजिशन मेटल ऑक्साइड (टीएमओ) जैसे 2डी नैनोपार्टिकल्स अपने समान आकार, उच्च सतह-से-आयतन अनुपात के कारण बढ़ी हुई भौतिक, रासायनिक और जैविक कार्यक्षमता प्रदान करते हैं।

द्वि-आयामी (2डी) नैनोमटेरियल अल्ट्राथिन नैनोमटेरियल्स हैं जिनमें उच्च स्तर की असमदिग्वर्ती होने की दशा और रासायनिक कार्यक्षमता होती है।^[101] इस प्रकार 2डी नैनो सामग्री अपने यांत्रिक इंजीनियरिंग, रसायन और ऑप्टिकल गुणों के साथ-साथ आकार, आकार, जैव-अनुकूलता और अवक्रमणशीलता के मामले में अत्यधिक विविध हैं।^[102]^[103] ये विविध गुण 2डी नैनो सामग्री को अनुप्रयोगों की विस्तृत श्रृंखला के लिए उपयुक्त बनाते हैं, जिसमें दवा वितरण, चिकित्सा इमेजिंग, ऊतक इंजीनियरिंग, बायो सेंसर और गैस सेंसर सम्मलित हैं।^[104]^[105] चूंकि, उनका कम-आयाम वाला नैनोस्ट्रक्चर उन्हें कुछ सामान्य विशेषताएं देता है। इस प्रकार उदाहरण के लिए, 2डी नैनो सामग्री ज्ञात सबसे पतली सामग्री है, जिसका अर्थ है कि उनके पास सभी ज्ञात सामग्रियों के उच्चतम विशिष्ट सतह क्षेत्र भी हैं। यह विशेषता इन सामग्रियों को उन अनुप्रयोगों के लिए अमूल्य बनाती है जिनके लिए छोटे पैमाने पर उच्च स्तर की सतह की बातचीत की आवश्यकता होती है। इसके परिणामस्वरुप, दवा वितरण प्रणालियों में उपयोग के लिए 2डी नैनोमटेरियल्स की खोज की जा रही है, जहां वे बड़ी संख्या में दवा अणुओं को अवशोषित कर सकते हैं और रिलीज कैनेटीक्स पर बेहतर नियंत्रण सक्षम कर सकते हैं।^[106] इसके अतिरिक्त, उनके असाधारण सतह क्षेत्र से आयतन अनुपात और सामान्यतःउच्च मापांक मान उन्हें कम सांद्रता पर भी बायोमेडिकल नैनोकंपोजिट्स और नैनो कंपोजिट हाइड्रोजेल के यांत्रिक गुणों में सुधार के लिए उपयोगी बनाते हैं। इस प्रकार उनका अत्यधिक पतलापन बायोसेंसिंग और पूर्ण जीनोम अनुक्रमण में सफलताओं के लिए सहायक रहा है। इसके अतिरिक्त, इन अणुओं की पीडीटी उन्हें प्रकाश जैसे बाहरी संकेतों पर तेजी से प्रतिक्रिया करने की अनुमति देती है, जिससे इमेजिंग अनुप्रयोगों, फोटोथर्मल थेरेपी (पीटीटी), और फ़ोटोडायनॉमिक थेरेपी (पीडीटी) सहित सभी प्रकार के ऑप्टिकल उपचारों में उपयोगिता हो गई है।

2डी नैनो सामग्री के क्षेत्र में विकास की तीव्र गति के अतिरिक्त, बायोमेडिकल अनुप्रयोगों के लिए प्रासंगिक होने के लिए इन सामग्रियों का जैव अनुकूलता के लिए सावधानीपूर्वक मूल्यांकन किया जाना चाहिए।^[107] सामग्रियों के इस वर्ग की नवीनता का अर्थ है कि ग्राफीन जैसी अपेक्षाकृत अच्छी तरह से स्थापित 2डी सामग्री भी जीवित ऊतक (जीव विज्ञान) के साथ उनके शारीरिक संबंधों के संदर्भ में खराब समझी जाती है। इसके अतिरिक्त, चर कण आकार और आकार की जटिलताओं, निर्माण से अशुद्धियों, और प्रोटीन और प्रतिरक्षा बातचीत के परिणामस्वरूप इन सामग्रियों की जैव-अनुकूलता पर ज्ञान का पैचवर्क हुआ है।

यह भी देखें

संदर्भ

↑ Ashton, M.; Paul, J.; Sinnott, S. B.; Hennig, R. G. (2017). "Topology-Scaling Identification of Layered Solids and Stable Exfoliated 2D Materials". Phys. Rev. Lett. 118 (10): 106101. arXiv:1610.07673. Bibcode:2017PhRvL.118j6101A. doi:10.1103/PhysRevLett.118.106101. PMID 28339265. S2CID 32012137.
↑ "डेटाबेस". 2dmaterialsweb.org.
↑ "Computational 2D Materials Database (C2DB) — COMPUTATIONAL MATERIALS REPOSITORY". cmr.fysik.dtu.dk.
↑ Zheng, Weiran; Lee, Lawrence Yoon Suk (2022). "Beyond sonication: Advanced exfoliation methods for scalable production of 2D materials". Matter (in English). 5 (2): 515–545. doi:10.1016/j.matt.2021.12.010. S2CID 245902407.
↑ Andronico, Michael (14 April 2014). "5 Ways Graphene Will Change Gadgets Forever". Laptop.
↑ "ग्राफीन गुण". www.graphene-battery.net. 2014-05-29. Retrieved 2014-05-29.
↑ "This Month in Physics History: October 22, 2004: Discovery of Graphene". APS News. Series II. 18 (9): 2. 2009.
↑ "The Nobel Prize in Physics 2010". The Nobel Foundation. Retrieved 2013-12-03.
↑ Heimann, R.B.; Evsvukov, S.E.; Koga, Y. (1997). "Carbon allotropes: a suggested classification scheme based on valence orbital hybridization". Carbon. 35 (10–11): 1654–1658. doi:10.1016/S0008-6223(97)82794-7.
↑ Enyashin, Andrey N.; Ivanovskii, Alexander L. (2011). "ग्राफीन अलॉट्रोप्स". Physica Status Solidi B. 248 (8): 1879–1883. Bibcode:2011PSSBR.248.1879E. doi:10.1002/pssb.201046583. S2CID 125591804.
↑ Özçelik, V. Ongun; Ciraci, S. (January 10, 2013). "Size Dependence in the Stabilities and Electronic Properties of α-Graphyne and Its Boron Nitride Analogue". The Journal of Physical Chemistry C. 117 (5): 2175–2182. arXiv:1301.2593. doi:10.1021/jp3111869. hdl:11693/11999. S2CID 44136901.
↑ Balaban AT, Rentia CC, Ciupitu E (1968). "Chemical graphs. 6. Estimation of relative stability of several planar and tridimensional lattices for elementary carbon". Revue Roumaine de Chimie. 13 (2): 231–.
↑ Li, Guoxing; Li, Yuliang; Liu, Huibiao; Guo, Yanbing; Li, Yongjun; Zhu, Daoben (2010). "ग्राफडीयन नैनोस्केल फिल्मों की वास्तुकला". Chemical Communications. 46 (19): 3256–3258. doi:10.1039/B922733D. PMID 20442882. S2CID 43416849.
↑ Gopalakrishnan, K.; Moses, Kota; Govindaraj, A.; Rao, C. N. R. (2013-12-01). "नाइट्रोजन-डोप्ड कम ग्राफीन ऑक्साइड और बोरोकार्बोनाइट्राइड्स पर आधारित सुपरकैपेसिटर". Solid State Communications. Special Issue: Graphene V: Recent Advances in Studies of Graphene and Graphene analogues. 175–176: 43–50. Bibcode:2013SSCom.175...43G. doi:10.1016/j.ssc.2013.02.005.
↑ Schirber, Michael (24 February 2012). "Focus: Graphyne May Be Better than Graphene". Physics. 5 (24): 24. Bibcode:2012PhyOJ...5...24S. doi:10.1103/Physics.5.24.
↑ Boustani, Ihsan (January 1997). "नंगे बोरॉन की नई अर्ध-प्लानर सतहें". Surface Science. 370 (2–3): 355–363. Bibcode:1997SurSc.370..355B. doi:10.1016/S0039-6028(96)00969-7.
↑ Zhang, Z.; Yang, Y.; Gao, G.; Yakobson, B.I. (2 September 2015). "मेटल सबस्ट्रेट्स द्वारा मध्यस्थता वाले दो आयामी बोरॉन मोनोलयर्स". Angewandte Chemie International Edition. 54 (44): 13022–13026. doi:10.1002/anie.201505425. PMID 26331848.
↑ Mannix, A. J.; Zhou, X.-F.; Kiraly, B.; Wood, J. D.; Alducin, D.; Myers, B. D.; Liu, X.; Fisher, B. L.; Santiago, U.; Guest, J. R.; et al. (17 December 2015). "Synthesis of borophenes: Anisotropic, two-dimensional boron polymorphs". Science. 350 (6267): 1513–1516. Bibcode:2015Sci...350.1513M. doi:10.1126/science.aad1080. PMC 4922135. PMID 26680195.
↑ Feng, Baojie; Zhang, Jin; Zhong, Qing; Li, Wenbin; Li, Shuai; Li, Hui; Cheng, Peng; Meng, Sheng; Chen, Lan; Wu, Kehui (28 March 2016). "द्वि-आयामी बोरॉन शीट्स का प्रायोगिक अहसास". Nature Chemistry. 8 (6): 563–568. arXiv:1512.05029. Bibcode:2016NatCh...8..563F. doi:10.1038/nchem.2491. PMID 27219700. S2CID 19475989.
↑ Bampoulis, P.; Zhang, L.; Safaei, A.; van Gastel, R.; Poelsema, B.; Zandvliet, H. J. W. (2014). "Germanene termination of Ge₂Pt crystals on Ge(110)". Journal of Physics: Condensed Matter. 26 (44): 442001. arXiv:1706.00697. Bibcode:2014JPCM...26R2001B. doi:10.1088/0953-8984/26/44/442001. PMID 25210978. S2CID 36478002.
↑ Derivaz, Mickael; Dentel, Didier; Stephan, Regis; Hanf, Marie-Christine; Mehdaoui, Ahmed; Sonnet, Philippe; Pirri, Carmelo (2015). "Continuous germanene layer on Al (111)". Nano Letters. ACS Publications. 15 (4): 2510–2516. Bibcode:2015NanoL..15.2510D. doi:10.1021/acs.nanolett.5b00085. PMID 25802988.
↑ Yuhara, J.; Shimazu, H.; Ito, K.; Ohta, A.; Kurosawa, M.; Nakatake, M.; Le Lay, Guy (2018). "जीई (111) पर एजी (111) पतली फिल्मों के माध्यम से अलगाव द्वारा जर्मनिन एपिटैक्सियल ग्रोथ". ACS Nano. 12 (11): 11632–11637. doi:10.1021/acsnano.8b07006. PMID 30371060. S2CID 53102735.
↑ Lee, Kangho; Kim, Hye-Young; Lotya, Mustafa; Coleman, Jonathan N.; Kim, Gyu-Tae; Duesberg, Georg S. (2011-09-22). "लिक्विड एक्सफोलिएशन द्वारा उत्पादित मोलिब्डेनम डाइसल्फ़ाइड फ्लेक्स के विद्युत लक्षण". Advanced Materials. 23 (36): 4178–4182. Bibcode:2011AdM....23.4178L. doi:10.1002/adma.201101013. PMID 21823176. S2CID 205240634.
↑ Xu, Mingsheng; Liang, Tao; Shi, Minmin; Chen, Hongzheng (2013). "Graphene-like two-dimensional materials". Chemical Reviews. ACS Publications. 113 (5): 3766–3798. doi:10.1021/cr300263a. PMID 23286380.
↑ Cahangirov, S.; Topsakal, M.; Aktürk, E.; Şahin, H.; Ciraci, S. (2009). "Two- and One-Dimensional Honeycomb Structures of Silicon and Germanium". Phys. Rev. Lett. 102 (23): 236804. arXiv:0811.4412. Bibcode:2009PhRvL.102w6804C. doi:10.1103/PhysRevLett.102.236804. PMID 19658958. S2CID 22106457.
↑ Stephan, Régis; Hanf, Marie-Christine; Sonnet, Philippe (2014). "Spatial analysis of interactions at the silicene/Ag interface: first principles study". Journal of Physics: Condensed Matter. IOP Publishing. 27 (1): 015002. doi:10.1088/0953-8984/27/1/015002. PMID 25407116. S2CID 39842095.
↑ ^27.0 ^27.1 ^27.2 ^27.3 ^27.4 Küchle, Johannes T.; Baklanov, Aleksandr; Seitsonen, Ari P.; Ryan, Paul T.P.; Feulner, Peter; Pendem, Prashanth; Lee, Tien-Lin; Muntwiler, Matthias; Schwarz, Martin; Haag, Felix; Barth, Johannes V.; Auwärter, Willi; Duncan, David A.; Allegretti, Francesco (2022). "Silicene's pervasive surface alloy on Ag(111): a scaffold for two-dimensional growth". 2D Materials. 9 (4): 045021. doi:10.1088/2053-1583/ac8a01. S2CID 251637081.
↑ ^28.0 ^28.1 Yuhara, J.; Fujii, Y.; Isobe, N.; Nakatake, M.; Lede, X.; Rubio, A.; Le Lay, G. (2018). "एजी (111) पर बड़े क्षेत्र प्लानर स्टैनेन एपिटैक्सियलली उगाए गए". 2D Materials. 5 (2). 025002. Bibcode:2018TDM.....5b5002Y. doi:10.1088/2053-1583/aa9ea0.
↑ Takahashi, L.; Takahashi, K. (2015). "द्वि-आयामी टिन पर निम्न तापमान प्रदूषक फंसना और पृथक्करण". Physical Chemistry Chemical Physics. 17 (33): 21394–21396. Bibcode:2015PCCP...1721394T. doi:10.1039/C5CP03382A. PMID 26226204. Supporting Information
↑ Ahmed, Rezwan; Nakagawa, Takeshi; Mizuno, Seigi (2020). "कम ऊर्जा इलेक्ट्रॉन विवर्तन का उपयोग करते हुए Cu(111) पर अल्ट्रा-फ्लैट स्टेनिन की संरचना का निर्धारण।". Surface Science. 691: 121498. Bibcode:2020SurSc.69121498A. doi:10.1016/j.susc.2019.121498. S2CID 203142186.
↑ Yuhara, J.; He, B.; Le Lay, G. (2019). "Graphene's Latest Cousin: Plumbene Epitaxial Growth on a "Nano WaterCube"". Advanced Materials. 31 (27): 1901017. doi:10.1002/adma.201901017. PMID 31074927. S2CID 149446617..
↑ Berger, Andy (July 17, 2015). "Beyond Graphene, a Zoo of New 2-D Materials". Discover Magazine. Retrieved 2015-09-19.
↑ Li, L.; Yu, Y.; Ye, G. J.; Ge, Q.; Ou, X.; Wu, H.; Feng, D.; Chen, X. H.; Zhang, Y. (2014). "ब्लैक फॉस्फोरस फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर". Nature Nanotechnology. 9 (5): 372–377. arXiv:1401.4117. Bibcode:2014NatNa...9..372L. doi:10.1038/nnano.2014.35. PMID 24584274. S2CID 17218693.
↑ Ritu, Harneet (2016). "Langmuir-Blodgett असेंबली द्वारा सेमीकंडक्टिंग फॉस्फोरिन का बड़ा क्षेत्र निर्माण". Sci. Rep. 6: 34095. arXiv:1605.00875. Bibcode:2016NatSR...634095K. doi:10.1038/srep34095. PMC 5037434. PMID 27671093.
↑ Zhang, S.; Yan, Z.; Li, Y.; Chen, Z.; Zeng, H. (2015). "Atomically Thin Arsenene and Antimonene: Semimetal-Semiconductor and Indirect-Direct Band-Gap Transitions". Angew. Chem. Int. Ed. 54 (10): 3112–3115. doi:10.1002/anie.201411246. PMID 25564773.
↑ Ares, P.; Aguilar-Galindo, F.; Rodríguez-San-Miguel, D.; Aldave, D. A.; Díaz-Tendero, S.; Alcamí, M.; Martín, F.; Gómez-Herrero, J.; Zamora, F. (2016). "परिवेशी परिस्थितियों में अत्यधिक स्थिर एंटीमोनिन का यांत्रिक अलगाव". Adv. Mater. 28 (30): 6332–6336. arXiv:1608.06859. Bibcode:2016AdM....28.6332A. doi:10.1002/adma.201602128. hdl:10486/672484. PMID 27272099. S2CID 8296292.
↑ Ares, P.; Palacios, J. J.; Abellán, G.; Gómez-Herrero, J.; Zamora, F. (2018). "Recent progress on antimonene: a new bidimensional material". Adv. Mater. 30 (2): 1703771. doi:10.1002/adma.201703771. hdl:10486/688820. PMID 29076558. S2CID 205282902.
↑ Martínez-Periñán, Emiliano; Down, Michael P.; Gibaja, Carlos; Lorenzo, Encarnación; Zamora, Félix; Banks, Craig E. (2018). "Antimonene: A Novel 2D Nanomaterial for Supercapacitor Applications" (PDF). Advanced Energy Materials (in English). 8 (11): 1702606. doi:10.1002/aenm.201702606. hdl:10486/688798. ISSN 1614-6840. S2CID 103042887.
↑ Lazanas, Alexandros Ch.; Prodromidis, Mamas I. (April 2022). "Electrochemical performance of passivated antimonene nanosheets and of in-situ prepared antimonene oxide-PEDOT:PSS modified screen-printed graphite electrodes". Electrochimica Acta. 410: 140033. doi:10.1016/j.electacta.2022.140033. S2CID 246598714.
↑ Hsu, Chia-Hsiu; Huang, Zhi-Quan; Chuang, Feng-Chuan; Kuo, Chien-Cheng; Liu, Yu-Tzu; Lin, Hsin; Bansil, Arun (2015-02-10). "The nontrivial electronic structure of Bi/Sb honeycombs on SiC(0001)". New Journal of Physics. 17 (2): 025005. Bibcode:2015NJPh...17b5005H. doi:10.1088/1367-2630/17/2/025005.
↑ Reis, Felix; Li, Gang; Dudy, Lenart; Bauernfiend, Maximilian; Glass, Stefan; Hanke, Werner; Thomale, Ronny; Schaefer, Joerg; Claessen, Ralph (July 21, 2017). "Bismuthene on a SiC substrate: A candidate for a high-temperature quantum spin Hall material". Science. 357 (6348): 287–290. arXiv:1608.00812. Bibcode:2017Sci...357..287R. doi:10.1126/science.aai8142. PMID 28663438. S2CID 23323210.
↑ Liu, Zheng; Liu, Chao-Xing; Wu, Yong-Shi; Duan, Wen-Hui; Liu, Feng; Wu, Jian (2011-09-23). "Stable NontrivialZ2Topology in Ultrathin Bi (111) Films: A First-Principles Study". Physical Review Letters. 107 (13): 136805. arXiv:1104.0978. Bibcode:2011PhRvL.107m6805L. doi:10.1103/physrevlett.107.136805. ISSN 0031-9007. PMID 22026889. S2CID 10121875.
↑ Murakami, Shuichi (2006-12-06). "क्वांटम स्पिन हॉल इफेक्ट और स्पिन-ऑर्बिट कपलिंग द्वारा बढ़ी हुई चुंबकीय प्रतिक्रिया". Physical Review Letters. 97 (23): 236805. arXiv:cond-mat/0607001. Bibcode:2006PhRvL..97w6805M. doi:10.1103/physrevlett.97.236805. ISSN 0031-9007. PMID 17280226. S2CID 34984890.
↑ Qi-Qi, Yang (2 October 2018). "2D bismuthene fabricated via acid-intercalated exfoliation showing strong nonlinear near-infrared responses for mode-locking lasers". Nanoscale. 10 (45): 21106–21115. doi:10.1039/c8nr06797j. PMID 30325397.
↑ Gusmao, Rui; Sofer, Zdenek; Bousa, Daniel; Pumera, Martin (29 July 2017). "इलेक्ट्रोकेमिकल अनुप्रयोगों के लिए किचन ब्लेंडर्स का उपयोग करके शियर एक्सफोलिएशन द्वारा निक्टोजेन्स (एएस, एसबी, बीआई) नैनोशीट्स". Angewandte Chemie International Edition. 56 (46): 14417–14422. doi:10.1002/anie.201706389. PMID 28755460. S2CID 22513370.
↑ Martinez, Carmen C.; Gusmao, Rui; Sofer, Zdenek; Pumera, Martin (2019). "Pnictogen-Based Enzymatic Phenol Biosensors: Phosphorene, Arsenene, Antimonene, and Bismuthene". Angewandte Chemie International Edition. 58 (1): 134–138. doi:10.1002/anie.201808846. PMID 30421531. S2CID 53291371.
↑ Lazanas, Alexandros Ch.; Tsirka, Kyriaki; Paipetis, Alkiviadis S.; Prodromidis, Mamas I. (2020). "2D bismuthene/graphene modified electrodes for the ultra-sensitive stripping voltammetric determination of lead and cadmium". Electrochimica Acta. 336: 135726. doi:10.1016/j.electacta.2020.135726. S2CID 214292108.
↑ Chowdhury, Emdadul Haque; Rahman, Md. Habibur; Bose, Pritom; Jayan, Rahul; Islam, Md Mahbubul (2020). "Atomic-scale analysis of the physical strength and phonon transport mechanisms of monolayer β-bismuthene". Physical Chemistry Chemical Physics. 22 (48): 28238–28255. Bibcode:2020PCCP...2228238C. doi:10.1039/d0cp04785f. ISSN 1463-9076. PMID 33295342. S2CID 228079431.
↑ ^49.0 ^49.1 Yin, Xi; Liu, Xinhong; Pan, Yung-Tin; Walsh, Kathleen A.; Yang, Hong (November 4, 2014). "हनोई टॉवर की तरह बहुस्तरीय अल्ट्राथिन पैलेडियम नैनोशीट्स". Nano Letters. 14 (12): 7188–7194. Bibcode:2014NanoL..14.7188Y. doi:10.1021/nl503879a. PMID 25369350.
↑ ^50.0 ^50.1 Abdelhafiz, Ali; Vitale, Adam; Buntin, Parker; deGlee, Ben; Joiner, Corey; Robertson, Alex; Vogel, Eric M.; Warner, Jamie; Alamgir, Faisal M. (2018). "Epitaxial and atomically thin graphene–metal hybrid catalyst films: the dual role of graphene as the support and the chemically-transparent protective cap". Energy & Environmental Science. 11 (6): 1610–1616. doi:10.1039/c8ee00539g.
↑ ^51.0 ^51.1 Abdelhafiz, Ali; Vitale, Adam; Joiner, Corey; Vogel, Eric; Alamgir, Faisal M. (2015-03-16). "ग्राफीन-टेम्पलेटेड पीटी मोनोलेयर्स में ऑक्सीजन विकास प्रतिक्रिया के लिए संरचना, तनाव और गतिविधि का परत-दर-परत विकास". ACS Applied Materials & Interfaces. 7 (11): 6180–6188. doi:10.1021/acsami.5b00182. PMID 25730297.
↑ Duan, Haohong; Yan, Ning; Yu, Rong; Chang, Chun-Ran; Zhou, Gang; Hu, Han-Shi; Rong, Hongpan; Niu, Zhiqiang; Mao, Junjie; Asakura, Hiroyuki; Tanaka, Tsunehiro; Dyson, Paul Joseph; Li, Jun; Li, Yadong (17 January 2014). "अल्ट्राथिन रोडियम नैनोशीट्स". Nature Communications. 5: 3093. Bibcode:2014NatCo...5.3093D. doi:10.1038/ncomms4093. PMID 24435210.
↑ Yuhara, J.; Schmid, M.; Varga, P. (2003). "अमिश्रणीय धातुओं का एक द्वि-आयामी मिश्र धातु, आरएच (111) पर पीबी और एसएन की एकल और बाइनरी मोनोलेयर फिल्म". Phys. Rev. B. 67 (19): 195407. Bibcode:2003PhRvB..67s5407Y. doi:10.1103/PhysRevB.67.195407.
↑ Yuhara, J.; Yokoyama, M.; Matsui, T. (2011). "आरएच (111) पर बीआई-पीबी बाइनरी फिल्मों का द्वि-आयामी ठोस समाधान मिश्र धातु". J. Appl. Phys. 110 (7): 074314–074314–4. Bibcode:2011JAP...110g4314Y. doi:10.1063/1.3650883.
↑ Kochaev, A. I.; Karenin, A.A.; Meftakhutdinov, R.M.; Brazhe, R.A. (2012). "2D supracrystals as a promising materials for planar nanoacoustoelectronics". Journal of Physics: Conference Series. 345 (1): 012007. Bibcode:2012JPhCS.345a2007K. doi:10.1088/1742-6596/345/1/012007.
↑ Brazhe, R. A.; Kochaev, A. I. (2012). "Flexural waves in graphene and 2D supracrystals". Physics of the Solid State. 54 (8): 1612–1614. Bibcode:2012PhSS...54.1612B. doi:10.1134/S1063783412080069. S2CID 120094142.
↑ Blain, Loz (2022-04-28). "एक तरफ़ा सुपरकंडक्टिंग डायोड का इलेक्ट्रॉनिक्स के लिए व्यापक प्रभाव है". New Atlas (in English). Retrieved 2022-04-29.
↑ Pasco, Christopher M.; Baggari, Ismail El; Bianco, Elisabeth; Kourkoutis, Lena F.; McQueen, Tyrel M. (2019-07-23). "Tunable Magnetic Transition to a Singlet Ground State in a 2D Van der Waals Layered Trimerized Kagom\'e Magnet". ACS Nano (in English). 13 (8): 9457–9463. arXiv:1907.10108v1. doi:10.1021/acsnano.9b04392. PMID 31310516. S2CID 197422328.
↑ Wu, Heng; Wang, Yaojia; Xu, Yuanfeng; Sivakumar, Pranava K.; Pasco, Chris; Filippozzi, Ulderico; Parkin, Stuart S. P.; Zeng, Yu-Jia; McQueen, Tyrel; Ali, Mazhar N. (April 2022). "वैन डेर वाल्स हेटरोस्ट्रक्चर में क्षेत्र-मुक्त जोसेफसन डायोड". Nature (in English). 604 (7907): 653–656. arXiv:2103.15809. Bibcode:2022Natur.604..653W. doi:10.1038/s41586-022-04504-8. ISSN 1476-4687. PMID 35478238. S2CID 248414862.
↑ Gan, Xiaorong; Lee, Lawrence Yoon Suk; Wong, Kwok-yin; Lo, Tsz Wing; Ho, Kwun Hei; Lei, Dang Yuan; Zhao, Huimin (2018). "2H/1T Phase Transition of Multilayer MoS2 by Electrochemical Incorporation of S Vacancies". ACS Applied Energy Materials. 1 (9): 4754–4765. doi:10.1021/acsaem.8b00875. S2CID 106014720.
↑ Dickinson, Roscoe G.; Pauling, Linus (1923). "मोलिब्डेनइट की क्रिस्टल संरचना". Journal of the American Chemical Society. 45 (6): 1466–1471. doi:10.1021/ja01659a020.
↑ Fang, Yuqiang; Pan, Jie; He, Jianqiao; Luo, Ruichun; Wang, Dong; Che, Xiangli; Bu, Kejun; Zhao, Wei; Liu, Pan; Mu, Gang; Zhang, Hui; Lin, Tianquan; Huang, Fuqiang (2018-01-26). "Structure Re-determination and Superconductivity Observation of Bulk 1T MoS 2". Angewandte Chemie International Edition (in English). 57 (5): 1232–1235. arXiv:1712.09248. doi:10.1002/anie.201710512. PMID 29210496. S2CID 205406195.
↑ Splendiani, Andrea; Sun, Liang; Zhang, Yuanbo; Li, Tianshu; Kim, Jonghwan; Chim, Chi-Yung; Galli, Giulia; Wang, Feng (2010-04-14). "Emerging Photoluminescence in Monolayer MoS 2". Nano Letters (in English). 10 (4): 1271–1275. Bibcode:2010NanoL..10.1271S. doi:10.1021/nl903868w. ISSN 1530-6984. PMID 20229981.
↑ Tributsch, H. (1977). "लेयर-टाइप ट्रांजिशन मेटल डाइक्लोजेनाइड्स - इलेक्ट्रोकेमिकल सोलर सेल के लिए इलेक्ट्रोड का एक नया वर्ग". Berichte der Bunsengesellschaft für physikalische Chemie (in English). 81 (4): 361–369. doi:10.1002/bbpc.19770810403.
↑ Fivaz, R.; Mooser, E. (1967-11-15). "अर्धचालक परत संरचनाओं में आवेश वाहकों की गतिशीलता". Physical Review (in English). 163 (3): 743–755. doi:10.1103/PhysRev.163.743. ISSN 0031-899X.
↑ ^66.0 ^66.1 Salazar, Norberto; Rangarajan, Srinivas; Rodríguez-Fernández, Jonathan; Mavrikakis, Manos; Lauritsen, Jeppe V. (2020-08-31). "Site-dependent reactivity of MoS2 nanoparticles in hydrodesulfurization of thiophene". Nature Communications (in English). 11 (1): 4369. doi:10.1038/s41467-020-18183-4. ISSN 2041-1723. PMC 7459117. PMID 32868769.
↑ Kong, Desheng; Wang, Haotian; Cha, Judy J.; Pasta, Mauro; Koski, Kristie J.; Yao, Jie; Cui, Yi (2013-03-13). "Synthesis of MoS 2 and MoSe 2 Films with Vertically Aligned Layers". Nano Letters (in English). 13 (3): 1341–1347. doi:10.1021/nl400258t. ISSN 1530-6984. PMID 23387444.
↑ Lukowski, Mark A.; Daniel, Andrew S.; Meng, Fei; Forticaux, Audrey; Li, Linsen; Jin, Song (2013-07-17). "Enhanced Hydrogen Evolution Catalysis from Chemically Exfoliated Metallic MoS 2 Nanosheets". Journal of the American Chemical Society (in English). 135 (28): 10274–10277. doi:10.1021/ja404523s. ISSN 0002-7863. PMID 23790049.
↑ Zhang, Wencui; Liao, Xiaobin; Pan, Xuelei; Yan, Mengyu; Li, Yanxi; Tian, Xiaocong; Zhao, Yan; Xu, Lin; Mai, Liqiang (2019). "Superior Hydrogen Evolution Reaction Performance in 2H-MoS 2 to that of 1T Phase". Small (in English). 15 (31): 1900964. doi:10.1002/smll.201900964. ISSN 1613-6810. PMID 31211511. S2CID 190523589.
↑ Pumera, Martin; Wong, Colin Hong An (2013). "ग्रेफेन और हाइड्रोजनीकृत ग्राफीन". Chemical Society Reviews (in English). 42 (14): 5987–5995. doi:10.1039/c3cs60132c. ISSN 0306-0012. PMID 23686139.
↑ Sluiter, Marcel H. F.; Kawazoe, Yoshiyuki (2003-08-21). "Cluster expansion method for adsorption: Application to hydrogen chemisorption on graphene". Physical Review B (in English). 68 (8): 085410. doi:10.1103/PhysRevB.68.085410. ISSN 0163-1829.
↑ Sofo, Jorge O.; Chaudhari, Ajay S.; Barber, Greg D. (2007-04-10). "Graphane: A two-dimensional hydrocarbon". Physical Review B (in English). 75 (15): 153401. arXiv:cond-mat/0606704. doi:10.1103/PhysRevB.75.153401. ISSN 1098-0121. S2CID 101537520.
↑ Elias, D. C.; Nair, R. R.; Mohiuddin, T. M. G.; Morozov, S. V.; Blake, P.; Halsall, M. P.; Ferrari, A. C.; Boukhvalov, D. W.; Katsnelson, M. I.; Geim, A. K.; Novoselov, K. S. (2009-01-30). "Control of Graphene's Properties by Reversible Hydrogenation: Evidence for Graphane". Science (in English). 323 (5914): 610–613. arXiv:0810.4706. Bibcode:2009Sci...323..610E. doi:10.1126/science.1167130. ISSN 0036-8075. PMID 19179524. S2CID 3536592.
↑ Pumera, Martin; Wong, Colin Hong An (2013). "ग्रेफेन और हाइड्रोजनीकृत ग्राफीन". Chemical Society Reviews (in English). 42 (14): 5987–5995. doi:10.1039/c3cs60132c. ISSN 0306-0012. PMID 23686139.
↑ Zhou, Chao; Chen, Sihao; Lou, Jianzhong; Wang, Jihu; Yang, Qiujie; Liu, Chuanrong; Huang, Dapeng; Zhu, Tonghe (2014-01-13). "Graphene's cousin: the present and future of graphane". Nanoscale Research Letters. 9 (1): 26. doi:10.1186/1556-276X-9-26. ISSN 1556-276X. PMC 3896693. PMID 24417937.
↑ Pumera, Martin; Wong, Colin Hong An (2013). "ग्रेफेन और हाइड्रोजनीकृत ग्राफीन". Chemical Society Reviews (in English). 42 (14): 5987–5995. doi:10.1039/c3cs60132c. ISSN 0306-0012. PMID 23686139.
↑ Bianco, E.; Butler, S.; Jiang, S.; Restrepo, O. D.; Windl, W.; Goldberger, J. E. (2013). "Stability and Exfoliation of Germanane: A Germanium Graphane Analogue". ACS Nano. 7 (5): 4414–21. doi:10.1021/nn4009406. hdl:1811/54792. PMID 23506286.
↑ Garcia, J. C.; de Lima, D. B.; Assali, L. V. C.; Justo, J. F. (2011). "समूह IV ग्राफीन- और ग्राफीन-जैसी नैनोशीट". J. Phys. Chem. C. 115 (27): 13242–13246. arXiv:1204.2875. doi:10.1021/jp203657w. S2CID 98682200.
↑ "'जर्मनेन' हल्के, तेज इलेक्ट्रॉनिक्स के लिए सिलिकॉन की जगह ले सकता है". KurzweilAI. Retrieved 2013-04-12.
↑ Sheberla, Dennis; Sun, Lei; Blood-Forsythe, Martin A.; Er, Süleyman; Wade, Casey R.; Brozek, Carl K.; Aspuru-Guzik, Alán; Dincă, Mircea (2014). "High Electrical Conductivity in Ni₃(2,3,6,7,10,11-hexaiminotriphenylene)₂, a Semiconducting Metal–Organic Graphene Analogue". Journal of the American Chemical Society. 136 (25): 8859–8862. doi:10.1021/ja502765n. PMID 24750124. S2CID 5714037.
↑ "फ्लैट सेमीकंडक्टर्स के लिए एक नया सेल्फ-असेंबलिंग ग्राफीन जैसी सामग्री". KurzweilAI. 2014-05-01. Retrieved 2014-08-24.
↑ Irving, Michael (2022-02-03). ""Impossible" 2D material is light as plastic and stronger than steel". New Atlas (in English). Retrieved 2022-02-03.
↑ Zeng, Yuwen; Gordiichuk, Pavlo; Ichihara, Takeo; Zhang, Ge; Sandoz-Rosado, Emil; Wetzel, Eric D.; Tresback, Jason; Yang, Jing; Kozawa, Daichi; Yang, Zhongyue; Kuehne, Matthias (2022-02-03). "एक अतिमजबूत द्वि-आयामी बहुलक सामग्री का अपरिवर्तनीय संश्लेषण". Nature (in English). 602 (7895): 91–95. Bibcode:2022Natur.602...91Z. doi:10.1038/s41586-021-04296-3. ISSN 0028-0836. PMID 35110762. S2CID 246487991.
↑ Ipaves, B.; Justo, J.F.; Assali, L. V. C. (2019). "Carbon-Related Bilayers: Nanoscale Building Blocks for Self-Assembly Nanomanufacturing". J. Phys. Chem. C. 123 (37): 23195–23204. arXiv:1908.06218. doi:10.1021/acs.jpcc.9b05446. S2CID 201070776.
↑ ^85.0 ^85.1 ^85.2 ^85.3 ^85.4 Butler, Sheneve Z.; Hollen, Shawna M.; Cao, Linyou; Cui, Yi; Gupta, Jay A.; Gutiérrez, Humberto R.; Heinz, Tony F.; Hong, Seung Sae; Huang, Jiaxing (2013). "ग्राफीन से परे दो आयामी सामग्री में प्रगति, चुनौतियाँ और अवसर". ACS Nano. 7 (4): 2898–2926. doi:10.1021/nn400280c. PMID 23464873.
↑ Bhimanapati, Ganesh R.; Lin, Zhong; Meunier, Vincent; Jung, Yeonwoong; Cha, Judy; Das, Saptarshi; Xiao, Di; Son, Youngwoo; Strano, Michael S. (2015). "ग्रैफेन से परे दो आयामी सामग्री में हालिया प्रगति". ACS Nano. 9 (12): 11509–11539. doi:10.1021/acsnano.5b05556. PMID 26544756.
↑ ^87.0 ^87.1 ^87.2 ^87.3 Rao, C. N. R.; Nag, Angshuman (2010-09-01). "ग्राफीन के अकार्बनिक एनालॉग्स". European Journal of Inorganic Chemistry. 2010 (27): 4244–4250. doi:10.1002/ejic.201000408.
↑ Sung, S.H.; Schnitzer, N.; Brown, L.; Park, J.; Hovden, R. (2019-06-25). "Stacking, strain, and twist in 2D materials quantified by 3D electron diffraction". Physical Review Materials. 3 (6): 064003. arXiv:1905.11354. Bibcode:2019PhRvM...3f4003S. doi:10.1103/PhysRevMaterials.3.064003. S2CID 166228311.
↑ ^89.0 ^89.1 ^89.2 Rao, C. N. R.; Ramakrishna Matte, H. S. S.; Maitra, Urmimala (2013-12-09). "अकार्बनिक स्तरित सामग्री के ग्राफीन एनालॉग्स". Angewandte Chemie International Edition. 52 (50): 13162–13185. doi:10.1002/anie.201301548. PMID 24127325.
↑ Rao, C. N. R; Maitra, Urmimala (2015-01-01). "अकार्बनिक ग्राफीन एनालॉग्स". Annual Review of Materials Research. 45 (1): 29–62. Bibcode:2015AnRMS..45...29R. doi:10.1146/annurev-matsci-070214-021141.
↑ Androulidakis, Charalampos; Zhang, Kaihao; Robertson, Matthew; Tawfick, Sameh (2018-06-13). "Tailoring the mechanical properties of 2D materials and heterostructures". 2D Materials. 5 (3): 032005. Bibcode:2018TDM.....5c2005A. doi:10.1088/2053-1583/aac764. ISSN 2053-1583. S2CID 139728037.
↑ ^92.0 ^92.1 Lee, Changgu; Wei, Xiaoding; Kysar, Jeffrey W.; Hone, James (2008-07-18). "लोचदार गुणों का मापन और मोनोलेयर ग्राफीन की आंतरिक शक्ति". Science (in English). 321 (5887): 385–388. Bibcode:2008Sci...321..385L. doi:10.1126/science.1157996. ISSN 0036-8075. PMID 18635798. S2CID 206512830.
↑ Jiang, Jin-Wu; Park, Harold S. (2014-08-18). "सिंगल-लेयर ब्लैक फॉस्फोरस में नेगेटिव पॉइसन का अनुपात". Nature Communications (in English). 5 (1): 4727. arXiv:1403.4326. Bibcode:2014NatCo...5.4727J. doi:10.1038/ncomms5727. ISSN 2041-1723. PMID 25131569. S2CID 9132961.
↑ Jiang, Jin-Wu; Chang, Tienchong; Guo, Xingming; Park, Harold S. (2016-08-10). "सिंगल-लेयर ग्राफीन के लिए आंतरिक नकारात्मक पोइसन का अनुपात". Nano Letters (in English). 16 (8): 5286–5290. arXiv:1605.01827. Bibcode:2016NanoL..16.5286J. doi:10.1021/acs.nanolett.6b02538. ISSN 1530-6984. PMID 27408994. S2CID 33516006.
↑ Zhang, Zhuhua; Yang, Yang; Penev, Evgeni S.; Yakobson, Boris I. (March 2017). "लोच, लचीलापन और बोरोफेन की आदर्श शक्ति". Advanced Functional Materials (in English). 27 (9): 1605059. doi:10.1002/adfm.201605059. ISSN 1616-301X. S2CID 119199830.
↑ Liu, Xiao; Metcalf, Thomas H.; Robinson, Jeremy T.; Houston, Brian H.; Scarpa, Fabrizio (2012-02-08). "रासायनिक वाष्प जमाव द्वारा तैयार मोनोलेयर ग्राफीन का कतरनी मापांक". Nano Letters (in English). 12 (2): 1013–1017. Bibcode:2012NanoL..12.1013L. doi:10.1021/nl204196v. ISSN 1530-6984. PMID 22214257.
↑ Min, K.; Aluru, N. R. (2011-01-03). "कतरनी विरूपण के तहत ग्राफीन के यांत्रिक गुण". Applied Physics Letters (in English). 98 (1): 013113. Bibcode:2011ApPhL..98a3113M. doi:10.1063/1.3534787. ISSN 0003-6951.
↑ Zhang, Peng; Ma, Lulu; Fan, Feifei; Zeng, Zhi; Peng, Cheng; Loya, Phillip E.; Liu, Zheng; Gong, Yongji; Zhang, Jiangnan; Zhang, Xingxiang; Ajayan, Pulickel M. (2014-04-29). "ग्राफीन की फ्रैक्चर बेरहमी". Nature Communications (in English). 5 (1): 3782. Bibcode:2014NatCo...5.3782Z. doi:10.1038/ncomms4782. ISSN 2041-1723. PMID 24777167.
↑ Liu, Ning; Hong, Jiawang; Pidaparti, Ramana; Wang, Xianqiao (2016-03-03). "फ्रैक्चर पैटर्न और फॉस्फोरिन की ऊर्जा रिलीज दर". Nanoscale (in English). 8 (10): 5728–5736. Bibcode:2016Nanos...8.5728L. doi:10.1039/C5NR08682E. ISSN 2040-3372. PMID 26902970.
↑ Kerativitayanan, P; Carrow, JK; Gaharwar, AK (26 May 2015). "इंजीनियरिंग स्टेम सेल प्रतिक्रियाओं के लिए नैनो सामग्री". Advanced Healthcare Materials. 4 (11): 1600–27. doi:10.1002/adhm.201500272. PMID 26010739. S2CID 21582516.
↑ Huang, X; Tan, C; Yin, Z; Zhang, H (9 April 2014). "25th anniversary article: hybrid nanostructures based on two-dimensional nanomaterials". Advanced Materials & Processes. 26 (14): 2185–204. doi:10.1002/adma.201304964. PMID 24615947. S2CID 196924648.
↑ Carrow, James K.; Gaharwar, Akhilesh K. (February 2015). "पुनर्योजी चिकित्सा के लिए बायोइंस्पायर्ड पॉलीमेरिक नैनोकम्पोजिट्स". Macromolecular Chemistry and Physics. 216 (3): 248–264. doi:10.1002/macp.201400427.
↑ Nandwana, Dinkar; Ertekin, Elif (21 June 2015). "Lattice mismatch induced ripples and wrinkles in planar graphene/boron nitride superlattices". Journal of Applied Physics. 117 (234304): 234304. arXiv:1504.02929. Bibcode:2015JAP...117w4304N. doi:10.1063/1.4922504. S2CID 119251606.
↑ Gaharwar, AK; Peppas, NA; Khademhosseini, A (March 2014). "बायोमेडिकल अनुप्रयोगों के लिए नैनोकम्पोजिट हाइड्रोजेल". Biotechnology and Bioengineering. 111 (3): 441–53. doi:10.1002/bit.25160. PMC 3924876. PMID 24264728.
↑ Filipovic, L; Selberherr, S (October 2022). "सीएमओएस-एकीकृत गैस सेंसर की ओर दो आयामी सामग्री का अनुप्रयोग". Nanomaterials. 12 (20): 3651(1-60). doi:10.3390/nano12203651. PMC 9611560. PMID 36296844.
↑ Goenka, S; Sant, V; Sant, S (10 January 2014). "दवा वितरण और ऊतक इंजीनियरिंग के लिए ग्राफीन आधारित नैनो सामग्री". Journal of Controlled Release. 173: 75–88. doi:10.1016/j.jconrel.2013.10.017. PMID 24161530.
↑ Gaharwar, A.K.; et al. (2013). Nanomaterials in tissue engineering : fabrication and applications. Oxford: Woodhead Publishing. ISBN 978-0-85709-596-1.

