आरसीए क्लीन: Difference between revisions

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{{Short description|Silicon wafer cleaning procedure in semiconductor manufacturing}}
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आरसीए क्लीन वेफर क्लीनिंग स्टेप्स का मानक समूह है जिसे [[ अर्धचालक |अर्धचालक]] मैन्युफैक्चरिंग में [[ सिलिकॉन बिस्किट | सिलिकॉन बिस्किट्स]] के उच्च तापमान प्रसंस्करण चरणों ([[ऑक्सीकरण]], [[प्रसार]], रासायनिक वाष्प जमाव) से पूर्व करने की आवश्यकता होती है।
'''आरसीए क्लीन''' वेफर क्लीन चरणों का एक मानक सेट है जिसे [[ अर्धचालक |अर्धचालक]] निर्माण में [[ सिलिकॉन बिस्किट |सिलिकॉन वेफर्स]] के उच्च तापमान प्रसंस्करण चरणों ([[ऑक्सीकरण]], [[प्रसार]], रासायनिक वाष्प जमाव) से पूर्व निष्पादित करने की आवश्यकता होती है।


वर्नर केर्न ने 1965 में आरसीए, [[अमेरिका के रेडियो निगम]] के लिए कार्य करते हुए बुनियादी प्रक्रिया विकसित की है।<ref name="Mines.edu">[http://www.mines.edu/fs_home/cwolden/chen435/clean.htm ''RCA Clean''. Materials at Colorado School of Mines] {{webarchive|url=https://web.archive.org/web/20000305134246/http://www.mines.edu/fs_home/cwolden/chen435/clean.htm |date=2000-03-05}}</ref><ref name="kern90">{{cite journal |last1=Kern |first1=W. |title=सिलिकॉन वेफर क्लीनिंग टेक्नोलॉजी का विकास|doi=10.1149/1.2086825 |journal=Journal of the Electrochemical Society |volume=137 |issue=6 |pages=1887–1892 |year=1990 |bibcode=1990JElS..137.1887K |doi-access=free}}</ref><ref name="kern70">W. Kern and D. A. Puotinen: RCA Rev. 31 (1970) 187.</ref> इसमें अनुक्रम में निष्पादित निम्नलिखित रासायनिक प्रक्रियाएं सम्मिलित हैं:
वर्नर केर्न ने 1965 में अमेरिका के रेडियो कॉर्पोरेशन आरसीए के लिए कार्य करते हुए मूलभूत प्रक्रिया विकसित की थी।<ref name="Mines.edu">[http://www.mines.edu/fs_home/cwolden/chen435/clean.htm ''RCA Clean''. Materials at Colorado School of Mines] {{webarchive|url=https://web.archive.org/web/20000305134246/http://www.mines.edu/fs_home/cwolden/chen435/clean.htm |date=2000-03-05}}</ref><ref name="kern90">{{cite journal |last1=Kern |first1=W. |title=सिलिकॉन वेफर सफाई प्रौद्योगिकी का विकास|doi=10.1149/1.2086825 |journal=Journal of the Electrochemical Society |volume=137 |issue=6 |pages=1887–1892 |year=1990 |bibcode=1990JElS..137.1887K |doi-access=free}}</ref><ref name="kern70">W. Kern and D. A. Puotinen: RCA Rev. 31 (1970) 187.</ref> इसमें क्रम से निष्पादित निम्नलिखित रासायनिक प्रक्रियाएं सम्मिलित हैं:


# कार्बनिक प्रदूषकों को निकालना (जैविक स्वच्छ + कण स्वच्छ)
# कार्बनिक संदूषकों को विस्थापित करना (जैविक स्वच्छ + कण स्वच्छ)
# पतली [[ऑक्साइड]] परत को निकालना (ऑक्साइड पट्टी, वैकल्पिक)
# पतली [[ऑक्साइड]] परत को विस्थापित करना (ऑक्साइड स्ट्रिप, वैकल्पिक)
# आयनिक संदूषण को निकालना (आयनिक स्वच्छ)
# आयनिक संदूषण को विस्थापित करना (आयनिक स्वच्छ)


