अर्धचालक पैमाने के उदाहरणों की सूची: Difference between revisions

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{{Semiconductor manufacturing processes}}
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विभिन्न धातु-ऑक्साइड-[[ अर्धचालक ]] क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (मोसफेट, या एमओएस  ट्रांजिस्टर) सेमीकंडक्टर निर्माण प्रक्रिया नोड्स के लिए सूचीबद्ध अनेक  सेमीकंडक्टर [[MOSFET स्केलिंग|मोसफेट स्केलिंग]] के उदाहरण हैं।
विभिन्न धातु-ऑक्साइड-[[ अर्धचालक ]] क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (मोसफेट, या एमओएस  ट्रांजिस्टर) अर्धचालक निर्माण प्रक्रिया नोड्स के लिए सूचीबद्ध अनेक  अर्धचालक [[MOSFET स्केलिंग|मोसफेट पैमाना]] के उदाहरण हैं।


== मोसफेट प्रदर्शनों की समयरेखा ==
== मोसफेट प्रदर्शनों की समयरेखा ==
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|NEC
|NEC
|<ref>{{cite journal |last1=Kawaura |first1=Hisao |last2=Sakamoto |first2=Toshitsugu |last3=Baba |first3=Toshio |title=Observation of source-to-drain direct tunneling current in 8 nm gate electrically variable shallow junction metal–oxide–semiconductor field-effect transistors |journal=[[Applied Physics Letters]] |date=12 June 2000 |volume=76 |issue=25 |pages=3810–3812 |doi=10.1063/1.126789 |bibcode=2000ApPhL..76.3810K |issn=0003-6951}}</ref>
|<ref>{{cite journal |last1=Kawaura |first1=Hisao |last2=Sakamoto |first2=Toshitsugu |last3=Baba |first3=Toshio |title=Observation of source-to-drain direct tunneling current in 8 nm gate electrically variable shallow junction metal–oxide–semiconductor field-effect transistors |journal=[[Applied Physics Letters]] |date=12 June 2000 |volume=76 |issue=25 |pages=3810–3812 |doi=10.1063/1.126789 |bibcode=2000ApPhL..76.3810K |issn=0003-6951}}</ref>
|} <अनुभाग अंत = प्रदर्शन />
|} सूक्ष्म-मापक मोसफेटका उपयोग करने वाले वाणिज्यिक उत्पाद
 
== माइक्रो-स्केल मोसफेटs == का उपयोग कर वाणिज्यिक उत्पाद


=== 20 माइक्रोन निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद ===
=== 20 माइक्रोन निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद ===
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=== 10 सुक्ष्ममापी निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद===
=== 10 माइक्रोन निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद===
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{{Main|10 माइक्रोन प्रक्रिया}}


* [[इंटेल 4004]], प्रथम एकल-चिप [[माइक्रोप्रोसेसर]] [[ CPU | सीपीयू]]  1971 में प्रक्षेपण किया गया।
* [[इंटेल 4004]], प्रथम एकल-चिप [[माइक्रोप्रोसेसर]] [[ CPU | सीपीयू]]  1971 में प्रक्षेपण किया गया।
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* [[एमओएस टेक्नोलॉजी 6502|एमओएस प्रौद्योगिकी  6502]] 1 मेगाहर्ट्ज सीपीयू 1975 (8 माइक्रोन) में प्रक्षेपण  किया गया।
* [[एमओएस टेक्नोलॉजी 6502|एमओएस प्रौद्योगिकी  6502]] 1 मेगाहर्ट्ज सीपीयू 1975 (8 माइक्रोन) में प्रक्षेपण  किया गया।


=== 8 μm निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद ===
=== 8 माइक्रोन निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद ===
* [[इंटेल 1103]], एक प्रारंभिक [[गतिशील रैंडम-एक्सेस मेमोरी|गतिशील अनियमित-अभिगम  मेमोरी]] (डीआरएएम) चिप को 1970 में प्रक्षेपण  किया गया।<ref name="Lojek-1103">{{cite book |last1=Lojek |first1=Bo |title=सेमीकंडक्टर इंजीनियरिंग का इतिहास|date=2007 |publisher=[[Springer Science & Business Media]] |isbn=9783540342588 |pages=362–363 |url=https://books.google.com/books?id=2cu1Oh_COv8C&pg=PA362 |quote=The i1103 was manufactured on a 6-mask silicon-gate P-MOS process with 8 μm minimum features. The resulting product had a 2,400 μm, 2 memory cell size, a die size just under 10 mm<sup>2</sup>, and sold for around $21.}}</ref>
* [[इंटेल 1103]], एक प्रारंभिक [[गतिशील रैंडम-एक्सेस मेमोरी]] (डीआरएएम) चिप को 1970 में प्रक्षेपण  किया गया।<ref name="Lojek-1103">{{cite book |last1=Lojek |first1=Bo |title=सेमीकंडक्टर इंजीनियरिंग का इतिहास|date=2007 |publisher=[[Springer Science & Business Media]] |isbn=9783540342588 |pages=362–363 |url=https://books.google.com/books?id=2cu1Oh_COv8C&pg=PA362 |quote=The i1103 was manufactured on a 6-mask silicon-gate P-MOS process with 8 μm minimum features. The resulting product had a 2,400 μm, 2 memory cell size, a die size just under 10 mm<sup>2</sup>, and sold for around $21.}}</ref>




=== 6 सुक्ष्ममापी निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद===
=== 6 माइक्रोन निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद===
{{Main|6 µm process}}
{{Main|6 माइक्रोन प्रक्रिया}}