अतिरिक्त पढ़ना

Garcia, J. C.; de Lima, D. B.; Assali, L. V. C.; Justo, J. F. (2011). "समूह IV ग्राफीन- और ग्राफीन-जैसी नैनोशीट". J. Phys. Chem. C. 115 (27): 13242–13246. arXiv:1204.2875. doi:10.1021/jp203657w. S2CID 98682200.
Xu, Yang; Cheng, Cheng; Du, Sichao; Yang, Jianyi; Yu, Bin; Luo, Jack; Yin, Wenyan; Li, Erping; Dong, Shurong; Ye, Peide; Duan, Xiangfeng (2016). "दो- और तीन-आयामी सामग्री के बीच संपर्क: ओमिक, शोट्की, और पी-एन हेटेरोजंक्शन". ACS Nano. 10 (5): 4895–4919. doi:10.1021/acsnano.6b01842. PMID 27132492.
Briggs, Natalie; Subramanian, Shruti; Lin, Zhong; Li, Xufan; Zhang, Xiaotian; Zhang, Kehao; Xiao, Kai; Geohegan, David; Wallace, Robert; Chen, Long-Qing; Terrones, Mauricio; Ebrahimi, Aida; Das, Saptarshi; Redwing, Joan; Hinkle, Christopher; Momeni, Kasra; van Duin, Adri; Crespi, Vin; Kar, Swastik; Robinson, Joshua A. (2019). "इलेक्ट्रॉनिक ग्रेड 2D सामग्री के लिए एक रोडमैप". 2D Materials. 6 (2): 022001. Bibcode:2019TDM.....6b2001B. doi:10.1088/2053-1583/aaf836. OSTI 1503991. S2CID 188118830.
Shahzad, F.; Alhabeb, M.; Hatter, C. B.; Anasori, B.; Man Hong, S.; Koo, C. M.; Gogotsi, Y. (2016). "2डी संक्रमण धातु कार्बाइड (एमएक्सईन्स) के साथ विद्युत चुम्बकीय हस्तक्षेप परिरक्षण". Science. 353 (6304): 1137–1140. Bibcode:2016Sci...353.1137S. doi:10.1126/science.aag2421. PMID 27609888.
"ग्राफीन का उपयोग और अनुप्रयोग". Graphenea. Retrieved 2014-04-13.
cao, yameng; Robson, Alexander J.; Alharbi, Abdullah; Roberts, Jonathan; Woodhead, Christopher Stephen; Noori, Yasir Jamal; Gavito, Ramon Bernardo; Shahrjerdi, Davood; Roedig, Utz (2017). "2डी सामग्री में खामियों का उपयोग करके ऑप्टिकल पहचान". 2D Materials. 4 (4): 045021. arXiv:1706.07949. Bibcode:2017TDM.....4d5021C. doi:10.1088/2053-1583/aa8b4d. S2CID 35147364.
Kolesnichenko, Pavel; Zhang, Qianhui; Zheng, Changxi; Fuhrer, Michael; Davis, Jeffrey (2021). "टंगस्टन डाइसल्फ़ाइड के मोनोलेयर्स के एक्साइटोनिक स्पेक्ट्रा का बहुआयामी विश्लेषण: 2डी सामग्री के संरचनात्मक और पर्यावरणीय गड़बड़ी की कंप्यूटर-एडेड पहचान की ओर". Machine Learning: Science and Technology. 2 (2): 025021. doi:10.1088/2632-2153/abd87c.

[1] Ashton, M.; Paul, J.; Sinnott, S. B.; Hennig, R. G. (2017). "Topology-Scaling Identification of Layered Solids and Stable Exfoliated 2D Materials". Phys. Rev. Lett. 118 (10): 106101. arXiv:1610.07673. Bibcode:2017PhRvL.118j6101A. doi:10.1103/PhysRevLett.118.106101. PMID 28339265. S2CID 32012137.

[2] "डेटाबेस". 2dmaterialsweb.org.

[3] "Computational 2D Materials Database (C2DB) — COMPUTATIONAL MATERIALS REPOSITORY". cmr.fysik.dtu.dk.

[4] Zheng, Weiran; Lee, Lawrence Yoon Suk (2022). "Beyond sonication: Advanced exfoliation methods for scalable production of 2D materials". Matter (in English). 5 (2): 515–545. doi:10.1016/j.matt.2021.12.010. S2CID 245902407.

[yahoo.155243022-5] Andronico, Michael (14 April 2014). "5 Ways Graphene Will Change Gadgets Forever". Laptop.

[6] "ग्राफीन गुण". www.graphene-battery.net. 2014-05-29. Retrieved 2014-05-29.

[APS_News-7] "This Month in Physics History: October 22, 2004: Discovery of Graphene". APS News. Series II. 18 (9): 2. 2009.

[8] "The Nobel Prize in Physics 2010". The Nobel Foundation. Retrieved 2013-12-03.

[9] Heimann, R.B.; Evsvukov, S.E.; Koga, Y. (1997). "Carbon allotropes: a suggested classification scheme based on valence orbital hybridization". Carbon. 35 (10–11): 1654–1658. doi:10.1016/S0008-6223(97)82794-7.

[10] Enyashin, Andrey N.; Ivanovskii, Alexander L. (2011). "ग्राफीन अलॉट्रोप्स". Physica Status Solidi B. 248 (8): 1879–1883. Bibcode:2011PSSBR.248.1879E. doi:10.1002/pssb.201046583. S2CID 125591804.

[11] Özçelik, V. Ongun; Ciraci, S. (January 10, 2013). "Size Dependence in the Stabilities and Electronic Properties of α-Graphyne and Its Boron Nitride Analogue". The Journal of Physical Chemistry C. 117 (5): 2175–2182. arXiv:1301.2593. doi:10.1021/jp3111869. hdl:11693/11999. S2CID 44136901.

[12] Balaban AT, Rentia CC, Ciupitu E (1968). "Chemical graphs. 6. Estimation of relative stability of several planar and tridimensional lattices for elementary carbon". Revue Roumaine de Chimie. 13 (2): 231–.

[13] Li, Guoxing; Li, Yuliang; Liu, Huibiao; Guo, Yanbing; Li, Yongjun; Zhu, Daoben (2010). "ग्राफडीयन नैनोस्केल फिल्मों की वास्तुकला". Chemical Communications. 46 (19): 3256–3258. doi:10.1039/B922733D. PMID 20442882. S2CID 43416849.

[14] Gopalakrishnan, K.; Moses, Kota; Govindaraj, A.; Rao, C. N. R. (2013-12-01). "नाइट्रोजन-डोप्ड कम ग्राफीन ऑक्साइड और बोरोकार्बोनाइट्राइड्स पर आधारित सुपरकैपेसिटर". Solid State Communications. Special Issue: Graphene V: Recent Advances in Studies of Graphene and Graphene analogues. 175–176: 43–50. Bibcode:2013SSCom.175...43G. doi:10.1016/j.ssc.2013.02.005.

[15] Schirber, Michael (24 February 2012). "Focus: Graphyne May Be Better than Graphene". Physics. 5 (24): 24. Bibcode:2012PhyOJ...5...24S. doi:10.1103/Physics.5.24.

[Boustani1997-16] Boustani, Ihsan (January 1997). "नंगे बोरॉन की नई अर्ध-प्लानर सतहें". Surface Science. 370 (2–3): 355–363. Bibcode:1997SurSc.370..355B. doi:10.1016/S0039-6028(96)00969-7.

[17] Zhang, Z.; Yang, Y.; Gao, G.; Yakobson, B.I. (2 September 2015). "मेटल सबस्ट्रेट्स द्वारा मध्यस्थता वाले दो आयामी बोरॉन मोनोलयर्स". Angewandte Chemie International Edition. 54 (44): 13022–13026. doi:10.1002/anie.201505425. PMID 26331848.

[Mannix2015-18] Mannix, A. J.; Zhou, X.-F.; Kiraly, B.; Wood, J. D.; Alducin, D.; Myers, B. D.; Liu, X.; Fisher, B. L.; Santiago, U.; Guest, J. R.; et al. (17 December 2015). "Synthesis of borophenes: Anisotropic, two-dimensional boron polymorphs". Science. 350 (6267): 1513–1516. Bibcode:2015Sci...350.1513M. doi:10.1126/science.aad1080. PMC 4922135. PMID 26680195.

[Feng2016-19] Feng, Baojie; Zhang, Jin; Zhong, Qing; Li, Wenbin; Li, Shuai; Li, Hui; Cheng, Peng; Meng, Sheng; Chen, Lan; Wu, Kehui (28 March 2016). "द्वि-आयामी बोरॉन शीट्स का प्रायोगिक अहसास". Nature Chemistry. 8 (6): 563–568. arXiv:1512.05029. Bibcode:2016NatCh...8..563F. doi:10.1038/nchem.2491. PMID 27219700. S2CID 19475989.

[Bampoulis2014-20] Bampoulis, P.; Zhang, L.; Safaei, A.; van Gastel, R.; Poelsema, B.; Zandvliet, H. J. W. (2014). "Germanene termination of Ge₂Pt crystals on Ge(110)". Journal of Physics: Condensed Matter. 26 (44): 442001. arXiv:1706.00697. Bibcode:2014JPCM...26R2001B. doi:10.1088/0953-8984/26/44/442001. PMID 25210978. S2CID 36478002.

[21] Derivaz, Mickael; Dentel, Didier; Stephan, Regis; Hanf, Marie-Christine; Mehdaoui, Ahmed; Sonnet, Philippe; Pirri, Carmelo (2015). "Continuous germanene layer on Al (111)". Nano Letters. ACS Publications. 15 (4): 2510–2516. Bibcode:2015NanoL..15.2510D. doi:10.1021/acs.nanolett.5b00085. PMID 25802988.

[Yuhara2018-22] Yuhara, J.; Shimazu, H.; Ito, K.; Ohta, A.; Kurosawa, M.; Nakatake, M.; Le Lay, Guy (2018). "जीई (111) पर एजी (111) पतली फिल्मों के माध्यम से अलगाव द्वारा जर्मनिन एपिटैक्सियल ग्रोथ". ACS Nano. 12 (11): 11632–11637. doi:10.1021/acsnano.8b07006. PMID 30371060. S2CID 53102735.

[23] Lee, Kangho; Kim, Hye-Young; Lotya, Mustafa; Coleman, Jonathan N.; Kim, Gyu-Tae; Duesberg, Georg S. (2011-09-22). "लिक्विड एक्सफोलिएशन द्वारा उत्पादित मोलिब्डेनम डाइसल्फ़ाइड फ्लेक्स के विद्युत लक्षण". Advanced Materials. 23 (36): 4178–4182. Bibcode:2011AdM....23.4178L. doi:10.1002/adma.201101013. PMID 21823176. S2CID 205240634.

[24] Xu, Mingsheng; Liang, Tao; Shi, Minmin; Chen, Hongzheng (2013). "Graphene-like two-dimensional materials". Chemical Reviews. ACS Publications. 113 (5): 3766–3798. doi:10.1021/cr300263a. PMID 23286380.

[25] Cahangirov, S.; Topsakal, M.; Aktürk, E.; Şahin, H.; Ciraci, S. (2009). "Two- and One-Dimensional Honeycomb Structures of Silicon and Germanium". Phys. Rev. Lett. 102 (23): 236804. arXiv:0811.4412. Bibcode:2009PhRvL.102w6804C. doi:10.1103/PhysRevLett.102.236804. PMID 19658958. S2CID 22106457.

[26] Stephan, Régis; Hanf, Marie-Christine; Sonnet, Philippe (2014). "Spatial analysis of interactions at the silicene/Ag interface: first principles study". Journal of Physics: Condensed Matter. IOP Publishing. 27 (1): 015002. doi:10.1088/0953-8984/27/1/015002. PMID 25407116. S2CID 39842095.

[alloy-27] 27.0 ^27.1 ^27.2 ^27.3 ^27.4 Küchle, Johannes T.; Baklanov, Aleksandr; Seitsonen, Ari P.; Ryan, Paul T.P.; Feulner, Peter; Pendem, Prashanth; Lee, Tien-Lin; Muntwiler, Matthias; Schwarz, Martin; Haag, Felix; Barth, Johannes V.; Auwärter, Willi; Duncan, David A.; Allegretti, Francesco (2022). "Silicene's pervasive surface alloy on Ag(111): a scaffold for two-dimensional growth". 2D Materials. 9 (4): 045021. doi:10.1088/2053-1583/ac8a01. S2CID 251637081.

[Yuhara_etal-28] 28.0 ^28.1 Yuhara, J.; Fujii, Y.; Isobe, N.; Nakatake, M.; Lede, X.; Rubio, A.; Le Lay, G. (2018). "एजी (111) पर बड़े क्षेत्र प्लानर स्टैनेन एपिटैक्सियलली उगाए गए". 2D Materials. 5 (2). 025002. Bibcode:2018TDM.....5b5002Y. doi:10.1088/2053-1583/aa9ea0.

[29] Takahashi, L.; Takahashi, K. (2015). "द्वि-आयामी टिन पर निम्न तापमान प्रदूषक फंसना और पृथक्करण". Physical Chemistry Chemical Physics. 17 (33): 21394–21396. Bibcode:2015PCCP...1721394T. doi:10.1039/C5CP03382A. PMID 26226204. Supporting Information

[30] Ahmed, Rezwan; Nakagawa, Takeshi; Mizuno, Seigi (2020). "कम ऊर्जा इलेक्ट्रॉन विवर्तन का उपयोग करते हुए Cu(111) पर अल्ट्रा-फ्लैट स्टेनिन की संरचना का निर्धारण।". Surface Science. 691: 121498. Bibcode:2020SurSc.69121498A. doi:10.1016/j.susc.2019.121498. S2CID 203142186.

[31] Yuhara, J.; He, B.; Le Lay, G. (2019). "Graphene's Latest Cousin: Plumbene Epitaxial Growth on a "Nano WaterCube"". Advanced Materials. 31 (27): 1901017. doi:10.1002/adma.201901017. PMID 31074927. S2CID 149446617..

[:0-32] Berger, Andy (July 17, 2015). "Beyond Graphene, a Zoo of New 2-D Materials". Discover Magazine. Retrieved 2015-09-19.

[33] Li, L.; Yu, Y.; Ye, G. J.; Ge, Q.; Ou, X.; Wu, H.; Feng, D.; Chen, X. H.; Zhang, Y. (2014). "ब्लैक फॉस्फोरस फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर". Nature Nanotechnology. 9 (5): 372–377. arXiv:1401.4117. Bibcode:2014NatNa...9..372L. doi:10.1038/nnano.2014.35. PMID 24584274. S2CID 17218693.

[ReferenceA-34] Ritu, Harneet (2016). "Langmuir-Blodgett असेंबली द्वारा सेमीकंडक्टिंग फॉस्फोरिन का बड़ा क्षेत्र निर्माण". Sci. Rep. 6: 34095. arXiv:1605.00875. Bibcode:2016NatSR...634095K. doi:10.1038/srep34095. PMC 5037434. PMID 27671093.

[35] Zhang, S.; Yan, Z.; Li, Y.; Chen, Z.; Zeng, H. (2015). "Atomically Thin Arsenene and Antimonene: Semimetal-Semiconductor and Indirect-Direct Band-Gap Transitions". Angew. Chem. Int. Ed. 54 (10): 3112–3115. doi:10.1002/anie.201411246. PMID 25564773.

[36] Ares, P.; Aguilar-Galindo, F.; Rodríguez-San-Miguel, D.; Aldave, D. A.; Díaz-Tendero, S.; Alcamí, M.; Martín, F.; Gómez-Herrero, J.; Zamora, F. (2016). "परिवेशी परिस्थितियों में अत्यधिक स्थिर एंटीमोनिन का यांत्रिक अलगाव". Adv. Mater. 28 (30): 6332–6336. arXiv:1608.06859. Bibcode:2016AdM....28.6332A. doi:10.1002/adma.201602128. hdl:10486/672484. PMID 27272099. S2CID 8296292.

[37] Ares, P.; Palacios, J. J.; Abellán, G.; Gómez-Herrero, J.; Zamora, F. (2018). "Recent progress on antimonene: a new bidimensional material". Adv. Mater. 30 (2): 1703771. doi:10.1002/adma.201703771. hdl:10486/688820. PMID 29076558. S2CID 205282902.

[38] Martínez-Periñán, Emiliano; Down, Michael P.; Gibaja, Carlos; Lorenzo, Encarnación; Zamora, Félix; Banks, Craig E. (2018). "Antimonene: A Novel 2D Nanomaterial for Supercapacitor Applications" (PDF). Advanced Energy Materials (in English). 8 (11): 1702606. doi:10.1002/aenm.201702606. hdl:10486/688798. ISSN 1614-6840. S2CID 103042887.

[39] Lazanas, Alexandros Ch.; Prodromidis, Mamas I. (April 2022). "Electrochemical performance of passivated antimonene nanosheets and of in-situ prepared antimonene oxide-PEDOT:PSS modified screen-printed graphite electrodes". Electrochimica Acta. 410: 140033. doi:10.1016/j.electacta.2022.140033. S2CID 246598714.

[40] Hsu, Chia-Hsiu; Huang, Zhi-Quan; Chuang, Feng-Chuan; Kuo, Chien-Cheng; Liu, Yu-Tzu; Lin, Hsin; Bansil, Arun (2015-02-10). "The nontrivial electronic structure of Bi/Sb honeycombs on SiC(0001)". New Journal of Physics. 17 (2): 025005. Bibcode:2015NJPh...17b5005H. doi:10.1088/1367-2630/17/2/025005.

[41] Reis, Felix; Li, Gang; Dudy, Lenart; Bauernfiend, Maximilian; Glass, Stefan; Hanke, Werner; Thomale, Ronny; Schaefer, Joerg; Claessen, Ralph (July 21, 2017). "Bismuthene on a SiC substrate: A candidate for a high-temperature quantum spin Hall material". Science. 357 (6348): 287–290. arXiv:1608.00812. Bibcode:2017Sci...357..287R. doi:10.1126/science.aai8142. PMID 28663438. S2CID 23323210.

[42] Liu, Zheng; Liu, Chao-Xing; Wu, Yong-Shi; Duan, Wen-Hui; Liu, Feng; Wu, Jian (2011-09-23). "Stable NontrivialZ2Topology in Ultrathin Bi (111) Films: A First-Principles Study". Physical Review Letters. 107 (13): 136805. arXiv:1104.0978. Bibcode:2011PhRvL.107m6805L. doi:10.1103/physrevlett.107.136805. ISSN 0031-9007. PMID 22026889. S2CID 10121875.

[43] Murakami, Shuichi (2006-12-06). "क्वांटम स्पिन हॉल इफेक्ट और स्पिन-ऑर्बिट कपलिंग द्वारा बढ़ी हुई चुंबकीय प्रतिक्रिया". Physical Review Letters. 97 (23): 236805. arXiv:cond-mat/0607001. Bibcode:2006PhRvL..97w6805M. doi:10.1103/physrevlett.97.236805. ISSN 0031-9007. PMID 17280226. S2CID 34984890.

[44] Qi-Qi, Yang (2 October 2018). "2D bismuthene fabricated via acid-intercalated exfoliation showing strong nonlinear near-infrared responses for mode-locking lasers". Nanoscale. 10 (45): 21106–21115. doi:10.1039/c8nr06797j. PMID 30325397.

[45] Gusmao, Rui; Sofer, Zdenek; Bousa, Daniel; Pumera, Martin (29 July 2017). "इलेक्ट्रोकेमिकल अनुप्रयोगों के लिए किचन ब्लेंडर्स का उपयोग करके शियर एक्सफोलिएशन द्वारा निक्टोजेन्स (एएस, एसबी, बीआई) नैनोशीट्स". Angewandte Chemie International Edition. 56 (46): 14417–14422. doi:10.1002/anie.201706389. PMID 28755460. S2CID 22513370.

[46] Martinez, Carmen C.; Gusmao, Rui; Sofer, Zdenek; Pumera, Martin (2019). "Pnictogen-Based Enzymatic Phenol Biosensors: Phosphorene, Arsenene, Antimonene, and Bismuthene". Angewandte Chemie International Edition. 58 (1): 134–138. doi:10.1002/anie.201808846. PMID 30421531. S2CID 53291371.

[47] Lazanas, Alexandros Ch.; Tsirka, Kyriaki; Paipetis, Alkiviadis S.; Prodromidis, Mamas I. (2020). "2D bismuthene/graphene modified electrodes for the ultra-sensitive stripping voltammetric determination of lead and cadmium". Electrochimica Acta. 336: 135726. doi:10.1016/j.electacta.2020.135726. S2CID 214292108.

[48] Chowdhury, Emdadul Haque; Rahman, Md. Habibur; Bose, Pritom; Jayan, Rahul; Islam, Md Mahbubul (2020). "Atomic-scale analysis of the physical strength and phonon transport mechanisms of monolayer β-bismuthene". Physical Chemistry Chemical Physics. 22 (48): 28238–28255. Bibcode:2020PCCP...2228238C. doi:10.1039/d0cp04785f. ISSN 1463-9076. PMID 33295342. S2CID 228079431.

[Pd-49] 49.0 ^49.1 Yin, Xi; Liu, Xinhong; Pan, Yung-Tin; Walsh, Kathleen A.; Yang, Hong (November 4, 2014). "हनोई टॉवर की तरह बहुस्तरीय अल्ट्राथिन पैलेडियम नैनोशीट्स". Nano Letters. 14 (12): 7188–7194. Bibcode:2014NanoL..14.7188Y. doi:10.1021/nl503879a. PMID 25369350.

[:5-50] 50.0 ^50.1 Abdelhafiz, Ali; Vitale, Adam; Buntin, Parker; deGlee, Ben; Joiner, Corey; Robertson, Alex; Vogel, Eric M.; Warner, Jamie; Alamgir, Faisal M. (2018). "Epitaxial and atomically thin graphene–metal hybrid catalyst films: the dual role of graphene as the support and the chemically-transparent protective cap". Energy & Environmental Science. 11 (6): 1610–1616. doi:10.1039/c8ee00539g.

[:7-51] 51.0 ^51.1 Abdelhafiz, Ali; Vitale, Adam; Joiner, Corey; Vogel, Eric; Alamgir, Faisal M. (2015-03-16). "ग्राफीन-टेम्पलेटेड पीटी मोनोलेयर्स में ऑक्सीजन विकास प्रतिक्रिया के लिए संरचना, तनाव और गतिविधि का परत-दर-परत विकास". ACS Applied Materials & Interfaces. 7 (11): 6180–6188. doi:10.1021/acsami.5b00182. PMID 25730297.

[52] Duan, Haohong; Yan, Ning; Yu, Rong; Chang, Chun-Ran; Zhou, Gang; Hu, Han-Shi; Rong, Hongpan; Niu, Zhiqiang; Mao, Junjie; Asakura, Hiroyuki; Tanaka, Tsunehiro; Dyson, Paul Joseph; Li, Jun; Li, Yadong (17 January 2014). "अल्ट्राथिन रोडियम नैनोशीट्स". Nature Communications. 5: 3093. Bibcode:2014NatCo...5.3093D. doi:10.1038/ncomms4093. PMID 24435210.

[53] Yuhara, J.; Schmid, M.; Varga, P. (2003). "अमिश्रणीय धातुओं का एक द्वि-आयामी मिश्र धातु, आरएच (111) पर पीबी और एसएन की एकल और बाइनरी मोनोलेयर फिल्म". Phys. Rev. B. 67 (19): 195407. Bibcode:2003PhRvB..67s5407Y. doi:10.1103/PhysRevB.67.195407.

[54] Yuhara, J.; Yokoyama, M.; Matsui, T. (2011). "आरएच (111) पर बीआई-पीबी बाइनरी फिल्मों का द्वि-आयामी ठोस समाधान मिश्र धातु". J. Appl. Phys. 110 (7): 074314–074314–4. Bibcode:2011JAP...110g4314Y. doi:10.1063/1.3650883.

[55] Kochaev, A. I.; Karenin, A.A.; Meftakhutdinov, R.M.; Brazhe, R.A. (2012). "2D supracrystals as a promising materials for planar nanoacoustoelectronics". Journal of Physics: Conference Series. 345 (1): 012007. Bibcode:2012JPhCS.345a2007K. doi:10.1088/1742-6596/345/1/012007.

[56] Brazhe, R. A.; Kochaev, A. I. (2012). "Flexural waves in graphene and 2D supracrystals". Physics of the Solid State. 54 (8): 1612–1614. Bibcode:2012PhSS...54.1612B. doi:10.1134/S1063783412080069. S2CID 120094142.

[57] Blain, Loz (2022-04-28). "एक तरफ़ा सुपरकंडक्टिंग डायोड का इलेक्ट्रॉनिक्स के लिए व्यापक प्रभाव है". New Atlas (in English). Retrieved 2022-04-29.