== मानक नुस्खा ==
==मानक विधि==
वेफर्स को [[विआयनीकृत पानी]] में भिगोकर तैयार किया जाता है। यदि वे अत्यधिक दूषित (प्रदर्शित होने वाले अवशेष) हैं, तो उन्हें [[पिरान्हा समाधान]] में प्रारंभिक सफाई की आवश्यकता हो सकती है। प्रत्येक चरण के मध्य वेफर्स को विआयनीकृत पानी से उच्च प्रकार से धोया जाता है।<ref name="kern90"/>
वेफर्स को [[विआयनीकृत पानी]] में भिगोकर तैयार किया जाता है। यदि वे अत्यधिक दूषित (दृश्यमान अवशेष) हैं, तो उन्हें [[पिरान्हा समाधान]] में प्रारंभिक क्लीन की आवश्यकता हो सकती है। प्रत्येक चरण के बीच वेफर्स को विआयनीकृत पानी से अच्छी तरह से धोया जाता है।<ref name="kern90"/>


आदर्श रूप से, निम्नलिखित चरणों को फ़्यूज़्ड सिलिका या [[फ्यूज्ड क्वार्ट्ज]] जहाजों में तैयार किए गए घोल में डुबो कर किया जाता है ([[ बोरोसिल ग्लास | बोरोसिल ग्लासवेयर]] का उपयोग नहीं किया जाना चाहिए, क्योंकि इसकी अशुद्धियाँ बाहर निकल जाती हैं एवं संदूषण का कारण बनती हैं) इसी प्रकार यह अनुशंसा की जाती है कि वेफर को उन अशुद्धियों से बचाने एवं पुन: संदूषित करने के लिए उपयोग किए जाने वाले रसायन इलेक्ट्रॉनिक ग्रेड (या सीएमओएस ग्रेड) हैं <ref name="kern90"/>
आदर्श रूप से, नीचे दिए गए चरणों को फ्यूज्ड सिलिका या [[ फ़्यूज्ड क्वार्टज़ ]] जहाजों में तैयार किए गए समाधानों में वेफर्स को डुबो कर किया जाता है ([[ बोरोसिल ग्लास ]]वेयर का उपयोग नहीं किया जाना चाहिए, क्योंकि इसकी अशुद्धियाँ बाहर निकल जाती हैं और संदूषण का कारण बनती हैं). इसी तरह यह अनुशंसा की जाती है कि वेफ़र को दोबारा दूषित करने वाली अशुद्धियों से बचने के लिए उपयोग किए जाने वाले रसायन इलेक्ट्रॉनिक ग्रेड (या सीएमओएस ग्रेड) के हों।<ref name="kern90"/>
===पहला चरण (एससी-1): जैविक स्वच्छ + कण स्वच्छ ===
पहला चरण (जिसे एससी-1 कहा जाता है, जहां एससी का मतलब स्टैंडर्ड क्लीन है) (अनुपात भिन्न हो सकते हैं) के समाधान के साथ किया जाता है।<ref name="kern90"/>