* [[Toshiba]] TLCS-12, 1973 में [[Ford EEC]] (इलेक्ट्रॉनिक इंजन कंट्रोल) सिस्टम के लिए विकसित एक माइक्रोप्रोसेसर।<ref name="shmj-1973-toshiba"/>* 1974 में प्रक्षेपण  किया गया [[Intel 8080]] CPU इस प्रक्रिया का उपयोग करके निर्मित किया गया था।<ref name="listoid">{{Cite web |url=http://www.listoid.com/list/142 |title=इंटेल माइक्रोप्रोसेसर का इतिहास - लिस्टॉयड|access-date=2019-07-02 |archive-date=2015-04-27 |archive-url=https://web.archive.org/web/20150427124729/http://www.listoid.com/list/142 |url-status=dead }}</ref>
* [[Toshiba|तोशिबा]] टीएलसीएस-12,, एक माइक्रोप्रोसेसर है जिसे 1973 में [[Ford EEC|फोर्ड ईईसी]] (इलेक्ट्रॉनिक इंजन नियंत्रण) सिस्टम के लिए विकसित किया गया था।<ref name="listoid">{{Cite web |url=http://www.listoid.com/list/142 |title=इंटेल माइक्रोप्रोसेसर का इतिहास - लिस्टॉयड|access-date=2019-07-02 |archive-date=2015-04-27 |archive-url=https://web.archive.org/web/20150427124729/http://www.listoid.com/list/142 |url-status=dead }}</ref>
* [[टेलीविजन इंटरफ़ेस एडाप्टर]], कस्टम ग्राफिक्स और ऑडियो चिप 1977 में [[अटारी 2600]] के लिए विकसित किया गया।<ref name="designingc64">{{cite web |title=Design case history: the Commodore 64 |website=IEEE Spectrum |access-date=1 September 2019 |url=https://spectrum.ieee.org/ns/pdfs/commodore64_mar1985.pdf}}</ref>
*1974 में प्रक्षेपण किया गया [[इंटेल 1103|इंटेल]] [[अटारी 2600|8080]] सीपीयू इस प्रक्रिया का उपयोग करके निर्मित किया गया था। [95]
* [[एमओएस टेक्नोलॉजी एसआईडी|एमओएस प्रौद्योगिकी  एसआईडी]], 1982 में [[कमोडोर 64]] के लिए विकसित एक [[प्रोग्राम करने योग्य ध्वनि जनरेटर]]।<ref name="designingc64"/>* [[MOS Technology VIC-II]], 1982 (5 μm) में कमोडोर 64 के लिए विकसित एक [[ वीडियो प्रदर्शन नियंत्रक ]]।<ref name="designingc64"/>
* [[टेलीविजन इंटरफ़ेस एडाप्टर|टेलीविजन इंटरफ़ेस उपयोजक]], प्रथा आलेखिकी और ध्वनि चिप 1977 में [[अटारी 2600]] के लिए विकसित किया गया।<ref name="designingc64">{{cite web |title=Design case history: the Commodore 64 |website=IEEE Spectrum |access-date=1 September 2019 |url=https://spectrum.ieee.org/ns/pdfs/commodore64_mar1985.pdf}}</ref>
* [[एमओएस टेक्नोलॉजी एसआईडी|एमओएस प्रौद्योगिकी  एसआईडी]], 1982 में [[कमोडोर 64]] के लिए विकसित एक [[प्रोग्राम करने योग्य ध्वनि जनरेटर|कार्य करने योग्य ध्वनि जनरेटर]]।<ref name="designingc64" />
*[[MOS Technology VIC-II|एमओएस]] [[एमओएस टेक्नोलॉजी एसआईडी|प्रौद्योगिकी]] विक-II, 1982 (5 माइक्रोन) में कमोडोर 64 के लिए विकसित एक [[ वीडियो प्रदर्शन नियंत्रक | वीडियो प्रदर्शन नियंत्रक]] है।<ref name="designingc64" />




=== 3 μm निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद ===
=== 3 माइक्रोन निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद ===
{{Main|3 µm process}}
{{Main|3 माइक्रोन प्रक्रिया}}


* [[इंटेल 8085]] सीपीयू 1976 में प्रक्षेपण  हुआ।<ref>{{cite web |last=Mueller |first=S |title=Microprocessors from 1971 to the Present |publisher=informIT |date=2006-07-21 |url=http://www.informit.com/articles/article.aspx?p=482324&seqNum=2 |access-date=2012-05-11}}</ref> * [[इंटेल 8086]] सीपीयू 1978 में प्रक्षेपण  हुआ।<ref name="listoid"/>* [[इंटेल 8088]] सीपीयू 1979 में प्रक्षेपण  हुआ।
* [[इंटेल 8085]] सीपीयू 1976 में प्रक्षेपण  हुआ।<ref>{{cite web |last=Mueller |first=S |title=Microprocessors from 1971 to the Present |publisher=informIT |date=2006-07-21 |url=http://www.informit.com/articles/article.aspx?p=482324&seqNum=2 |access-date=2012-05-11}}</ref>  
* [[मोटोरोला 68000]] 8 मेगाहर्ट्ज सीपीयू 1979 में प्रक्षेपण  किया गया (3.5 माइक्रोमीटर)।
*[[इंटेल 8086]] सीपीयू 1978 में प्रक्षेपण  हुआ।<ref name="listoid" />
*[[इंटेल 8088]] सीपीयू 1979 में प्रक्षेपण  हुआ।
* [[मोटोरोला 68000]] 8 मेगाहर्ट्ज सीपीयू 1979 (3.5 माइक्रोन) में प्रक्षेपण  किया गया।


=== 1.5 माइक्रोन निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद ===
=== 1.5 माइक्रोन निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद ===
{{Main|1.5 µm process}}
{{Main|1.5 माइक्रोन प्रक्रिया}}


* [[एनईसी]] के 64{{nbsp}1981 में [[kibibit]] [[स्टेटिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी|स्टेटिक रैंडम-अभिगम  मेमोरी]] मेमोरी चिप।<ref name="stol"/>* [[इंटेल 80286]] सीपीयू 1982 में प्रक्षेपण हुआ।
* 1981 में [[एनईसी]] की 64 [[kibibit|केबी]] [[स्टेटिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी]] मेमोरी चिप<ref name="stol"/>  
* [[अमिगा एडवांस्ड ग्राफिक्स आर्किटेक्चर]] (शुरुआत में 1992 में बेचा गया) में डेनिस जैसे चिप्स शामिल थे जिन्हें 1.5 माइक्रोन [[सीएमओएस]] प्रक्रिया का उपयोग करके निर्मित किया गया था।<ref>{{cite web|title=Amiga Manual: Amiga 3000+ System Specification 1991|date=17 July 1991 |url=https://archive.org/stream/Amiga_3000_System_Specification_The_1991-07-17_Commodore/Amiga_3000_System_Specification_The_1991-07-17_Commodore_djvu.txt}}</ref>
*[[इंटेल 80286]] सीपीयू 1982 में प्रक्षेपण हुआ।
* [[अमिगा एडवांस्ड ग्राफिक्स आर्किटेक्चर|अमिगा उन्नत  आलेखिकी स्थापत्य]] (शुरुआत में 1992 में बेचा गया) में डेनिस जैसे चिप्स शामिल थे जिन्हें 1.5 माइक्रोन [[सीएमओएस]] प्रक्रिया का उपयोग करके निर्मित किया गया था।<ref>{{cite web|title=Amiga Manual: Amiga 3000+ System Specification 1991|date=17 July 1991 |url=https://archive.org/stream/Amiga_3000_System_Specification_The_1991-07-17_Commodore/Amiga_3000_System_Specification_The_1991-07-17_Commodore_djvu.txt}}</ref>




===1 माइक्रोमीटर निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद===
===1 माइक्रोन निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद===
{{Main|1 µm process}}
{{Main|1 माइक्रोन प्रक्रिया}}