[58] Pasco, Christopher M.; Baggari, Ismail El; Bianco, Elisabeth; Kourkoutis, Lena F.; McQueen, Tyrel M. (2019-07-23). "Tunable Magnetic Transition to a Singlet Ground State in a 2D Van der Waals Layered Trimerized Kagom\'e Magnet". ACS Nano (in English). 13 (8): 9457–9463. arXiv:1907.10108v1. doi:10.1021/acsnano.9b04392. PMID 31310516. S2CID 197422328.

[59] Wu, Heng; Wang, Yaojia; Xu, Yuanfeng; Sivakumar, Pranava K.; Pasco, Chris; Filippozzi, Ulderico; Parkin, Stuart S. P.; Zeng, Yu-Jia; McQueen, Tyrel; Ali, Mazhar N. (April 2022). "वैन डेर वाल्स हेटरोस्ट्रक्चर में क्षेत्र-मुक्त जोसेफसन डायोड". Nature (in English). 604 (7907): 653–656. arXiv:2103.15809. Bibcode:2022Natur.604..653W. doi:10.1038/s41586-022-04504-8. ISSN 1476-4687. PMID 35478238. S2CID 248414862.

[60] Gan, Xiaorong; Lee, Lawrence Yoon Suk; Wong, Kwok-yin; Lo, Tsz Wing; Ho, Kwun Hei; Lei, Dang Yuan; Zhao, Huimin (2018). "2H/1T Phase Transition of Multilayer MoS2 by Electrochemical Incorporation of S Vacancies". ACS Applied Energy Materials. 1 (9): 4754–4765. doi:10.1021/acsaem.8b00875. S2CID 106014720.

[61] Dickinson, Roscoe G.; Pauling, Linus (1923). "मोलिब्डेनइट की क्रिस्टल संरचना". Journal of the American Chemical Society. 45 (6): 1466–1471. doi:10.1021/ja01659a020.

[62] Fang, Yuqiang; Pan, Jie; He, Jianqiao; Luo, Ruichun; Wang, Dong; Che, Xiangli; Bu, Kejun; Zhao, Wei; Liu, Pan; Mu, Gang; Zhang, Hui; Lin, Tianquan; Huang, Fuqiang (2018-01-26). "Structure Re-determination and Superconductivity Observation of Bulk 1T MoS 2". Angewandte Chemie International Edition (in English). 57 (5): 1232–1235. arXiv:1712.09248. doi:10.1002/anie.201710512. PMID 29210496. S2CID 205406195.

[63] Splendiani, Andrea; Sun, Liang; Zhang, Yuanbo; Li, Tianshu; Kim, Jonghwan; Chim, Chi-Yung; Galli, Giulia; Wang, Feng (2010-04-14). "Emerging Photoluminescence in Monolayer MoS 2". Nano Letters (in English). 10 (4): 1271–1275. Bibcode:2010NanoL..10.1271S. doi:10.1021/nl903868w. ISSN 1530-6984. PMID 20229981.

[64] Tributsch, H. (1977). "लेयर-टाइप ट्रांजिशन मेटल डाइक्लोजेनाइड्स - इलेक्ट्रोकेमिकल सोलर सेल के लिए इलेक्ट्रोड का एक नया वर्ग". Berichte der Bunsengesellschaft für physikalische Chemie (in English). 81 (4): 361–369. doi:10.1002/bbpc.19770810403.

[65] Fivaz, R.; Mooser, E. (1967-11-15). "अर्धचालक परत संरचनाओं में आवेश वाहकों की गतिशीलता". Physical Review (in English). 163 (3): 743–755. doi:10.1103/PhysRev.163.743. ISSN 0031-899X.

[:1-66] 66.0 ^66.1 Salazar, Norberto; Rangarajan, Srinivas; Rodríguez-Fernández, Jonathan; Mavrikakis, Manos; Lauritsen, Jeppe V. (2020-08-31). "Site-dependent reactivity of MoS2 nanoparticles in hydrodesulfurization of thiophene". Nature Communications (in English). 11 (1): 4369. doi:10.1038/s41467-020-18183-4. ISSN 2041-1723. PMC 7459117. PMID 32868769.

[67] Kong, Desheng; Wang, Haotian; Cha, Judy J.; Pasta, Mauro; Koski, Kristie J.; Yao, Jie; Cui, Yi (2013-03-13). "Synthesis of MoS 2 and MoSe 2 Films with Vertically Aligned Layers". Nano Letters (in English). 13 (3): 1341–1347. doi:10.1021/nl400258t. ISSN 1530-6984. PMID 23387444.

[68] Lukowski, Mark A.; Daniel, Andrew S.; Meng, Fei; Forticaux, Audrey; Li, Linsen; Jin, Song (2013-07-17). "Enhanced Hydrogen Evolution Catalysis from Chemically Exfoliated Metallic MoS 2 Nanosheets". Journal of the American Chemical Society (in English). 135 (28): 10274–10277. doi:10.1021/ja404523s. ISSN 0002-7863. PMID 23790049.

[69] Zhang, Wencui; Liao, Xiaobin; Pan, Xuelei; Yan, Mengyu; Li, Yanxi; Tian, Xiaocong; Zhao, Yan; Xu, Lin; Mai, Liqiang (2019). "Superior Hydrogen Evolution Reaction Performance in 2H-MoS 2 to that of 1T Phase". Small (in English). 15 (31): 1900964. doi:10.1002/smll.201900964. ISSN 1613-6810. PMID 31211511. S2CID 190523589.

[70] Pumera, Martin; Wong, Colin Hong An (2013). "ग्रेफेन और हाइड्रोजनीकृत ग्राफीन". Chemical Society Reviews (in English). 42 (14): 5987–5995. doi:10.1039/c3cs60132c. ISSN 0306-0012. PMID 23686139.

[71] Sluiter, Marcel H. F.; Kawazoe, Yoshiyuki (2003-08-21). "Cluster expansion method for adsorption: Application to hydrogen chemisorption on graphene". Physical Review B (in English). 68 (8): 085410. doi:10.1103/PhysRevB.68.085410. ISSN 0163-1829.

[72] Sofo, Jorge O.; Chaudhari, Ajay S.; Barber, Greg D. (2007-04-10). "Graphane: A two-dimensional hydrocarbon". Physical Review B (in English). 75 (15): 153401. arXiv:cond-mat/0606704. doi:10.1103/PhysRevB.75.153401. ISSN 1098-0121. S2CID 101537520.

[73] Elias, D. C.; Nair, R. R.; Mohiuddin, T. M. G.; Morozov, S. V.; Blake, P.; Halsall, M. P.; Ferrari, A. C.; Boukhvalov, D. W.; Katsnelson, M. I.; Geim, A. K.; Novoselov, K. S. (2009-01-30). "Control of Graphene's Properties by Reversible Hydrogenation: Evidence for Graphane". Science (in English). 323 (5914): 610–613. arXiv:0810.4706. Bibcode:2009Sci...323..610E. doi:10.1126/science.1167130. ISSN 0036-8075. PMID 19179524. S2CID 3536592.

[74] Pumera, Martin; Wong, Colin Hong An (2013). "ग्रेफेन और हाइड्रोजनीकृत ग्राफीन". Chemical Society Reviews (in English). 42 (14): 5987–5995. doi:10.1039/c3cs60132c. ISSN 0306-0012. PMID 23686139.

[75] Zhou, Chao; Chen, Sihao; Lou, Jianzhong; Wang, Jihu; Yang, Qiujie; Liu, Chuanrong; Huang, Dapeng; Zhu, Tonghe (2014-01-13). "Graphene's cousin: the present and future of graphane". Nanoscale Research Letters. 9 (1): 26. doi:10.1186/1556-276X-9-26. ISSN 1556-276X. PMC 3896693. PMID 24417937.

[76] Pumera, Martin; Wong, Colin Hong An (2013). "ग्रेफेन और हाइड्रोजनीकृत ग्राफीन". Chemical Society Reviews (in English). 42 (14): 5987–5995. doi:10.1039/c3cs60132c. ISSN 0306-0012. PMID 23686139.

[Bianco2013-77] Bianco, E.; Butler, S.; Jiang, S.; Restrepo, O. D.; Windl, W.; Goldberger, J. E. (2013). "Stability and Exfoliation of Germanane: A Germanium Graphane Analogue". ACS Nano. 7 (5): 4414–21. doi:10.1021/nn4009406. hdl:1811/54792. PMID 23506286.

[78] Garcia, J. C.; de Lima, D. B.; Assali, L. V. C.; Justo, J. F. (2011). "समूह IV ग्राफीन- और ग्राफीन-जैसी नैनोशीट". J. Phys. Chem. C. 115 (27): 13242–13246. arXiv:1204.2875. doi:10.1021/jp203657w. S2CID 98682200.

[kurz-79] "'जर्मनेन' हल्के, तेज इलेक्ट्रॉनिक्स के लिए सिलिकॉन की जगह ले सकता है". KurzweilAI. Retrieved 2013-04-12.

[80] Sheberla, Dennis; Sun, Lei; Blood-Forsythe, Martin A.; Er, Süleyman; Wade, Casey R.; Brozek, Carl K.; Aspuru-Guzik, Alán; Dincă, Mircea (2014). "High Electrical Conductivity in Ni₃(2,3,6,7,10,11-hexaiminotriphenylene)₂, a Semiconducting Metal–Organic Graphene Analogue". Journal of the American Chemical Society. 136 (25): 8859–8862. doi:10.1021/ja502765n. PMID 24750124. S2CID 5714037.

[81] "फ्लैट सेमीकंडक्टर्स के लिए एक नया सेल्फ-असेंबलिंग ग्राफीन जैसी सामग्री". KurzweilAI. 2014-05-01. Retrieved 2014-08-24.

[82] Irving, Michael (2022-02-03). ""Impossible" 2D material is light as plastic and stronger than steel". New Atlas (in English). Retrieved 2022-02-03.

[83] Zeng, Yuwen; Gordiichuk, Pavlo; Ichihara, Takeo; Zhang, Ge; Sandoz-Rosado, Emil; Wetzel, Eric D.; Tresback, Jason; Yang, Jing; Kozawa, Daichi; Yang, Zhongyue; Kuehne, Matthias (2022-02-03). "एक अतिमजबूत द्वि-आयामी बहुलक सामग्री का अपरिवर्तनीय संश्लेषण". Nature (in English). 602 (7895): 91–95. Bibcode:2022Natur.602...91Z. doi:10.1038/s41586-021-04296-3. ISSN 0028-0836. PMID 35110762. S2CID 246487991.

[84] Ipaves, B.; Justo, J.F.; Assali, L. V. C. (2019). "Carbon-Related Bilayers: Nanoscale Building Blocks for Self-Assembly Nanomanufacturing". J. Phys. Chem. C. 123 (37): 23195–23204. arXiv:1908.06218. doi:10.1021/acs.jpcc.9b05446. S2CID 201070776.

[:19-85] 85.0 ^85.1 ^85.2 ^85.3 ^85.4 Butler, Sheneve Z.; Hollen, Shawna M.; Cao, Linyou; Cui, Yi; Gupta, Jay A.; Gutiérrez, Humberto R.; Heinz, Tony F.; Hong, Seung Sae; Huang, Jiaxing (2013). "ग्राफीन से परे दो आयामी सामग्री में प्रगति, चुनौतियाँ और अवसर". ACS Nano. 7 (4): 2898–2926. doi:10.1021/nn400280c. PMID 23464873.

[86] Bhimanapati, Ganesh R.; Lin, Zhong; Meunier, Vincent; Jung, Yeonwoong; Cha, Judy; Das, Saptarshi; Xiao, Di; Son, Youngwoo; Strano, Michael S. (2015). "ग्रैफेन से परे दो आयामी सामग्री में हालिया प्रगति". ACS Nano. 9 (12): 11509–11539. doi:10.1021/acsnano.5b05556. PMID 26544756.

[:20-87] 87.0 ^87.1 ^87.2 ^87.3 Rao, C. N. R.; Nag, Angshuman (2010-09-01). "ग्राफीन के अकार्बनिक एनालॉग्स". European Journal of Inorganic Chemistry. 2010 (27): 4244–4250. doi:10.1002/ejic.201000408.

[hovden2019-88] Sung, S.H.; Schnitzer, N.; Brown, L.; Park, J.; Hovden, R. (2019-06-25). "Stacking, strain, and twist in 2D materials quantified by 3D electron diffraction". Physical Review Materials. 3 (6): 064003. arXiv:1905.11354. Bibcode:2019PhRvM...3f4003S. doi:10.1103/PhysRevMaterials.3.064003. S2CID 166228311.

[:54-89] 89.0 ^89.1 ^89.2 Rao, C. N. R.; Ramakrishna Matte, H. S. S.; Maitra, Urmimala (2013-12-09). "अकार्बनिक स्तरित सामग्री के ग्राफीन एनालॉग्स". Angewandte Chemie International Edition. 52 (50): 13162–13185. doi:10.1002/anie.201301548. PMID 24127325.

[:133-90] Rao, C. N. R; Maitra, Urmimala (2015-01-01). "अकार्बनिक ग्राफीन एनालॉग्स". Annual Review of Materials Research. 45 (1): 29–62. Bibcode:2015AnRMS..45...29R. doi:10.1146/annurev-matsci-070214-021141.

[91] Androulidakis, Charalampos; Zhang, Kaihao; Robertson, Matthew; Tawfick, Sameh (2018-06-13). "Tailoring the mechanical properties of 2D materials and heterostructures". 2D Materials. 5 (3): 032005. Bibcode:2018TDM.....5c2005A. doi:10.1088/2053-1583/aac764. ISSN 2053-1583. S2CID 139728037.

[auto-92] 92.0 ^92.1 Lee, Changgu; Wei, Xiaoding; Kysar, Jeffrey W.; Hone, James (2008-07-18). "लोचदार गुणों का मापन और मोनोलेयर ग्राफीन की आंतरिक शक्ति". Science (in English). 321 (5887): 385–388. Bibcode:2008Sci...321..385L. doi:10.1126/science.1157996. ISSN 0036-8075. PMID 18635798. S2CID 206512830.

[93] Jiang, Jin-Wu; Park, Harold S. (2014-08-18). "सिंगल-लेयर ब्लैक फॉस्फोरस में नेगेटिव पॉइसन का अनुपात". Nature Communications (in English). 5 (1): 4727. arXiv:1403.4326. Bibcode:2014NatCo...5.4727J. doi:10.1038/ncomms5727. ISSN 2041-1723. PMID 25131569. S2CID 9132961.

[94] Jiang, Jin-Wu; Chang, Tienchong; Guo, Xingming; Park, Harold S. (2016-08-10). "सिंगल-लेयर ग्राफीन के लिए आंतरिक नकारात्मक पोइसन का अनुपात". Nano Letters (in English). 16 (8): 5286–5290. arXiv:1605.01827. Bibcode:2016NanoL..16.5286J. doi:10.1021/acs.nanolett.6b02538. ISSN 1530-6984. PMID 27408994. S2CID 33516006.

[95] Zhang, Zhuhua; Yang, Yang; Penev, Evgeni S.; Yakobson, Boris I. (March 2017). "लोच, लचीलापन और बोरोफेन की आदर्श शक्ति". Advanced Functional Materials (in English). 27 (9): 1605059. doi:10.1002/adfm.201605059. ISSN 1616-301X. S2CID 119199830.

[96] Liu, Xiao; Metcalf, Thomas H.; Robinson, Jeremy T.; Houston, Brian H.; Scarpa, Fabrizio (2012-02-08). "रासायनिक वाष्प जमाव द्वारा तैयार मोनोलेयर ग्राफीन का कतरनी मापांक". Nano Letters (in English). 12 (2): 1013–1017. Bibcode:2012NanoL..12.1013L. doi:10.1021/nl204196v. ISSN 1530-6984. PMID 22214257.

[97] Min, K.; Aluru, N. R. (2011-01-03). "कतरनी विरूपण के तहत ग्राफीन के यांत्रिक गुण". Applied Physics Letters (in English). 98 (1): 013113. Bibcode:2011ApPhL..98a3113M. doi:10.1063/1.3534787. ISSN 0003-6951.

[98] Zhang, Peng; Ma, Lulu; Fan, Feifei; Zeng, Zhi; Peng, Cheng; Loya, Phillip E.; Liu, Zheng; Gong, Yongji; Zhang, Jiangnan; Zhang, Xingxiang; Ajayan, Pulickel M. (2014-04-29). "ग्राफीन की फ्रैक्चर बेरहमी". Nature Communications (in English). 5 (1): 3782. Bibcode:2014NatCo...5.3782Z. doi:10.1038/ncomms4782. ISSN 2041-1723. PMID 24777167.

[99] Liu, Ning; Hong, Jiawang; Pidaparti, Ramana; Wang, Xianqiao (2016-03-03). "फ्रैक्चर पैटर्न और फॉस्फोरिन की ऊर्जा रिलीज दर". Nanoscale (in English). 8 (10): 5728–5736. Bibcode:2016Nanos...8.5728L. doi:10.1039/C5NR08682E. ISSN 2040-3372. PMID 26902970.

[100] Kerativitayanan, P; Carrow, JK; Gaharwar, AK (26 May 2015). "इंजीनियरिंग स्टेम सेल प्रतिक्रियाओं के लिए नैनो सामग्री". Advanced Healthcare Materials. 4 (11): 1600–27. doi:10.1002/adhm.201500272. PMID 26010739. S2CID 21582516.

[101] Huang, X; Tan, C; Yin, Z; Zhang, H (9 April 2014). "25th anniversary article: hybrid nanostructures based on two-dimensional nanomaterials". Advanced Materials & Processes. 26 (14): 2185–204. doi:10.1002/adma.201304964. PMID 24615947. S2CID 196924648.

[102] Carrow, James K.; Gaharwar, Akhilesh K. (February 2015). "पुनर्योजी चिकित्सा के लिए बायोइंस्पायर्ड पॉलीमेरिक नैनोकम्पोजिट्स". Macromolecular Chemistry and Physics. 216 (3): 248–264. doi:10.1002/macp.201400427.

[103] Nandwana, Dinkar; Ertekin, Elif (21 June 2015). "Lattice mismatch induced ripples and wrinkles in planar graphene/boron nitride superlattices". Journal of Applied Physics. 117 (234304): 234304. arXiv:1504.02929. Bibcode:2015JAP...117w4304N. doi:10.1063/1.4922504. S2CID 119251606.

[104] Gaharwar, AK; Peppas, NA; Khademhosseini, A (March 2014). "बायोमेडिकल अनुप्रयोगों के लिए नैनोकम्पोजिट हाइड्रोजेल". Biotechnology and Bioengineering. 111 (3): 441–53. doi:10.1002/bit.25160. PMC 3924876. PMID 24264728.

[105] Filipovic, L; Selberherr, S (October 2022). "सीएमओएस-एकीकृत गैस सेंसर की ओर दो आयामी सामग्री का अनुप्रयोग". Nanomaterials. 12 (20): 3651(1-60). doi:10.3390/nano12203651. PMC 9611560. PMID 36296844.

[106] Goenka, S; Sant, V; Sant, S (10 January 2014). "दवा वितरण और ऊतक इंजीनियरिंग के लिए ग्राफीन आधारित नैनो सामग्री". Journal of Controlled Release. 173: 75–88. doi:10.1016/j.jconrel.2013.10.017. PMID 24161530.

[107] Gaharwar, A.K.; et al. (2013). Nanomaterials in tissue engineering : fabrication and applications. Oxford: Woodhead Publishing. ISBN 978-0-85709-596-1.

[1]

[2]

[3]

[4]

[5]

[6]

[7]

[8]

[9]

[10]

[11]

[12]

[13]

[14]

[15]

[16]

[17]

[18]

[19]

[20]

[21]

[22]

[23]

[24]

[25]

[26]

[27]

[28]

[29]

[30]

[31]

[32]

[33]

[34]

[35]

[36]

[37]

[38]

[39]

[40]

[41]

[42]

[43]

[44]

[45]

[46]

[47]

[48]

[49]

[50]

[51]

[52]

[53]

[54]

[55]

[56]

[57]

[58]

[59]

[60]

[61]

[62]

[63]

[64]

[65]

[66]

[67]

[68]

[69]

[70]

[71]

[72]

[73]

[74]

[75]

[76]

[77]

[78]

[79]

[80]

[81]

[82]

[83]

[84]

[85]

[86]

[87]

[88]

[89]

[90]

[91]

[92]

[93]

[94]

[95]

[96]

[97]

[98]

[99]

[100]