* विआयनीकृत जल के 5 भाग


 
* [[अमोनिया पानी]] का 1 भाग, (NH के भार से 29%)<sub>3</sub>)
===प्रथम कदम (एससी-1): ऑर्गेनिक क्लीन + पार्टिकल क्लीन ===
प्रथम चरण (जिसे एससी-1 कहा जाता है, जहाँ एससी मानक स्वच्छ के लिए खड़ा है) (अनुपात भिन्न हो सकते हैं) के समाधान के साथ किया जाता है।<ref name="kern90"/>* विआयनीकृत पानी के 5 भाग
* [[अमोनिया पानी]] का 1 भाग, (29%NH<sub>3</sub> के वजन से 29%)
* जलीय H<sub>2</sub>O<sub>2</sub> का 1 भाग ([[हाइड्रोजन पेरोक्साइड]], 30%)
* जलीय H<sub>2</sub>O<sub>2</sub> का 1 भाग ([[हाइड्रोजन पेरोक्साइड]], 30%)
75 या 80 डिग्री सेल्सियस पर<ref name="Mines.edu"/>सामान्यतः 10 मिनट के लिए, यह बेस-पेरोक्साइड मिश्रण कार्बनिक अवशेषों को निकाल देता है। कण भी बहुत प्रभावी विधि से निकाल दिए जाते हैं, यहां तक ​​कि अघुलनशील कण भी, क्योंकि एससी-1 सतह एवं कण जीटा क्षमता को संशोधित करता है एवं उन्हें पीछे निकालने का कारण बनता है।<ref>{{cite journal |last1=Itano |first1=M. |last2=Kern |first2=F. W. |last3=Miyashita |first3=M. |last4=Ohmi |first4=T. |title=गीली सफाई प्रक्रिया में सिलिकॉन वेफर सतह से कण हटाना|doi=10.1109/66.238174 |journal=IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing |volume=6 |issue=3 |pages=258 |year=1993}}</ref> इस उपचार के परिणामस्वरूप सिलिकॉन की सतह पर पतली [[सिलिकॉन डाइऑक्साइड]] परत (लगभग 10 एंगस्ट्रॉम) का निर्माण होता है, साथ ही कुछ सीमा तक धातु संदूषण (विशेष रूप से [[लोहा]]) निर्माण भी होता है जो उसके पश्चात के चरणों में निकाल दिया जाएगा।
75 या 80°C पर<ref name="Mines.edu" /> सामान्यतः 10 मिनट के लिए. यह बेस-पेरोक्साइड मिश्रण कार्बनिक अवशेषों को हटा देता है। कण भी बहुत प्रभावी ढंग से हटा दिए जाते हैं, यहां तक ​​कि अघुलनशील कण भी, क्योंकि SC-1 सतह और कण जीटा क्षमता को संशोधित करता है और उन्हें पीछे हटाने का कारण बनता है।<ref>{{cite journal |last1=Itano |first1=M. |last2=Kern |first2=F. W. |last3=Miyashita |first3=M. |last4=Ohmi |first4=T. |title=गीली सफाई प्रक्रिया में सिलिकॉन वेफर सतह से कण हटाना|doi=10.1109/66.238174 |journal=IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing |volume=6 |issue=3 |pages=258 |year=1993}}</ref> इस उपचार के परिणामस्वरूप सिलिकॉन सतह पर एक पतली [[सिलिकॉन डाइऑक्साइड]] परत (लगभग 10 एंगस्ट्रॉम) का निर्माण होता है, साथ ही कुछ हद तक धातु संदूषण (विशेष रूप से [[लोहा]]) होता है जिसे बाद के चरणों में हटा दिया जाएगा।