* [[निप्पॉन टेलीग्राफ और टेलीफोन]] की डीआरएएम मेमोरी चिप्स, इसके 64 सहित{{nbsp}1979 और 256 में किबिबिट चिप{{nbsp}1980 में kb चिप।<ref name="Gealow"/>* एनईसी 1{{nbsp}1984 में [[Mebibit]] DRAM मेमोरी चिप।<ref name="stol"/>* [[इंटेल 80386]] सीपीयू 1985 में प्रक्षेपण  हुआ।
* [[निप्पॉन टेलीग्राफ और टेलीफोन]] की डीआरएएम मेमोरी चिप्स, इसके 64 सहित{{nbsp}1979 और 256 में किबिबिट चिप{{nbsp}1980 में kb चिप।<ref name="Gealow"/>* एनईसी 1{{nbsp}1984 में [[Mebibit]] DRAM मेमोरी चिप।<ref name="stol"/>* [[इंटेल 80386]] सीपीयू 1985 में प्रक्षेपण  हुआ।
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* इंटेल [[कॉपरमाइन (माइक्रोप्रोसेसर)]] - अक्टूबर 1999
* इंटेल [[कॉपरमाइन (माइक्रोप्रोसेसर)]] - अक्टूबर 1999
* Sony PlayStation 2 कंसोल का [[भावना इंजन]] और [[ग्राफिक्स सिंथेसाइज़र]] - मार्च 2000<ref name="sony2003">{{cite press release |author=<!-- Unstated: staff writer. --> |date=21 April 2003 |title=प्लेस्टेशन के कोर में प्रयुक्त इमोशन इंजन और ग्राफिक्स सिंथेसाइज़र एक चिप बन जाते हैं|url=https://www.sie.com/content/dam/corporate/en/corporate/release/pdf/030421be.pdf |access-date=26 June 2019 |publisher=[[Sony]]}}</ref>
* Sony PlayStation 2 कंसोल का [[भावना इंजन]] और [[ग्राफिक्स सिंथेसाइज़र|आलेखिकी सिंथेसाइज़र]] - मार्च 2000<ref name="sony2003">{{cite press release |author=<!-- Unstated: staff writer. --> |date=21 April 2003 |title=प्लेस्टेशन के कोर में प्रयुक्त इमोशन इंजन और ग्राफिक्स सिंथेसाइज़र एक चिप बन जाते हैं|url=https://www.sie.com/content/dam/corporate/en/corporate/release/pdf/030421be.pdf |access-date=26 June 2019 |publisher=[[Sony]]}}</ref>
* [[ATI Technologies]] Radeon R100 और RV100 अति Radeon R100 सीरीज - 2000
* [[ATI Technologies]] Radeon R100 और RV100 अति Radeon R100 सीरीज - 2000
* [[एएमडी]] [[एथलॉन थंडरबर्ड]] - जून 2000
* [[एएमडी]] [[एथलॉन थंडरबर्ड]] - जून 2000
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* भंवर 86SX - [http://www.dmp.com.tw/]
* भंवर 86SX - [http://www.dmp.com.tw/]


== नैनो-स्केल मोसफेटs == का उपयोग कर वाणिज्यिक उत्पाद
== नैनो-मापक मोसफेटs == का उपयोग कर वाणिज्यिक उत्पाद
{{See also|Nanoelectronics|Nanocircuitry}}
{{See also|Nanoelectronics|Nanocircuitry}}


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* [[फाउंड्री मॉडल]]
* [[फाउंड्री मॉडल]]
* एमओएसएफईटी
* एमओएसएफईटी
* सेमीकंडक्टर डिवाइस निर्माण
* अर्धचालक डिवाइस निर्माण
* ट्रांजिस्टर गिनती
* ट्रांजिस्टर गिनती


Revision as of 18:03, 14 June 2023

Semiconductor
device
fabrication
4-fach-NAND-C10.JPG
MOSFET scaling
(process nodes)
Future

विभिन्न धातु-ऑक्साइड-अर्धचालक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (मोसफेट, या एमओएस ट्रांजिस्टर) अर्धचालक निर्माण प्रक्रिया नोड्स के लिए सूचीबद्ध अनेक अर्धचालक मोसफेट पैमाना के उदाहरण हैं।

मोसफेट प्रदर्शनों की समयरेखा

See also: मोसफेट, सेमीकंडक्टर यंत्र का निर्माण, and ट्रांजिस्टर घनत्व

पीएमओएस और एनएमओएस

मोसफेट (पीएमओएस और एनएमओएस) स्पष्टीकरण
Date Channel length Oxide thickness[1] मोसफेट logic Researcher(s) Organization Ref
June 1960 20,000 nm 100 nm PMOS Mohamed M. Atalla, Dawon Kahng Bell Telephone Laboratories [2][3]
NMOS
10,000 nm 100 nm PMOS Mohamed M. Atalla, Dawon Kahng Bell Telephone Laboratories [4]
NMOS
May 1965 8,000 nm 150 nm NMOS Chih-Tang Sah, Otto Leistiko, A.S. Grove Fairchild Semiconductor [5]
5,000 nm 170 nm PMOS
December 1972 1,000 nm ? PMOS Robert H. Dennard, Fritz H. Gaensslen, Hwa-Nien Yu IBM T.J. Watson Research Center [6][7][8]
1973 7,500 nm ? NMOS Sohichi Suzuki NEC [9][10]
6,000 nm ? PMOS ? Toshiba [11][12]
October 1974 1,000 nm 35 nm NMOS Robert H. Dennard, Fritz H. Gaensslen, Hwa-Nien Yu IBM T.J. Watson Research Center [13]
500 nm
September 1975 1,500 nm 20 nm NMOS Ryoichi Hori, Hiroo Masuda, Osamu Minato Hitachi [7][14]
March 1976 3,000 nm ? NMOS ? Intel [15]
April 1979 1,000 nm 25 nm NMOS William R. Hunter, L. M. Ephrath, Alice Cramer IBM T.J. Watson Research Center [16]
December 1984 100 nm 5 nm NMOS Toshio Kobayashi, Seiji Horiguchi, K. Kiuchi Nippon Telegraph and Telephone [17]
December 1985 150 nm 2.5 nm NMOS Toshio Kobayashi, Seiji Horiguchi, M. Miyake, M. Oda Nippon Telegraph and Telephone [18]
75 nm ? NMOS Stephen Y. Chou, Henry I. Smith, Dimitri A. Antoniadis MIT [19]
January 1986 60 nm ? NMOS Stephen Y. Chou, Henry I. Smith, Dimitri A. Antoniadis MIT [20]
June 1987 200 nm 3.5 nm PMOS Toshio Kobayashi, M. Miyake, K. Deguchi Nippon Telegraph and Telephone [21]
December 1993 40 nm ? NMOS Mizuki Ono, Masanobu Saito, Takashi Yoshitomi Toshiba [22]
September 1996 16 nm ? PMOS Hisao Kawaura, Toshitsugu Sakamoto, Toshio Baba NEC [23]
June 1998 50 nm 1.3 nm NMOS Khaled Z. Ahmed, Effiong E. Ibok, Miryeong Song Advanced Micro Devices (AMD) [24][25]
December 2002 6 nm ? PMOS Bruce Doris, Omer Dokumaci, Meikei Ieong IBM [26][27][28]
December 2003 3 nm ? PMOS Hitoshi Wakabayashi, Shigeharu Yamagami NEC [29][27]
? NMOS


सीएमओएस (धातु-मार्ग)