@@ Line 1: / Line 1: @@
 {{short description|Crystalline materials consisting of a single layer of atoms}}
 {{redirect|2डी सामग्री|वैज्ञानिक पत्रिका|2डी सामग्री (जर्नल)}}
-मटेरियल विज्ञान में, एकल-परत सामग्री या 2D सामग्री शब्द [[क्रिस्टल|क्रिस्टलीय]] ठोस पदार्थों को संदर्भित करने के लिए उपयुक्त होता है जिसमें परमाणुओं की परत सम्मिलित होती है। ये सामग्रियां कुछ अनुप्रयोगों के लिए आशाजनक होती हैं अपितु इन अनुसंधानों का फोकस बना रहता हैं। इस प्रकार एकल तत्वों से प्राप्त एकल-परत सामग्री सामान्यतःउनके नाम में -ene प्रत्यय लगाती है, उदाहरण के लिए [[ग्राफीन]] इसका प्रमुख उदाहरण हैं। एकल-परत सामग्री जो दो या दो से अधिक तत्वों के यौगिक हैं, में -एने या -आइड प्रत्यय हैं। 2डी सामग्री को सामान्यतःविभिन्न तत्वों के 2डी आवंटियों या यौगिकों (दो या अधिक सहसंयोजक बंधन तत्वों से मिलकर) के रूप में वर्गीकृत किया जा सकता है।
+सामग्री विज्ञान में '''एकल-परत सामग्री''' या 2D सामग्री शब्द [[क्रिस्टल|क्रिस्टलीय]] ठोस पदार्थों को संदर्भित करने के लिए उपयुक्त होता है जिसमें परमाणुओं की परत को सम्मिलित किया  जाता हैं। ये सामग्रियां कुछ अनुप्रयोगों के लिए आशाजनक होती हैं इस कारण इन अनुसंधानों का केंद्र भी बना रहता हैं। इस प्रकार एकल तत्वों से प्राप्त होने वाले एकल-परत सामग्री को सामान्यतः उनके नामों में -ene प्रत्यय लगा कर उपयोग किया जाता है, उदाहरण के लिए [[ग्राफीन]] इसका प्रमुख उदाहरण हैं। एकल-परत सामग्री जो दो या दो से अधिक तत्वों के यौगिक के रूप में बनायी जाती  हैं, इनमें मुखयतः  -ene या -आइड प्रत्यय का उपयोग होता हैं। इस प्रकार  2डी सामग्री को सामान्यतःविभिन्न तत्वों के 2डी यौगिकों (दो या अधिक सहसंयोजक बंधन तत्वों से मिलाकर बनाया जाता हैं) के रूप में वर्गीकृत किया जा सकता है।
-यह भविष्यवाणी की जाती है कि सैकड़ों स्थिर एकल-परत सामग्री हैं।<ref>{{cite journal|last1=Ashton|first1=M.|last2=Paul|first2=J.|last3=Sinnott|first3=S. B.|last4=Hennig|first4=R. G.|year=2017|title=Topology-Scaling Identification of Layered Solids and Stable Exfoliated 2D Materials|journal=Phys. Rev. Lett.|volume=118|issue=10|pages=106101|arxiv=1610.07673|bibcode=2017PhRvL.118j6101A|doi=10.1103/PhysRevLett.118.106101|pmid=28339265|s2cid=32012137}}</ref><ref>{{Cite web|url=https://2dmaterialsweb.org/|title=डेटाबेस|website=2dmaterialsweb.org}}</ref> इन और कई अन्य संभावित संश्लेषण योग्य एकल-परत सामग्रियों की परमाणु संरचना और परिकलित मौलिक गुण, कम्प्यूटेशनल डेटाबेस में पाए जा सकते हैं।<ref>{{Cite web|url=https://cmr.fysik.dtu.dk/c2db/c2db.html|title=Computational 2D Materials Database (C2DB) — COMPUTATIONAL MATERIALS REPOSITORY|website=cmr.fysik.dtu.dk}}</ref> इस प्रकार मुख्य रूप से दो दृष्टिकोणों का उपयोग करके 2डी सामग्री का उत्पादन किया जा सकता है: टॉप-डाउन एक्सफोलिएशन और बॉटम-अप सिंथेसिस के रूप में उपयोग किया जाता हैं। इस प्रकार एक्सफोलिएशन विधियों में सोनिकेशन, यांत्रिक, हाइड्रोथर्मल, इलेक्ट्रोकेमिकल, लेजर-असिस्टेड और माइक्रोवेव-असिस्टेड एक्सफोलिएशन सम्मलित हैं।<ref>{{Cite journal |last1=Zheng |first1=Weiran |last2=Lee |first2=Lawrence Yoon Suk |title=Beyond sonication: Advanced exfoliation methods for scalable production of 2D materials |url=https://linkinghub.elsevier.com/retrieve/pii/S2590238521006354 |journal=Matter |year=2022 |language=en |volume=5 |issue=2 |pages=515–545 |doi=10.1016/j.matt.2021.12.010|s2cid=245902407 }}</ref>
+यह भविष्यवाणी की जाती है कि सैकड़ों स्थिर एकल-परत सामग्री हैं।<ref>{{cite journal|last1=Ashton|first1=M.|last2=Paul|first2=J.|last3=Sinnott|first3=S. B.|last4=Hennig|first4=R. G.|year=2017|title=Topology-Scaling Identification of Layered Solids and Stable Exfoliated 2D Materials|journal=Phys. Rev. Lett.|volume=118|issue=10|pages=106101|arxiv=1610.07673|bibcode=2017PhRvL.118j6101A|doi=10.1103/PhysRevLett.118.106101|pmid=28339265|s2cid=32012137}}</ref><ref>{{Cite web|url=https://2dmaterialsweb.org/|title=डेटाबेस|website=2dmaterialsweb.org}}</ref> इन और कई अन्य संभावित संश्लेषण योग्य एकल-परत सामग्रियों की परमाणु संरचना और परिकलित मौलिक गुण, कम्प्यूटेशनल डेटाबेस में पाए जा सकते हैं।<ref>{{Cite web|url=https://cmr.fysik.dtu.dk/c2db/c2db.html|title=Computational 2D Materials Database (C2DB) — COMPUTATIONAL MATERIALS REPOSITORY|website=cmr.fysik.dtu.dk}}</ref> इस प्रकार मुख्य रूप से दो दृष्टिकोणों का उपयोग करके 2डी सामग्री का उत्पादन किया जा सकता है: टॉप-डाउन एक्सफोलिएशन और बॉटम-अप सिंथेसिस के रूप में उपयोग किया जाता हैं। इस प्रकार एक्सफोलिएशन विधियों में सोनिकेशन, यांत्रिक, हाइड्रोथर्मल, विद्युत रसायन, लेजर-असिस्टेड और माइक्रोवेव-असिस्टेड एक्सफोलिएशन को सम्मलित किया जाता हैं।<ref>{{Cite journal |last1=Zheng |first1=Weiran |last2=Lee |first2=Lawrence Yoon Suk |title=Beyond sonication: Advanced exfoliation methods for scalable production of 2D materials |url=https://linkinghub.elsevier.com/retrieve/pii/S2590238521006354 |journal=Matter |year=2022 |language=en |volume=5 |issue=2 |pages=515–545 |doi=10.1016/j.matt.2021.12.010|s2cid=245902407 }}</ref>
 == एकल तत्व सामग्री ==
-=== सी: ग्राफीन और ग्राफीन ===
+=== सी: ग्राफीन ===
 {{further|topic=[[ग्राफीन]]|ग्राफीन के संभावित अनुप्रयोग (जर्नल)}}
-[[File:Graphen.jpg|thumb|ग्राफीन एक [[चिकन तार (रसायन विज्ञान)]] है | कार्बन परमाणुओं के परमाणु-पैमाने पर छत्ते की जाली।]]ग्राफीन लगभग पारदर्शी (दिखाई देने वाली रोशनी के लिए) परमाणु मोटी शीट के रूप में [[कार्बन]] का क्रिस्टलीय आवंटन है। इसके भार के लिए यह अधिकतम [[ इस्पात |इस्पात]] से सैकड़ों गुना अधिक शक्तिशाली होता है।<ref name="yahoo.155243022">{{cite news |url=https://news.yahoo.com/5-ways-graphene-change-gadgets-155243022.html |title=5 Ways Graphene Will Change Gadgets Forever |work=Laptop |date=14 April 2014 |first=Michael |last=Andronico }}</ref> इस प्रकार इसमें उच्चतम ज्ञात तापीय और विद्युत चालकता है, जो तांबे की तुलना में 1,000,000 गुना वर्तमान घनत्व प्रदर्शित करता है।<ref>{{cite web|url=http://www.graphene-battery.net/graphene-properties.htm |title=ग्राफीन गुण|publisher=www.graphene-battery.net |date=2014-05-29 |access-date=2014-05-29}}</ref> इसे पहली बार 2004 में बनाया गया था।<ref name="APS News">{{cite journal |year=2009 |url=http://www.aps.org/publications/apsnews/200910/loader.cfm?csModule=security/getfile&pageid=187967 |title=This Month in Physics History: October 22, 2004: Discovery of Graphene |page=2 |series=Series II |volume=18 |issue=9 |journal=[[APS News]] }}</ref>
+[[File:Graphen.jpg|thumb| कार्बन परमाणुओं के परमाणु-पैमाने पर छत्ते की ।]]'''ग्राफीन''' लगभग पारदर्शी परमाणु पर मोटी शीट के रूप में [[कार्बन]] का क्रिस्टलीय यौगिक है। इसके भार के लिए यह अधिकतम [[ इस्पात |इस्पात]] से सैकड़ों गुना अधिक शक्तिशाली होता है।<ref name="yahoo.155243022">{{cite news |url=https://news.yahoo.com/5-ways-graphene-change-gadgets-155243022.html |title=5 Ways Graphene Will Change Gadgets Forever |work=Laptop |date=14 April 2014 |first=Michael |last=Andronico }}</ref> इस प्रकार इसमें उच्चतम ज्ञात तापीय और विद्युत चालकता है, जो तांबे की तुलना में 1,000,000 गुना धारा घनत्व प्रदर्शित करता है।<ref>{{cite web|url=http://www.graphene-battery.net/graphene-properties.htm |title=ग्राफीन गुण|publisher=www.graphene-battery.net |date=2014-05-29 |access-date=2014-05-29}}</ref> इसे पहली बार 2004 में बनाया गया था।<ref name="APS News">{{cite journal |year=2009 |url=http://www.aps.org/publications/apsnews/200910/loader.cfm?csModule=security/getfile&pageid=187967 |title=This Month in Physics History: October 22, 2004: Discovery of Graphene |page=2 |series=Series II |volume=18 |issue=9 |journal=[[APS News]] }}</ref>
-[[अन्य गीम]] और [[कॉन्स्टेंटिन नोवोसेलोव]] ने दो आयामी सामग्री ग्राफीन के बारे में ग्राउंडब्रेकिंग प्रयोगों के लिए भौतिकी में 2010 का नोबेल पुरस्कार जीता हैं। इस प्रकार उन्होंने पहले चिपकने वाली टेप के साथ बल्क ग्रेफाइट से ग्राफीन के गुच्छे उठाकर और फिर उन्हें सिलिकॉन वेफर पर स्थानांतरित करके इसका उत्पादन किया था।<ref>{{cite web |title=The Nobel Prize in Physics 2010 |url=http://nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/2010/ |publisher=[[The Nobel Foundation]] |access-date=2013-12-03 }}</ref>
+[[अन्य गीम]] और [[कॉन्स्टेंटिन नोवोसेलोव]] ने दो आयामी सामग्री ग्राफीन के बारे में ग्राउंडब्रेकिंग प्रयोगों के लिए भौतिकी में 2010 का नोबेल पुरस्कार जीता हैं। इस प्रकार उन्होंने सर्वप्रथम संयोजित होने वाले टेप के साथ बल्क ग्रेफाइट से ग्राफीन के समूह का प्रयोग किया और फिर उन्हें सिलिकॉन वेफर पर स्थानांतरित करके इसका उत्पादन किया था।<ref>{{cite web |title=The Nobel Prize in Physics 2010 |url=http://nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/2010/ |publisher=[[The Nobel Foundation]] |access-date=2013-12-03 }}</ref>
 ; [[ग्राफीन]]
 ग्राफीन अन्य 2-आयामी कार्बन अलॉट्रोप है जिसकी संरचना ग्राफीन के समान है। इस प्रकार इसे [[एसिटिलीन]] बॉन्ड से जुड़े [[बेंजीन]] के छल्लों के नेट के रूप में देखा जा सकता है। इस प्रकार एसिटिलीन समूहों की सामग्री के आधार पर, ग्राफीन को मिश्रित [[कक्षीय संकरण]], sp<sup>n</sup> माना जा सकता है, जहां 1 < n < 2,<ref>{{cite journal | first1 = R.B. | last1 = Heimann | first2 = S.E. | last2 = Evsvukov | first3 = Y. | last3 = Koga | year = 1997 | title = Carbon allotropes: a suggested classification scheme based on valence orbital hybridization | journal = [[Carbon (journal)|Carbon]] | volume = 35 | issue = 10–11 | pages = 1654–1658 | doi = 10.1016/S0008-6223(97)82794-7 }}</ref><ref>{{cite journal | first1 = Andrey N. | last1 = Enyashin | first2 = Alexander L. | last2 = Ivanovskii | year = 2011 | title = ग्राफीन अलॉट्रोप्स| journal = [[Physica Status Solidi B]] | volume = 248 | issue = 8 | pages = 1879–1883 | doi = 10.1002/pssb.201046583 | bibcode = 2011PSSBR.248.1879E | s2cid = 125591804 }}</ref> ग्राफीन की तुलना में (शुद्ध sp<sup>2</sup>) और हीरा (शुद्ध sp<sup>3</sup>) हैं।
@@ Line 15: / Line 15: @@
 [[फोनन बिखरना]] और एब इनिटियो या एब-इनिटियो परिमित तापमान, क्वांटम यांत्रिक आणविक गतिकी सिमुलेशन का उपयोग करते हुए प्रथम-सिद्धांत की गणना ने ग्राफीन और इसके [[बोरॉन नाइट्राइड]] एनालॉग्स को स्थिर दिखाया गया हैं।<ref>{{cite journal|last=Özçelik|first=V. Ongun|author2=Ciraci, S. |title=Size Dependence in the Stabilities and Electronic Properties of α-Graphyne and Its Boron Nitride Analogue|journal=The Journal of Physical Chemistry C|date=January 10, 2013|doi=10.1021/jp3111869|volume=117|issue=5|pages=2175–2182|hdl=11693/11999|arxiv=1301.2593|s2cid=44136901}}</ref>
-से पहले ग्राफीन के अस्तित्व का अनुमान लगाया गया था।<ref>{{cite journal|vauthors= Balaban AT, Rentia CC, Ciupitu E|title=Chemical graphs. 6. Estimation of relative stability of several planar and tridimensional lattices for elementary carbon|journal= [[Revue Roumaine de Chimie]]|year=1968|volume=13|issue=2|pages=231–}}</ref> इसे अभी तक संश्लेषित नहीं किया गया है। चूंकि इस प्रकार  ग्राफडीयन ([[Diacetylene|डायसटाइलेन]] समूहों के साथ ग्राफीन) को कॉपर सबस्ट्रेट्स पर संश्लेषित किया गया था।<ref>{{cite journal | title = ग्राफडीयन नैनोस्केल फिल्मों की वास्तुकला| journal = [[Chemical Communications]] | volume = 46 | issue = 19 | pages = 3256–3258 | doi = 10.1039/B922733D | pmid = 20442882 | year = 2010 | last1 = Li | first1 = Guoxing | last2 = Li | first2 = Yuliang | last3 = Liu | first3 = Huibiao | last4 = Guo | first4 = Yanbing | last5 = Li | first5 = Yongjun | last6 = Zhu | first6 = Daoben | s2cid = 43416849 }}</ref> इस प्रकार हाल ही में, दिशा-निर्भर डायराक शंकु की क्षमता के कारण इसे ग्राफीन के लिए प्रतियोगी होने का प्रमाण किया गया है।<ref>{{Cite journal|last1=Gopalakrishnan|first1=K.|last2=Moses|first2=Kota|last3=Govindaraj|first3=A.|last4=Rao|first4=C. N. R.|date=2013-12-01|title=नाइट्रोजन-डोप्ड कम ग्राफीन ऑक्साइड और बोरोकार्बोनाइट्राइड्स पर आधारित सुपरकैपेसिटर|journal=Solid State Communications|series=Special Issue: Graphene V: Recent Advances in Studies of Graphene and Graphene analogues|volume=175–176|pages=43–50|doi=10.1016/j.ssc.2013.02.005|bibcode=2013SSCom.175...43G}}</ref><ref>{{cite journal | journal =[[Physics (American Physical Society journal)|Physics]] | volume = 5 | issue = 24 | pages = 24 | title = Focus: Graphyne May Be Better than Graphene | first = Michael | last = Schirber | doi = 10.1103/Physics.5.24 |date=24 February 2012 |bibcode = 2012PhyOJ...5...24S }}</ref>
+से पहले ग्राफीन के अस्तित्व का अनुमान लगाया गया था।<ref>{{cite journal|vauthors= Balaban AT, Rentia CC, Ciupitu E|title=Chemical graphs. 6. Estimation of relative stability of several planar and tridimensional lattices for elementary carbon|journal= [[Revue Roumaine de Chimie]]|year=1968|volume=13|issue=2|pages=231–}}</ref> इसे अभी तक संश्लेषित नहीं किया गया है। चूंकि इस प्रकार ग्राफडीयन ([[Diacetylene|डायसटाइलेन]] समूहों के साथ ग्राफीन) को कॉपर सबस्ट्रेट्स पर संश्लेषित किया गया था।<ref>{{cite journal | title = ग्राफडीयन नैनोस्केल फिल्मों की वास्तुकला| journal = [[Chemical Communications]] | volume = 46 | issue = 19 | pages = 3256–3258 | doi = 10.1039/B922733D | pmid = 20442882 | year = 2010 | last1 = Li | first1 = Guoxing | last2 = Li | first2 = Yuliang | last3 = Liu | first3 = Huibiao | last4 = Guo | first4 = Yanbing | last5 = Li | first5 = Yongjun | last6 = Zhu | first6 = Daoben | s2cid = 43416849 }}</ref> इस प्रकार हाल ही में, दिशा-निर्भर डायराक शंकु की क्षमता के कारण इसे ग्राफीन के लिए प्रतियोगी होने का प्रमाण किया गया है।<ref>{{Cite journal|last1=Gopalakrishnan|first1=K.|last2=Moses|first2=Kota|last3=Govindaraj|first3=A.|last4=Rao|first4=C. N. R.|date=2013-12-01|title=नाइट्रोजन-डोप्ड कम ग्राफीन ऑक्साइड और बोरोकार्बोनाइट्राइड्स पर आधारित सुपरकैपेसिटर|journal=Solid State Communications|series=Special Issue: Graphene V: Recent Advances in Studies of Graphene and Graphene analogues|volume=175–176|pages=43–50|doi=10.1016/j.ssc.2013.02.005|bibcode=2013SSCom.175...43G}}</ref><ref>{{cite journal | journal =[[Physics (American Physical Society journal)|Physics]] | volume = 5 | issue = 24 | pages = 24 | title = Focus: Graphyne May Be Better than Graphene | first = Michael | last = Schirber | doi = 10.1103/Physics.5.24 |date=24 February 2012 |bibcode = 2012PhyOJ...5...24S }}</ref>
 === बी: बोरोफेन ===
-[[File:Borophene.png|thumb|A {{chem|B|36}} क्लस्टर को सबसे छोटे बोरोफेन के रूप में देखा जा सकता है; सामने और बगल का दृश्य]][[बोरोफेन]] बोरॉन का क्रिस्टलीय परमाणु [[मोनोलेयर|मोनोपरत]] है और इसे बोरॉन शीट के रूप में भी जाना जाता है।
+[[File:Borophene.png|thumb|A {{chem|B|36}} क्लस्टर को सबसे छोटे बोरोफेन के रूप में देखा जा सकता है, सामने और बगल का दृश्य]][[बोरोफेन]] बोरॉन का क्रिस्टलीय परमाणु [[मोनोलेयर|मोनोपरत]] है और इसे बोरॉन शीट के रूप में भी जाना जाता है।
-पहली बार 1990 के दशक के मध्य में फ्रीस्टैंडिंग स्थिति में सिद्धांत द्वारा भविष्यवाणी की गई थी,<ref name="Boustani1997">{{cite journal |last1=Boustani |first1=Ihsan |title=नंगे बोरॉन की नई अर्ध-प्लानर सतहें|journal=Surface Science |date=January 1997 |volume=370 |issue=2–3 |pages=355–363 |doi=10.1016/S0039-6028(96)00969-7|bibcode=1997SurSc.370..355B }}</ref> और फिर झांग एट अल द्वारा सबस्ट्रेट्स पर अलग-अलग मोनोआटोमिक परतों के रूप में प्रदर्शित किया गया हैं।<ref>{{cite journal |last1=Zhang |first1=Z. |last2=Yang |first2=Y. |last3=Gao |first3=G. |last4=Yakobson |first4=B.I. |title=मेटल सबस्ट्रेट्स द्वारा मध्यस्थता वाले दो आयामी बोरॉन मोनोलयर्स|journal=Angewandte Chemie International Edition |date=2 September 2015 |volume=54 |issue=44 |pages=13022–13026 |doi=10.1002/anie.201505425|pmid=26331848 }}</ref> इस प्रकार 2015 में विभिन्न बोरोफिन संरचनाओं की प्रयोगात्मक रूप से पुष्टि की गई थी।<ref name="Mannix2015">
+पहली बार 1990 के दशक के मध्य में फ्रीस्टैंडिंग स्थिति में सिद्धांत द्वारा भविष्यवाणी की गई थी,<ref name="Boustani1997">{{cite journal |last1=Boustani |first1=Ihsan |title=नंगे बोरॉन की नई अर्ध-प्लानर सतहें|journal=Surface Science |date=January 1997 |volume=370 |issue=2–3 |pages=355–363 |doi=10.1016/S0039-6028(96)00969-7|bibcode=1997SurSc.370..355B }}</ref> और फिर थाई एट अल द्वारा सबस्ट्रेट्स पर अलग-अलग मोनोआटोमिक परतों के रूप में प्रदर्शित किया गया हैं।<ref>{{cite journal |last1=Zhang |first1=Z. |last2=Yang |first2=Y. |last3=Gao |first3=G. |last4=Yakobson |first4=B.I. |title=मेटल सबस्ट्रेट्स द्वारा मध्यस्थता वाले दो आयामी बोरॉन मोनोलयर्स|journal=Angewandte Chemie International Edition |date=2 September 2015 |volume=54 |issue=44 |pages=13022–13026 |doi=10.1002/anie.201505425|pmid=26331848 }}</ref> इस प्रकार 2015 में विभिन्न बोरोफिन संरचनाओं की प्रयोगात्मक रूप से पुष्टि की गई थी।<ref name="Mannix2015">
 {{cite journal|last1=Mannix|first1=A. J.|last2=Zhou|first2=X.-F.|last3=Kiraly|first3=B.|last4=Wood|first4=J. D.|last5=Alducin|first5=D.|last6=Myers|first6=B. D.|last7=Liu|first7=X.|last8=Fisher|first8=B. L.|last9=Santiago|first9=U.|last10=Guest|first10=J. R.|last11=Yacaman|first11=M. J.|last12=Ponce|first12=A.|last13=Oganov|first13=A. R.|last14=Hersam|first14=M. C.|last15=Guisinger|first15=N. P.|display-authors=10|title=Synthesis of borophenes: Anisotropic, two-dimensional boron polymorphs|journal=Science|date=17 December 2015|volume=350|issue=6267|pages=1513–1516|doi=10.1126/science.aad1080|bibcode = 2015Sci...350.1513M|pmid=26680195|pmc=4922135}}
 </ref><ref name="Feng2016">{{cite journal |last1=Feng |first1=Baojie |last2=Zhang |first2=Jin |last3=Zhong |first3=Qing |last4=Li |first4=Wenbin |last5=Li |first5=Shuai |last6=Li |first6=Hui |last7=Cheng |first7=Peng |last8=Meng |first8=Sheng |last9=Chen |first9=Lan |last10=Wu |first10=Kehui |title=द्वि-आयामी बोरॉन शीट्स का प्रायोगिक अहसास|journal=Nature Chemistry |date=28 March 2016 |volume=8 |issue=6 |pages=563–568 |doi=10.1038/nchem.2491|pmid=27219700 |arxiv=1512.05029 |bibcode=2016NatCh...8..563F |s2cid=19475989 }}</ref>
 === जीई: [[जर्मनिन]] ===
-जर्मेने हिरन के छत्ते की संरचना के साथ [[जर्मेनियम]] का द्वि-आयामी आवंटन है।<ref name=Bampoulis2014>{{Cite journal
+जर्मेने हिरन के छत्ते की संरचना के साथ [[जर्मेनियम]] का द्वि-आयामी यौगिक है।<ref name=Bampoulis2014>{{Cite journal
 | doi = 10.1088/0953-8984/26/44/442001
 | volume = 26| issue = 44| pages = 442001
@@ Line 49: / Line 49: @@
 === हां: सिलिसीन ===
-[[File:Silicene-Ag STM5 crop.jpg|thumb| 4×4) और दूसरी परतों की [[स्कैनिंग टनलिंग माइक्रोस्कोप]] छवि ({{radic|3}}×{{radic|3}}-β) पतली चांदी की फिल्म पर उगाए गए सिलिसीन का। छवि का आकार 16 × 16 एनएम।]][[सिलिसीन]] [[सिलिकॉन]] का द्वि-आयामी आबंटन है, जिसमें ग्राफीन के समान हेक्सागोनल मधुकोश संरचना होती है।<ref>{{cite journal
+[[File:Silicene-Ag STM5 crop.jpg|thumb| 4×4) और दूसरी परतों की [[स्कैनिंग टनलिंग माइक्रोस्कोप]] छवि ({{radic|3}}×{{radic|3}}-β) पतली चांदी की फिल्म पर उगाए गए सिलिसीन का। छवि का आकार 16 × 16 एनएम।]][[सिलिसीन]] [[सिलिकॉन]] का द्वि-आयामी यौगिक है, जिसमें ग्राफीन के समान हेक्सागोनल मधुकोश संरचना होती है।<ref>{{cite journal
 |  title= Graphene-like two-dimensional materials
   |  author1= Xu, Mingsheng |author2=Liang, Tao |author3=Shi, Minmin |author4=Chen, Hongzheng
@@ Line 85: / Line 85: @@
 |  publisher= IOP Publishing
   | pmid= 25407116
-  | s2cid= 39842095 }}</ref> इसकी वृद्धि द्वि-आयामी परत के नीचे व्यापक Si/Ag(111) सतह मिश्र धातु द्वारा मचान है।<ref name=alloy>{{cite journal
+  | s2cid= 39842095 }}</ref> इसकी वृद्धि द्वि-आयामी परत के नीचे व्यापक Si/Ag(111) सतह मिश्र धातु द्वारा प्रदर्शित किया जाता हैं।<ref name=alloy>{{cite journal
 |  title= Silicene's pervasive surface alloy on Ag(111): a scaffold for two-dimensional growth
   |  author1= Küchle, Johannes T. |author2=Baklanov, Aleksandr |author3=Seitsonen, Ari P.|author4=Ryan, Paul T.P. |author5=Feulner, Peter |author6=Pendem, Prashanth |author7=Lee, Tien-Lin|author8=Muntwiler, Matthias|author9=Schwarz, Martin |author10=Haag, Felix|author11=Barth, Johannes V. |author12=Auwärter, Willi|author13=Duncan, David A.|author14=Allegretti, Francesco
@@ Line 97: / Line 97: @@
 === एसएन: स्टेनिन ===
 {{Main|स्टैनेन}}
-[[File:Stanene TEM.jpg|thumb|नमूने के बड़े क्षेत्र के इलेक्ट्रॉन माइक्रोग्राफ को दिखाते हुए मध्य इनसेट के साथ स्टेनिन परत की जालीदार छवि। सही इनसेट हेक्सागोनल संरचना की पुष्टि करने वाला इलेक्ट्रॉन विवर्तन पैटर्न है।]]स्टैनेन अनुमानित [[ टोपोलॉजिकल इन्सुलेटर |टोपोलॉजिकल इन्सुलेटर]] है जो कमरे के तापमान के सुपरकंडक्टर के पास अपने किनारों पर अपव्यय रहित धाराओं को प्रदर्शित कर सकता है। इस प्रकार यह परत में व्यवस्थित [[ विश्वास करना |विश्वास करना]] के परमाणुओं से बना है, इस प्रकार जो ग्राफीन के समान है।<ref name="Yuhara etal">{{cite journal |first1=J. |last1=Yuhara |first2=Y. |last2=Fujii |first3=N. |last3=Isobe |first4=M. |last4=Nakatake |first5=X. |last5=Lede |first6=A. |last6=Rubio |first7=G. |last7=Le Lay |year=2018 |title=एजी (111) पर बड़े क्षेत्र प्लानर स्टैनेन एपिटैक्सियलली उगाए गए|journal=2D Materials |volume=5 |issue=2 |at=025002 |doi=10.1088/2053-1583/aa9ea0 |bibcode=2018TDM.....5b5002Y |doi-access=free}}</ref> इसकी बंधी हुई संरचना NO<sub>x</sub> और SH<sub>x</sub> जैसे सामान्य वायु प्रदूषकों के खिलाफ उच्च प्रतिक्रियाशीलता की ओर ले जाती है और इस प्रकार यह उन्हें कम तापमान पर फँसाने और अलग करने में सक्षम है।<ref>{{cite journal|last1=Takahashi|first1=L. |last2=Takahashi|first2=K. |title=द्वि-आयामी टिन पर निम्न तापमान प्रदूषक फंसना और पृथक्करण|journal=Physical Chemistry Chemical Physics|date=2015|volume=17|issue=33|pages=21394–21396|doi=10.1039/C5CP03382A |pmid=26226204|bibcode = 2015PCCP...1721394T}} [https://web.archive.org/web/20190303144652/http://pdfs.semanticscholar.org/b744/7c16e5581d8473a0da0b6de9d5da5db15915.pdf Supporting Information]</ref>
+[[File:Stanene TEM.jpg|thumb|नमूने के बड़े क्षेत्र के इलेक्ट्रॉन माइक्रोग्राफ को दिखाते हुए मध्य इनसेट के साथ स्टेनिन परत की दार छवि। सही इनसेट हेक्सागोनल संरचना की पुष्टि करने वाला इलेक्ट्रॉन विवर्तन पैटर्न है।]]स्टैनेन अनुमानित [[ टोपोलॉजिकल इन्सुलेटर |टोपोलॉजिकल रोधक]] है जो कमरे के तापमान के सुपरकंडक्टर के पास अपने किनारों पर अपव्यय रहित धाराओं को प्रदर्शित कर सकता है। इस प्रकार यह परत में व्यवस्थित [[ विश्वास करना |विश्वास करना]] के परमाणुओं से बना है, इस प्रकार जो ग्राफीन के समान है।<ref name="Yuhara etal">{{cite journal |first1=J. |last1=Yuhara |first2=Y. |last2=Fujii |first3=N. |last3=Isobe |first4=M. |last4=Nakatake |first5=X. |last5=Lede |first6=A. |last6=Rubio |first7=G. |last7=Le Lay |year=2018 |title=एजी (111) पर बड़े क्षेत्र प्लानर स्टैनेन एपिटैक्सियलली उगाए गए|journal=2D Materials |volume=5 |issue=2 |at=025002 |doi=10.1088/2053-1583/aa9ea0 |bibcode=2018TDM.....5b5002Y |doi-access=free}}</ref> इसकी बंधी हुई संरचना NO<sub>x</sub> और SH<sub>x</sub> जैसे सामान्य वायु प्रदूषकों के खिलाफ उच्च प्रतिक्रियाशीलता की ओर ले जाती है और इस प्रकार यह उन्हें कम तापमान पर फँसाने और अलग करने में सक्षम है।<ref>{{cite journal|last1=Takahashi|first1=L. |last2=Takahashi|first2=K. |title=द्वि-आयामी टिन पर निम्न तापमान प्रदूषक फंसना और पृथक्करण|journal=Physical Chemistry Chemical Physics|date=2015|volume=17|issue=33|pages=21394–21396|doi=10.1039/C5CP03382A |pmid=26226204|bibcode = 2015PCCP...1721394T}} [https://web.archive.org/web/20190303144652/http://pdfs.semanticscholar.org/b744/7c16e5581d8473a0da0b6de9d5da5db15915.pdf Supporting Information]</ref>
 कम ऊर्जा वाले इलेक्ट्रॉन विवर्तन का उपयोग करते हुए स्टेनिन की संरचना निर्धारण ने घन (111) सतह पर अल्ट्रा-फ्लैट स्टेनिन दिखाया है।<ref>{{cite journal |last1=Ahmed |first1=Rezwan |last2=Nakagawa |first2=Takeshi |last3=Mizuno |first3=Seigi |title=कम ऊर्जा इलेक्ट्रॉन विवर्तन का उपयोग करते हुए Cu(111) पर अल्ट्रा-फ्लैट स्टेनिन की संरचना का निर्धारण।|journal=Surface Science |volume=691 |pages=121498 |doi=10.1016/j.susc.2019.121498 |year=2020 |bibcode=2020SurSc.69121498A |s2cid=203142186 }}</ref>
 === पीबी: [[साहुल]] ===
 प्लंबिन लेड का द्वि-आयामी अलॉट्रोप है, जिसमें ग्राफीन के समान हेक्सागोनल मधुकोश संरचना होती है।<ref>{{Cite journal |first1=J.|last1=Yuhara|first2=B.|last2=He|first3=G.|last3=Le Lay|title= Graphene's Latest Cousin: Plumbene Epitaxial Growth on a "Nano WaterCube"|journal= Advanced Materials|volume=31|issue=27|pages = 1901017|year=2019|doi=10.1002/adma.201901017|pmid = 31074927|s2cid=149446617}}.</ref>
 === पी: फॉस्फोरिन ===
-[[File:Phosphorene structure.png|thumb|फॉस्फोरिन संरचना: (ए) झुका हुआ दृश्य, (बी) साइड व्यू, (सी) शीर्ष दृश्य। लाल (नीली) गेंदें निचली (ऊपरी) परत में फॉस्फोरस परमाणुओं का प्रतिनिधित्व करती हैं।]][[भास्वर?]] [[फास्फोरस]] का 2-आयामी, क्रिस्टलीय आवंटन है। इसकी मोनो-परमाणु हेक्सागोनल संरचना इसे वैचारिक रूप से ग्राफीन के समान बनाती है। चूंकि, फॉस्फोरिन में काफी भिन्न इलेक्ट्रॉनिक गुण होते हैं; विशेष रूप से इसमें उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता प्रदर्शित करते समय नॉनजीरो बैंड गैप होता है।<ref name=":0">{{Cite web|title = Beyond Graphene, a Zoo of New 2-D Materials|url = http://blogs.discovermagazine.com/crux/2015/07/17/beyond-graphene/#.Vane-PlVhBe |publisher=Discover Magazine |first=Andy |last=Berger |date= July 17, 2015 |access-date = 2015-09-19}}</ref> इस प्रकार यह संपत्ति संभावित रूप से इसे ग्राफीन की तुलना में बेहतर अर्धचालक बनाती है।<ref>{{Cite journal | doi = 10.1038/nnano.2014.35| title = ब्लैक फॉस्फोरस फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर| journal = Nature Nanotechnology| volume = 9| issue = 5| pages = 372–377| year = 2014| last1 = Li | first1 = L. | last2 = Yu | first2 = Y. | last3 = Ye | first3 = G. J. | last4 = Ge | first4 = Q. | last5 = Ou | first5 = X. | last6 = Wu | first6 = H. | last7 = Feng | first7 = D. | last8 = Chen | first8 = X. H. | last9 = Zhang | first9 = Y.
+[[File:Phosphorene structure.png|thumb|फॉस्फोरिन संरचना: (ए) झुका हुआ दृश्य, (बी) साइड व्यू, (सी) शीर्ष दृश्य। लाल (नीली) गेंदें निचली (ऊपरी) परत में फॉस्फोरस परमाणुओं का प्रतिनिधित्व करती हैं।]][[फास्फोरस]] का 2-आयामी, क्रिस्टलीय यौगिक है। इसकी मोनो-परमाणु हेक्सागोनल संरचना इसे वैचारिक रूप से ग्राफीन के समान बनाती है। चूंकि, फॉस्फोरिन में काफी भिन्न इलेक्ट्रॉनिक गुण होते हैं, विशेष रूप से इसमें उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता प्रदर्शित करते समय नॉनजीरो बैंड गैप होता है।<ref name=":0">{{Cite web|title = Beyond Graphene, a Zoo of New 2-D Materials|url = http://blogs.discovermagazine.com/crux/2015/07/17/beyond-graphene/#.Vane-PlVhBe |publisher=Discover Magazine |first=Andy |last=Berger |date= July 17, 2015 |access-date = 2015-09-19}}</ref> इस प्रकार यह संपत्ति संभावित रूप से इसे ग्राफीन की तुलना में बेहतर अर्धचालक बनाती है।<ref>{{Cite journal | doi = 10.1038/nnano.2014.35| title = ब्लैक फॉस्फोरस फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर| journal = Nature Nanotechnology| volume = 9| issue = 5| pages = 372–377| year = 2014| last1 = Li | first1 = L. | last2 = Yu | first2 = Y. | last3 = Ye | first3 = G. J. | last4 = Ge | first4 = Q. | last5 = Ou | first5 = X. | last6 = Wu | first6 = H. | last7 = Feng | first7 = D. | last8 = Chen | first8 = X. H. | last9 = Zhang | first9 = Y.
-|arxiv = 1401.4117 |bibcode = 2014NatNa...9..372L | pmid=24584274| s2cid = 17218693}}</ref> फॉस्फोरिन के संश्लेषण में मुख्य रूप से माइक्रोयांत्रिक क्लीवेज या तरल चरण एक्सफोलिएशन विधियाँ होती हैं। इस प्रकार पूर्व में कम उपज होती है जबकि बाद में सॉल्वेंट में मुक्त खड़े नैनोशीट का उत्पादन  न कि ठोस समर्थन पर होता है। रासायनिक वाष्प जमाव (सीवीडी) जैसे नीचे-ऊपर के दृष्टिकोण इसकी उच्च प्रतिक्रियाशीलता के कारण अभी भी खाली हैं। इसलिए, वर्तमान परिदृश्य में, फॉस्फोरिन की पतली फिल्मों के बड़े क्षेत्र के निर्माण के लिए सबसे प्रभावी विधि में वेट असेंबली तकनीकें सम्मलित हैं जैसेलिंगमुईर  ब्लॉडगेट  फिल्म  या लिंगमुईर  ब्लॉडगेट में असेंबली सम्मलित है जिसके बाद ठोस समर्थन पर नैनोशीट्स का निक्षेपण होता है।<ref name="ReferenceA">{{Cite journal | doi = 10.1038/srep34095 | pmid = 27671093| pmc = 5037434| title = Langmuir-Blodgett असेंबली द्वारा सेमीकंडक्टिंग फॉस्फोरिन का बड़ा क्षेत्र निर्माण| journal = Sci. Rep.| volume = 6| pages = 34095| year = 2016| last1 = Ritu | first1 = Harneet | bibcode = 2016NatSR...634095K| arxiv = 1605.00875}}</ref>
+|arxiv = 1401.4117 |bibcode = 2014NatNa...9..372L | pmid=24584274| s2cid = 17218693}}</ref> फॉस्फोरिन के संश्लेषण में मुख्य रूप से माइक्रोयांत्रिक क्लीवेज या तरल चरण एक्सफोलिएशन विधियाँ होती हैं। इस प्रकार पूर्व में कम उपज होती है जबकि बाद में सॉल्वेंट में मुक्त खड़े नैनोशीट का उत्पादन  न कि ठोस समर्थन पर होता है। रासायनिक वाष्प जमाव (सीवीडी) जैसे नीचे-ऊपर के दृष्टिकोण इसकी उच्च प्रतिक्रियाशीलता के कारण अभी भी खाली हैं। इसलिए, धारा परिदृश्य में, फॉस्फोरिन की पतली फिल्मों के बड़े क्षेत्र के निर्माण के लिए सबसे प्रभावी विधि में वेट असेंबली तकनीकें सम्मलित हैं जैसेलिंगमुईर  ब्लॉडगेट  फिल्म  या लिंगमुईर  ब्लॉडगेट में असेंबली सम्मलित है जिसके बाद ठोस समर्थन पर नैनोशीट्स का निक्षेपण होता है।<ref name="ReferenceA">{{Cite journal | doi = 10.1038/srep34095 | pmid = 27671093| pmc = 5037434| title = Langmuir-Blodgett असेंबली द्वारा सेमीकंडक्टिंग फॉस्फोरिन का बड़ा क्षेत्र निर्माण| journal = Sci. Rep.| volume = 6| pages = 34095| year = 2016| last1 = Ritu | first1 = Harneet | bibcode = 2016NatSR...634095K| arxiv = 1605.00875}}</ref>
 === एसबी: एंटीमोनिन ===
-एंटिमोनिन [[सुरमा]] का द्वि-आयामी आबंटन है, जिसके परमाणु हिरन के छत्ते की जाली में व्यवस्थित होते हैं। सैद्धांतिक गणना<ref>{{Cite journal | first1 = S. | last1 = Zhang | first2 = Z. | last2 = Yan | first3 = Y. | last3 = Li | first4 = Z. | last4 = Chen | first5 = H. | last5 = Zeng | year = 2015 | title = Atomically Thin Arsenene and Antimonene: Semimetal-Semiconductor and Indirect-Direct Band-Gap Transitions | journal = Angew. Chem. Int. Ed. | volume = 54 |issue = 10| pages = 3112–3115 | doi = 10.1002/anie.201411246|pmid = 25564773}}</ref> ने भविष्यवाणी की थी कि (ऑप्टो) इलेक्ट्रॉनिक्स के लिए उपयुक्त प्रदर्शन के साथ एंटीमोनीन परिवेशी परिस्थितियों में स्थिर अर्धचालक होगा। इस प्रकार एंटीमोनिन को पहली बार 2016 में माइक्रोयांत्रिक एक्सफोलिएशन द्वारा अलग किया गया था<ref>{{Cite journal | first1 = P. | last1 = Ares | first2 = F. | last2 = Aguilar-Galindo | first3 = D. | last3 = Rodríguez-San-Miguel | first4 = D. A. | last4 = Aldave | first5 = S. | last5 = Díaz-Tendero | first6 = M. | last6 = Alcamí | first7 = F. | last7 = Martín | first8 = J. | last8 = Gómez-Herrero | first9 = F. | last9 = Zamora | year = 2016 | title = परिवेशी परिस्थितियों में अत्यधिक स्थिर एंटीमोनिन का यांत्रिक अलगाव| journal = Adv. Mater. | volume = 28 |issue = 30| pages = 6332–6336 | doi = 10.1002/adma.201602128|pmid = 27272099|hdl = 10486/672484| arxiv = 1608.06859 | bibcode = 2016AdM....28.6332A | s2cid = 8296292 }}</ref> और यह परिवेशी परिस्थितियों में बहुत स्थिर पाया गया। इसके गुण इसे बायोमेडिकल और ऊर्जा अनुप्रयोगों के लिए भी अच्छा उम्मीदवार बनाते हैं।<ref>{{Cite journal | first1 = P. | last1 = Ares | first2 = J. J. | last2 = Palacios | first3 = G. | last3 = Abellán | first4 = J. | last4 = Gómez-Herrero | first5 = F. | last5 = Zamora | year = 2018 | title = Recent progress on antimonene: a new bidimensional material | journal = Adv. Mater. | volume = 30 |issue = 2| pages = 1703771 | doi = 10.1002/adma.201703771|pmid = 29076558|url = https://www.research.manchester.ac.uk/portal/en/publications/recent-progress-on-antimonene-a-new-bidimensional-material(e051769b-34be-41f7-a5de-ef6ebdc79756).html| hdl = 10486/688820 | s2cid = 205282902 | hdl-access = free }}</ref>
+'''एंटिमोनिन''' [[सुरमा|एंटीमनी]] का द्वि-आयामी यौगिक है, जिसके परमाणु हिरन के छत्ते की  में व्यवस्थित होते हैं। सैद्धांतिक गणना<ref>{{Cite journal | first1 = S. | last1 = Zhang | first2 = Z. | last2 = Yan | first3 = Y. | last3 = Li | first4 = Z. | last4 = Chen | first5 = H. | last5 = Zeng | year = 2015 | title = Atomically Thin Arsenene and Antimonene: Semimetal-Semiconductor and Indirect-Direct Band-Gap Transitions | journal = Angew. Chem. Int. Ed. | volume = 54 |issue = 10| pages = 3112–3115 | doi = 10.1002/anie.201411246|pmid = 25564773}}</ref> ने भविष्यवाणी की थी कि (ऑप्टो) इलेक्ट्रॉनिक्स के लिए उपयुक्त प्रदर्शन के साथ एंटीमोनीन परिवेशी परिस्थितियों में स्थिर अर्धचालक होगा। इस प्रकार एंटीमोनिन को पहली बार 2016 में माइक्रोयांत्रिक एक्सफोलिएशन द्वारा अलग किया गया था<ref>{{Cite journal | first1 = P. | last1 = Ares | first2 = F. | last2 = Aguilar-Galindo | first3 = D. | last3 = Rodríguez-San-Miguel | first4 = D. A. | last4 = Aldave | first5 = S. | last5 = Díaz-Tendero | first6 = M. | last6 = Alcamí | first7 = F. | last7 = Martín | first8 = J. | last8 = Gómez-Herrero | first9 = F. | last9 = Zamora | year = 2016 | title = परिवेशी परिस्थितियों में अत्यधिक स्थिर एंटीमोनिन का यांत्रिक अलगाव| journal = Adv. Mater. | volume = 28 |issue = 30| pages = 6332–6336 | doi = 10.1002/adma.201602128|pmid = 27272099|hdl = 10486/672484| arxiv = 1608.06859 | bibcode = 2016AdM....28.6332A | s2cid = 8296292 }}</ref> और यह परिवेशी परिस्थितियों में बहुत स्थिर पाया गया। इसके गुण इसे बायोमेडिकल और ऊर्जा अनुप्रयोगों के लिए भी अच्छा उम्मीदवार बनाते हैं।<ref>{{Cite journal | first1 = P. | last1 = Ares | first2 = J. J. | last2 = Palacios | first3 = G. | last3 = Abellán | first4 = J. | last4 = Gómez-Herrero | first5 = F. | last5 = Zamora | year = 2018 | title = Recent progress on antimonene: a new bidimensional material | journal = Adv. Mater. | volume = 30 |issue = 2| pages = 1703771 | doi = 10.1002/adma.201703771|pmid = 29076558|url = https://www.research.manchester.ac.uk/portal/en/publications/recent-progress-on-antimonene-a-new-bidimensional-material(e051769b-34be-41f7-a5de-ef6ebdc79756).html| hdl = 10486/688820 | s2cid = 205282902 | hdl-access = free }}</ref>