=== दूसरा चरण (वैकल्पिक): ऑक्साइड पट्टी ===
===दूसरा चरण (वैकल्पिक): ऑक्साइड स्ट्रिप===
वैकल्पिक दूसरा चरण (बेअर सिलिकॉन वेफर्स के लिए) पतली ऑक्साइड परत को निकालने के लिए लगभग पंद्रह सेकंड के लिए 25 डिग्री सेल्सियस पर जलीय एचएफ ([[ हाइड्रोफ्लुओरिक अम्ल ]]) के 1:100 या 1:50 समाधान में छोटा विसर्जन एवं आयनिक प्रदूषकों का अंश है। यदि यह चरण अति उच्च शुद्धता सामग्री एवं अति स्वच्छ कंटेनरों के बिना किया जाता है, तो यह पुन: संदूषण का कारण बन सकता है क्योंकि नंगे सिलिकॉन की सतह बहुत प्रतिक्रियाशील होती है। किसी भी स्थिति में, अनुवर्ती चरण (एससी-2) घुल जाता है एवं ऑक्साइड परत को पुनः विस्तृत कर देता है।<ref name="kern90"/>
वैकल्पिक दूसरा चरण (नंगे सिलिकॉन वेफर्स के लिए) पतली ऑक्साइड परत और कुछ को हटाने के लिए 25 डिग्री सेल्सियस पर जलीय एचएफ ([[ हाइड्रोफ्लुओरिक अम्ल ]]) के 1:100 या 1:50 घोल में लगभग पंद्रह सेकंड के लिए डुबोना है। आयनिक संदूषकों का अंश. यदि यह चरण अति उच्च शुद्धता सामग्री और अति स्वच्छ कंटेनरों के बिना किया जाता है, तो इससे पुन: संदूषण हो सकता है क्योंकि नंगी सिलिकॉन सतह बहुत प्रतिक्रियाशील होती है। किसी भी स्थिति में, अगला चरण (एससी-2) ऑक्साइड परत को घोलता है और दोबारा उगाता है।<ref name="kern90"/>
===तीसरा चरण (एससी-2): आयनिक स्वच्छ===
तीसरा और अंतिम चरण (जिसे SC-2 कहा जाता है) (अनुपात भिन्न हो सकते हैं) के समाधान के साथ किया जाता है<ref name="kern90"/>


* विआयनीकृत जल के 6 भाग


===तीसरा चरण (एससी-2): आयनिक स्वच्छ===
* जलीय HCl का 1 भाग ([[हाइड्रोक्लोरिक एसिड]], वजन के अनुसार 37%)
तीसरा एवं अंतिम चरण (एससी-2 कहा जाता है) (अनुपात भिन्न हो सकते हैं) के समाधान के साथ किया जाता है<ref name="kern90"/>* विआयनीकृत पानी के 6 भाग
* जलीय HCl का 1 भाग ([[हाइड्रोक्लोरिक एसिड]], वजन से 37%)
* जलीय H<sub>2</sub>O<sub>2</sub> का 1 भाग (हाइड्रोजन पेरोक्साइड, 30%)
* जलीय H<sub>2</sub>O<sub>2</sub> का 1 भाग (हाइड्रोजन पेरोक्साइड, 30%)
75 या 80 डिग्री सेल्सियस पर, सामान्यतः 10 मिनट के लिए, यह उपचार धात्विक (आयनिक) दूषित पदार्थों के शेष चिन्हों को प्रभावी विधि से निकाल देता है, जिनमें से कुछ को एससी-1 सफाई चरण में प्रस्तुत किया गया था।<ref name="Mines.edu"/>यह वेफर सतह पर पतली निष्क्रिय परत भी छोड़ता है, जो सतह को उसके पश्चात के संदूषण से बचाता है (नंगे उजागर सिलिकॉन शीघ्र दूषित हो जाता है)।<ref name="kern90"/>
75 या 80°C पर, आमतौर पर 10 मिनट के लिए। यह उपचार धात्विक (आयनिक) संदूषकों के शेष निशानों को प्रभावी ढंग से हटा देता है, जिनमें से कुछ को SC-1 क्लीन चरण में पेश किया गया था।<ref name="Mines.edu"/>यह वेफर सतह पर एक पतली निष्क्रिय परत भी छोड़ता है, जो सतह को बाद के संदूषण से बचाता है (नंगे उजागर सिलिकॉन तुरंत दूषित हो जाता है)।<ref name="kern90"/>
 