पूरक मोसफेट (सीएमओएस) स्पष्टीकरण (धातु-मार्ग)
Date Channel length Oxide thickness[1] Researcher(s) Organization Ref
February 1963 ? ? Chih-Tang Sah, Frank Wanlass Fairchild Semiconductor [30][31]
1968 20,000 nm 100 nm ? RCA Laboratories [32]
1970 10,000 nm 100 nm ? RCA Laboratories [32]
December 1976 2,000 nm ? A. Aitken, R.G. Poulsen, A.T.P. MacArthur, J.J. White Mitel Semiconductor [33]
February 1978 3,000 nm ? Toshiaki Masuhara, Osamu Minato, Toshio Sasaki, Yoshio Sakai Hitachi Central Research Laboratory [34][35][36]
February 1983 1,200 nm 25 nm R.J.C. Chwang, M. Choi, D. Creek, S. Stern, P.H. Pelley Intel [37][38]
900 nm 15 nm Tsuneo Mano, J. Yamada, Junichi Inoue, S. Nakajima Nippon Telegraph and Telephone (NTT) [37][39]
December 1983 1,000 nm 22.5 nm G.J. Hu, Yuan Taur, Robert H. Dennard, Chung-Yu Ting IBM T.J. Watson Research Center [40]
February 1987 800 nm 17 nm T. Sumi, Tsuneo Taniguchi, Mikio Kishimoto, Hiroshige Hirano Matsushita [37][41]
700 nm 12 nm Tsuneo Mano, J. Yamada, Junichi Inoue, S. Nakajima Nippon Telegraph and Telephone (NTT) [37][42]
September 1987 500 nm 12.5 nm Hussein I. Hanafi, Robert H. Dennard, Yuan Taur, Nadim F. Haddad IBM T.J. Watson Research Center [43]
December 1987 250 nm ? Naoki Kasai, Nobuhiro Endo, Hiroshi Kitajima NEC [44]
February 1988 400 nm 10 nm M. Inoue, H. Kotani, T. Yamada, Hiroyuki Yamauchi Matsushita [37][45]
December 1990 100 nm ? Ghavam G. Shahidi, Bijan Davari, Yuan Taur, James D. Warnock IBM T.J. Watson Research Center [46]
1993 350 nm ? ? Sony [47]
1996 150 nm ? ? Mitsubishi Electric
1998 180 nm ? ? TSMC [48]
December 2003 5 nm ? Hitoshi Wakabayashi, Shigeharu Yamagami, Nobuyuki Ikezawa NEC [29][49]


बहु-मार्ग मोसफेट (एमयूज़ीऍफ़ईटी)

बहु-मार्ग मोसफेट (एमयूज़ीऍफ़ईटी) स्पष्टीकरण
Date Channel length MuGFET type Researcher(s) Organization Ref
August 1984 ? DGMOS Toshihiro Sekigawa, Yutaka Hayashi Electrotechnical Laboratory (ETL) [50]
1987 2,000 nm DGMOS Toshihiro Sekigawa Electrotechnical Laboratory (ETL) [51]
December 1988 250 nm DGMOS Bijan Davari, Wen-Hsing Chang, Matthew R. Wordeman, C.S. Oh IBM T.J. Watson Research Center [52][53]
180 nm
? GAAFET Fujio Masuoka, Hiroshi Takato, Kazumasa Sunouchi, N. Okabe Toshiba [54][55][56]
December 1989 200 nm FinFET Digh Hisamoto, Toru Kaga, Yoshifumi Kawamoto, Eiji Takeda Hitachi Central Research Laboratory [57][58][59]
December 1998 17 nm FinFET Digh Hisamoto, Chenming Hu, Tsu-Jae King Liu, Jeffrey Bokor University of California (Berkeley) [60][61]
2001 15 nm FinFET Chenming Hu, Yang‐Kyu Choi, Nick Lindert, Tsu-Jae King Liu University of California (Berkeley) [60][62]
December 2002 10 nm FinFET Shibly Ahmed, Scott Bell, Cyrus Tabery, Jeffrey Bokor University of California (Berkeley) [60][63]
June 2006 3 nm GAAFET Hyunjin Lee, Yang-kyu Choi, Lee-Eun Yu, Seong-Wan Ryu KAIST [64][65]


अन्य प्रकार के मोसफेट

मोसफेट स्पष्टीकरण (अन्य प्रकार)
Date Channel
length
(nm) 		Oxide
thickness
(nm)[1] 		मोसफेट
type 		Researcher(s) Organization Ref
October 1962 ? ? TFT Paul K. Weimer RCA Laboratories [66][67]
1965 ? ? GaAs H. Becke, R. Hall, J. White RCA Laboratories [68]
October 1966 100,000 100 TFT T.P. Brody, H.E. Kunig Westinghouse Electric [69][70]
August 1967 ? ? FGMOS Dawon Kahng, Simon Min Sze Bell Telephone Laboratories [71]
October 1967 ? ? MNOS H.A. Richard Wegener, A.J. Lincoln, H.C. Pao Sperry Corporation [72]
July 1968 ? ? BiMOS Hung-Chang Lin, Ramachandra R. Iyer Westinghouse Electric [73][74]
October 1968 ? ? BiCMOS Hung-Chang Lin, Ramachandra R. Iyer, C.T. Ho Westinghouse Electric [75][74]
1969 ? ? VMOS ? Hitachi [76][77]
September 1969 ? ? DMOS Y. Tarui, Y. Hayashi, Toshihiro Sekigawa Electrotechnical Laboratory (ETL) [78][79]
October 1970 ? ? ISFET Piet Bergveld University of Twente [80][81]
October 1970 1000 ? DMOS Y. Tarui, Y. Hayashi, Toshihiro Sekigawa Electrotechnical Laboratory (ETL) [82]
1977 ? ? VDMOS John Louis Moll HP Labs [76]
? ? LDMOS ? Hitachi [83]
July 1979 ? ? IGBT Bantval Jayant Baliga, Margaret Lazeri General Electric [84]
December 1984 2000 ? BiCMOS H. Higuchi, Goro Kitsukawa, Takahide Ikeda, Y. Nishio Hitachi [85]
May 1985 300 ? ? K. Deguchi, Kazuhiko Komatsu, M. Miyake, H. Namatsu Nippon Telegraph and Telephone [86]
February 1985 1000 ? BiCMOS H. Momose, Hideki Shibata, S. Saitoh, Jun-ichi Miyamoto Toshiba [87]
November 1986 90 8.3 ? Han-Sheng Lee, L.C. Puzio General Motors [88]
December 1986 60 ? ? Ghavam G. Shahidi, Dimitri A. Antoniadis, Henry I. Smith MIT [89][20]
May 1987 ? 10 ? Bijan Davari, Chung-Yu Ting, Kie Y. Ahn, S. Basavaiah IBM T.J. Watson Research Center [90]
December 1987 800 ? BiCMOS Robert H. Havemann, R. E. Eklund, Hiep V. Tran Texas Instruments [91]
June 1997 30 ? EJ-MOSFET Hisao Kawaura, Toshitsugu Sakamoto, Toshio Baba NEC [92]
1998 32 ? ? ? NEC [27]
1999 8 ? ? ?
April 2000 8 ? EJ-MOSFET Hisao Kawaura, Toshitsugu Sakamoto, Toshio Baba NEC [93]