-में किए गए अध्ययन में,<ref>{{Cite journal|last1=Martínez-Periñán|first1=Emiliano|last2=Down|first2=Michael P.|last3=Gibaja|first3=Carlos|last4=Lorenzo|first4=Encarnación|last5=Zamora|first5=Félix|last6=Banks|first6=Craig E.|date=2018|title=Antimonene: A Novel 2D Nanomaterial for Supercapacitor Applications|journal=Advanced Energy Materials|language=en|volume=8|issue=11|pages=1702606|doi=10.1002/aenm.201702606|issn=1614-6840|hdl=10486/688798|s2cid=103042887 |url=https://e-space.mmu.ac.uk/621271/3/Antimonene-Capacitance-Emiliano.pdf|hdl-access=free}}</ref> एंटीमोनिन संशोधित स्क्रीन-मुद्रित इलेक्ट्रोड (एसपीई) को उनके सुपरकैपेसिटिव गुणों को चिह्नित करने के लिए दो-इलेक्ट्रोड दृष्टिकोण का उपयोग करके गैल्वेनोस्टैटिक चार्ज / डिस्चार्ज टेस्ट के अधीन किया गया था। सबसे अच्छा विन्यास देखा गया, जिसमें एसपीई में 36 नैनोग्राम एंटीमोनिन सम्मलित थे, इस प्रकार 1578 F G<sup>-1</sup> की विशिष्ट धारिता दिखाई दी 14 A g<sup>-1</sup> की धारा पर इन गैल्वेनोस्टैटिक चक्रों में से 10,000 से अधिक, पहले 800 चक्रों के पश्चात प्रारंभ में धारिता अवधारण मान 65% तक गिर जाता है, अपितु फिर शेष 9,200 चक्रों के लिए 65% और 63% के बीच रहता है। इस प्रकार 36 एनजी एंटीमोनीन/एसपीई सिस्टम ने 20 mW<sup>-1</sup>h किग्रा का ऊर्जा घनत्व भी दिखाया और 4.8 kW<sup>-1</sup> किग्रा का पावर घनत्व के रूप में प्रयोग किया जाता हैं। इन सुपरकैपेसिटिव गुणों से संकेत मिलता है कि एंटीमोनीन सुपरकैपेसिटर सिस्टम के लिए आशाजनक इलेक्ट्रोड सामग्री है। इस प्रकार हालिया अध्ययन,<ref>{{cite journal |last1=Lazanas |first1=Alexandros Ch. |last2=Prodromidis |first2=Mamas I. |title=Electrochemical performance of passivated antimonene nanosheets and of in-situ prepared antimonene oxide-PEDOT:PSS modified screen-printed graphite electrodes |journal=Electrochimica Acta |date=April 2022 |volume=410 |pages=140033 |doi=10.1016/j.electacta.2022.140033|s2cid=246598714 }}</ref> एंटीमोनिन संशोधित एसपीई से संबंधित ऑक्सीजन युक्त वातावरण में इलेक्ट्रोनालिटिकल माप की सुविधा के लिए इलेक्ट्रोकेमिकली निष्क्रिय परतों को बनाने के लिए एंटीमोनिन परतों की अंतर्निहित क्षमता को दर्शाता है, जिसमें भंग ऑक्सीजन की उपस्थिति सामान्य रूप से विश्लेषणात्मक प्रक्रिया में बाधा डालती है। इस प्रकार इसी अध्ययन में नाइट्रोएरोमैटिक यौगिकों के निर्धारण के लिए इलेक्ट्रोकैटलिटिक प्लेटफॉर्म के रूप में एंटीमोनिन ऑक्साइड/पेडॉट: पीएसएस नैनोकंपोजिट्स के इन-सीटू उत्पादन को भी दर्शाया गया है।
+में किए गए अध्ययन में,<ref>{{Cite journal|last1=Martínez-Periñán|first1=Emiliano|last2=Down|first2=Michael P.|last3=Gibaja|first3=Carlos|last4=Lorenzo|first4=Encarnación|last5=Zamora|first5=Félix|last6=Banks|first6=Craig E.|date=2018|title=Antimonene: A Novel 2D Nanomaterial for Supercapacitor Applications|journal=Advanced Energy Materials|language=en|volume=8|issue=11|pages=1702606|doi=10.1002/aenm.201702606|issn=1614-6840|hdl=10486/688798|s2cid=103042887 |url=https://e-space.mmu.ac.uk/621271/3/Antimonene-Capacitance-Emiliano.pdf|hdl-access=free}}</ref> एंटीमोनिन संशोधित स्क्रीन-मुद्रित इलेक्ट्रोड (एसपीई) को उनके सुपरकैपेसिटिव गुणों को चिह्नित करने के लिए दो-इलेक्ट्रोड दृष्टिकोण का उपयोग करके गैल्वेनोस्टैटिक चार्ज / डिस्चार्ज टेस्ट के अधीन किया गया था। सबसे अच्छा विन्यास देखा गया, जिसमें एसपीई में 36 नैनोग्राम एंटीमोनिन सम्मलित थे, इस प्रकार 1578 F G<sup>-1</sup> की विशिष्ट धारिता दिखाई दी 14 A g<sup>-1</sup> की धारा पर इन गैल्वेनोस्टैटिक चक्रों में से 10,000 से अधिक, पहले 800 चक्रों के पश्चात प्रारंभ में धारिता अवधारण मान 65% तक गिर जाता है, अपितु फिर शेष 9,200 चक्रों के लिए 65% और 63% के बीच रहता है। इस प्रकार 36 एनजी एंटीमोनीन/एसपीई सिस्टम ने 20 mW<sup>-1</sup>h किग्रा का ऊर्जा घनत्व भी दिखाया और 4.8 kW<sup>-1</sup> किग्रा का पावर घनत्व के रूप में प्रयोग किया जाता हैं। इन सुपरकैपेसिटिव गुणों से संकेत मिलता है कि एंटीमोनीन सुपरकैपेसिटर सिस्टम के लिए आशाजनक इलेक्ट्रोड सामग्री है। इस प्रकार हालिया अध्ययन,<ref>{{cite journal |last1=Lazanas |first1=Alexandros Ch. |last2=Prodromidis |first2=Mamas I. |title=Electrochemical performance of passivated antimonene nanosheets and of in-situ prepared antimonene oxide-PEDOT:PSS modified screen-printed graphite electrodes |journal=Electrochimica Acta |date=April 2022 |volume=410 |pages=140033 |doi=10.1016/j.electacta.2022.140033|s2cid=246598714 }}</ref> एंटीमोनिन संशोधित एसपीई से संबंधित ऑक्सीजन युक्त वातावरण में इलेक्ट्रोनालिटिकल माप की सुविधा के लिए विद्युत रसायनी निष्क्रिय परतों को बनाने के लिए एंटीमोनिन परतों की अंतर्निहित क्षमता को दर्शाता है, जिसमें भंग ऑक्सीजन की उपस्थिति सामान्य रूप से विश्लेषणात्मक प्रक्रिया में बाधा डालती है। इस प्रकार इसी अध्ययन में नाइट्रोएरोमैटिक यौगिकों के निर्धारण के लिए इलेक्ट्रोकैटलिटिक प्लेटफॉर्म के रूप में एंटीमोनिन ऑक्साइड/पेडॉट: पीएसएस नैनोकंपोजिट्स के इन-सीटू उत्पादन को भी दर्शाया गया है।
-=== द्वि: [[ विस्मुट |विस्मुट]] ीन ===
+=== द्वि: [[ विस्मुट |बिस्मथिन]] ===
-बिस्मथिन, बिस्मुथ के द्वि-आयामी (2डी) एलोट्रॉप, को स्थलीय इन्सुलेटर होने की भविष्यवाणी की गई थी। इस प्रकार यह भविष्यवाणी की गई थी कि 2015 में [[ सिलिकन कार्बाइड |सिलिकन कार्बाइड]] पर उगाए जाने पर बिस्मुथीन अपने टोपोलॉजिकल चरण को बरकरार रखता है।<ref>{{Cite journal|last1=Hsu|first1=Chia-Hsiu|last2=Huang|first2=Zhi-Quan|last3=Chuang|first3=Feng-Chuan|last4=Kuo|first4=Chien-Cheng|last5=Liu|first5=Yu-Tzu|last6=Lin|first6=Hsin|last7=Bansil|first7=Arun|date=2015-02-10|title=The nontrivial electronic structure of Bi/Sb honeycombs on SiC(0001)|journal=New Journal of Physics|volume=17|issue=2|pages=025005|doi=10.1088/1367-2630/17/2/025005|bibcode=2015NJPh...17b5005H|doi-access=free}}</ref> 2016 में भविष्यवाणी को सफलतापूर्वक साकार और संश्लेषित किया गया था।<ref>{{Cite journal|title = Bismuthene on a SiC substrate: A candidate for a high-temperature quantum spin Hall material|date = July 21, 2017|journal = Science|doi = 10.1126/science.aai8142 |pmid =28663438|volume=357|issue = 6348|pages=287–290|bibcode =2017Sci...357..287R | last1 = Reis | first1 = Felix | last2 = Li| first2 = Gang | last3 = Dudy | first3 = Lenart | last4 = Bauernfiend | first4 = Maximilian | last5 = Glass | first5 = Stefan | last6 = Hanke | first6 = Werner | last7 = Thomale | first7 = Ronny | last8 = Schaefer | first8 = Joerg | last9 = Claessen | first9 = Ralph|arxiv = 1608.00812|s2cid = 23323210}}</ref> पहली नज़र में प्रणाली ग्राफीन के समान है, क्योंकि द्वि परमाणु छत्ते की जाली में व्यवस्थित होते हैं। चूंकि इस प्रकार [[ ऊर्जा अंतराल |ऊर्जा अंतराल]] बीआई परमाणुओं के बड़े स्पिन-ऑर्बिट इंटरेक्शन (युग्मन) और सब्सट्रेट के साथ उनकी बातचीत के कारण 800mV जितना बड़ा है। इस प्रकार, [[क्वांटम स्पिन हॉल प्रभाव]] के कमरे के तापमान के अनुप्रयोग पहुंच में आते हैं। इस प्रकार यह अपनी प्राकृतिक अवस्था में सबसे बड़ा गैर-तुच्छ बैंडगैप 2डी टोपोलॉजिकल इंसुलेटर बताया गया है।<ref>{{Cite journal|last1=Liu|first1=Zheng|last2=Liu|first2=Chao-Xing|last3=Wu|first3=Yong-Shi|last4=Duan|first4=Wen-Hui|last5=Liu|first5=Feng|last6=Wu|first6=Jian|date=2011-09-23|title=Stable NontrivialZ2Topology in Ultrathin Bi (111) Films: A First-Principles Study|url=http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.107.136805|journal=Physical Review Letters|volume=107|issue=13|page=136805 |doi=10.1103/physrevlett.107.136805|pmid=22026889 |arxiv=1104.0978 |bibcode=2011PhRvL.107m6805L |s2cid=10121875 |issn=0031-9007}}</ref><ref>{{Cite journal|last=Murakami|first=Shuichi|date=2006-12-06|title=क्वांटम स्पिन हॉल इफेक्ट और स्पिन-ऑर्बिट कपलिंग द्वारा बढ़ी हुई चुंबकीय प्रतिक्रिया|url=http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.97.236805|journal=Physical Review Letters|volume=97|issue=23|page=236805 |doi=10.1103/physrevlett.97.236805|pmid=17280226 |arxiv=cond-mat/0607001 |bibcode=2006PhRvL..97w6805M |s2cid=34984890 |issn=0031-9007}}</ref> विभिन्न मामलों में बिस्मुथीन के टॉप-डाउन एक्सफोलिएशन की सूचना मिली है<ref>{{cite journal |last1=Qi-Qi |first1=Yang |title=2D bismuthene fabricated via acid-intercalated exfoliation showing strong nonlinear near-infrared responses for mode-locking lasers |journal=Nanoscale |date=2 October 2018 |volume=10 |issue=45 |pages=21106–21115 |doi=10.1039/c8nr06797j|pmid=30325397 }}</ref><ref>{{cite journal |last1=Gusmao |first1=Rui |last2=Sofer |first2=Zdenek |last3=Bousa |first3=Daniel |last4=Pumera |first4=Martin |title=इलेक्ट्रोकेमिकल अनुप्रयोगों के लिए किचन ब्लेंडर्स का उपयोग करके शियर एक्सफोलिएशन द्वारा निक्टोजेन्स (एएस, एसबी, बीआई) नैनोशीट्स|journal=Angewandte Chemie International Edition |date=29 July 2017 |volume=56 |issue=46 |pages=14417–14422 |doi=10.1002/anie.201706389|pmid=28755460 |s2cid=22513370 }}</ref> इस प्रकार इलेक्ट्रोकेमिकल सेंसिंग के क्षेत्र में बिस्मुथीन के कार्यान्वयन को बढ़ावा देने वाले हालिया कार्यों के साथ।<ref>{{cite journal |last1=Martinez |first1=Carmen C. |last2=Gusmao |first2=Rui |last3=Sofer |first3=Zdenek |last4=Pumera |first4=Martin |title=Pnictogen-Based Enzymatic Phenol Biosensors: Phosphorene, Arsenene, Antimonene, and Bismuthene |journal=Angewandte Chemie International Edition |year=2019 |volume=58 |issue=1 |pages=134–138 |doi=10.1002/anie.201808846|pmid=30421531 |s2cid=53291371 }}</ref><ref>{{cite journal |last1=Lazanas |first1=Alexandros Ch. |last2=Tsirka |first2=Kyriaki |last3=Paipetis |first3=Alkiviadis S. |last4=Prodromidis |first4=Mamas I. |title=2D bismuthene/graphene modified electrodes for the ultra-sensitive stripping voltammetric determination of lead and cadmium |journal=Electrochimica Acta |date=2020 |volume=336 |page=135726 |doi=10.1016/j.electacta.2020.135726|s2cid=214292108 }}</ref> इमदादुल एट अल।<ref>{{Cite journal|last1=Chowdhury|first1=Emdadul Haque|last2=Rahman|first2=Md. Habibur|last3=Bose|first3=Pritom|last4=Jayan|first4=Rahul|last5=Islam|first5=Md Mahbubul|date=2020|title=Atomic-scale analysis of the physical strength and phonon transport mechanisms of monolayer β-bismuthene|url=http://dx.doi.org/10.1039/d0cp04785f|journal=Physical Chemistry Chemical Physics|volume=22|issue=48|pages=28238–28255|doi=10.1039/d0cp04785f|pmid=33295342 |bibcode=2020PCCP...2228238C |s2cid=228079431 |issn=1463-9076}}</ref> परमाणु-पैमाने पर विश्लेषण के माध्यम से मोनोपरत β-बिस्मुथीन की यांत्रिक शक्ति और फोनन तापीय चालकता की भविष्यवाणी की। इस प्रकार प्इस प्रकार राप्त कमरे का तापमान (300K) फ्रैक्चर ताकत ~ 4.21 N/m आर्मचेयर दिशा के साथ और ~ 4.22 N/m ज़िगज़ैग दिशा के साथ है। 300 K पर, इसके यंग के मोडुली को आर्मचेयर और ज़िगज़ैग दिशाओं के साथ क्रमशः ~ 26.1 N/m और ~ 25.5 N/m बताया गया है। इसके अतिरिक्त, 300 K पर ~ 1.3 W/m∙K की उनकी अनुमानित फोनन तापीय चालकता अन्य समान 2D मधुकोशों की तुलना में काफी कम है, जो इसे थर्मोइलेक्ट्रिक संचालन के लिए आशाजनक सामग्री बनाती है।
+बिस्मथिन, बिस्मुथ के द्वि-आयामी (2डी) एलोट्रॉप, को स्थलीय रोधक होने की भविष्यवाणी की गई थी। इस प्रकार यह भविष्यवाणी की गई थी कि 2015 में [[ सिलिकन कार्बाइड |सिलिकन कार्बाइड]] पर उगाए जाने पर बिस्मुथीन अपने टोपोलॉजिकल चरण को बरकरार रखता है।<ref>{{Cite journal|last1=Hsu|first1=Chia-Hsiu|last2=Huang|first2=Zhi-Quan|last3=Chuang|first3=Feng-Chuan|last4=Kuo|first4=Chien-Cheng|last5=Liu|first5=Yu-Tzu|last6=Lin|first6=Hsin|last7=Bansil|first7=Arun|date=2015-02-10|title=The nontrivial electronic structure of Bi/Sb honeycombs on SiC(0001)|journal=New Journal of Physics|volume=17|issue=2|pages=025005|doi=10.1088/1367-2630/17/2/025005|bibcode=2015NJPh...17b5005H|doi-access=free}}</ref> 2016 में भविष्यवाणी को सफलतापूर्वक साकार और संश्लेषित किया गया था।<ref>{{Cite journal|title = Bismuthene on a SiC substrate: A candidate for a high-temperature quantum spin Hall material|date = July 21, 2017|journal = Science|doi = 10.1126/science.aai8142 |pmid =28663438|volume=357|issue = 6348|pages=287–290|bibcode =2017Sci...357..287R | last1 = Reis | first1 = Felix | last2 = Li| first2 = Gang | last3 = Dudy | first3 = Lenart | last4 = Bauernfiend | first4 = Maximilian | last5 = Glass | first5 = Stefan | last6 = Hanke | first6 = Werner | last7 = Thomale | first7 = Ronny | last8 = Schaefer | first8 = Joerg | last9 = Claessen | first9 = Ralph|arxiv = 1608.00812|s2cid = 23323210}}</ref> पहली नज़र में प्रणाली ग्राफीन के समान है, क्योंकि द्वि परमाणु छत्ते की  में व्यवस्थित होते हैं। चूंकि इस प्रकार [[ ऊर्जा अंतराल |ऊर्जा अंतराल]] बीआई परमाणुओं के बड़े स्पिन-ऑर्बिट इंटरेक्शन (युग्मन) और सब्सट्रेट के साथ उनकी बातचीत के कारण 800mV जितना बड़ा है। इस प्रकार, [[क्वांटम स्पिन हॉल प्रभाव]] के कमरे के तापमान के अनुप्रयोग पहुंच में आते हैं। इस प्रकार यह अपनी प्राकृतिक अवस्था में सबसे बड़ा गैर-तुच्छ बैंडगैप 2डी टोपोलॉजिकल इंसुलेटर बताया गया है।<ref>{{Cite journal|last1=Liu|first1=Zheng|last2=Liu|first2=Chao-Xing|last3=Wu|first3=Yong-Shi|last4=Duan|first4=Wen-Hui|last5=Liu|first5=Feng|last6=Wu|first6=Jian|date=2011-09-23|title=Stable NontrivialZ2Topology in Ultrathin Bi (111) Films: A First-Principles Study|url=http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.107.136805|journal=Physical Review Letters|volume=107|issue=13|page=136805 |doi=10.1103/physrevlett.107.136805|pmid=22026889 |arxiv=1104.0978 |bibcode=2011PhRvL.107m6805L |s2cid=10121875 |issn=0031-9007}}</ref><ref>{{Cite journal|last=Murakami|first=Shuichi|date=2006-12-06|title=क्वांटम स्पिन हॉल इफेक्ट और स्पिन-ऑर्बिट कपलिंग द्वारा बढ़ी हुई चुंबकीय प्रतिक्रिया|url=http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.97.236805|journal=Physical Review Letters|volume=97|issue=23|page=236805 |doi=10.1103/physrevlett.97.236805|pmid=17280226 |arxiv=cond-mat/0607001 |bibcode=2006PhRvL..97w6805M |s2cid=34984890 |issn=0031-9007}}</ref> विभिन्न मामलों में बिस्मुथीन के टॉप-डाउन एक्सफोलिएशन की सूचना मिली है<ref>{{cite journal |last1=Qi-Qi |first1=Yang |title=2D bismuthene fabricated via acid-intercalated exfoliation showing strong nonlinear near-infrared responses for mode-locking lasers |journal=Nanoscale |date=2 October 2018 |volume=10 |issue=45 |pages=21106–21115 |doi=10.1039/c8nr06797j|pmid=30325397 }}</ref><ref>{{cite journal |last1=Gusmao |first1=Rui |last2=Sofer |first2=Zdenek |last3=Bousa |first3=Daniel |last4=Pumera |first4=Martin |title=इलेक्ट्रोकेमिकल अनुप्रयोगों के लिए किचन ब्लेंडर्स का उपयोग करके शियर एक्सफोलिएशन द्वारा निक्टोजेन्स (एएस, एसबी, बीआई) नैनोशीट्स|journal=Angewandte Chemie International Edition |date=29 July 2017 |volume=56 |issue=46 |pages=14417–14422 |doi=10.1002/anie.201706389|pmid=28755460 |s2cid=22513370 }}</ref> इस प्रकार विद्युत रसायन सेंसिंग के क्षेत्र में बिस्मुथीन के कार्यान्वयन को बढ़ावा देने वाले हालिया कार्यों के साथ।<ref>{{cite journal |last1=Martinez |first1=Carmen C. |last2=Gusmao |first2=Rui |last3=Sofer |first3=Zdenek |last4=Pumera |first4=Martin |title=Pnictogen-Based Enzymatic Phenol Biosensors: Phosphorene, Arsenene, Antimonene, and Bismuthene |journal=Angewandte Chemie International Edition |year=2019 |volume=58 |issue=1 |pages=134–138 |doi=10.1002/anie.201808846|pmid=30421531 |s2cid=53291371 }}</ref><ref>{{cite journal |last1=Lazanas |first1=Alexandros Ch. |last2=Tsirka |first2=Kyriaki |last3=Paipetis |first3=Alkiviadis S. |last4=Prodromidis |first4=Mamas I. |title=2D bismuthene/graphene modified electrodes for the ultra-sensitive stripping voltammetric determination of lead and cadmium |journal=Electrochimica Acta |date=2020 |volume=336 |page=135726 |doi=10.1016/j.electacta.2020.135726|s2cid=214292108 }}</ref> इमदादुल एट अल ने <ref>{{Cite journal|last1=Chowdhury|first1=Emdadul Haque|last2=Rahman|first2=Md. Habibur|last3=Bose|first3=Pritom|last4=Jayan|first4=Rahul|last5=Islam|first5=Md Mahbubul|date=2020|title=Atomic-scale analysis of the physical strength and phonon transport mechanisms of monolayer β-bismuthene|url=http://dx.doi.org/10.1039/d0cp04785f|journal=Physical Chemistry Chemical Physics|volume=22|issue=48|pages=28238–28255|doi=10.1039/d0cp04785f|pmid=33295342 |bibcode=2020PCCP...2228238C |s2cid=228079431 |issn=1463-9076}}</ref> परमाणु-पैमाने पर विश्लेषण के माध्यम से मोनोपरत β-बिस्मुथीन की यांत्रिक शक्ति और फोनन तापीय चालकता की भविष्यवाणी की। इस प्रकार प्इस प्रकार राप्त कमरे का तापमान (300K) फ्रैक्चर ताकत ~ 4.21 N/m आर्मचेयर दिशा के साथ और ~ 4.22 N/m ज़िगज़ैग दिशा के साथ है। 300 K पर, इसके यंग के मोडुली को आर्मचेयर और ज़िगज़ैग दिशाओं के साथ क्रमशः ~ 26.1 N/m और ~ 25.5 N/m बताया गया है। इसके अतिरिक्त, 300 K पर ~ 1.3 W/m∙K की उनकी अनुमानित फोनन तापीय चालकता अन्य समान 2D मधुकोशों की तुलना में काफी कम है, जो इसे थर्मोइलेक्ट्रिक संचालन के लिए आशाजनक सामग्री बनाती है।
 === धातु ===
-[[File:Palladium nanosheet on silicon wafer.jpg|right|thumb|बहुस्तरीय पैलेडियम नैनोशीट की 3डी एएफएम स्थलाकृति छवि।<ref name="Pd" />]]द्वि-आयामी फिल्म ज्यामिति में [[प्लैटिनम]] की एकल और दोहरी परमाणु परतों का प्रदर्शन किया गया है।<ref name=":5">{{Cite journal|last1=Abdelhafiz|first1=Ali|last2=Vitale|first2=Adam|last3=Buntin|first3=Parker|last4=deGlee|first4=Ben|last5=Joiner|first5=Corey|last6=Robertson|first6=Alex|last7=Vogel|first7=Eric M.|last8=Warner|first8=Jamie|last9=Alamgir|first9=Faisal M.|date=2018|title=Epitaxial and atomically thin graphene–metal hybrid catalyst films: the dual role of graphene as the support and the chemically-transparent protective cap|journal=Energy & Environmental Science|volume=11|issue=6|pages=1610–1616|doi=10.1039/c8ee00539g}}</ref><ref name=":7">{{Cite journal|last1=Abdelhafiz|first1=Ali|last2=Vitale|first2=Adam|last3=Joiner|first3=Corey|last4=Vogel|first4=Eric|last5=Alamgir|first5=Faisal M.|date=2015-03-16|title=ग्राफीन-टेम्पलेटेड पीटी मोनोलेयर्स में ऑक्सीजन विकास प्रतिक्रिया के लिए संरचना, तनाव और गतिविधि का परत-दर-परत विकास|journal=ACS Applied Materials & Interfaces|volume=7|issue=11|pages=6180–6188|doi=10.1021/acsami.5b00182|pmid=25730297}}</ref> ये परमाणु रूप से पतली प्लेटिनम फिल्में ग्राफीन पर उगाई जाने वाली [[ एपिटाक्सी |एपिटाक्सी]] हैं<ref name=":5" />जो कंप्रेसिव स्ट्रेन लगाता है जो प्लेटिनम की सतह रसायन विज्ञान को संशोधित करता है, जबकि ग्राफीन के माध्यम से चार्ज ट्रांसफर की अनुमति भी देता है।<ref name=":7" />[[ दुर्ग | दुर्ग]] की एकल परमाणु परतें जिनकी मोटाई 2.6 Å तक कम है,<ref name="Pd">{{cite journal|last1=Yin|first1=Xi|last2=Liu|first2=Xinhong|last3=Pan|first3=Yung-Tin|last4=Walsh|first4=Kathleen A.|last5=Yang|first5=Hong|title=हनोई टॉवर की तरह बहुस्तरीय अल्ट्राथिन पैलेडियम नैनोशीट्स|journal=Nano Letters|date=November 4, 2014|doi=10.1021/nl503879a|pmid=25369350|bibcode = 2014NanoL..14.7188Y|volume=14|issue=12|pages=7188–7194}}</ref> और इस प्रकार [[ रोडियाम |रोडियाम]] जिसकी मोटाई 4 Å से कम है<ref>{{cite journal|last1=Duan|first1=Haohong|last2=Yan|first2=Ning|last3=Yu|first3=Rong|last4=Chang|first4=Chun-Ran|last5=Zhou|first5=Gang|last6=Hu|first6=Han-Shi|last7=Rong|first7=Hongpan|last8=Niu|first8=Zhiqiang|last9=Mao|first9=Junjie|last10=Asakura|first10=Hiroyuki|last11=Tanaka|first11=Tsunehiro|last12=Dyson|first12=Paul Joseph|last13=Li|first13=Jun|last14=Li|first14=Yadong|title=अल्ट्राथिन रोडियम नैनोशीट्स|journal=Nature Communications|date=17 January 2014|volume=5|pages=3093|doi=10.1038/ncomms4093|pmid=24435210|bibcode=2014NatCo...5.3093D|doi-access=free}}</ref> भी संश्लेषित किया गया है और परमाणु बल माइक्रोस्कोपी और ट्रांसमिशन इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी के साथ विशेषता है।
+[[File:Palladium nanosheet on silicon wafer.jpg|right|thumb|बहुस्तरीय पैलेडियम नैनोशीट की 3डी एएफएम स्थलाकृति छवि।<ref name="Pd" />]]द्वि-आयामी फिल्म ज्यामिति में [[प्लैटिनम]] की एकल और दोहरी परमाणु परतों का प्रदर्शन किया गया है।<ref name=":5">{{Cite journal|last1=Abdelhafiz|first1=Ali|last2=Vitale|first2=Adam|last3=Buntin|first3=Parker|last4=deGlee|first4=Ben|last5=Joiner|first5=Corey|last6=Robertson|first6=Alex|last7=Vogel|first7=Eric M.|last8=Warner|first8=Jamie|last9=Alamgir|first9=Faisal M.|date=2018|title=Epitaxial and atomically thin graphene–metal hybrid catalyst films: the dual role of graphene as the support and the chemically-transparent protective cap|journal=Energy & Environmental Science|volume=11|issue=6|pages=1610–1616|doi=10.1039/c8ee00539g}}</ref><ref name=":7">{{Cite journal|last1=Abdelhafiz|first1=Ali|last2=Vitale|first2=Adam|last3=Joiner|first3=Corey|last4=Vogel|first4=Eric|last5=Alamgir|first5=Faisal M.|date=2015-03-16|title=ग्राफीन-टेम्पलेटेड पीटी मोनोलेयर्स में ऑक्सीजन विकास प्रतिक्रिया के लिए संरचना, तनाव और गतिविधि का परत-दर-परत विकास|journal=ACS Applied Materials & Interfaces|volume=7|issue=11|pages=6180–6188|doi=10.1021/acsami.5b00182|pmid=25730297}}</ref> ये परमाणु रूप से पतली प्लेटिनम फिल्में ग्राफीन पर प्रस्तुत की जाने वाली [[ एपिटाक्सी |एपिटाक्सी]] हैं<ref name=":5" />जो कंप्रेसिव स्ट्रेन लगाता है जो प्लेटिनम की सतह रसायन विज्ञान को संशोधित करता है, जबकि ग्राफीन के माध्यम से चार्ज ट्रांसफर की अनुमति भी देता है।<ref name=":7" />[[ दुर्ग | दुर्ग]] की एकल परमाणु परतें जिनकी मोटाई 2.6 Å तक कम है,<ref name="Pd">{{cite journal|last1=Yin|first1=Xi|last2=Liu|first2=Xinhong|last3=Pan|first3=Yung-Tin|last4=Walsh|first4=Kathleen A.|last5=Yang|first5=Hong|title=हनोई टॉवर की तरह बहुस्तरीय अल्ट्राथिन पैलेडियम नैनोशीट्स|journal=Nano Letters|date=November 4, 2014|doi=10.1021/nl503879a|pmid=25369350|bibcode = 2014NanoL..14.7188Y|volume=14|issue=12|pages=7188–7194}}</ref> और इस प्रकार [[ रोडियाम |रोडियाम]] जिसकी मोटाई 4 Å से कम है<ref>{{cite journal|last1=Duan|first1=Haohong|last2=Yan|first2=Ning|last3=Yu|first3=Rong|last4=Chang|first4=Chun-Ran|last5=Zhou|first5=Gang|last6=Hu|first6=Han-Shi|last7=Rong|first7=Hongpan|last8=Niu|first8=Zhiqiang|last9=Mao|first9=Junjie|last10=Asakura|first10=Hiroyuki|last11=Tanaka|first11=Tsunehiro|last12=Dyson|first12=Paul Joseph|last13=Li|first13=Jun|last14=Li|first14=Yadong|title=अल्ट्राथिन रोडियम नैनोशीट्स|journal=Nature Communications|date=17 January 2014|volume=5|pages=3093|doi=10.1038/ncomms4093|pmid=24435210|bibcode=2014NatCo...5.3093D|doi-access=free}}</ref> भी संश्लेषित किया गया है और परमाणु बल माइक्रोस्कोपी और ट्रांसमिशन इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी के साथ विशेषता है।
 === 2डी मिश्र ===
 द्वि-आयामी मिश्र धातु (या सतह मिश्र धातु) मिश्र धातु की एकल परमाणु परत होती है जो अंतर्निहित सब्सट्रेट के साथ असंगत होती है। उदाहरण Sn के साथ और Bi के साथ Pb की 2D क्रमित मिश्रधातु है।<ref>{{cite journal |first1=J. |last1= Yuhara |first2=M. |last2= Schmid |first3= P. |last3= Varga |year=2003 |title= अमिश्रणीय धातुओं का एक द्वि-आयामी मिश्र धातु, आरएच (111) पर पीबी और एसएन की एकल और बाइनरी मोनोलेयर फिल्म|journal= Phys. Rev. B |volume= 67 |issue= 19 |pages= 195407 |doi= 10.1103/PhysRevB.67.195407 |bibcode= 2003PhRvB..67s5407Y }}</ref><ref>{{cite journal |first1= J. |last1= Yuhara |first2= M. |last2= Yokoyama |first3= T. |last3= Matsui |year=2011 |title= आरएच (111) पर बीआई-पीबी बाइनरी फिल्मों का द्वि-आयामी ठोस समाधान मिश्र धातु|journal= J. Appl. Phys. |volume= 110 |issue= 7 |pages= 074314–074314–4 |doi= 10.1063/1.3650883 |bibcode= 2011JAP...110g4314Y }}</ref> इस प्रकार सिलीसीन के मामले में, सतह मिश्र धातुओं को द्वि-आयामी परतों को मचान करने के लिए पाया गया है।<ref name=alloy/>
 === 2डी सुपरक्रिस्टल ===
-डी सामग्रियों के सुपरक्रिस्टल प्रस्तावित किए गए हैं और सैद्धांतिक रूप से अनुकरण किए गए हैं।<ref>{{Cite journal |doi= 10.1088/1742-6596/345/1/012007 |title= 2D supracrystals as a promising materials for planar nanoacoustoelectronics |journal= Journal of Physics: Conference Series |volume= 345 |issue= 1 |pages = 012007| year = 2012 |last1= Kochaev |first1= A. I. |last2= Karenin |first2= A.A. |last3= Meftakhutdinov |first3= R.M. |last4= Brazhe |first4= R.A. |bibcode = 2012JPhCS.345a2007K |doi-access= free }}</ref><ref>{{Cite journal | doi = 10.1134/S1063783412080069| title = Flexural waves in graphene and 2D supracrystals| journal = Physics of the Solid State| volume = 54| issue = 8| pages = 1612–1614| year = 2012| last1 = Brazhe | first1 = R. A.| last2 = Kochaev | first2 = A. I.|bibcode = 2012PhSS...54.1612B | s2cid = 120094142}}</ref> ये मोनोपरत क्रिस्टल सुप्रा परमाणु आवधिक संरचनाओं से बने होते हैं जहां [[जाली (समूह)]] के नोड्स में परमाणुओं को सममित परिसरों द्वारा प्रतिस्थापित किया जाता है। इस प्रकार उदाहरण के लिए, 4 या 6 कार्बन परमाणुओं के ग्राफीन पैटर्न की हेक्सागोनल संरचना में क्रिस्टल संरचना # यूनिट सेल में दोहराए जाने वाले नोड के रूप में एकल परमाणुओं के अतिरिक्त हेक्सागोनल रूप से व्यवस्थित किया जाएगा।
+डी सामग्रियों के सुपरक्रिस्टल प्रस्तावित किए गए हैं और सैद्धांतिक रूप से अनुकरण किए गए हैं।<ref>{{Cite journal |doi= 10.1088/1742-6596/345/1/012007 |title= 2D supracrystals as a promising materials for planar nanoacoustoelectronics |journal= Journal of Physics: Conference Series |volume= 345 |issue= 1 |pages = 012007| year = 2012 |last1= Kochaev |first1= A. I. |last2= Karenin |first2= A.A. |last3= Meftakhutdinov |first3= R.M. |last4= Brazhe |first4= R.A. |bibcode = 2012JPhCS.345a2007K |doi-access= free }}</ref><ref>{{Cite journal | doi = 10.1134/S1063783412080069| title = Flexural waves in graphene and 2D supracrystals| journal = Physics of the Solid State| volume = 54| issue = 8| pages = 1612–1614| year = 2012| last1 = Brazhe | first1 = R. A.| last2 = Kochaev | first2 = A. I.|bibcode = 2012PhSS...54.1612B | s2cid = 120094142}}</ref> ये मोनोपरत क्रिस्टल सुप्रा परमाणु आवधिक संरचनाओं से बने होते हैं जहां  [[जाली (समूह)|(समूह)]] के नोड्स में परमाणुओं को सममित परिसरों द्वारा प्रतिस्थापित किया जाता है। इस प्रकार उदाहरण के लिए, 4 या 6 कार्बन परमाणुओं के ग्राफीन पैटर्न की हेक्सागोनल संरचना में क्रिस्टल संरचना यूनिट सेल में दोहराए जाने वाले नोड के रूप में एकल परमाणुओं के अतिरिक्त हेक्सागोनल रूप से व्यवस्थित किया जाएगा।
 === यौगिक ===
@@ Line 139: / Line 137: @@
 ==== ट्रांज़िशन मेटल डाइक्लोजेनाइड मोनोपरत्स ====
 {{Further|संक्रमण-धातु डाइक्लोजेनाइड}}
-सबसे अधिक अध्ययन किया जाने वाला द्वि-आयामी संक्रमण धातु डाइक्लोजेनाइड (TMD) मोनोपरत [[मोलिब्डेनम डाइसल्फ़ाइड]] (MoS2) है।<sub>2</sub>). कई चरण ज्ञात हैं, विशेष रूप से 1T और 2H चरण। नामकरण परिपाटी संरचना को दर्शाती है: 1T चरण में त्रिकोणीय क्रिस्टल प्रणाली में प्रति यूनिट सेल में शीट (S-Mo-S की परत से मिलकर; आकृति देखें) होती है, जबकि 2H चरण में हेक्सागोनल में प्रति यूनिट सेल में दो शीट होती हैं। क्रिस्टल प्रणाली। 2H चरण अधिक सामान्य है, क्योंकि इस प्रकार 1T चरण [[ metastability |metastability]] है और अतिरिक्त इलेक्ट्रॉन दाताओं (सामान्यतःसतह S रिक्तियों) द्वारा स्थिरीकरण के बिना अनायास 2H में बदल जाता है।<ref>{{Cite journal |last1=Gan |first1=Xiaorong |last2=Lee |first2=Lawrence Yoon Suk |last3=Wong |first3=Kwok-yin |last4=Lo |first4=Tsz Wing |last5=Ho |first5=Kwun Hei |last6=Lei |first6=Dang Yuan |last7=Zhao |first7=Huimin |date=2018 |title=2H/1T Phase Transition of Multilayer MoS2 by Electrochemical Incorporation of S Vacancies |url=https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsaem.8b00875 |journal=ACS Applied Energy Materials |volume=1 |issue=9 |pages=4754–4765|doi=10.1021/acsaem.8b00875 |s2cid=106014720 }}</ref>
+सबसे अधिक अध्ययन किया जाने वाला द्वि-आयामी संक्रमण धातु डाइक्लोजेनाइड (TMD) मोनोपरत [[मोलिब्डेनम डाइसल्फ़ाइड]] (MoS2) है।<sub>2</sub>). कई चरण ज्ञात हैं, विशेष रूप से 1T और 2H चरण। नामकरण परिपाटी संरचना को दर्शाती है: 1T चरण में त्रिकोणीय क्रिस्टल प्रणाली में प्रति यूनिट सेल में शीट (S-Mo-S की परत से मिलकर, आकृति देखें) होती है, जबकि 2H चरण में हेक्सागोनल में प्रति यूनिट सेल में दो शीट होती हैं। क्रिस्टल प्रणाली। 2H चरण अधिक सामान्य है, क्योंकि इस प्रकार 1T चरण [[ metastability |मेटा-स्थिरता]] है और अतिरिक्त इलेक्ट्रॉन दाताओं (सामान्यतःसतह S रिक्तियों) द्वारा स्थिरीकरण के बिना 2H में परिवर्तित हो जाता हैं।<ref>{{Cite journal |last1=Gan |first1=Xiaorong |last2=Lee |first2=Lawrence Yoon Suk |last3=Wong |first3=Kwok-yin |last4=Lo |first4=Tsz Wing |last5=Ho |first5=Kwun Hei |last6=Lei |first6=Dang Yuan |last7=Zhao |first7=Huimin |date=2018 |title=2H/1T Phase Transition of Multilayer MoS2 by Electrochemical Incorporation of S Vacancies |url=https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsaem.8b00875 |journal=ACS Applied Energy Materials |volume=1 |issue=9 |pages=4754–4765|doi=10.1021/acsaem.8b00875 |s2cid=106014720 }}</ref>
-[[File:Crystal structures of the 1T and 2H phases of MoS2.png|thumb|मोलिब्डेनम डाइसल्फ़ाइड के 1T और 2H चरणों की संरचनाएं (MoS<sub>2</sub>), जैसा कि b अक्ष के नीचे देखा गया है। इस प्रकार सहसंयोजक बंधन को दर्शाने के लिए प्रत्येक चरण के लिए दो परतें दिखाई जाती हैं, जो केवल चादरों के भीतर सम्मलित होती हैं।]]MoS का 2H चरण<sub>2</sub> ([[पियर्सन प्रतीक]] hP6; संरचना रिपोर्ट पदनाम C7) में अंतरिक्ष समूह P6 है<sub>3</sub>/ एमएमसी। प्रत्येक परत में त्रिकोणीय प्रिज्मीय समन्वय में S से घिरा Mo होता है।<ref>{{Cite journal |last1=Dickinson |first1=Roscoe G. |last2=Pauling |first2=Linus |date=1923 |title=मोलिब्डेनइट की क्रिस्टल संरचना|url=https://pubs.acs.org/doi/10.1021/ja01659a020 |journal=Journal of the American Chemical Society |volume=45 |issue=6 |pages=1466–1471|doi=10.1021/ja01659a020 }}</ref> इसके विपरीत, 1T चरण (पियर्सन प्रतीक hP3) में अंतरिक्ष समूह P-3m1, और ऑक्टाहेड्रली-समन्वित Mo; 1T यूनिट सेल में केवल परत होती है, इस प्रकार यूनिट सेल में 2H यूनिट सेल (क्रमशः 5.95 Å और 12.30 Å) की लंबाई के आधे से थोड़ा कम एसी पैरामीटर होता है।<ref>{{Cite journal |last1=Fang |first1=Yuqiang |last2=Pan |first2=Jie |last3=He |first3=Jianqiao |last4=Luo |first4=Ruichun |last5=Wang |first5=Dong |last6=Che |first6=Xiangli |last7=Bu |first7=Kejun |last8=Zhao |first8=Wei |last9=Liu |first9=Pan |last10=Mu |first10=Gang |last11=Zhang |first11=Hui |last12=Lin |first12=Tianquan |last13=Huang |first13=Fuqiang |date=2018-01-26 |title=Structure Re-determination and Superconductivity Observation of Bulk 1T MoS 2 |url=https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/anie.201710512 |journal=Angewandte Chemie International Edition |language=en |volume=57 |issue=5 |pages=1232–1235 |doi=10.1002/anie.201710512|pmid=29210496 |arxiv=1712.09248 |s2cid=205406195 }}</ref> दो चरणों की विभिन्न क्रिस्टल संरचनाओं के परिणामस्वरूप उनके [[इलेक्ट्रॉनिक बैंड संरचना]] में भी अंतर होता है। इस प्रकार 2H-MoS के डी-ऑर्बिटल्स<sub>2</sub> तीन बैंड में बांटा गया है: डी<sub>''z''<sup>2</sup></sub>, डी<sub>x<sup>2</sup>-y<sup>2</sup>,xy</sub>, और डी<sub>xz,yz</sub>. इनमें से केवल डी<sub>z<sup>2</sup></sub> भरा है; यह 1.9eV के बैंडगैप के साथ [[सेमीकंडक्टर]] में बंटवारे के परिणामों के साथ संयुक्त है।<ref>{{Cite journal |last1=Splendiani |first1=Andrea |last2=Sun |first2=Liang |last3=Zhang |first3=Yuanbo |last4=Li |first4=Tianshu |last5=Kim |first5=Jonghwan |last6=Chim |first6=Chi-Yung |last7=Galli |first7=Giulia |last8=Wang |first8=Feng |date=2010-04-14 |title=Emerging Photoluminescence in Monolayer MoS 2 |url=https://pubs.acs.org/doi/10.1021/nl903868w |journal=Nano Letters |language=en |volume=10 |issue=4 |pages=1271–1275 |doi=10.1021/nl903868w |pmid=20229981 |bibcode=2010NanoL..10.1271S |issn=1530-6984}}</ref> 1टी-स्थितिमंत्री<sub>2</sub>, दूसरी ओर, आंशिक रूप से भरे हुए डी-ऑर्बिटल्स हैं जो इसे [[धातु]] का लक्षण देते हैं।