===चौथा चरण: धोना और सुखाना===
 
आरसीए की क्लीन उच्च शुद्धता वाले रसायनों और साफ कांच के बर्तनों के साथ की जाती है, इससे वेफर की सतह बहुत साफ हो जाती है, किन्तु वेफर अभी भी पानी में डूबा हुआ है। धोने और सुखाने के चरण सही ढंग से किए जाने चाहिए (उदाहरण के लिए, बहते पानी के साथ) क्योंकि सतह को पानी की सतह पर तैरने वाले कार्बनिक पदार्थों और कणों द्वारा सरलता से पुन: दूषित किया जा सकता है। वेफर को प्रभावी ढंग से धोने और सुखाने के लिए विभिन्न प्रक्रियाओं का उपयोग किया जा सकता है।<ref name="kern90"/>
=== चौथा चरण: धोना एवं सुखाना ===
==अतिरिक्त==
आवश्यक रूप से आरसीए क्लीन उच्च शुद्धता वाले रसायनों एवं साफ कांच के बर्तनों के साथ किया जाता है, इसका परिणाम बहुत साफ वेफर सतह में होता है अपितु वेफर अभी भी पानी में डूबा हुआ है। धोने एवं सुखाने के चरणों को सही विधि से किया जाना चाहिए (जैसे, बहते पानी के साथ) क्योंकि सतह को आसानी से ऑर्गेनिक्स एवं पानी की सतह पर तैरने वाले कणों द्वारा पुन: दूषित किया जा सकता है। वेफर को प्रभावी विधि से खंगालने एवं सुखाने के लिए विभिन्न प्रक्रियाओं का उपयोग किया जा सकता है।<ref name="kern90"/>
पूर्व सीटू क्लीन प्रक्रिया में [[ ट्राईक्लोरोइथीलीन |ट्राईक्लोरोइथीलीन,]] [[एसीटोन]] और [[मेथनॉल]] में वेफर को अल्ट्रासोनिक रूप से डीग्रीज़ करना है।<ref>{{cite book |last1=Rudder |first=Ronald |last2=Thomas |first2=Raymond |author3-link=Robert Nemanich |last3=Nemanich |first3=Robert |editor-last=Kern |editor-first=Werner |title=सेमीकंडक्टर वेफर क्लीनिंग टेक्नोलॉजी की हैंडबुक|publisher=Noyes Publications |date=1993 |pages=356–357 |chapter=Chapter 8: Remote Plasma Processing for Silicon Wafer Cleaning |isbn=978-0-8155-1331-5}}</ref>
 
==यह भी देखें==
 
== जोड़ ==
एक्स सीटू सफाई प्रक्रिया में प्रथम कदम [[ट्राईक्लोरोइथीलीन]], [[एसीटोन]] एवं [[मेथनॉल]] में वेफर को अल्ट्रासोनिक रूप से कम करना है।<ref>{{cite book |last1=Rudder |first=Ronald |last2=Thomas |first2=Raymond |author3-link=Robert Nemanich |last3=Nemanich |first3=Robert |editor-last=Kern |editor-first=Werner |title=सेमीकंडक्टर वेफर क्लीनिंग टेक्नोलॉजी की हैंडबुक|publisher=Noyes Publications |date=1993 |pages=356–357 |chapter=Chapter 8: Remote Plasma Processing for Silicon Wafer Cleaning |isbn=978-0-8155-1331-5}}</ref>
 
 
== यह भी देखें ==
*[[रासायनिक-यांत्रिक समतलीकरण]]
*[[रासायनिक-यांत्रिक समतलीकरण]]
* पिरान्हा समाधान
*पिरान्हा समाधान
* [[प्लाज्मा नक़्क़ाशी]]
*[[प्लाज्मा नक़्क़ाशी|प्लाज्मा निक्षारण]]
* इंसुलेटर पर सिलिकॉन
*इंसुलेटर पर सिलिकॉन
* [[वेफर (इलेक्ट्रॉनिक्स)]]
*[[वेफर (इलेक्ट्रॉनिक्स)]]


==संदर्भ==
==संदर्भ==
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==बाहरी संबंध==
==बाहरी संबंध==
* [https://web.archive.org/web/20070320142729/http://www.ece.gatech.edu/research/labs/vc/processes/rcaClean.html ''RCA Clean'', एससीhool of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology]
* [https://web.archive.org/web/20070320142729/http://www.ece.gatech.edu/research/labs/vc/processes/rcaClean.html ''RCA Clean'', School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology]
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Latest revision as of 12:43, 17 October 2023