सूक्ष्म-मापक मोसफेटका उपयोग करने वाले वाणिज्यिक उत्पाद

20 माइक्रोन निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद


10 माइक्रोन निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद

Main article: 10 माइक्रोन प्रक्रिया

8 माइक्रोन निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद


6 माइक्रोन निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद

Main article: 6 माइक्रोन प्रक्रिया


3 माइक्रोन निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद

Main article: 3 माइक्रोन प्रक्रिया

1.5 माइक्रोन निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद

Main article: 1.5 माइक्रोन प्रक्रिया


1 माइक्रोन निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद

Main article: 1 माइक्रोन प्रक्रिया

800 एनएम निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद

Main article: 800 एनएम प्रक्रिया
  • निप्पॉन टेलीग्राफ और टेलीफोन 1{{nbsp}1984 में एमबी डीआरएएम मेमोरी चिप।[37]* एनईसी और तोशिबा ने अपने 4 के लिए इस प्रक्रिया का इस्तेमाल किया{{nbsp}1986 में एमबी डीआरएएम मेमोरी चिप्स।[47]* Hitachi , आईबीएम, PANASONIC और मित्सुबिशी इलेक्ट्रिक ने अपने 4 के लिए इस प्रक्रिया का इस्तेमाल किया{{nbsp}1987 में एमबी डीआरएएम मेमोरी चिप्स।[37]* टोबा का 4{{nbsp}एमबी EPROM मेमोरी चिप 1987 में।[47]* हिताची, मित्सुबिशी और तोशिबा ने अपने 1 के लिए इस प्रक्रिया का इस्तेमाल किया{{nbsp}1987 में एमबी स्टेटिक रैंडम-अभिगम मेमोरी चिप्स।[47]* इंटेल 80486 सीपीयू 1989 में प्रक्षेपण हुआ।
  • microSPARC 1992 में प्रक्षेपण हुआ।
  • 1993 में 60 मेगाहर्ट्ज और 66 मेगाहर्ट्ज पर प्रथम इंटेल पी5 (माइक्रोआर्किटेक्चर)#पी5 पेंटियम सीपीयू प्रक्षेपण किया गया।

600 एनएम निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद

Main article: 600 एनएम प्रक्रिया
  • मित्सुबिशी इलेक्ट्रिक, तोशिबा और एनईसी ने 16 पेश किए{{nbsp}600 के साथ निर्मित एमबी डीआरएएम मेमोरी चिप्स{{nbsp}1989 में एनएम प्रक्रिया।[47]* एनईसी के 16{{nbsp}एमबी EPROM मेमोरी चिप 1990 में।[47]* मित्सुबिशी के 16{{nbsp}एमबी फ्लैश मेमोरी चिप 1991 में।[47]* इंटेल 80486DX4 CPU 1994 में प्रक्षेपण हुआ।
  • IBM/Motorola PowerPC 601, पहली PowerPC चिप का उत्पादन 0.6 μm में किया गया था।
  • 75 मेगाहर्ट्ज, 90 मेगाहर्ट्ज और 100 मेगाहर्ट्ज पर इंटेल इंटेल P5 सीपीयू।

350 एनएम निर्माण प्रक्रिया की विशेषता वाले उत्पाद

Main article: 350 एनएम प्रक्रिया


250 एनएम निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद

Main article: 250 एनएम प्रक्रिया
  • हिताची के 16{{nbsp}1993 में एमबी एसआरएएम मेमोरी चिप।[47]* हिताची और एनईसी ने 256 पेश किए{{nbsp}1993 में इस प्रक्रिया के साथ Mb DRAM मेमोरी चिप्स का निर्माण किया गया, इसके बाद 1994 में पैनासोनिक, मित्सुबिशी इलेक्ट्रिक और ओकी इलेक्ट्रिक उद्योग का निर्माण किया गया।[47]* एनईसी 1{{nbsp}1995 में गिबिबाइट डीआरएएम मेमोरी चिप।[47]* हिताची के 128{{nbsp}1996 में एमबी नैंड फ्लैश मेमोरी चिप।[47]* DEC Alpha 21264A, जिसे 1999 में व्यावसायिक रूप से उपलब्ध कराया गया था।
  • AMD K6-2 चॉपर और चॉपर एक्सटेंडेड। चॉपर को 28 मई 1998 को रिलीज़ किया गया था।
  • AMD K6-III शार्पटूथ ने 250 एनएम का इस्तेमाल किया।
  • मोबाइल पेंटियम MMX P5 (माइक्रोआर्किटेक्चर)#P55C, तिलमूक, अगस्त 1997 में जारी किया गया।
  • पेंटियम II डिसच्यूट्स (माइक्रोप्रोसेसर)।
  • कलाकारों का सपना कंसोल का हिताची एसएच-4 CPU और PowerVR#Series2 (NEC) GPU, 1998 में जारी किया गया।
  • पेंटियम III कटमई (माइक्रोप्रोसेसर)।
  • आरंभिक PlayStation 2 का इमोशन इंजन CPU।

180 एनएम निर्माण प्रौद्योगिकी का उपयोग करने वाले प्रोसेसर

Main article: 180 एनएम प्रक्रिया

130 एनएम विनिर्माण प्रौद्योगिकी का उपयोग करने वाले प्रोसेसर

Main article: 130 एनएम प्रक्रिया
  • फुजित्सु स्पा RC64 V - 2001[101]
  • आईबीएम और Nintendo (खेल घन कंसोल) द्वारा गेको (माइक्रोप्रोसेसर) - 2001
  • मोटोरोला पावरपीसी जी4#पावरपीसी 7447 और 7457 - 2002
  • IBM PowerPC G5#PowerPC 970 - अक्टूबर 2002 - जून 2003
  • Intel Pentium III Tualatin (माइक्रोप्रोसेसर) और कॉपरमाइन (माइक्रोप्रोसेसर) - 2001-04
  • Intel Celeron Tualatin (माइक्रोप्रोसेसर)-256 – 2001-10-02
  • इंटेल पेंटियम एम बनियास (माइक्रोप्रोसेसर) - 2003-03-12
  • इंटेल पेंटियम 4 नॉर्थवुड- 2002-01-07
  • इंटेल सेलेरॉन नॉर्थवुड-128 - 2002-09-18
  • इंटेल जिऑन प्रेस्टनिया और गैलैटिन - 25-02-2002
  • VIA C3 - 2001
  • एएमडी एथलॉन एक्सपी थोरब्रेड, थॉर्टन और बार्टन
  • एएमडी एथलॉन एमपी थोरब्रेड - 2002-08-27
  • एएमडी एथलॉन एक्सपी-एम थोरब्रेड, बार्टन और डबलिन
  • एएमडी ड्यूरॉन ऐप्पलब्रेड - 2003-08-21
  • AMD K7 Sempron ख़ालिस-बी, थॉर्टन, और बार्टन - 2004-07-28
  • AMD K8 Sempron पेरिस - 2004-07-28
  • एएमडी एथलॉन 64 क्लॉहैमर और न्यूकैसल - 23-09-2003
  • एएमडी ओपर्टन स्लेजहैमर - 2003-06-30
  • एल्ब्रस 2000 1891ВМ4Я (1891VM4YA) - 2008-04-27 [1]
  • MCST-R500S 1891BM3 - 2008-07-27 [2]
  • भंवर 86SX - [3]