+[[File:Crystal structures of the 1T and 2H phases of MoS2.png|thumb|मोलिब्डेनम डाइसल्फ़ाइड के 1T और 2H चरणों की संरचनाएं (MoS<sub>2</sub>), जैसा कि b अक्ष के नीचे देखा गया है। इस प्रकार सहसंयोजक बंधन को दर्शाने के लिए प्रत्येक चरण के लिए दो परतें दिखाई जाती हैं, जो केवल चादरों के भीतर सम्मलित होती हैं।]]MoS का 2H चरण<sub>2</sub> ([[पियर्सन प्रतीक]] HP6, संरचना रिपोर्ट पदनाम C7) में अंतरिक्ष समूह P6 है<sub>3</sub>/ एमएमसी। प्रत्येक परत में त्रिकोणीय प्रिज्मीय समन्वय में S से घिरा हुआ Mo उपयोग होता है।<ref>{{Cite journal |last1=Dickinson |first1=Roscoe G. |last2=Pauling |first2=Linus |date=1923 |title=मोलिब्डेनइट की क्रिस्टल संरचना|url=https://pubs.acs.org/doi/10.1021/ja01659a020 |journal=Journal of the American Chemical Society |volume=45 |issue=6 |pages=1466–1471|doi=10.1021/ja01659a020 }}</ref> इसके विपरीत, 1T चरण (पियर्सन प्रतीक hP3) में अंतरिक्ष समूह P-3m1, और ऑक्टाहेड्रली-समन्वित Mo, 1T यूनिट सेल में केवल परत होती है, इस प्रकार यूनिट सेल में 2H यूनिट सेल (क्रमशः 5.95 Å और 12.30 Å) की लंबाई के आधे से थोड़ा कम एसी पैरामीटर होता है।<ref>{{Cite journal |last1=Fang |first1=Yuqiang |last2=Pan |first2=Jie |last3=He |first3=Jianqiao |last4=Luo |first4=Ruichun |last5=Wang |first5=Dong |last6=Che |first6=Xiangli |last7=Bu |first7=Kejun |last8=Zhao |first8=Wei |last9=Liu |first9=Pan |last10=Mu |first10=Gang |last11=Zhang |first11=Hui |last12=Lin |first12=Tianquan |last13=Huang |first13=Fuqiang |date=2018-01-26 |title=Structure Re-determination and Superconductivity Observation of Bulk 1T MoS 2 |url=https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/anie.201710512 |journal=Angewandte Chemie International Edition |language=en |volume=57 |issue=5 |pages=1232–1235 |doi=10.1002/anie.201710512|pmid=29210496 |arxiv=1712.09248 |s2cid=205406195 }}</ref> दो चरणों की विभिन्न क्रिस्टल संरचनाओं के परिणामस्वरूप उनके [[इलेक्ट्रॉनिक बैंड संरचना]] में भी अंतर होता है। इस प्रकार 2H-MoS के D-ऑर्बिटल्स<sub>2</sub> तीन बैंड में बांटा गया है: D<sub>''z''<sup>2</sup></sub>, D<sub>x<sup>2</sup>-y<sup>2</sup>,xy</sub>, और D<sub>xz,yz</sub>. इनमें से केवल D<sub>z<sup>2</sup></sub> भरा है, यह 1.9eV के बैंडगैप के साथ [[सेमीकंडक्टर|अर्धचालक]] में विभाजित होने के कारण प्राप्त होने वाले परिणामों के साथ संयुक्त है।<ref>{{Cite journal |last1=Splendiani |first1=Andrea |last2=Sun |first2=Liang |last3=Zhang |first3=Yuanbo |last4=Li |first4=Tianshu |last5=Kim |first5=Jonghwan |last6=Chim |first6=Chi-Yung |last7=Galli |first7=Giulia |last8=Wang |first8=Feng |date=2010-04-14 |title=Emerging Photoluminescence in Monolayer MoS 2 |url=https://pubs.acs.org/doi/10.1021/nl903868w |journal=Nano Letters |language=en |volume=10 |issue=4 |pages=1271–1275 |doi=10.1021/nl903868w |pmid=20229981 |bibcode=2010NanoL..10.1271S |issn=1530-6984}}</ref> 1T<sub>2</sub>, दूसरी ओर, आंशिक रूप से भरे हुए D-ऑर्बिटल्स हैं जो इसे [[धातु]] का लक्षण देते हैं।
+क्योंकि संरचना में इन-प्लेन सहसंयोजक बंधन और इंटर-परत वैन डेर वाल्स बल होते हैं, मोनोपरत टीएमडी के इलेक्ट्रॉनिक गुण अत्यधिक अनिसोट्रोपिक होते हैं। उदाहरण के लिए, MoS की चालकता<sub>2</sub> तलीय परत के समानांतर दिशा में (0.1–1 ओम<sup>-1</sup>सेमी<sup>-1</sup>) परतों के लंबवत चालकता से ~2200 गुना बड़ा है।<ref>{{Cite journal |last=Tributsch |first=H. |date=1977 |title=लेयर-टाइप ट्रांजिशन मेटल डाइक्लोजेनाइड्स - इलेक्ट्रोकेमिकल सोलर सेल के लिए इलेक्ट्रोड का एक नया वर्ग|url=https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/bbpc.19770810403 |journal=Berichte der Bunsengesellschaft für physikalische Chemie |language=en |volume=81 |issue=4 |pages=361–369 |doi=10.1002/bbpc.19770810403}}</ref> इस प्रकार बल्क सामग्री की तुलना में मोनोपरत के गुणों में भी अंतर हैं: कमरे के तापमान पर [[इलेक्ट्रॉन गतिशीलता]] गतिशीलता मोनोपरत 2H MoS<sub>2</sub> के लिए काफी कम है। (0.1-10 सेमी<sup>2 V<sup>-1 S<sup>-1) बल्क MoS<sub>2</sub> की तुलना में (100-500 सेमी<sup>2 V<sup>-1 S<sup>-1)  यह अंतर मुख्य रूप से मोनोपरत और उस पर जमा होने वाले सब्सट्रेट के बीच चार्ज ट्रैप के कारण उत्पन्न होता है।<ref>{{Cite journal |last1=Fivaz |first1=R. |last2=Mooser |first2=E. |date=1967-11-15 |title=अर्धचालक परत संरचनाओं में आवेश वाहकों की गतिशीलता|url=https://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.163.743 |journal=Physical Review |language=en |volume=163 |issue=3 |pages=743–755 |doi=10.1103/PhysRev.163.743 |issn=0031-899X}}</ref>
-क्योंकि संरचना में इन-प्लेन सहसंयोजक बंधन और इंटर-परत वैन डेर वाल्स बल होते हैं, मोनोपरत टीएमडी के इलेक्ट्रॉनिक गुण अत्यधिक अनिसोट्रोपिक होते हैं। उदाहरण के लिए, MoS की चालकता<sub>2</sub> तलीय परत के समानांतर दिशा में (0.1–1 ओम<sup>-1</sup>सेमी<sup>-1</sup>) परतों के लंबवत चालकता से ~2200 गुना बड़ा है।<ref>{{Cite journal |last=Tributsch |first=H. |date=1977 |title=लेयर-टाइप ट्रांजिशन मेटल डाइक्लोजेनाइड्स - इलेक्ट्रोकेमिकल सोलर सेल के लिए इलेक्ट्रोड का एक नया वर्ग|url=https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/bbpc.19770810403 |journal=Berichte der Bunsengesellschaft für physikalische Chemie |language=en |volume=81 |issue=4 |pages=361–369 |doi=10.1002/bbpc.19770810403}}</ref> इस प्रकार बल्क सामग्री की तुलना में मोनोपरत के गुणों में भी अंतर हैं: कमरे के तापमान पर [[इलेक्ट्रॉन गतिशीलता]] गतिशीलता मोनोपरत 2H MoS<sub>2</sub> के लिए काफी कम है। (0.1-10 सेमी<sup>2 वी<sup>-1एस<sup>-1) बल्क MoS की तुलना में<sub>2</sub> (100-500 सेमी<sup>2 वी<sup>-1एस<sup>-1). यह अंतर मुख्य रूप से मोनोपरत और उस पर जमा होने वाले सब्सट्रेट के बीच चार्ज ट्रैप के कारण उत्पन्न होता है।<ref>{{Cite journal |last1=Fivaz |first1=R. |last2=Mooser |first2=E. |date=1967-11-15 |title=अर्धचालक परत संरचनाओं में आवेश वाहकों की गतिशीलता|url=https://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.163.743 |journal=Physical Review |language=en |volume=163 |issue=3 |pages=743–755 |doi=10.1103/PhysRev.163.743 |issn=0031-899X}}</ref>
+NO<sub>2</sub> (इलेक्ट्रो) कटैलिसीस में महत्वपूर्ण अनुप्रयोग हैं। इस प्रकार अन्य द्वि-आयामी सामग्रियों की तरह, गुण अत्यधिक ज्यामिति-निर्भर हो सकते हैं, MoS<sub>2</sub> की सतह उत्प्रेरक रूप से निष्क्रिय है, अपितु किनारे उत्प्रेरित प्रतिक्रियाओं के लिए सक्रिय साइटों के रूप में कार्य कर सकते हैं।<ref name=":1">{{Cite journal |last1=Salazar |first1=Norberto |last2=Rangarajan |first2=Srinivas |last3=Rodríguez-Fernández |first3=Jonathan |last4=Mavrikakis |first4=Manos |last5=Lauritsen |first5=Jeppe V. |date=2020-08-31 |title=Site-dependent reactivity of MoS2 nanoparticles in hydrodesulfurization of thiophene |journal=Nature Communications |language=en |volume=11 |issue=1 |pages=4369 |doi=10.1038/s41467-020-18183-4 |issn=2041-1723 |pmc=7459117 |pmid=32868769}}</ref> इस कारण से, डिवाइस इंजीनियरिंग और निर्माण में उत्प्रेरक सतह क्षेत्र को अधिकतम करने के लिए विचार सम्मलित हो सकते हैं, इस प्रकार उदाहरण के लिए बड़ी शीट्स के अतिरिक्त छोटे नैनोकणों का उपयोग करके<ref name=":1" /> या क्षैतिज के अतिरिक्त लंबवत रूप से जमा करना।<ref>{{Cite journal |last1=Kong |first1=Desheng |last2=Wang |first2=Haotian |last3=Cha |first3=Judy J. |last4=Pasta |first4=Mauro |last5=Koski |first5=Kristie J. |last6=Yao |first6=Jie |last7=Cui |first7=Yi |date=2013-03-13 |title=Synthesis of MoS 2 and MoSe 2 Films with Vertically Aligned Layers |url=https://pubs.acs.org/doi/10.1021/nl400258t |journal=Nano Letters |language=en |volume=13 |issue=3 |pages=1341–1347 |doi=10.1021/nl400258t |pmid=23387444 |issn=1530-6984}}</ref> इस प्रकार उत्प्रेरक दक्षता भी चरण पर दृढ़ता से निर्भर करती है: इस प्रकार 2H MoS<sub>2</sub> के उपरोक्त इलेक्ट्रॉनिक गुण इसे कटैलिसीस अनुप्रयोगों के लिए खराब उम्मीदवार बनाते हैं, अपितु इन मुद्दों को धात्विक (1T) चरण में संक्रमण के माध्यम से रोका जा सकता है। इस प्रकार 1T चरण में 10 mA/cm<sup>2 के धारा घनत्व के साथ अधिक उपयुक्त गुण हैं, इस प्रकार RHE के सापेक्ष -187 mV की अतिविभव, और इस प्रकार 43 mV/दशक का टैफेल समीकरण 2H चरण के लिए 94 mV/दशक की तुलना में हो सकते हैं।<sup><ref>{{Cite journal |last1=Lukowski |first1=Mark A. |last2=Daniel |first2=Andrew S. |last3=Meng |first3=Fei |last4=Forticaux |first4=Audrey |last5=Li |first5=Linsen |last6=Jin |first6=Song |date=2013-07-17 |title=Enhanced Hydrogen Evolution Catalysis from Chemically Exfoliated Metallic MoS 2 Nanosheets |url=https://pubs.acs.org/doi/10.1021/ja404523s |journal=Journal of the American Chemical Society |language=en |volume=135 |issue=28 |pages=10274–10277 |doi=10.1021/ja404523s |pmid=23790049 |issn=0002-7863}}</ref><ref>{{Cite journal |last1=Zhang |first1=Wencui |last2=Liao |first2=Xiaobin |last3=Pan |first3=Xuelei |last4=Yan |first4=Mengyu |last5=Li |first5=Yanxi |last6=Tian |first6=Xiaocong |last7=Zhao |first7=Yan |last8=Xu |first8=Lin |last9=Mai |first9=Liqiang |date=2019 |title=Superior Hydrogen Evolution Reaction Performance in 2H-MoS 2 to that of 1T Phase |url=https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/smll.201900964 |journal=Small |language=en |volume=15 |issue=31 |pages=1900964 |doi=10.1002/smll.201900964 |pmid=31211511 |s2cid=190523589 |issn=1613-6810}}</ref>
-नहीं<sub>2</sub> (इलेक्ट्रो) कटैलिसीस में महत्वपूर्ण अनुप्रयोग हैं। इस प्रकार अन्य द्वि-आयामी सामग्रियों की तरह, गुण अत्यधिक ज्यामिति-निर्भर हो सकते हैं; MoS की सतह<sub>2</sub> उत्प्रेरक रूप से निष्क्रिय है, अपितु किनारे उत्प्रेरित प्रतिक्रियाओं के लिए सक्रिय साइटों के रूप में कार्य कर सकते हैं।<ref name=":1">{{Cite journal |last1=Salazar |first1=Norberto |last2=Rangarajan |first2=Srinivas |last3=Rodríguez-Fernández |first3=Jonathan |last4=Mavrikakis |first4=Manos |last5=Lauritsen |first5=Jeppe V. |date=2020-08-31 |title=Site-dependent reactivity of MoS2 nanoparticles in hydrodesulfurization of thiophene |journal=Nature Communications |language=en |volume=11 |issue=1 |pages=4369 |doi=10.1038/s41467-020-18183-4 |issn=2041-1723 |pmc=7459117 |pmid=32868769}}</ref> इस कारण से, डिवाइस इंजीनियरिंग और निर्माण में उत्प्रेरक सतह क्षेत्र को अधिकतम करने के लिए विचार सम्मलित हो सकते हैं, उदाहरण के लिए बड़ी शीट्स के अतिरिक्त छोटे नैनोकणों का उपयोग करके<ref name=":1" />या चादरें क्षैतिज के अतिरिक्त लंबवत रूप से जमा करना।<ref>{{Cite journal |last1=Kong |first1=Desheng |last2=Wang |first2=Haotian |last3=Cha |first3=Judy J. |last4=Pasta |first4=Mauro |last5=Koski |first5=Kristie J. |last6=Yao |first6=Jie |last7=Cui |first7=Yi |date=2013-03-13 |title=Synthesis of MoS 2 and MoSe 2 Films with Vertically Aligned Layers |url=https://pubs.acs.org/doi/10.1021/nl400258t |journal=Nano Letters |language=en |volume=13 |issue=3 |pages=1341–1347 |doi=10.1021/nl400258t |pmid=23387444 |issn=1530-6984}}</ref> इस प्रकार उत्प्रेरक दक्षता भी चरण पर दृढ़ता से निर्भर करती है: 2H MoS के उपरोक्त इलेक्ट्रॉनिक गुण<sub>2</sub> इसे कटैलिसीस अनुप्रयोगों के लिए खराब उम्मीदवार बनाते हैं, अपितु इन मुद्दों को धात्विक (1T) चरण में संक्रमण के माध्यम से रोका जा सकता है। इस प्रकार 1T चरण में 10 mA/cm के वर्तमान घनत्व के साथ अधिक उपयुक्त गुण हैं<sup>2, RHE के सापेक्ष -187 mV की अतिविभव, और 43 mV/दशक का टैफेल समीकरण (2H चरण के लिए 94 mV/दशक की तुलना में)।<ref>{{Cite journal |last1=Lukowski |first1=Mark A. |last2=Daniel |first2=Andrew S. |last3=Meng |first3=Fei |last4=Forticaux |first4=Audrey |last5=Li |first5=Linsen |last6=Jin |first6=Song |date=2013-07-17 |title=Enhanced Hydrogen Evolution Catalysis from Chemically Exfoliated Metallic MoS 2 Nanosheets |url=https://pubs.acs.org/doi/10.1021/ja404523s |journal=Journal of the American Chemical Society |language=en |volume=135 |issue=28 |pages=10274–10277 |doi=10.1021/ja404523s |pmid=23790049 |issn=0002-7863}}</ref><ref>{{Cite journal |last1=Zhang |first1=Wencui |last2=Liao |first2=Xiaobin |last3=Pan |first3=Xuelei |last4=Yan |first4=Mengyu |last5=Li |first5=Yanxi |last6=Tian |first6=Xiaocong |last7=Zhao |first7=Yan |last8=Xu |first8=Lin |last9=Mai |first9=Liqiang |date=2019 |title=Superior Hydrogen Evolution Reaction Performance in 2H-MoS 2 to that of 1T Phase |url=https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/smll.201900964 |journal=Small |language=en |volume=15 |issue=31 |pages=1900964 |doi=10.1002/smll.201900964 |pmid=31211511 |s2cid=190523589 |issn=1613-6810}}</ref>
 == ग्रैफाणे ==
-{{Further|ग्रैफाणे}}[[File:graphane.png|thumb|ग्रैफाणे]]जबकि ग्राफीन में हेक्सागोनल मधुकोश जाली संरचना होती है, जिसमें वैकल्पिक रूप से इसके एसपी से निकलने वाले डबल-बॉन्ड होते हैं।<sup>2</sup>-बंधित कार्बन, ग्रैफेन, अभी भी हेक्सागोनल संरचना को बनाए रखता है, हर sp के साथ ग्राफीन का पूरी तरह से हाइड्रोजनीकृत संस्करण है<sup>3</sup>-संकरित कार्बन हाइड्रोजन से जुड़ा हुआ है ((CH) का रासायनिक सूत्र<sub>n</sub>). इसके अतिरिक्त, जबकि ग्राफीन अपनी डबल-बॉन्ड प्रकृति के कारण प्लेनर है, ग्राफीन बीहड़ है, जिसमें हेक्सागोन कुर्सी या नाव जैसे विभिन्न आउट-ऑफ-प्लेन स्ट्रक्चरल कंफर्मर्स को अपनाते हैं, आदर्श 109.5 ° कोणों की अनुमति देने के लिए जो रिंग स्ट्रेन को कम करते हैं, में साइक्लोहेक्सेन के कन्फ़र्मर्स के लिए सीधा सादृश्य।<ref>{{Cite journal |last1=Pumera |first1=Martin |last2=Wong |first2=Colin Hong An |date=2013 |title=ग्रेफेन और हाइड्रोजनीकृत ग्राफीन|url=http://xlink.rsc.org/?DOI=c3cs60132c |journal=Chemical Society Reviews |language=en |volume=42 |issue=14 |pages=5987–5995 |doi=10.1039/c3cs60132c |pmid=23686139 |issn=0306-0012}}</ref> ग्रैफेन को पहली बार 2003 में प्रमेयित किया गया था,<ref>{{Cite journal |last1=Sluiter |first1=Marcel H. F. |last2=Kawazoe |first2=Yoshiyuki |date=2003-08-21 |title=Cluster expansion method for adsorption: Application to hydrogen chemisorption on graphene |url=https://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.68.085410 |journal=Physical Review B |language=en |volume=68 |issue=8 |pages=085410 |doi=10.1103/PhysRevB.68.085410 |issn=0163-1829}}</ref> 2007 में पहले सिद्धांतों ऊर्जा गणनाओं का उपयोग करके स्थिर दिखाया गया था,<ref>{{Cite journal |last1=Sofo |first1=Jorge O. |last2=Chaudhari |first2=Ajay S. |last3=Barber |first3=Greg D. |date=2007-04-10 |title=Graphane: A two-dimensional hydrocarbon |url=https://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.75.153401 |journal=Physical Review B |language=en |volume=75 |issue=15 |pages=153401 |doi=10.1103/PhysRevB.75.153401 |arxiv=cond-mat/0606704 |s2cid=101537520 |issn=1098-0121}}</ref> और इस प्रकार पहली बार प्रयोगात्मक रूप से 2009 में संश्लेषित किया गया था।<ref>{{Cite journal |last1=Elias |first1=D. C. |last2=Nair |first2=R. R. |last3=Mohiuddin |first3=T. M. G. |last4=Morozov |first4=S. V. |last5=Blake |first5=P. |last6=Halsall |first6=M. P. |last7=Ferrari |first7=A. C. |last8=Boukhvalov |first8=D. W. |last9=Katsnelson |first9=M. I. |last10=Geim |first10=A. K. |last11=Novoselov |first11=K. S. |date=2009-01-30 |title=Control of Graphene's Properties by Reversible Hydrogenation: Evidence for Graphane |url=https://www.science.org/doi/10.1126/science.1167130 |journal=Science |language=en |volume=323 |issue=5914 |pages=610–613 |doi=10.1126/science.1167130 |pmid=19179524 |arxiv=0810.4706 |bibcode=2009Sci...323..610E |s2cid=3536592 |issn=0036-8075}}</ref> इस प्रकार ग्रेफेन बनाने के लिए विभिन्न प्रायोगिक मार्ग उपलब्ध हैं, इस प्रकार जिसमें प्लाज़्मा/हाइड्रोजन गैस का उपयोग करके ग्रेफाइट के घोल में कमी या ग्रेफाइट के हाइड्रोजनीकरण के साथ-साथ रासायनिक वाष्प जमाव के नीचे-ऊपर के दृष्टिकोण सहित टॉप-डाउन दृष्टिकोण सम्मलित हैं।<ref>{{Cite journal |last1=Pumera |first1=Martin |last2=Wong |first2=Colin Hong An |date=2013 |title=ग्रेफेन और हाइड्रोजनीकृत ग्राफीन|url=http://xlink.rsc.org/?DOI=c3cs60132c |journal=Chemical Society Reviews |language=en |volume=42 |issue=14 |pages=5987–5995 |doi=10.1039/c3cs60132c |pmid=23686139 |issn=0306-0012}}</ref> ग्रैफेन इंसुलेटर है, जिसमें 3.5 eV का अनुमानित बैंड गैप है;<ref>{{Cite journal |last1=Zhou |first1=Chao |last2=Chen |first2=Sihao |last3=Lou |first3=Jianzhong |last4=Wang |first4=Jihu |last5=Yang |first5=Qiujie |last6=Liu |first6=Chuanrong |last7=Huang |first7=Dapeng |last8=Zhu |first8=Tonghe |date=2014-01-13 |title=Graphene's cousin: the present and future of graphane |url=https://doi.org/10.1186/1556-276X-9-26 |journal=Nanoscale Research Letters |volume=9 |issue=1 |pages=26 |doi=10.1186/1556-276X-9-26 |issn=1556-276X |pmc=3896693 |pmid=24417937}}</ref> चूंकि आंशिक रूप से हाइड्रोजनीकृत ग्राफीन अर्ध-चालक है, जिसमें बैंड गैप को हाइड्रोजनीकरण की डिग्री द्वारा नियंत्रित किया जाता है।<ref>{{Cite journal |last1=Pumera |first1=Martin |last2=Wong |first2=Colin Hong An |date=2013 |title=ग्रेफेन और हाइड्रोजनीकृत ग्राफीन|url=http://xlink.rsc.org/?DOI=c3cs60132c |journal=Chemical Society Reviews |language=en |volume=42 |issue=14 |pages=5987–5995 |doi=10.1039/c3cs60132c |pmid=23686139 |issn=0306-0012}}</ref>
+{{Further|ग्रैफाणे}}[[File:graphane.png|thumb|ग्रैफाणे]]जबकि ग्राफीन में हेक्सागोनल मधुकोश संरचना होती है, जिसमें वैकल्पिक रूप से इसके एसपी से निकलने वाले डबल-बॉन्ड होते हैं।<sup>2</sup>-बंधित कार्बन, ग्रैफेन, अभी भी हेक्सागोनल संरचना को बनाए रखता है, इस प्रकार sp के साथ ग्राफीन का पूरी तरह से हाइड्रोजनीकृत संस्करण है<sup>3</sup>-संकरित कार्बन हाइड्रोजन से जुड़ा हुआ है ((CH) का रासायनिक सूत्र<sub>n</sub>). इसके अतिरिक्त, जबकि ग्राफीन अपनी डबल-बॉन्ड प्रकृति के कारण प्लेनर है, ग्राफीन बीहड़ है, जिसमें हेक्सागोन कुर्सी या नाव जैसे विभिन्न आउट-ऑफ-प्लेन स्ट्रक्चरल कंफर्मर्स को अपनाते हैं, आदर्श 109.5° कोणों की अनुमति देने के लिए जो रिंग स्ट्रेन को कम करते हैं, में साइक्लोहेक्सेन के कन्फ़र्मर्स के लिए सीधा सादृश्य किया गया था।<ref>{{Cite journal |last1=Pumera |first1=Martin |last2=Wong |first2=Colin Hong An |date=2013 |title=ग्रेफेन और हाइड्रोजनीकृत ग्राफीन|url=http://xlink.rsc.org/?DOI=c3cs60132c |journal=Chemical Society Reviews |language=en |volume=42 |issue=14 |pages=5987–5995 |doi=10.1039/c3cs60132c |pmid=23686139 |issn=0306-0012}}</ref> ग्रैफेन को पहली बार 2003 में प्रमेयित किया गया था,<ref>{{Cite journal |last1=Sluiter |first1=Marcel H. F. |last2=Kawazoe |first2=Yoshiyuki |date=2003-08-21 |title=Cluster expansion method for adsorption: Application to hydrogen chemisorption on graphene |url=https://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.68.085410 |journal=Physical Review B |language=en |volume=68 |issue=8 |pages=085410 |doi=10.1103/PhysRevB.68.085410 |issn=0163-1829}}</ref> इस प्रकार 2007 में पहले सिद्धांतों ऊर्जा गणनाओं का उपयोग करके स्थिर दिखाया गया था,<ref>{{Cite journal |last1=Sofo |first1=Jorge O. |last2=Chaudhari |first2=Ajay S. |last3=Barber |first3=Greg D. |date=2007-04-10 |title=Graphane: A two-dimensional hydrocarbon |url=https://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.75.153401 |journal=Physical Review B |language=en |volume=75 |issue=15 |pages=153401 |doi=10.1103/PhysRevB.75.153401 |arxiv=cond-mat/0606704 |s2cid=101537520 |issn=1098-0121}}</ref> और इस प्रकार पहली बार प्रयोगात्मक रूप से 2009 में संश्लेषित किया गया था।<ref>{{Cite journal |last1=Elias |first1=D. C. |last2=Nair |first2=R. R. |last3=Mohiuddin |first3=T. M. G. |last4=Morozov |first4=S. V. |last5=Blake |first5=P. |last6=Halsall |first6=M. P. |last7=Ferrari |first7=A. C. |last8=Boukhvalov |first8=D. W. |last9=Katsnelson |first9=M. I. |last10=Geim |first10=A. K. |last11=Novoselov |first11=K. S. |date=2009-01-30 |title=Control of Graphene's Properties by Reversible Hydrogenation: Evidence for Graphane |url=https://www.science.org/doi/10.1126/science.1167130 |journal=Science |language=en |volume=323 |issue=5914 |pages=610–613 |doi=10.1126/science.1167130 |pmid=19179524 |arxiv=0810.4706 |bibcode=2009Sci...323..610E |s2cid=3536592 |issn=0036-8075}}</ref> इस प्रकार ग्रेफेन बनाने के लिए विभिन्न प्रायोगिक मार्ग उपलब्ध हैं, इस प्रकार जिसमें प्लाज़्मा/हाइड्रोजन गैस का उपयोग करके ग्रेफाइट के घोल में कमी या ग्रेफाइट के हाइड्रोजनीकरण के साथ-साथ रासायनिक वाष्प जमाव के नीचे-ऊपर के दृष्टिकोण सहित टॉप-डाउन दृष्टिकोण सम्मलित हैं।<ref>{{Cite journal |last1=Pumera |first1=Martin |last2=Wong |first2=Colin Hong An |date=2013 |title=ग्रेफेन और हाइड्रोजनीकृत ग्राफीन|url=http://xlink.rsc.org/?DOI=c3cs60132c |journal=Chemical Society Reviews |language=en |volume=42 |issue=14 |pages=5987–5995 |doi=10.1039/c3cs60132c |pmid=23686139 |issn=0306-0012}}</ref> इस प्रकार ग्रैफेन इंसुलेटर है, जिसमें 3.5 eV का अनुमानित बैंड गैप है,<ref>{{Cite journal |last1=Zhou |first1=Chao |last2=Chen |first2=Sihao |last3=Lou |first3=Jianzhong |last4=Wang |first4=Jihu |last5=Yang |first5=Qiujie |last6=Liu |first6=Chuanrong |last7=Huang |first7=Dapeng |last8=Zhu |first8=Tonghe |date=2014-01-13 |title=Graphene's cousin: the present and future of graphane |url=https://doi.org/10.1186/1556-276X-9-26 |journal=Nanoscale Research Letters |volume=9 |issue=1 |pages=26 |doi=10.1186/1556-276X-9-26 |issn=1556-276X |pmc=3896693 |pmid=24417937}}</ref> चूंकि आंशिक रूप से हाइड्रोजनीकृत ग्राफीन अर्ध-चालक है, जिसमें बैंड गैप को हाइड्रोजनीकरण की डिग्री द्वारा नियंत्रित किया जाता है।<ref>{{Cite journal |last1=Pumera |first1=Martin |last2=Wong |first2=Colin Hong An |date=2013 |title=ग्रेफेन और हाइड्रोजनीकृत ग्राफीन|url=http://xlink.rsc.org/?DOI=c3cs60132c |journal=Chemical Society Reviews |language=en |volume=42 |issue=14 |pages=5987–5995 |doi=10.1039/c3cs60132c |pmid=23686139 |issn=0306-0012}}</ref>
 जर्मन
-जर्मनेन जर्मेनियम से बना एकल-परत क्रिस्टल है जिसमें प्रत्येक परमाणु के लिए जेड-दिशा में हाइड्रोजन बंध होता है।<ref name=Bianco2013>{{Cite journal | last1 = Bianco | first1 = E. | last2 = Butler | first2 = S. | last3 = Jiang | first3 = S. | last4 = Restrepo | first4 = O. D. | last5 = Windl | first5 = W. | last6 = Goldberger | first6 = J. E. | title = Stability and Exfoliation of Germanane: A Germanium Graphane Analogue | doi = 10.1021/nn4009406 | journal = ACS Nano | pages = 4414–21 | year = 2013 | pmid = 23506286| volume=7| issue = 5 | hdl = 1811/54792 | hdl-access = free }}</ref> जर्मनेन की संरचना ग्राफीन के समान है,<ref>{{cite journal|last1=Garcia|first1=J. C.|last2=de Lima|first2=D. B.|last3=Assali|first3=L. V. C.|last4=Justo|first4=J. F.|title=समूह IV ग्राफीन- और ग्राफीन-जैसी नैनोशीट|journal=J. Phys. Chem. C|year=2011|volume=115|issue=27|pages=13242–13246|doi=10.1021/jp203657w|arxiv=1204.2875|s2cid=98682200}}</ref> बल्क जर्मेनियम इस संरचना को नहीं अपनाता है। जर्मनेन [[[[कैल्शियम]] जर्मेनाइड]] से शुरू होने वाले दो-चरणीय मार्ग में निर्मित होता है। इस प्रकार इस सामग्री से, अनुभभार्य सूत्र GeH के साथ स्तरित ठोस देने के लिए कैल्शियम (Ca) को [[HCl]] के साथ डी-इंटरकलेशन (रसायन विज्ञान) द्वारा हटा दिया जाता है।<ref name=kurz>{{cite web|url=http://www.kurzweilai.net/germanane-may-replace-silicon-for-lighter-faster-electronics |title='जर्मनेन' हल्के, तेज इलेक्ट्रॉनिक्स के लिए सिलिकॉन की जगह ले सकता है|publisher=KurzweilAI |access-date=2013-04-12}}</ref> ज़िंटल-चरण CaGe में Ca साइटें<sub>2</sub> एचसीएल समाधान में हाइड्रोजन परमाणुओं के साथ इंटरचेंज, जीएचएच और सीएसीएल का उत्पादन<sub>2</sub>.
+जर्मनेन जर्मेनियम से बना एकल-परत क्रिस्टल है जिसमें प्रत्येक परमाणु के लिए जेड-दिशा में हाइड्रोजन बंध होता है।<ref name=Bianco2013>{{Cite journal | last1 = Bianco | first1 = E. | last2 = Butler | first2 = S. | last3 = Jiang | first3 = S. | last4 = Restrepo | first4 = O. D. | last5 = Windl | first5 = W. | last6 = Goldberger | first6 = J. E. | title = Stability and Exfoliation of Germanane: A Germanium Graphane Analogue | doi = 10.1021/nn4009406 | journal = ACS Nano | pages = 4414–21 | year = 2013 | pmid = 23506286| volume=7| issue = 5 | hdl = 1811/54792 | hdl-access = free }}</ref> जर्मनेन की संरचना ग्राफीन के समान है,<ref>{{cite journal|last1=Garcia|first1=J. C.|last2=de Lima|first2=D. B.|last3=Assali|first3=L. V. C.|last4=Justo|first4=J. F.|title=समूह IV ग्राफीन- और ग्राफीन-जैसी नैनोशीट|journal=J. Phys. Chem. C|year=2011|volume=115|issue=27|pages=13242–13246|doi=10.1021/jp203657w|arxiv=1204.2875|s2cid=98682200}}</ref> इस प्रकार बल्क जर्मेनियम इस संरचना को नहीं अपनाता है। जर्मनेन [[[[कैल्शियम]] जर्मेनाइड]] से प्रारम्भ होने वाले दो-चरणीय मार्ग में निर्मित होता है। इस प्रकार इस सामग्री से सूत्र GeH के साथ स्तरित ठोस देने के लिए कैल्शियम (Ca) को [[HCl]] के साथ डी-इंटरकलेशन (रसायन विज्ञान) द्वारा हटा दिया जाता है।<ref name=kurz>{{cite web|url=http://www.kurzweilai.net/germanane-may-replace-silicon-for-lighter-faster-electronics |title='जर्मनेन' हल्के, तेज इलेक्ट्रॉनिक्स के लिए सिलिकॉन की जगह ले सकता है|publisher=KurzweilAI |access-date=2013-04-12}}</ref> ज़िंटल-चरण Ca<sub>2</sub>Ge में Ca<sub>2</sub> साइटें HCl समाधान में हाइड्रोजन परमाणुओं के साथ इंटरचेंज, जीएचएच और सीएसीएल का उत्पादन किया जाता हैं।
 == संयुक्त सतह मिश्र धातु ==
-अधिकांशतः एकल-परत सामग्री, विशेष रूप से तात्विक आवंटन, सतह मिश्र धातुओं के माध्यम से सहायक सब्सट्रेट से जुड़े होते हैं।<ref name=alloy/><ref name="Yuhara etal"/> अब तक, यह घटना सिलिसीन के लिए विभिन्न माप तकनीकों के संयोजन के माध्यम से सिद्ध हो चुकी है,<ref name=alloy/>जिसके लिए मिश्र धातु को ही तकनीक से सिद्ध करना कठिन है, और इस प्रकार इसलिए लंबे समय से इसकी उम्मीद नहीं की जा रही थी। इसलिए, द्वि-आयामी सामग्री के नीचे इस तरह की मचान सतह मिश्र अन्य द्वि-आयामी सामग्री के नीचे भी अपेक्षित हो सकती है, जो द्वि-आयामी परत के गुणों को महत्वपूर्ण रूप से प्रभावित करती है। इस प्रकार विकास के समय, मिश्रधातु द्वि-आयामी परत के लिए नींव और मचान दोनों के रूप में कार्य करती है, जिसके लिए यह मार्ग प्रशस्त करती है।<ref name=alloy/>
+अधिकांशतः एकल-परत सामग्री, विशेष रूप से तात्विक यौगिक, सतह मिश्र धातुओं के माध्यम से सहायक सब्सट्रेट से जुड़े होते हैं।<ref name=alloy/><ref name="Yuhara etal"/> अब तक, यह घटना सिलिसीन के लिए विभिन्न माप तकनीकों के संयोजन के माध्यम से सिद्ध हो चुकी है,<ref name=alloy/> जिसके लिए मिश्र धातु को ही तकनीक से सिद्ध करना कठिन है, और इस प्रकार इसलिए लंबे समय से इसकी उम्मीद नहीं की जा रही थी। इसलिए, द्वि-आयामी सामग्री के नीचे इस तरह की मचान सतह मिश्र अन्य द्वि-आयामी सामग्री के नीचे भी अपेक्षित हो सकती है, जो द्वि-आयामी परत के गुणों को महत्वपूर्ण रूप से प्रभावित करती है। इस प्रकार विकास के समय, मिश्रधातु द्वि-आयामी परत के लिए नींव और मचान दोनों के रूप में कार्य करती है, जिसके लिए यह मार्ग प्रशस्त करती है।<ref name=alloy/>
 == जैविक ==
-नी<sub>3</sub>(HITP)<sub>2</sub> उच्च सतह क्षेत्र के साथ कार्बनिक, क्रिस्टलीय, संरचनात्मक रूप से ट्यून करने योग्य विद्युत कंडक्टर है। HITP कार्बनिक रसायन (2,3,6,7,10,11-हेक्साएमिनोट्रिफेनिलीन) है। यह ग्राफीन की [[हेक्सागोनल]] मधुकोश संरचना को साझा करता है। हेक्सागोन्स के केंद्रों पर समान 2-एनएम के उद्घाटन के साथ, कई परतें स्वाभाविक रूप से पूरी तरह से संरेखित स्टैक बनाती हैं। कमरे का तापमान विद्युत चालकता ~40 सीमेंस (इकाई) सेमी<sup>-1</sup> है, बल्क ग्रेफाइट की तुलना में और किसी भी कंडक्टिंग [[ धातु-जैविक ढांचा |धातु-जैविक ढांचा]] (MOFs) के लिए उच्चतम में से एक। इसकी चालकता की तापमान निर्भरता 100 K और 500 K के बीच के तापमान पर रैखिक होती है, जो असामान्य आवेश परिवहन तंत्र का सुझाव देती है जिसे पहले [[कार्बनिक अर्धचालक]] में नहीं देखा गया है।<ref>{{Cite journal|title = High Electrical Conductivity in Ni<sub>3</sub>(2,3,6,7,10,11-hexaiminotriphenylene)<sub>2</sub>, a Semiconducting Metal–Organic Graphene Analogue|doi = 10.1021/ja502765n|journal = [[Journal of the American Chemical Society]]|year = 2014|pages = 8859–8862|volume = 136|issue = 25|pmid = 24750124|first1 = Dennis|last1 = Sheberla|first2 = Lei|last2 = Sun|first3 = Martin A.|last3 = Blood-Forsythe|first4 = Süleyman|last4 = Er|first5 = Casey R.|last5 = Wade|first6 = Carl K.|last6 = Brozek|first7 = Alán|last7 = Aspuru-Guzik|first8 = Mircea|last8 = Dincă| s2cid=5714037 |url = http://nrs.harvard.edu/urn-3:HUL.InstRepos:23597721}}</ref>
+Ni<sub>3</sub>(HITP)<sub>2</sub> उच्च सतह क्षेत्र के साथ कार्बनिक, क्रिस्टलीय, संरचनात्मक रूप से ट्यून करने योग्य विद्युत कंडक्टर है। HITP कार्बनिक रसायन (2,3,6,7,10,11-हेक्साएमिनोट्रिफेनिलीन) है। यह ग्राफीन की [[हेक्सागोनल]] मधुकोश संरचना को साझा करता है। हेक्सागोन्स के केंद्रों पर समान 2-एनएम के उद्घाटन के साथ, कई परतें स्वाभाविक रूप से पूरी तरह से संरेखित स्टैक बनाती हैं। कमरे का तापमान विद्युत चालकता ~40 सीमेंस (इकाई) सेमी<sup>-1</sup> है, बल्क ग्रेफाइट की तुलना में और किसी भी कंडक्टिंग [[ धातु-जैविक ढांचा |धातु-जैविक ढांचा]] (MOFs) के लिए उच्चतम में से एक। इसकी चालकता की तापमान निर्भरता 100 K और 500 K के बीच के तापमान पर रैखिक होती है, जो असामान्य आवेश परिवहन तंत्र का सुझाव देती है जिसे पहले [[कार्बनिक अर्धचालक]] में नहीं देखा गया है।<ref>{{Cite journal|title = High Electrical Conductivity in Ni<sub>3</sub>(2,3,6,7,10,11-hexaiminotriphenylene)<sub>2</sub>, a Semiconducting Metal–Organic Graphene Analogue|doi = 10.1021/ja502765n|journal = [[Journal of the American Chemical Society]]|year = 2014|pages = 8859–8862|volume = 136|issue = 25|pmid = 24750124|first1 = Dennis|last1 = Sheberla|first2 = Lei|last2 = Sun|first3 = Martin A.|last3 = Blood-Forsythe|first4 = Süleyman|last4 = Er|first5 = Casey R.|last5 = Wade|first6 = Carl K.|last6 = Brozek|first7 = Alán|last7 = Aspuru-Guzik|first8 = Mircea|last8 = Dincă| s2cid=5714037 |url = http://nrs.harvard.edu/urn-3:HUL.InstRepos:23597721}}</ref>
-इस प्रकार सामग्री को धातुओं और / या कार्बनिक यौगिकों को स्विच करके बनाए गए समूह का पहला होने का दावा किया गया था। सामग्री को 2 और 40 एस सेमी के चालकता मूल्यों के साथ पाउडर या फिल्म के रूप में अलग किया जा सकता है<sup>-1</sup>, क्रमशः।<ref>{{cite web|url=http://www.kurzweilai.net/a-new-self-assembling-graphene-like-material-for-flat-semiconductors |title=फ्लैट सेमीकंडक्टर्स के लिए एक नया सेल्फ-असेंबलिंग ग्राफीन जैसी सामग्री|publisher=KurzweilAI |date=2014-05-01 |access-date=2014-08-24}}</ref>
+इस प्रकार सामग्री को धातुओं और / या कार्बनिक यौगिकों को स्विच करके बनाए गए समूह का पहला होने का दावा किया गया था। इस प्रकार सामग्री को 2 और 40 s सेमी<sup>-1</sup> के चालकता मूल्यों के साथ पाउडर या फिल्म के रूप में अलग किया जा सकता है।<ref>{{cite web|url=http://www.kurzweilai.net/a-new-self-assembling-graphene-like-material-for-flat-semiconductors |title=फ्लैट सेमीकंडक्टर्स के लिए एक नया सेल्फ-असेंबलिंग ग्राफीन जैसी सामग्री|publisher=KurzweilAI |date=2014-05-01 |access-date=2014-08-24}}</ref>
 == पॉलिमर ==
-एक [[मोनोमर]] के रूप में [[ melamine |melamine]] (कार्बन और नाइट्रोजन रिंग संरचना) का उपयोग करते हुए, शोधकर्ताओं ने 2DPA-1 बनाया, 2-आयामी बहुलक शीट जो [[ हाइड्रोजन बंध |हाइड्रोजन बंध]] द्वारा साथ रखी गई थी। शीट अनायास समाधान में बनती है, जिससे पतली फिल्मों को स्पिन-लेपित किया जा सकता है। इस प्रकार पॉलिमर में स्टील की तुलना में दोगुनी शक्ति होती है, और यह [[ गोली - रोक शीशे |गोली - रोक शीशे]] की तुलना में छह गुना अधिक विरूपण बल का प्रतिरोध करता है। यह गैसों और तरल पदार्थों के लिए अभेद्य है।<ref>{{Cite web|last=Irving|first=Michael|date=2022-02-03|title="Impossible" 2D material is light as plastic and stronger than steel|url=https://newatlas.com/materials/2d-material-light-plastic-stronger-steel/|access-date=2022-02-03|website=New Atlas|language=en-US}}</ref><ref>{{Cite journal|last1=Zeng|first1=Yuwen|last2=Gordiichuk|first2=Pavlo|last3=Ichihara|first3=Takeo|last4=Zhang|first4=Ge|last5=Sandoz-Rosado|first5=Emil|last6=Wetzel|first6=Eric D.|last7=Tresback|first7=Jason|last8=Yang|first8=Jing|last9=Kozawa|first9=Daichi|last10=Yang|first10=Zhongyue|last11=Kuehne|first11=Matthias|date=2022-02-03|title=एक अतिमजबूत द्वि-आयामी बहुलक सामग्री का अपरिवर्तनीय संश्लेषण|url=https://www.nature.com/articles/s41586-021-04296-3|journal=Nature|language=en|volume=602|issue=7895|pages=91–95|doi=10.1038/s41586-021-04296-3|pmid=35110762 |bibcode=2022Natur.602...91Z |s2cid=246487991 |issn=0028-0836}}</ref>
+एक [[मोनोमर]] के रूप में [[ melamine |मेलामाइन]] (कार्बन और नाइट्रोजन रिंग संरचना) का उपयोग करते हुए, शोधकर्ताओं ने 2DPA-1 बनाया, 2-आयामी बहुलक शीट जो [[ हाइड्रोजन बंध |हाइड्रोजन बंध]] द्वारा साथ रखी गई थी। इस प्रकार शीट अनायास समाधान में बनती है, जिससे पतली फिल्मों को स्पिन-लेपित किया जा सकता है। इस प्रकार पॉलिमर में स्टील की तुलना में दोगुनी शक्ति होती है, और यह [[ गोली - रोक शीशे |गोली - रोक शीशे]] की तुलना में छह गुना अधिक विरूपण बल का प्रतिरोध करता है। यह गैसों और तरल पदार्थों के लिए अभेद्य है।<ref>{{Cite web|last=Irving|first=Michael|date=2022-02-03|title="Impossible" 2D material is light as plastic and stronger than steel|url=https://newatlas.com/materials/2d-material-light-plastic-stronger-steel/|access-date=2022-02-03|website=New Atlas|language=en-US}}</ref><ref>{{Cite journal|last1=Zeng|first1=Yuwen|last2=Gordiichuk|first2=Pavlo|last3=Ichihara|first3=Takeo|last4=Zhang|first4=Ge|last5=Sandoz-Rosado|first5=Emil|last6=Wetzel|first6=Eric D.|last7=Tresback|first7=Jason|last8=Yang|first8=Jing|last9=Kozawa|first9=Daichi|last10=Yang|first10=Zhongyue|last11=Kuehne|first11=Matthias|date=2022-02-03|title=एक अतिमजबूत द्वि-आयामी बहुलक सामग्री का अपरिवर्तनीय संश्लेषण|url=https://www.nature.com/articles/s41586-021-04296-3|journal=Nature|language=en|volume=602|issue=7895|pages=91–95|doi=10.1038/s41586-021-04296-3|pmid=35110762 |bibcode=2022Natur.602...91Z |s2cid=246487991 |issn=0028-0836}}</ref>