आरसीए क्लीन वेफर क्लीन चरणों का एक मानक सेट है जिसे अर्धचालक निर्माण में सिलिकॉन वेफर्स के उच्च तापमान प्रसंस्करण चरणों (ऑक्सीकरण, प्रसार, रासायनिक वाष्प जमाव) से पूर्व निष्पादित करने की आवश्यकता होती है।

वर्नर केर्न ने 1965 में अमेरिका के रेडियो कॉर्पोरेशन आरसीए के लिए कार्य करते हुए मूलभूत प्रक्रिया विकसित की थी।[1][2][3] इसमें क्रम से निष्पादित निम्नलिखित रासायनिक प्रक्रियाएं सम्मिलित हैं:

  1. कार्बनिक संदूषकों को विस्थापित करना (जैविक स्वच्छ + कण स्वच्छ)
  2. पतली ऑक्साइड परत को विस्थापित करना (ऑक्साइड स्ट्रिप, वैकल्पिक)
  3. आयनिक संदूषण को विस्थापित करना (आयनिक स्वच्छ)

मानक विधि

वेफर्स को विआयनीकृत पानी में भिगोकर तैयार किया जाता है। यदि वे अत्यधिक दूषित (दृश्यमान अवशेष) हैं, तो उन्हें पिरान्हा समाधान में प्रारंभिक क्लीन की आवश्यकता हो सकती है। प्रत्येक चरण के बीच वेफर्स को विआयनीकृत पानी से अच्छी तरह से धोया जाता है।[2]

आदर्श रूप से, नीचे दिए गए चरणों को फ्यूज्ड सिलिका या फ़्यूज्ड क्वार्टज़ जहाजों में तैयार किए गए समाधानों में वेफर्स को डुबो कर किया जाता है (बोरोसिल ग्लास वेयर का उपयोग नहीं किया जाना चाहिए, क्योंकि इसकी अशुद्धियाँ बाहर निकल जाती हैं और संदूषण का कारण बनती हैं). इसी तरह यह अनुशंसा की जाती है कि वेफ़र को दोबारा दूषित करने वाली अशुद्धियों से बचने के लिए उपयोग किए जाने वाले रसायन इलेक्ट्रॉनिक ग्रेड (या सीएमओएस ग्रेड) के हों।[2]

पहला चरण (एससी-1): जैविक स्वच्छ + कण स्वच्छ

पहला चरण (जिसे एससी-1 कहा जाता है, जहां एससी का मतलब स्टैंडर्ड क्लीन है) (अनुपात भिन्न हो सकते हैं) के समाधान के साथ किया जाता है।[2]

  • विआयनीकृत जल के 5 भाग

75 या 80°C पर[1] सामान्यतः 10 मिनट के लिए. यह बेस-पेरोक्साइड मिश्रण कार्बनिक अवशेषों को हटा देता है। कण भी बहुत प्रभावी ढंग से हटा दिए जाते हैं, यहां तक ​​कि अघुलनशील कण भी, क्योंकि SC-1 सतह और कण जीटा क्षमता को संशोधित करता है और उन्हें पीछे हटाने का कारण बनता है।[4] इस उपचार के परिणामस्वरूप सिलिकॉन सतह पर एक पतली सिलिकॉन डाइऑक्साइड परत (लगभग 10 एंगस्ट्रॉम) का निर्माण होता है, साथ ही कुछ हद तक धातु संदूषण (विशेष रूप से लोहा) होता है जिसे बाद के चरणों में हटा दिया जाएगा।