== नैनो-मापक मोसफेटs == का उपयोग कर वाणिज्यिक उत्पाद

See also: Nanoelectronics and Nanocircuitry

90 एनएम विनिर्माण प्रौद्योगिकी का उपयोग कर चिप्स

Main article: 90 एनएम प्रक्रिया
  • सोनी-तोशिबा इमोशन इंजन+प्लेस्टेशन 2 तकनीकी विनिर्देश (प्लेस्टेशन 2) - 2003[100]* IBM PowerPC G5#PowerPC 970FX - 2004
  • Elpida मेमोरी का 90 नैनोमीटर#उदाहरण: Elpida 90nm DDR2 SDRAM प्रक्रिया – 2005
  • IBM PowerPC G5#PowerPC 970MP - 2005
  • IBM PowerPC G5#PowerPC 970GX - 2005
  • IBM Xenon (प्रोसेसर) Xbox 360 प्रोसेसर - 2005
  • आईबीएम-सोनी-तोशिबा सेल (माइक्रोप्रोसेसर) - 2005
  • इंटेल पेंटियम 4 प्रेस्कॉट - 2004-02
  • इंटेल सेलेरॉन डी प्रेस्कॉट-256 - 2004-05
  • इंटेल पेंटियम एम डोथन (माइक्रोप्रोसेसर) - 2004-05
  • इंटेल सेलेरॉन एम डोथन (माइक्रोप्रोसेसर) -1024 - 2004-08
  • इंटेल झियोन नोकोना, इरविंडेल, क्रैनफोर्ड, पोटोमैक, पैक्सविले - 2004-06
  • इंटेल पेंटियम डी स्मिथक्षेत्र - 2005-05
  • AMD Athlon 64 विनचेस्टर, वेनिस, सैन डिएगो, ऑरलियन्स - 2004-10
  • AMD Athlon 64 X2 मैनचेस्टर, टोलेडो, विंडसर - 2005-05
  • एएमडी सेमप्रॉन पलेर्मो और मनीला - 2004-08
  • AMD Turion 64 Lancaster और Richmond - 2005-03
  • AMD Turion 64 X2 टेलर और त्रिनिदाद - 2006-05
  • एएमडी ओपर्टन वीनस, ट्रॉय और एथेंस - 2005-08
  • एएमडी डुअल-कोर ओपर्टन डेनमार्क, इटली, मिस्र, सांता एना और सांता रोजा
  • VIA C7 - 2005-05
  • लूंगसन (गॉडसन) लूंगसन#लूंगसन माइक्रोप्रोसेसर विनिर्देश|2E STLS2E02 - 2007-04
  • लूंगसन (गॉडसन) लूंगसन#लूंगसन माइक्रोप्रोसेसर विनिर्देश STLS2F02 - 2008-07
  • एमसीएसटी-4आर - 2010-12
  • एल्ब्रस-2सी+ - 2011-11

65 एनएम निर्माण प्रौद्योगिकी का उपयोग करने वाले प्रोसेसर

Main article: 65 एनएम प्रक्रिया

45 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग करने वाले प्रोसेसर

Main article: 45 एनएम प्रक्रिया

32 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग कर चिप्स

Main article: 32 एनएम प्रक्रिया
  • तोशिबा ने कमर्शियल 32 का निर्माण किया{{nbsp}32 के साथ उसे जाना होगा नंद फ्लैश मेमोरी चिप्स{{nbsp}एनएम प्रक्रिया 2009 में।[106]
  • जनवरी 2010 में जारी इंटेल कोर i3 और i5 प्रोसेसर[107]
  • इंटेल 6-कोर प्रोसेसर, कोडनेम गल्फटाउन (माइक्रोप्रोसेसर)[108]
  • Intel i7-970, जुलाई 2010 के अंत में जारी किया गया था, जिसकी कीमत लगभग US$900 थी
  • एएमडी एफएक्स सीरीज प्रोसेसर, कोडनेम ज़म्बेजी और एएमडी के बुलडोजर (माइक्रोआर्किटेक्चर) आर्किटेक्चर पर आधारित, अक्टूबर 2011 में जारी किए गए थे। तकनीक में 32 एनएम एसओआई प्रक्रिया, प्रति मॉड्यूल दो सीपीयू कोर, और क्वाड-से लेकर चार मॉड्यूल तक का उपयोग किया गया था। कोर डिज़ाइन की लागत लगभग US$130 से $280 आठ-कोर डिज़ाइन तक है।
  • अंबरेला इंक. ने सितंबर 2011 में 1080p60 हाई-डेफिनिशन वीडियो क्षमता प्रदान करते हुए डिजिटल स्टिल कैमरों के लिए A7L सिस्टम- on- एक चिप सर्किट की उपलब्धता की घोषणा की[109]


24–28 nm तकनीक का उपयोग करने वाले चिप्स

  • एसके हाइनिक्स ने घोषणा की कि वह 64 जीबी क्षमता के साथ 26 एनएम फ्लैश चिप का उत्पादन कर सकता है; इंटेल कॉर्प और माइक्रोन प्रौद्योगिकी ने तब तक स्वयं तकनीक विकसित कर ली थी। 2010 में घोषित।[110]
  • तोशिबा ने घोषणा की कि वह 31 अगस्त, 2010 को 24 एनएम फ्लैश मेमोरी एनएएनडी उपकरणों की शिपिंग कर रहा है।[111]
  • 2016 में एमसीएसटी का 28 एनएम प्रोसेसर एल्ब्रस-8एस सीरियल प्रोडक्शन के लिए चला गया।[112][113]


22 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग करने वाले चिप्स

Main article: 22 एनएम प्रक्रिया
  • इंटेल के आइवी ब्रिज (माइक्रोआर्किटेक्चर) पर आधारित इंटेल कोर i7 और इंटेल कोर i5 प्रोसेसर श्रृंखला 7 चिप-सेट के लिए 22 एनएम प्रौद्योगिकी 23 अप्रैल, 2012 को दुनिया भर में बिक्री के लिए गई।[114]


20 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग कर चिप्स

  • सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने 64 का बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू किया 2010 में 20 एनएम प्रक्रिया का उपयोग करते हुए गिबिबिट नंद फ्लैश मेमोरी चिप्स।[115]


16 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग करने वाले चिप्स

  • TSMC ने सबसे पहले 16 को शुरू किया{{nbsp}एनएम FinFET चिप उत्पादन 2013 में।[116]


14 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग कर चिप्स

Main article: 14 एनएम प्रक्रिया
  • Intel की ब्रॉडवेल (माइक्रोआर्किटेक्चर) 14 nm तकनीक पर आधारित Intel Core i7 और Intel Core i5 प्रोसेसर जनवरी 2015 में प्रक्षेपण किए गए थे।[117]
  • AMD के Zen (माइक्रोआर्किटेक्चर) या Zen+ आर्किटेक्चर पर आधारित AMD Ryzen प्रोसेसर और जो 14 nm FinFET तकनीक का उपयोग करता है।[118]


10 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग कर चिप्स

Main article: 10 एनएम प्रक्रिया
  • SAMSUNG ने घोषणा की कि उसने 10 का उपयोग करके बहु स्तरीय सेल (एमएलसी) फ्लैश मेमोरी चिप्स का बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू कर दिया है{{nbsp}एनएम प्रक्रिया 2013 में।[119] 17 अक्टूबर 2016 को, सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने 10 एनएम पर चिप चिप्स पर सिस्टम के बड़े पैमाने पर उत्पादन की घोषणा की।[120]
  • TSMC ने 2017 की शुरुआत में बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू करने से पहले, 2016 की शुरुआत में 10 एनएम चिप्स का व्यावसायिक उत्पादन शुरू किया।[121]
  • सैमसंग ने अप्रैल 2017 में कंपनी के 10 एनएम प्रोसेसर का उपयोग करके गैलेक्सी एस 8 स्मार्टफोन की शिपिंग शुरू की।[122]
  • Apple Inc. ने जून 2017 में 10 nm FinFET प्रक्रिया का उपयोग करके TSMC द्वारा निर्मित Apple A10X चिप्स के साथ संचालित दूसरी पीढ़ी के iPad Pro टैबलेट वितरित किए।[123]