 == संयोजन ==
-D सामग्रियों की एकल परतों को स्तरित असेंबली में जोड़ा जा सकता है।<ref>{{cite journal |last1=Ipaves |first1=B. |last2=Justo |first2=J.F. |last3=Assali |first3=L. V. C. |title=Carbon-Related Bilayers: Nanoscale Building Blocks for Self-Assembly Nanomanufacturing |journal=J. Phys. Chem. C |date=2019 |volume=123 |issue=37 |pages=23195–23204 |doi=10.1021/acs.jpcc.9b05446|arxiv=1908.06218 |s2cid=201070776 }}</ref> उदाहरण के लिए, [[बाइलेयर ग्राफीन|बाइपरत ग्राफीन]] सामग्री है जिसमें ग्राफीन की दो परतें होती हैं। इस प्रकार बाइपरत ग्राफीन की पहली रिपोर्ट में से आंद्रे गीम और उनके सहयोगियों द्वारा 2004 के विज्ञान (जर्नल) पेपर में थी, इस प्रकार जिसमें उन्होंने उन उपकरणों का वर्णन किया था जिनमें केवल एक, दो या तीन परमाणु परतें थीं। विभिन्न 2D सामग्रियों के स्तरित संयोजनों को सामान्यतः[[वैन डेर वाल्स हेटरोस्ट्रक्चर]] कहा जाता है। इस प्रकार [[ट्विस्ट्रोनिक्स]] इस बात का अध्ययन है कि द्वि-आयामी सामग्रियों की परतों के बीच का कोण (मोड़) उनके विद्युत गुणों को कैसे बदल सकता है।
+D सामग्रियों की एकल परतों को स्तरित असेंबली में जोड़ा जा सकता है।<ref>{{cite journal |last1=Ipaves |first1=B. |last2=Justo |first2=J.F. |last3=Assali |first3=L. V. C. |title=Carbon-Related Bilayers: Nanoscale Building Blocks for Self-Assembly Nanomanufacturing |journal=J. Phys. Chem. C |date=2019 |volume=123 |issue=37 |pages=23195–23204 |doi=10.1021/acs.jpcc.9b05446|arxiv=1908.06218 |s2cid=201070776 }}</ref> उदाहरण के लिए, [[बाइलेयर ग्राफीन|बाइपरत ग्राफीन]] सामग्री है जिसमें ग्राफीन की दो परतें होती हैं। इस प्रकार बाइपरत ग्राफीन की पहली रिपोर्ट में से आंद्रे गीम और उनके सहयोगियों द्वारा 2004 के विज्ञान (जर्नल) पेपर में थी, इस प्रकार जिसमें उन्होंने उन उपकरणों का वर्णन किया था जिनमें केवल एक, दो या तीन परमाणु परतें थीं। इस प्रकार विभिन्न 2D सामग्रियों के स्तरित संयोजनों को सामान्यतः[[वैन डेर वाल्स हेटरोस्ट्रक्चर]] कहा जाता है। इस प्रकार [[ट्विस्ट्रोनिक्स]] इस बात का अध्ययन है कि द्वि-आयामी सामग्रियों की परतों के बीच का कोण (मोड़) उनके विद्युत गुणों को कैसे बदल सकता है।
 == विशेषता ==
-माइक्रोस्कोपी तकनीक जैसे [[ट्रांसमिशन इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी]],<ref name=":19">{{Cite journal|last1=Butler|first1=Sheneve Z.|last2=Hollen|first2=Shawna M.|last3=Cao|first3=Linyou|last4=Cui|first4=Yi|last5=Gupta|first5=Jay A.|last6=Gutiérrez|first6=Humberto R.|last7=Heinz|first7=Tony F.|last8=Hong|first8=Seung Sae|last9=Huang|first9=Jiaxing|title=ग्राफीन से परे दो आयामी सामग्री में प्रगति, चुनौतियाँ और अवसर|journal=ACS Nano|volume=7|issue=4|pages=2898–2926|doi=10.1021/nn400280c|pmid=23464873|year=2013}}</ref><ref>{{Cite journal|last1=Bhimanapati|first1=Ganesh R.|last2=Lin|first2=Zhong|last3=Meunier|first3=Vincent|last4=Jung|first4=Yeonwoong|last5=Cha|first5=Judy|last6=Das|first6=Saptarshi|last7=Xiao|first7=Di|last8=Son|first8=Youngwoo|author-link9=Michael Strano|last9=Strano|first9=Michael S.|title=ग्रैफेन से परे दो आयामी सामग्री में हालिया प्रगति|journal=ACS Nano|volume=9|issue=12|pages=11509–11539|doi=10.1021/acsnano.5b05556|pmid=26544756|year=2015}}</ref><ref name=":20">{{Cite journal|last1=Rao|first1=C. N. R.|last2=Nag|first2=Angshuman|date=2010-09-01|title=ग्राफीन के अकार्बनिक एनालॉग्स|journal=European Journal of Inorganic Chemistry|volume=2010|issue=27|pages=4244–4250|doi=10.1002/ejic.201000408}}</ref> 3डी [[इलेक्ट्रॉन विवर्तन]],<ref name="hovden2019">{{Cite journal|last1=Sung|first1=S.H.|last2=Schnitzer|first2=N.|last3=Brown|first3=L.|last4=Park|first4=J.|last5=Hovden|first5=R.|date=2019-06-25|title=Stacking, strain, and twist in 2D materials quantified by 3D electron diffraction|journal=Physical Review Materials|volume=3|issue=6|pages=064003|doi=10.1103/PhysRevMaterials.3.064003|bibcode=2019PhRvM...3f4003S|arxiv=1905.11354|s2cid=166228311}}</ref> [[स्कैनिंग जांच माइक्रोस्कोपी]],<ref name=":54">{{Cite journal|last1=Rao|first1=C. N. R.|last2=Ramakrishna Matte|first2=H. S. S.|last3=Maitra|first3=Urmimala|date=2013-12-09|title=अकार्बनिक स्तरित सामग्री के ग्राफीन एनालॉग्स|journal=Angewandte Chemie International Edition|volume=52|issue=50|pages=13162–13185|doi=10.1002/anie.201301548|pmid=24127325}}</ref> स्कैनिंग टनलिंग माइक्रोस्कोप,<ref name=":19" />और परमाणु-बल माइक्रोस्कोपी<ref name=":19" /><ref name=":20" /><ref name=":54" />2डी सामग्री की मोटाई और आकार को चिह्नित करने के लिए उपयोग किया जाता है। इस प्रकार विद्युत गुण और संरचनात्मक गुण जैसे रचना और दोष की विशेषता [[रमन स्पेक्ट्रोस्कोपी]] द्वारा की जाती है,<ref name=":19" /><ref name=":20" /><ref name=":54" />[[एक्स - रे क्रिस्टलोग्राफी]] | एक्स-रे विवर्तन,<ref name=":19" /><ref name=":20" />और [[एक्स - रे फ़ोटोइलैक्ट्रॉन स्पेक्ट्रोस्कोपी]]<ref name=":133">{{Cite journal|date=2015-01-01|title=अकार्बनिक ग्राफीन एनालॉग्स|journal=[[Annual Review of Materials Research]]|volume=45|issue=1|pages=29–62|doi=10.1146/annurev-matsci-070214-021141|bibcode=2015AnRMS..45...29R|last1=Rao|first1=C. N. R|last2=Maitra|first2=Urmimala}}</ref>
+माइक्रोस्कोपी तकनीक जैसे [[ट्रांसमिशन इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी]],<ref name=":19">{{Cite journal|last1=Butler|first1=Sheneve Z.|last2=Hollen|first2=Shawna M.|last3=Cao|first3=Linyou|last4=Cui|first4=Yi|last5=Gupta|first5=Jay A.|last6=Gutiérrez|first6=Humberto R.|last7=Heinz|first7=Tony F.|last8=Hong|first8=Seung Sae|last9=Huang|first9=Jiaxing|title=ग्राफीन से परे दो आयामी सामग्री में प्रगति, चुनौतियाँ और अवसर|journal=ACS Nano|volume=7|issue=4|pages=2898–2926|doi=10.1021/nn400280c|pmid=23464873|year=2013}}</ref><ref>{{Cite journal|last1=Bhimanapati|first1=Ganesh R.|last2=Lin|first2=Zhong|last3=Meunier|first3=Vincent|last4=Jung|first4=Yeonwoong|last5=Cha|first5=Judy|last6=Das|first6=Saptarshi|last7=Xiao|first7=Di|last8=Son|first8=Youngwoo|author-link9=Michael Strano|last9=Strano|first9=Michael S.|title=ग्रैफेन से परे दो आयामी सामग्री में हालिया प्रगति|journal=ACS Nano|volume=9|issue=12|pages=11509–11539|doi=10.1021/acsnano.5b05556|pmid=26544756|year=2015}}</ref><ref name=":20">{{Cite journal|last1=Rao|first1=C. N. R.|last2=Nag|first2=Angshuman|date=2010-09-01|title=ग्राफीन के अकार्बनिक एनालॉग्स|journal=European Journal of Inorganic Chemistry|volume=2010|issue=27|pages=4244–4250|doi=10.1002/ejic.201000408}}</ref> 3डी [[इलेक्ट्रॉन विवर्तन]],<ref name="hovden2019">{{Cite journal|last1=Sung|first1=S.H.|last2=Schnitzer|first2=N.|last3=Brown|first3=L.|last4=Park|first4=J.|last5=Hovden|first5=R.|date=2019-06-25|title=Stacking, strain, and twist in 2D materials quantified by 3D electron diffraction|journal=Physical Review Materials|volume=3|issue=6|pages=064003|doi=10.1103/PhysRevMaterials.3.064003|bibcode=2019PhRvM...3f4003S|arxiv=1905.11354|s2cid=166228311}}</ref> [[स्कैनिंग जांच माइक्रोस्कोपी]],<ref name=":54">{{Cite journal|last1=Rao|first1=C. N. R.|last2=Ramakrishna Matte|first2=H. S. S.|last3=Maitra|first3=Urmimala|date=2013-12-09|title=अकार्बनिक स्तरित सामग्री के ग्राफीन एनालॉग्स|journal=Angewandte Chemie International Edition|volume=52|issue=50|pages=13162–13185|doi=10.1002/anie.201301548|pmid=24127325}}</ref> स्कैनिंग टनलिंग माइक्रोस्कोप,<ref name=":19" />और परमाणु-बल माइक्रोस्कोपी<ref name=":19" /><ref name=":20" /><ref name=":54" /> 2डी सामग्री की मोटाई और आकार को चिह्नित करने के लिए उपयोग किया जाता है। इस प्रकार विद्युत गुण और संरचनात्मक गुण जैसे रचना और दोष की विशेषता [[रमन स्पेक्ट्रोस्कोपी]] द्वारा की जाती है,<ref name=":19" /><ref name=":20" /><ref name=":54" /> [[एक्स - रे क्रिस्टलोग्राफी]] या एक्स-रे विवर्तन,<ref name=":19" /><ref name=":20" />और [[एक्स - रे फ़ोटोइलैक्ट्रॉन स्पेक्ट्रोस्कोपी]] का उपयोग किया  जाता हैं।<ref name=":133">{{Cite journal|date=2015-01-01|title=अकार्बनिक ग्राफीन एनालॉग्स|journal=[[Annual Review of Materials Research]]|volume=45|issue=1|pages=29–62|doi=10.1146/annurev-matsci-070214-021141|bibcode=2015AnRMS..45...29R|last1=Rao|first1=C. N. R|last2=Maitra|first2=Urmimala}}</ref>
 === यांत्रिक लक्षण वर्णन ===
 कई 2डी सामग्रियों में सम्मलित परिवेशी प्रतिक्रियाशीलता और सब्सट्रेट बाधाओं के कारण 2डी सामग्रियों का यांत्रिक लक्षण वर्णन मुश्किल है। इसके लिए, आणविक गतिशीलता सिमुलेशन या [[आणविक यांत्रिकी]] सिमुलेशन का उपयोग करके कई यांत्रिक गुणों की गणना की जाती है। इस प्रकार प्रायोगिक यांत्रिक लक्षण वर्णन 2डी सामग्रियों में संभव है जो प्रायोगिक सेटअप की स्थितियों में जीवित रह सकते हैं और साथ ही उपयुक्त सबस्ट्रेट्स पर जमा किए जा सकते हैं या मुक्त रूप में सम्मलित हो सकते हैं। इस प्रकार कई 2डी सामग्रियों में विमान के बाहर की विकृति भी होती है जो माप को और जटिल बनाती है।<ref>{{Cite journal |last1=Androulidakis |first1=Charalampos |last2=Zhang |first2=Kaihao |last3=Robertson |first3=Matthew |last4=Tawfick |first4=Sameh |date=2018-06-13 |title=Tailoring the mechanical properties of 2D materials and heterostructures |url=https://iopscience.iop.org/article/10.1088/2053-1583/aac764 |journal=2D Materials |volume=5 |issue=3 |pages=032005 |doi=10.1088/2053-1583/aac764 |bibcode=2018TDM.....5c2005A |s2cid=139728037 |issn=2053-1583}}</ref>
-[[ nanoindentation |नैनो इंडेंटेशन]] परीक्षण सामान्यतः2डी सामग्री के लोचदार मॉड्यूलस, [[कठोरता]] और [[ भंग |भंग]] को प्रयोगात्मक रूप से मापने के लिए प्रयोग किया जाता है। इस प्रकार इन सीधे मापा मूल्यों से, मॉडल सम्मलित हैं जो फ्रैक्चर की कठोरता, कड़ी मेहनत, अवशिष्ट तनाव और [[उपज (इंजीनियरिंग)]] के अनुमान की अनुमति देते हैं। ये प्रयोग समर्पित नैनोइंडेंटेशन उपकरण या [[परमाणु बल माइक्रोस्कोपी]] (AFM) का उपयोग करके चलाए जाते हैं। नैनोइंडेंटेशन प्रयोग सामान्यतः2डी सामग्री के साथ चलाए जाते हैं, इस प्रकार दोनों सिरों पर वेज द्वारा इंडेंटेशन का अनुभव करने वाली रेखीय पट्टी के रूप में, या 2डी सामग्री के साथ केंद्र में घुमावदार टिप द्वारा इंडेंटेशन का अनुभव करने वाली परिधि के चारों ओर गोलाकार झिल्ली के रूप में। पट्टी ज्यामिति तैयार करना मुश्किल है अपितु रैखिक परिणामी तनाव क्षेत्रों के कारण आसान विश्लेषण की अनुमति देता है। परिपत्र ड्रम जैसी ज्यामिति का अधिक सामान्यतः उपयोग किया जाता है और इसे पैटर्न वाले सब्सट्रेट पर नमूनों को एक्सफ़ोलीएटिंग करके आसानी से तैयार किया जा सकता है। इस प्रकार क्लैम्पिंग प्रक्रिया में फिल्म पर लागू होने वाले तनाव को अवशिष्ट तनाव कहा जा सकता है। 2डी सामग्री की बहुत पतली परतों के मामले में झुकने वाले तनाव को सामान्यतःइंडेंटेशन मापन में अनदेखा किया जाता है, साथ ही बहुपरत नमूनों में झुकाव तनाव प्रासंगिक हो जाता है। प्रयोगात्मक बल-विस्थापन वक्र के रैखिक और घन भागों का निर्धारण करके [[लोचदार मापांक]] और अवशिष्ट तनाव मान निकाले जा सकते हैं। इस प्रकार नमूने की विफलता पर लागू तनाव से 2डी शीट का फ्रैक्चर तनाव निकाला जाता है। इस प्रकार एएफएम टिप आकार लोचदार संपत्ति माप पर बहुत कम प्रभाव पाया गया था, अपितु ब्रेकिंग बल को टिप के शीर्ष पर तनाव एकाग्रता के कारण मजबूत टिप आकार निर्भरता पाया गया था।<ref name="auto">{{Cite journal |last1=Lee |first1=Changgu |last2=Wei |first2=Xiaoding |last3=Kysar |first3=Jeffrey W. |last4=Hone |first4=James |date=2008-07-18 |title=लोचदार गुणों का मापन और मोनोलेयर ग्राफीन की आंतरिक शक्ति|url=https://www.science.org/doi/10.1126/science.1157996 |journal=Science |language=en |volume=321 |issue=5887 |pages=385–388 |doi=10.1126/science.1157996 |pmid=18635798 |bibcode=2008Sci...321..385L |s2cid=206512830 |issn=0036-8075}}</ref> इन तकनीकों का उपयोग करते हुए ग्राफीन की लोचदार मापांक और उपज शक्ति क्रमशः 342 N/m और 55 N/m पाई गई।<ref name="auto" />
+[[ nanoindentation |नैनो इंडेंटेशन]] परीक्षण सामान्यतः2डी सामग्री के तन्यता युक्त मॉड्यूलस, [[कठोरता]] और [[ भंग |भंग]] को प्रयोगात्मक रूप से मापने के लिए प्रयोग किया जाता है। इस प्रकार इन सीधे मापा मूल्यों से, मॉडल सम्मलित हैं जो फ्रैक्चर की कठोरता, कड़ी मेहनत, अवशिष्ट तनाव और [[उपज (इंजीनियरिंग)]] के अनुमान की अनुमति देते हैं। ये प्रयोग समर्पित नैनोइंडेंटेशन उपकरण या [[परमाणु बल माइक्रोस्कोपी]] (AFM) का उपयोग करके चलाए जाते हैं। इस प्रकार नैनोइंडेंटेशन प्रयोग सामान्यतः2डी सामग्री के साथ चलाए जाते हैं, इस प्रकार दोनों सिरों पर वेज द्वारा इंडेंटेशन का अनुभव करने वाली रेखीय पट्टी के रूप में, या 2डी सामग्री के साथ केंद्र में घुमावदार टिप द्वारा इंडेंटेशन का अनुभव करने वाली परिधि के चारों ओर गोलाकार झिल्ली के रूप में। पट्टी ज्यामिति तैयार करना मुश्किल है अपितु रैखिक परिणामी तनाव क्षेत्रों के कारण आसान विश्लेषण की अनुमति देता है। इस प्रकार परिपत्र ड्रम जैसी ज्यामिति का अधिक सामान्यतः उपयोग किया जाता है और इसे पैटर्न वाले सब्सट्रेट पर नमूनों को एक्सफ़ोलीएटिंग करके आसानी से तैयार किया जा सकता है। इस प्रकार क्लैम्पिंग प्रक्रिया में फिल्म पर लागू होने वाले तनाव को अवशिष्ट तनाव कहा जा सकता है। 2डी सामग्री की बहुत पतली परतों के मामले में झुकने वाले तनाव को सामान्यतःइंडेंटेशन मापन में अनदेखा किया जाता है, साथ ही बहुपरत नमूनों में झुकाव तनाव प्रासंगिक हो जाता है। प्रयोगात्मक बल-विस्थापन वक्र के रैखिक और घन भागों का निर्धारण करके [[लोचदार मापांक|तन्यता युक्त मापांक]] और अवशिष्ट तनाव मान निकाले जा सकते हैं। इस प्रकार नमूने की विफलता पर लागू तनाव से 2डी शीट का फ्रैक्चर तनाव निकाला जाता है। इस प्रकार एएफएम टिप आकार तन्यता युक्त संपत्ति माप पर बहुत कम प्रभाव पाया गया था, अपितु ब्रेकिंग बल को टिप के शीर्ष पर तनाव एकाग्रता के कारण मजबूत टिप आकार निर्भरता पाया गया था।<ref name="auto">{{Cite journal |last1=Lee |first1=Changgu |last2=Wei |first2=Xiaoding |last3=Kysar |first3=Jeffrey W. |last4=Hone |first4=James |date=2008-07-18 |title=लोचदार गुणों का मापन और मोनोलेयर ग्राफीन की आंतरिक शक्ति|url=https://www.science.org/doi/10.1126/science.1157996 |journal=Science |language=en |volume=321 |issue=5887 |pages=385–388 |doi=10.1126/science.1157996 |pmid=18635798 |bibcode=2008Sci...321..385L |s2cid=206512830 |issn=0036-8075}}</ref> इन तकनीकों का उपयोग करते हुए ग्राफीन की तन्यता युक्त मापांक और उपज शक्ति क्रमशः 342 N/m और 55 N/m पाई जाती हैं।<ref name="auto" />
-डी सामग्री में पोइसन का अनुपात माप सामान्यतःसीधा होता है। मान प्राप्त करने के लिए, 2D शीट को तनाव में रखा जाता है और इस प्रकार विस्थापन प्रतिक्रियाओं को मापा जाता है, या एमडी गणना की जाती है। 2डी सामग्रियों में पाई जाने वाली अनूठी संरचनाओं का परिणाम फॉस्फोरिन में [[ औक्सेटिक्स |औक्सेटिक्स]] व्यवहार के रूप में पाया गया है<ref>{{Cite journal |last1=Jiang |first1=Jin-Wu |last2=Park |first2=Harold S. |date=2014-08-18 |title=सिंगल-लेयर ब्लैक फॉस्फोरस में नेगेटिव पॉइसन का अनुपात|url=https://www.nature.com/articles/ncomms5727 |journal=Nature Communications |language=en |volume=5 |issue=1 |pages=4727 |doi=10.1038/ncomms5727 |pmid=25131569 |arxiv=1403.4326 |bibcode=2014NatCo...5.4727J |s2cid=9132961 |issn=2041-1723}}</ref> और ग्राफीन<ref>{{Cite journal |last1=Jiang |first1=Jin-Wu |last2=Chang |first2=Tienchong |last3=Guo |first3=Xingming |last4=Park |first4=Harold S. |date=2016-08-10 |title=सिंगल-लेयर ग्राफीन के लिए आंतरिक नकारात्मक पोइसन का अनुपात|url=https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.6b02538 |journal=Nano Letters |language=en |volume=16 |issue=8 |pages=5286–5290 |doi=10.1021/acs.nanolett.6b02538 |pmid=27408994 |arxiv=1605.01827 |bibcode=2016NanoL..16.5286J |s2cid=33516006 |issn=1530-6984}}</ref> और त्रिकोणीय जालक बोरोफेन में शून्य का प्वासों अनुपात।<ref>{{Cite journal |last1=Zhang |first1=Zhuhua |last2=Yang |first2=Yang |last3=Penev |first3=Evgeni S. |last4=Yakobson |first4=Boris I. |date=March 2017 |title=लोच, लचीलापन और बोरोफेन की आदर्श शक्ति|journal=Advanced Functional Materials |language=en |volume=27 |issue=9 |pages=1605059 |doi=10.1002/adfm.201605059 |s2cid=119199830 |issn=1616-301X|doi-access=free }}</ref>
+डी सामग्री में पोइसन का अनुपात माप सामान्यतःसीधा होता है। मान प्राप्त करने के लिए, 2D शीट को तनाव में रखा जाता है और इस प्रकार विस्थापन प्रतिक्रियाओं को मापा जाता है, या एमडी गणना की जाती है। 2डी सामग्रियों में पाई जाने वाली अनूठी संरचनाओं का परिणाम फॉस्फोरिन में [[ औक्सेटिक्स |औक्सेटिक्स]] व्यवहार के रूप में पाया गया है,<ref>{{Cite journal |last1=Jiang |first1=Jin-Wu |last2=Park |first2=Harold S. |date=2014-08-18 |title=सिंगल-लेयर ब्लैक फॉस्फोरस में नेगेटिव पॉइसन का अनुपात|url=https://www.nature.com/articles/ncomms5727 |journal=Nature Communications |language=en |volume=5 |issue=1 |pages=4727 |doi=10.1038/ncomms5727 |pmid=25131569 |arxiv=1403.4326 |bibcode=2014NatCo...5.4727J |s2cid=9132961 |issn=2041-1723}}</ref> और ग्राफीन<ref>{{Cite journal |last1=Jiang |first1=Jin-Wu |last2=Chang |first2=Tienchong |last3=Guo |first3=Xingming |last4=Park |first4=Harold S. |date=2016-08-10 |title=सिंगल-लेयर ग्राफीन के लिए आंतरिक नकारात्मक पोइसन का अनुपात|url=https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.6b02538 |journal=Nano Letters |language=en |volume=16 |issue=8 |pages=5286–5290 |doi=10.1021/acs.nanolett.6b02538 |pmid=27408994 |arxiv=1605.01827 |bibcode=2016NanoL..16.5286J |s2cid=33516006 |issn=1530-6984}}</ref> और त्रिकोणीय जालक बोरोफेन में शून्य का प्वासों अनुपात हैं।<ref>{{Cite journal |last1=Zhang |first1=Zhuhua |last2=Yang |first2=Yang |last3=Penev |first3=Evgeni S. |last4=Yakobson |first4=Boris I. |date=March 2017 |title=लोच, लचीलापन और बोरोफेन की आदर्श शक्ति|journal=Advanced Functional Materials |language=en |volume=27 |issue=9 |pages=1605059 |doi=10.1002/adfm.201605059 |s2cid=119199830 |issn=1616-301X|doi-access=free }}</ref>
 एक डबल पैडल ऑसिलेटर प्रयोग के साथ-साथ एमडी सिमुलेशन में अनुनाद आवृत्ति बदलाव को मापकर ग्राफीन के कतरनी मापांक माप को निकाला गया है।<ref>{{Cite journal |last1=Liu |first1=Xiao |last2=Metcalf |first2=Thomas H. |last3=Robinson |first3=Jeremy T. |last4=Houston |first4=Brian H. |last5=Scarpa |first5=Fabrizio |date=2012-02-08 |title=रासायनिक वाष्प जमाव द्वारा तैयार मोनोलेयर ग्राफीन का कतरनी मापांक|url=https://pubs.acs.org/doi/10.1021/nl204196v |journal=Nano Letters |language=en |volume=12 |issue=2 |pages=1013–1017 |doi=10.1021/nl204196v |pmid=22214257 |bibcode=2012NanoL..12.1013L |issn=1530-6984}}</ref><ref>{{Cite journal |last1=Min |first1=K. |last2=Aluru |first2=N. R. |date=2011-01-03 |title=कतरनी विरूपण के तहत ग्राफीन के यांत्रिक गुण|url=http://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.3534787 |journal=Applied Physics Letters |language=en |volume=98 |issue=1 |pages=013113 |doi=10.1063/1.3534787 |bibcode=2011ApPhL..98a3113M |issn=0003-6951}}</ref>
-[[मोड आई क्रैक]] में 2D सामग्री की फ्रैक्चर टफनेस (K<sub>IC</sub>) पूर्व-दरार परतों को खींचकर और वास्तविक समय में दरार प्रसार की जांच करके सीधे मापा गया है।<ref>{{Cite journal |last1=Zhang |first1=Peng |last2=Ma |first2=Lulu |last3=Fan |first3=Feifei |last4=Zeng |first4=Zhi |last5=Peng |first5=Cheng |last6=Loya |first6=Phillip E. |last7=Liu |first7=Zheng |last8=Gong |first8=Yongji |last9=Zhang |first9=Jiangnan |last10=Zhang |first10=Xingxiang |last11=Ajayan |first11=Pulickel M. |date=2014-04-29 |title=ग्राफीन की फ्रैक्चर बेरहमी|journal=Nature Communications |language=en |volume=5 |issue=1 |pages=3782 |doi=10.1038/ncomms4782 |pmid=24777167 |bibcode=2014NatCo...5.3782Z |issn=2041-1723|doi-access=free }}</ref> एमडी सिमुलेशन के साथ-साथ आणविक यांत्रिकी सिमुलेशन का उपयोग मोड I में फ्रैक्चर क्रूरता की गणना करने के लिए भी किया गया है। इस प्रकार अनिसोट्रोपिक सामग्रियों में, जैसे कि फॉस्फोरिन, दरार प्रसार कुछ दिशाओं के साथ अधिमानतः होता पाया गया।<ref>{{Cite journal |last1=Liu |first1=Ning |last2=Hong |first2=Jiawang |last3=Pidaparti |first3=Ramana |last4=Wang |first4=Xianqiao |date=2016-03-03 |title=फ्रैक्चर पैटर्न और फॉस्फोरिन की ऊर्जा रिलीज दर|url=https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2016/nr/c5nr08682e |journal=Nanoscale |language=en |volume=8 |issue=10 |pages=5728–5736 |doi=10.1039/C5NR08682E |pmid=26902970 |bibcode=2016Nanos...8.5728L |issn=2040-3372}}</ref> अधिकांश 2डी सामग्री भंगुर फ्रैक्चर से गुजरती पाई गई।
+[[मोड आई क्रैक]] में 2D सामग्री की फ्रैक्चर टफनेस (K<sub>IC</sub>) पूर्व-दरार परतों को खींचकर और वास्तविक समय में दरार प्रसार की जांच करके सीधे मापा गया है।<ref>{{Cite journal |last1=Zhang |first1=Peng |last2=Ma |first2=Lulu |last3=Fan |first3=Feifei |last4=Zeng |first4=Zhi |last5=Peng |first5=Cheng |last6=Loya |first6=Phillip E. |last7=Liu |first7=Zheng |last8=Gong |first8=Yongji |last9=Zhang |first9=Jiangnan |last10=Zhang |first10=Xingxiang |last11=Ajayan |first11=Pulickel M. |date=2014-04-29 |title=ग्राफीन की फ्रैक्चर बेरहमी|journal=Nature Communications |language=en |volume=5 |issue=1 |pages=3782 |doi=10.1038/ncomms4782 |pmid=24777167 |bibcode=2014NatCo...5.3782Z |issn=2041-1723|doi-access=free }}</ref> एमडी सिमुलेशन के साथ-साथ आणविक यांत्रिकी सिमुलेशन का उपयोग मोड I में फ्रैक्चर क्रूरता की गणना करने के लिए भी किया गया है। इस प्रकार अनिसोट्रोपिक सामग्रियों में, जैसे कि फॉस्फोरिन प्रसार कुछ दिशाओं के साथ अधिमानतः होता पाया गया।<ref>{{Cite journal |last1=Liu |first1=Ning |last2=Hong |first2=Jiawang |last3=Pidaparti |first3=Ramana |last4=Wang |first4=Xianqiao |date=2016-03-03 |title=फ्रैक्चर पैटर्न और फॉस्फोरिन की ऊर्जा रिलीज दर|url=https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2016/nr/c5nr08682e |journal=Nanoscale |language=en |volume=8 |issue=10 |pages=5728–5736 |doi=10.1039/C5NR08682E |pmid=26902970 |bibcode=2016Nanos...8.5728L |issn=2040-3372}}</ref> अधिकांश 2डी सामग्री भंगुर फ्रैक्चर से गुजरती पाई गई हैं।
 == अनुप्रयोग ==
 {{main|ग्राफीन के संभावित अनुप्रयोग}}
-शोधकर्ताओं के बीच प्रमुख अपेक्षा यह है कि उनके असाधारण गुणों को देखते हुए, 2डी सामग्री इलेक्ट्रॉनिक की नई पीढ़ी देने के लिए पारंपरिक सेमीकंडक्टर्स की जगह लेगी।
+शोधकर्ताओं के बीच प्रमुख अपेक्षा यह है कि उनके असाधारण गुणों को देखते हुए, 2डी सामग्री इलेक्ट्रॉनिक की नई पीढ़ी देने के लिए पारंपरिक अर्धचालक्स का स्थान लेती हैं।
 === जैविक अनुप्रयोग ===
-डी [[नेनो सामग्री]] पर अनुसंधान अभी भी अपनी शैशवावस्था में है, जिसमें अधिकांश शोध अद्वितीय सामग्री विकट: विशेषता को स्पष्ट करने पर केंद्रित है और 2डी नैनोमैटेरियल्स के [[ जैव चिकित्सा |जैव चिकित्सा]] अनुप्रयोगों पर ध्यान केंद्रित करने वाली कुछ रिपोर्टें हैं।<ref>{{cite journal|last1=Kerativitayanan|first1=P|last2=Carrow|first2=JK|last3=Gaharwar|first3=AK|title=इंजीनियरिंग स्टेम सेल प्रतिक्रियाओं के लिए नैनो सामग्री|journal=Advanced Healthcare Materials|date=26 May 2015|doi=10.1002/adhm.201500272|pmid=26010739|volume=4|issue=11|pages=1600–27|s2cid=21582516}}</ref> इस प्रकार फिर भी, 2डी नैनोमटेरियल्स में हाल ही में तेजी से हुई प्रगति ने [[जैविक]] अंशों के साथ उनकी बातचीत के बारे में महत्वपूर्ण अपितु रोमांचक प्रश्न उठाए हैं। कार्बन आधारित 2डी सामग्री, सिलिकेट क्ले, ट्रांजिशन मेटल डाइक्लोजेनाइड्स (टीएमडी) और ट्रांजिशन मेटल ऑक्साइड (टीएमओ) जैसे 2डी नैनोपार्टिकल्स अपने समान आकार, उच्च सतह-से-आयतन अनुपात के कारण बढ़ी हुई भौतिक, [[रासायनिक]] और जैविक कार्यक्षमता प्रदान करते हैं। और सतह प्रभारी।
+डी [[नेनो सामग्री]] पर अनुसंधान अभी भी अपनी शैशवावस्था में है, जिसमें अधिकांश शोध अद्वितीय सामग्री विकट: विशेषता को स्पष्ट करने पर केंद्रित है और 2डी नैनोमैटेरियल्स के [[ जैव चिकित्सा |जैव चिकित्सा]] अनुप्रयोगों पर ध्यान केंद्रित करने वाली कुछ रिपोर्टें हैं।<ref>{{cite journal|last1=Kerativitayanan|first1=P|last2=Carrow|first2=JK|last3=Gaharwar|first3=AK|title=इंजीनियरिंग स्टेम सेल प्रतिक्रियाओं के लिए नैनो सामग्री|journal=Advanced Healthcare Materials|date=26 May 2015|doi=10.1002/adhm.201500272|pmid=26010739|volume=4|issue=11|pages=1600–27|s2cid=21582516}}</ref> इस प्रकार फिर भी, 2डी नैनोमटेरियल्स में हाल ही में तेजी से हुई प्रगति ने [[जैविक]] अंशों के साथ उनकी बातचीत के बारे में महत्वपूर्ण अपितु रोमांचक प्रश्न उठाए हैं। इस प्रकार कार्बन आधारित 2डी सामग्री, सिलिकेट क्ले, ट्रांजिशन मेटल डाइक्लोजेनाइड्स (टीएमडी) और ट्रांजिशन मेटल ऑक्साइड (टीएमओ) जैसे 2डी नैनोपार्टिकल्स अपने समान आकार, उच्च सतह-से-आयतन अनुपात के कारण बढ़ी हुई भौतिक, [[रासायनिक]] और जैविक कार्यक्षमता प्रदान करते हैं।
-द्वि-आयामी (2डी) नैनोमटेरियल अल्ट्राथिन नैनोमटेरियल्स हैं जिनमें उच्च स्तर की [[असमदिग्वर्ती होने की दशा]] और रासायनिक कार्यक्षमता होती है।<ref>{{cite journal|last1=Huang|first1=X|last2=Tan|first2=C|last3=Yin|first3=Z|last4=Zhang|first4=H|title=25th anniversary article: hybrid nanostructures based on two-dimensional nanomaterials|journal=Advanced Materials & Processes|date=9 April 2014|volume=26|issue=14|pages=2185–204|pmid=24615947|doi=10.1002/adma.201304964|s2cid=196924648 }}</ref> 2डी नैनो सामग्री अपने [[मैकेनिकल इंजीनियरिंग|यांत्रिक इंजीनियरिंग]], रसायन और [[ऑप्टिकल]] गुणों के साथ-साथ आकार, आकार, जैव-अनुकूलता और अवक्रमणशीलता के मामले में अत्यधिक विविध हैं।<ref>{{cite journal|last1=Carrow|first1=James K.|last2=Gaharwar|first2=Akhilesh K.|title=पुनर्योजी चिकित्सा के लिए बायोइंस्पायर्ड पॉलीमेरिक नैनोकम्पोजिट्स|journal=Macromolecular Chemistry and Physics|date=February 2015|volume=216|issue=3|pages=248–264|doi=10.1002/macp.201400427}}</ref><ref>{{cite journal|last1=Nandwana|first1=Dinkar|last2=Ertekin|first2=Elif|title=Lattice mismatch induced ripples and wrinkles in planar graphene/boron nitride superlattices|journal=Journal of Applied Physics|date=21 June 2015|volume=117|issue=234304|pages=234304|doi=10.1063/1.4922504|arxiv=1504.02929|bibcode=2015JAP...117w4304N|s2cid=119251606}}</ref> ये विविध गुण 2डी नैनो सामग्री को अनुप्रयोगों की विस्तृत श्रृंखला के लिए उपयुक्त बनाते हैं, जिसमें [[दवा वितरण]], चिकित्सा इमेजिंग, ऊतक इंजीनियरिंग, [[biosensors|बायो सेंसर]] और [[गैस सेंसर]] सम्मलित हैं।<ref>{{cite journal|last1=Gaharwar|first1=AK|last2=Peppas|first2=NA|last3=Khademhosseini|first3=A|title=बायोमेडिकल अनुप्रयोगों के लिए नैनोकम्पोजिट हाइड्रोजेल|journal=Biotechnology and Bioengineering|date=March 2014|volume=111|issue=3|pages=441–53|pmid=24264728|doi=10.1002/bit.25160|pmc=3924876}}</ref><ref>{{cite journal|last1=Filipovic|first1=L|last2=Selberherr|first2=S|title=सीएमओएस-एकीकृत गैस सेंसर की ओर दो आयामी सामग्री का अनुप्रयोग|journal=Nanomaterials|date=October 2022|volume=12|issue=20|pages=3651(1-60)|doi=10.3390/nano12203651|pmid=36296844|pmc=9611560|doi-access=free}}</ref> चूंकि, उनका कम-आयाम वाला नैनोस्ट्रक्चर उन्हें कुछ सामान्य विशेषताएं देता है। इस प्रकार उदाहरण के लिए, 2डी नैनो सामग्री ज्ञात सबसे पतली सामग्री है, जिसका अर्थ है कि उनके पास सभी ज्ञात सामग्रियों के उच्चतम विशिष्ट सतह क्षेत्र भी हैं। यह विशेषता इन सामग्रियों को उन अनुप्रयोगों के लिए अमूल्य बनाती है जिनके लिए छोटे पैमाने पर उच्च स्तर की सतह की बातचीत की आवश्यकता होती है। इसकेपरिणामस्वरुप, दवा वितरण प्रणालियों में उपयोग के लिए 2डी नैनोमटेरियल्स की खोज की जा रही है, जहां वे बड़ी संख्या में दवा अणुओं को अवशोषित कर सकते हैं और रिलीज कैनेटीक्स पर बेहतर नियंत्रण सक्षम कर सकते हैं।<ref>{{cite journal|last1=Goenka|first1=S|last2=Sant|first2=V|last3=Sant|first3=S|title=दवा वितरण और ऊतक इंजीनियरिंग के लिए ग्राफीन आधारित नैनो सामग्री|journal=Journal of Controlled Release|date=10 January 2014|volume=173|pages=75–88|pmid=24161530|doi=10.1016/j.jconrel.2013.10.017}}</ref> इसके अतिरिक्त, उनके असाधारण सतह क्षेत्र से आयतन अनुपात और सामान्यतःउच्च मापांक मान उन्हें कम सांद्रता पर भी बायोमेडिकल नैनोकंपोजिट्स और [[nanocomposites|नैनो कंपोजिट]] हाइड्रोजेल के यांत्रिक गुणों में सुधार के लिए उपयोगी बनाते हैं। इस प्रकार उनका अत्यधिक पतलापन [[बायोसेंसिंग]] और [[पूर्ण जीनोम अनुक्रमण]] में सफलताओं के लिए सहायक रहा है। इसके अतिरिक्त, इन अणुओं की पतलीता उन्हें प्रकाश जैसे बाहरी संकेतों पर तेजी से प्रतिक्रिया करने की अनुमति देती है, जिससे इमेजिंग अनुप्रयोगों, [[फोटोथर्मल थेरेपी]] (पीटीटी), और [[ फ़ोटोडायनॉमिक थेरेपी |फ़ोटोडायनॉमिक थेरेपी]] (पीडीटी) सहित सभी प्रकार के ऑप्टिकल उपचारों में उपयोगिता हो गई है।
+द्वि-आयामी (2डी) नैनोमटेरियल अल्ट्राथिन नैनोमटेरियल्स हैं जिनमें उच्च स्तर की [[असमदिग्वर्ती होने की दशा]] और रासायनिक कार्यक्षमता होती है।<ref>{{cite journal|last1=Huang|first1=X|last2=Tan|first2=C|last3=Yin|first3=Z|last4=Zhang|first4=H|title=25th anniversary article: hybrid nanostructures based on two-dimensional nanomaterials|journal=Advanced Materials & Processes|date=9 April 2014|volume=26|issue=14|pages=2185–204|pmid=24615947|doi=10.1002/adma.201304964|s2cid=196924648 }}</ref> इस प्रकार 2डी नैनो सामग्री अपने [[मैकेनिकल इंजीनियरिंग|यांत्रिक इंजीनियरिंग]], रसायन और [[ऑप्टिकल]] गुणों के साथ-साथ आकार, आकार, जैव-अनुकूलता और अवक्रमणशीलता के मामले में अत्यधिक विविध हैं।<ref>{{cite journal|last1=Carrow|first1=James K.|last2=Gaharwar|first2=Akhilesh K.|title=पुनर्योजी चिकित्सा के लिए बायोइंस्पायर्ड पॉलीमेरिक नैनोकम्पोजिट्स|journal=Macromolecular Chemistry and Physics|date=February 2015|volume=216|issue=3|pages=248–264|doi=10.1002/macp.201400427}}</ref><ref>{{cite journal|last1=Nandwana|first1=Dinkar|last2=Ertekin|first2=Elif|title=Lattice mismatch induced ripples and wrinkles in planar graphene/boron nitride superlattices|journal=Journal of Applied Physics|date=21 June 2015|volume=117|issue=234304|pages=234304|doi=10.1063/1.4922504|arxiv=1504.02929|bibcode=2015JAP...117w4304N|s2cid=119251606}}</ref> ये विविध गुण 2डी नैनो सामग्री को अनुप्रयोगों की विस्तृत श्रृंखला के लिए उपयुक्त बनाते हैं, जिसमें [[दवा वितरण]], चिकित्सा इमेजिंग, ऊतक इंजीनियरिंग, [[biosensors|बायो सेंसर]] और [[गैस सेंसर]] सम्मलित हैं।<ref>{{cite journal|last1=Gaharwar|first1=AK|last2=Peppas|first2=NA|last3=Khademhosseini|first3=A|title=बायोमेडिकल अनुप्रयोगों के लिए नैनोकम्पोजिट हाइड्रोजेल|journal=Biotechnology and Bioengineering|date=March 2014|volume=111|issue=3|pages=441–53|pmid=24264728|doi=10.1002/bit.25160|pmc=3924876}}</ref><ref>{{cite journal|last1=Filipovic|first1=L|last2=Selberherr|first2=S|title=सीएमओएस-एकीकृत गैस सेंसर की ओर दो आयामी सामग्री का अनुप्रयोग|journal=Nanomaterials|date=October 2022|volume=12|issue=20|pages=3651(1-60)|doi=10.3390/nano12203651|pmid=36296844|pmc=9611560|doi-access=free}}</ref> चूंकि, उनका कम-आयाम वाला नैनोस्ट्रक्चर उन्हें कुछ सामान्य विशेषताएं देता है। इस प्रकार उदाहरण के लिए, 2डी नैनो सामग्री ज्ञात सबसे पतली सामग्री है, जिसका अर्थ है कि उनके पास सभी ज्ञात सामग्रियों के उच्चतम विशिष्ट सतह क्षेत्र भी हैं। यह विशेषता इन सामग्रियों को उन अनुप्रयोगों के लिए अमूल्य बनाती है जिनके लिए छोटे पैमाने पर उच्च स्तर की सतह की बातचीत की आवश्यकता होती है। इसके परिणामस्वरुप, दवा वितरण प्रणालियों में उपयोग के लिए 2डी नैनोमटेरियल्स की खोज की जा रही है, जहां वे बड़ी संख्या में दवा अणुओं को अवशोषित कर सकते हैं और रिलीज कैनेटीक्स पर बेहतर नियंत्रण सक्षम कर सकते हैं।<ref>{{cite journal|last1=Goenka|first1=S|last2=Sant|first2=V|last3=Sant|first3=S|title=दवा वितरण और ऊतक इंजीनियरिंग के लिए ग्राफीन आधारित नैनो सामग्री|journal=Journal of Controlled Release|date=10 January 2014|volume=173|pages=75–88|pmid=24161530|doi=10.1016/j.jconrel.2013.10.017}}</ref> इसके अतिरिक्त, उनके असाधारण सतह क्षेत्र से आयतन अनुपात और सामान्यतःउच्च मापांक मान उन्हें कम सांद्रता पर भी बायोमेडिकल नैनोकंपोजिट्स और [[nanocomposites|नैनो कंपोजिट]] हाइड्रोजेल के यांत्रिक गुणों में सुधार के लिए उपयोगी बनाते हैं। इस प्रकार उनका अत्यधिक पतलापन [[बायोसेंसिंग]] और [[पूर्ण जीनोम अनुक्रमण]] में सफलताओं के लिए सहायक रहा है। इसके अतिरिक्त, इन अणुओं की पीडीटी उन्हें प्रकाश जैसे बाहरी संकेतों पर तेजी से प्रतिक्रिया करने की अनुमति देती है, जिससे इमेजिंग अनुप्रयोगों, [[फोटोथर्मल थेरेपी]] (पीटीटी), और [[ फ़ोटोडायनॉमिक थेरेपी |फ़ोटोडायनॉमिक थेरेपी]] (पीडीटी) सहित सभी प्रकार के ऑप्टिकल उपचारों में उपयोगिता हो गई है।
 डी नैनो सामग्री के क्षेत्र में विकास की तीव्र गति के अतिरिक्त, बायोमेडिकल अनुप्रयोगों के लिए प्रासंगिक होने के लिए इन सामग्रियों का [[जैव]] अनुकूलता के लिए सावधानीपूर्वक मूल्यांकन किया जाना चाहिए।<ref>{{cite book|last1=Gaharwar|first1=A.K.|title=Nanomaterials in tissue engineering : fabrication and applications|date=2013|publisher=Woodhead Publishing|location=Oxford|isbn=978-0-85709-596-1|display-authors=etal}}</ref> सामग्रियों के इस वर्ग की नवीनता का अर्थ है कि ग्राफीन जैसी अपेक्षाकृत अच्छी तरह से स्थापित 2डी सामग्री भी जीवित [[ऊतक (जीव विज्ञान)]] के साथ उनके शारीरिक संबंधों के संदर्भ में खराब समझी जाती है। इसके अतिरिक्त, चर कण आकार और आकार की जटिलताओं, निर्माण से अशुद्धियों, और [[प्रोटीन]] और [[प्रतिरक्षा]] बातचीत के परिणामस्वरूप इन सामग्रियों की जैव-अनुकूलता पर ज्ञान का पैचवर्क हुआ है।