दूसरा चरण (वैकल्पिक): ऑक्साइड स्ट्रिप

वैकल्पिक दूसरा चरण (नंगे सिलिकॉन वेफर्स के लिए) पतली ऑक्साइड परत और कुछ को हटाने के लिए 25 डिग्री सेल्सियस पर जलीय एचएफ (हाइड्रोफ्लुओरिक अम्ल ) के 1:100 या 1:50 घोल में लगभग पंद्रह सेकंड के लिए डुबोना है। आयनिक संदूषकों का अंश. यदि यह चरण अति उच्च शुद्धता सामग्री और अति स्वच्छ कंटेनरों के बिना किया जाता है, तो इससे पुन: संदूषण हो सकता है क्योंकि नंगी सिलिकॉन सतह बहुत प्रतिक्रियाशील होती है। किसी भी स्थिति में, अगला चरण (एससी-2) ऑक्साइड परत को घोलता है और दोबारा उगाता है।[2]

तीसरा चरण (एससी-2): आयनिक स्वच्छ

तीसरा और अंतिम चरण (जिसे SC-2 कहा जाता है) (अनुपात भिन्न हो सकते हैं) के समाधान के साथ किया जाता है[2]

  • विआयनीकृत जल के 6 भाग

75 या 80°C पर, आमतौर पर 10 मिनट के लिए। यह उपचार धात्विक (आयनिक) संदूषकों के शेष निशानों को प्रभावी ढंग से हटा देता है, जिनमें से कुछ को SC-1 क्लीन चरण में पेश किया गया था।[1]यह वेफर सतह पर एक पतली निष्क्रिय परत भी छोड़ता है, जो सतह को बाद के संदूषण से बचाता है (नंगे उजागर सिलिकॉन तुरंत दूषित हो जाता है)।[2]

चौथा चरण: धोना और सुखाना

आरसीए की क्लीन उच्च शुद्धता वाले रसायनों और साफ कांच के बर्तनों के साथ की जाती है, इससे वेफर की सतह बहुत साफ हो जाती है, किन्तु वेफर अभी भी पानी में डूबा हुआ है। धोने और सुखाने के चरण सही ढंग से किए जाने चाहिए (उदाहरण के लिए, बहते पानी के साथ) क्योंकि सतह को पानी की सतह पर तैरने वाले कार्बनिक पदार्थों और कणों द्वारा सरलता से पुन: दूषित किया जा सकता है। वेफर को प्रभावी ढंग से धोने और सुखाने के लिए विभिन्न प्रक्रियाओं का उपयोग किया जा सकता है।[2]

अतिरिक्त

पूर्व सीटू क्लीन प्रक्रिया में ट्राईक्लोरोइथीलीन, एसीटोन और मेथनॉल में वेफर को अल्ट्रासोनिक रूप से डीग्रीज़ करना है।[5]

यह भी देखें

संदर्भ

  1. 1.0 1.1 1.2 RCA Clean. Materials at Colorado School of Mines Archived 2000-03-05 at the Wayback Machine
  2. 2.0 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 Kern, W. (1990). "सिलिकॉन वेफर सफाई प्रौद्योगिकी का विकास". Journal of the Electrochemical Society. 137 (6): 1887–1892. Bibcode:1990JElS..137.1887K. doi:10.1149/1.2086825.
  3. W. Kern and D. A. Puotinen: RCA Rev. 31 (1970) 187.
  4. Itano, M.; Kern, F. W.; Miyashita, M.; Ohmi, T. (1993). "गीली सफाई प्रक्रिया में सिलिकॉन वेफर सतह से कण हटाना". IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 6 (3): 258. doi:10.1109/66.238174.
  5. Rudder, Ronald; Thomas, Raymond; Nemanich, Robert (1993). "Chapter 8: Remote Plasma Processing for Silicon Wafer Cleaning". In Kern, Werner (ed.). सेमीकंडक्टर वेफर क्लीनिंग टेक्नोलॉजी की हैंडबुक. Noyes Publications. pp. 356–357. ISBN 978-0-8155-1331-5.


बाहरी संबंध