7 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग कर चिप्स

Main article: 7 एनएम प्रक्रिया
  • TSMC ने अप्रैल 2017 में 7nm प्रक्रिया का उपयोग करके 256 Mbit SRAM मेमोरी चिप्स का जोखिम उत्पादन शुरू किया।[124]
  • सैमसंग और TSMC ने 2018 में 7 एनएम उपकरणों का बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू किया।[125]
  • Apple A12 और Huawei HiSilicon#Kirin 980 मोबाइल प्रोसेसर, दोनों 2018 में जारी किए गए, TSMC द्वारा निर्मित 7 एनएम चिप्स का उपयोग करते हैं।[126]
  • AMD ने नवंबर 2018 में Vega 20 GPU के साथ TSMC 7 nm का उपयोग करना शुरू किया,[127] जुलाई 2019 से ज़ेन 2-आधारित सीपीयू और एपीयू के साथ,[128] और प्लेस्टेशन 5 दोनों के लिए [129] और एक्सबॉक्स सीरीज एक्स/एस [130] कंसोल के APU, दोनों को नवंबर 2020 में रिलीज़ किया गया।

5 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग कर चिप्स

Main article: 5 एनएम प्रक्रिया
  • सैमसंग ने 2018 के अंत में 5 एनएम चिप्स (5LPE) का उत्पादन शुरू किया।[131]
  • TSMC ने अप्रैल 2019 में 5 एनएम चिप्स (CLN5FF) का उत्पादन शुरू किया।[132]


3 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग कर चिप्स

Main article: 3 एनएम प्रक्रिया
  • TSMC ने 3 को रिलीज़ करने की योजना की घोषणा की है एनएम डिवाइस 2021–2022 के दौरान।[133][134]
  • सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने 2022 के जून में 3 एनएम जीएएएफईटी ट्रांजिस्टर का जोखिम उत्पादन शुरू कर दिया है।[135]