Anonymous

Search

एकल-परत सामग्री: Difference between revisions

Namespaces

More

Page actions

Revision as of 10:38, 16 June 2023

Contents

एकल तत्व सामग्री

सी: ग्राफीन

बी: बोरोफेन

जीई: जर्मनिन

हां: सिलिसीन

एसएन: स्टेनिन

पीबी: साहुल

पी: फॉस्फोरिन

एसबी: एंटीमोनिन

द्वि: बिस्मथिन

धातु

2डी मिश्र

2डी सुपरक्रिस्टल

यौगिक

ट्रांज़िशन मेटल डाइक्लोजेनाइड मोनोपरत्स

ग्रैफाणे

संयुक्त सतह मिश्र धातु

जैविक

पॉलिमर

संयोजन

विशेषता

यांत्रिक लक्षण वर्णन

अनुप्रयोग

जैविक अनुप्रयोग

यह भी देखें

संदर्भ

अतिरिक्त पढ़ना

Navigation

Navigation

Wiki tools

Wiki tools

Anonymous

Search

एकल-परत सामग्री: Difference between revisions

Revision as of 10:38, 16 June 2023

एकल तत्व सामग्री

सी: ग्राफीन

बी: बोरोफेन

जीई: जर्मनिन

हां: सिलिसीन

एसएन: स्टेनिन

पीबी: साहुल

पी: फॉस्फोरिन

एसबी: एंटीमोनिन

द्वि: बिस्मथिन

धातु

2डी मिश्र

2डी सुपरक्रिस्टल

यौगिक

ट्रांज़िशन मेटल डाइक्लोजेनाइड मोनोपरत्स

ग्रैफाणे

संयुक्त सतह मिश्र धातु

जैविक

पॉलिमर

संयोजन

विशेषता

यांत्रिक लक्षण वर्णन

अनुप्रयोग

जैविक अनुप्रयोग

यह भी देखें

संदर्भ

अतिरिक्त पढ़ना

Navigation

Wiki tools

Page tools

Other projects

Hidden categories