यह भी देखें

संदर्भ

  1. ↑ 1.0 1.1 1.2 "Angstrom". Collins English Dictionary. Retrieved 2019-03-02.
  2. ↑ Sze, Simon M. (2002). Semiconductor Devices: Physics and Technology (PDF) (2nd ed.). Wiley. p. 4. ISBN 0-471-33372-7.
  3. ↑ Atalla, Mohamed M.; Kahng, Dawon (June 1960). "Silicon–silicon dioxide field induced surface devices". IRE-AIEE Solid State Device Research Conference. Carnegie Mellon University Press.
  4. ↑ Voinigescu, Sorin (2013). High-Frequency Integrated Circuits. Cambridge University Press. p. 164. ISBN 9780521873024.
  5. ↑ Sah, Chih-Tang; Leistiko, Otto; Grove, A. S. (May 1965). "Electron and hole mobilities in inversion layers on thermally oxidized silicon surfaces". IEEE Transactions on Electron Devices. 12 (5): 248–254. Bibcode:1965ITED...12..248L. doi:10.1109/T-ED.1965.15489.
  6. ↑ Dennard, Robert H.; Gaensslen, Fritz H.; Yu, Hwa-Nien; Kuhn, L. (December 1972). "Design of micron MOS switching devices". 1972 International Electron Devices Meeting. 1972 International Electron Devices Meeting. pp. 168–170. doi:10.1109/IEDM.1972.249198.
  7. ↑ 7.0 7.1 Hori, Ryoichi; Masuda, Hiroo; Minato, Osamu; Nishimatsu, Shigeru; Sato, Kikuji; Kubo, Masaharu (September 1975). "Short Channel MOS-IC Based on Accurate Two Dimensional Device Design". Japanese Journal of Applied Physics. 15 (S1): 193. doi:10.7567/JJAPS.15S1.193. ISSN 1347-4065.
  8. ↑ Critchlow, D. L. (2007). "Recollections on MOSFET Scaling". IEEE Solid-State Circuits Society Newsletter. 12 (1): 19–22. doi:10.1109/N-SSC.2007.4785536.
  9. ↑ "1970s: Development and evolution of microprocessors" (PDF). Semiconductor History Museum of Japan. Retrieved 27 June 2019.
  10. ↑ "NEC 751 (uCOM-4)". The Antique Chip Collector's Page. Archived from the original on 2011-05-25. Retrieved 2010-06-11.
  11. ↑ "1973: 12-bit engine-control microprocessor (Toshiba)" (PDF). Semiconductor History Museum of Japan. Retrieved 27 June 2019.
  12. ↑ Belzer, Jack; Holzman, Albert G.; Kent, Allen (1978). Encyclopedia of Computer Science and Technology: Volume 10 – Linear and Matrix Algebra to Microorganisms: Computer-Assisted Identification. CRC Press. p. 402. ISBN 9780824722609.
  13. ↑ Dennard, Robert H.; Gaensslen, F. H.; Yu, Hwa-Nien; Rideout, V. L.; Bassous, E.; LeBlanc, A. R. (October 1974). "Design of ion-implanted MOSFET's with very small physical dimensions" (PDF). IEEE Journal of Solid-State Circuits. 9 (5): 256–268. Bibcode:1974IJSSC...9..256D. CiteSeerX 10.1.1.334.2417. doi:10.1109/JSSC.1974.1050511. S2CID 283984.
  14. ↑ Kubo, Masaharu; Hori, Ryoichi; Minato, Osamu; Sato, Kikuji (February 1976). "A threshold voltage controlling circuit for short channel MOS integrated circuits". 1976 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers. 1976 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers. Vol. XIX. pp. 54–55. doi:10.1109/ISSCC.1976.1155515. S2CID 21048622.
  15. ↑ "Intel Microprocessor Quick Reference Guide". Intel. Retrieved 27 June 2019.
  16. ↑ Hunter, William R.; Ephrath, L. M.; Cramer, Alice; Grobman, W. D.; Osburn, C. M.; Crowder, B. L.; Luhn, H. E. (April 1979). "1 /spl mu/m MOSFET VLSI technology. V. A single-level polysilicon technology using electron-beam lithography". IEEE Journal of Solid-State Circuits. 14 (2): 275–281. doi:10.1109/JSSC.1979.1051174. S2CID 26389509.
  17. ↑ Kobayashi, Toshio; Horiguchi, Seiji; Kiuchi, K. (December 1984). "Deep-submicron MOSFET characteristics with 5 nm gate oxide". 1984 International Electron Devices Meeting: 414–417. doi:10.1109/IEDM.1984.190738. S2CID 46729489.
  18. ↑ Kobayashi, Toshio; Horiguchi, Seiji; Miyake, M.; Oda, M.; Kiuchi, K. (December 1985). "Extremely high transconductance (above 500 mS/mm) MOSFET with 2.5 nm gate oxide". 1985 International Electron Devices Meeting: 761–763. doi:10.1109/IEDM.1985.191088. S2CID 22309664.
  19. ↑ Chou, Stephen Y.; Antoniadis, Dimitri A.; Smith, Henry I. (December 1985). "Observation of electron velocity overshoot in sub-100-nm-channel MOSFET's in Silicon". IEEE Electron Device Letters. 6 (12): 665–667. Bibcode:1985IEDL....6..665C. doi:10.1109/EDL.1985.26267. S2CID 28493431.
  20. ↑ 20.0 20.1 Chou, Stephen Y.; Smith, Henry I.; Antoniadis, Dimitri A. (January 1986). "Sub‐100‐nm channel‐length transistors fabricated using x‐ray lithography". Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena. 4 (1): 253–255. Bibcode:1986JVSTB...4..253C. doi:10.1116/1.583451. ISSN 0734-211X.
  21. ↑ Kobayashi, Toshio; Miyake, M.; Deguchi, K.; Kimizuka, M.; Horiguchi, Seiji; Kiuchi, K. (1987). "Subhalf-micrometer p-channel MOSFET's with 3.5-nm gate Oxide fabricated using X-ray lithography". IEEE Electron Device Letters. 8 (6): 266–268. Bibcode:1987IEDL....8..266M. doi:10.1109/EDL.1987.26625. S2CID 38828156.
  22. ↑ Ono, Mizuki; Saito, Masanobu; Yoshitomi, Takashi; Fiegna, Claudio; Ohguro, Tatsuya; Iwai, Hiroshi (December 1993). "Sub-50 nm gate length n-MOSFETs with 10 nm phosphorus source and drain junctions". Proceedings of IEEE International Electron Devices Meeting: 119–122. doi:10.1109/IEDM.1993.347385. ISBN 0-7803-1450-6. S2CID 114633315.
  23. ↑ Kawaura, Hisao; Sakamoto, Toshitsugu; Baba, Toshio; Ochiai, Yukinori; Fujita, Jun'ichi; Matsui, Shinji; Sone, Jun'ichi (1997). "Proposal of Pseudo Source and Drain MOSFETs for Evaluating 10-nm Gate MOSFETs". Japanese Journal of Applied Physics (in English). 36 (3S): 1569. Bibcode:1997JaJAP..36.1569K. doi:10.1143/JJAP.36.1569. ISSN 1347-4065. S2CID 250846435.
  24. ↑ Ahmed, Khaled Z.; Ibok, Effiong E.; Song, Miryeong; Yeap, Geoffrey; Xiang, Qi; Bang, David S.; Lin, Ming-Ren (1998). "Performance and reliability of sub-100 nm MOSFETs with ultra thin direct tunneling gate oxides". 1998 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers (Cat. No.98CH36216): 160–161. doi:10.1109/VLSIT.1998.689240. ISBN 0-7803-4770-6. S2CID 109823217.
  25. ↑ Ahmed, Khaled Z.; Ibok, Effiong E.; Song, Miryeong; Yeap, Geoffrey; Xiang, Qi; Bang, David S.; Lin, Ming-Ren (1998). "Sub-100 nm nMOSFETs with direct tunneling thermal, nitrous and nitric oxides". 56th Annual Device Research Conference Digest (Cat. No.98TH8373): 10–11. doi:10.1109/DRC.1998.731099. ISBN 0-7803-4995-4. S2CID 1849364.
  26. ↑ Doris, Bruce B.; Dokumaci, Omer H.; Ieong, Meikei K.; Mocuta, Anda; Zhang, Ying; Kanarsky, Thomas S.; Roy, R. A. (December 2002). "Extreme scaling with ultra-thin Si channel MOSFETs". Digest. International Electron Devices Meeting: 267–270. doi:10.1109/IEDM.2002.1175829. ISBN 0-7803-7462-2. S2CID 10151651.
  27. ↑ 27.0 27.1 27.2 Schwierz, Frank; Wong, Hei; Liou, Juin J. (2010). Nanometer CMOS (in English). Pan Stanford Publishing. p. 17. ISBN 9789814241083.
  28. ↑ "IBM claims world's smallest silicon transistor – TheINQUIRER". Theinquirer.net. 2002-12-09. Archived from the original on May 31, 2011. Retrieved 7 December 2017.{{cite web}}: CS1 maint: unfit URL (link)
  29. ↑ 29.0 29.1 Wakabayashi, Hitoshi; Yamagami, Shigeharu; Ikezawa, Nobuyuki; Ogura, Atsushi; Narihiro, Mitsuru; Arai, K.; Ochiai, Y.; Takeuchi, K.; Yamamoto, T.; Mogami, T. (December 2003). "Sub-10-nm planar-bulk-CMOS devices using lateral junction control". IEEE International Electron Devices Meeting 2003: 20.7.1–20.7.3. doi:10.1109/IEDM.2003.1269446. ISBN 0-7803-7872-5. S2CID 2100267.
  30. ↑ "1963: Complementary MOS Circuit Configuration is Invented". Computer History Museum. Retrieved 6 July 2019.
  31. ↑ Sah, Chih-Tang; Wanlass, Frank (February 1963). Nanowatt logic using field-effect metal–oxide semiconductor triodes. 1963 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers. Vol. VI. pp. 32–33. doi:10.1109/ISSCC.1963.1157450.
  32. ↑ 32.0 32.1 32.2 Lojek, Bo (2007). History of Semiconductor Engineering. Springer Science & Business Media. p. 330. ISBN 9783540342588.
  33. ↑ Aitken, A.; Poulsen, R. G.; MacArthur, A. T. P.; White, J. J. (December 1976). "A fully plasma etched-ion implanted CMOS process". 1976 International Electron Devices Meeting. 1976 International Electron Devices Meeting. pp. 209–213. doi:10.1109/IEDM.1976.189021. S2CID 24526762.
  34. ↑ "1978: Double-well fast CMOS SRAM (Hitachi)" (PDF). Semiconductor History Museum of Japan. Retrieved 5 July 2019.
  35. ↑ Masuhara, Toshiaki; Minato, Osamu; Sasaki, Toshio; Sakai, Yoshio; Kubo, Masaharu; Yasui, Tokumasa (February 1978). "A high-speed, low-power Hi-CMOS 4K static RAM". 1978 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers. 1978 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers. Vol. XXI. pp. 110–111. doi:10.1109/ISSCC.1978.1155749. S2CID 30753823.
  36. ↑ Masuhara, Toshiaki; Minato, Osamu; Sakai, Yoshi; Sasaki, Toshio; Kubo, Masaharu; Yasui, Tokumasa (September 1978). "Short Channel Hi-CMOS Device and Circuits". ESSCIRC 78: 4th European Solid State Circuits Conference – Digest of Technical Papers: 131–132.
  37. ↑ 37.0 37.1 37.2 37.3 37.4 37.5 37.6 37.7 Gealow, Jeffrey Carl (10 August 1990). "Impact of Processing Technology on DRAM Sense Amplifier Design" (PDF). Massachusetts Institute of Technology. pp. 149–166. Retrieved 25 June 2019 – via CORE.
  38. ↑ Chwang, R. J. C.; Choi, M.; Creek, D.; Stern, S.; Pelley, P. H.; Schutz, Joseph D.; Bohr, M. T.; Warkentin, P. A.; Yu, K. (February 1983). "A 70ns high density CMOS DRAM". 1983 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers. XXVI: 56–57. doi:10.1109/ISSCC.1983.1156456. S2CID 29882862.
  39. ↑ Mano, Tsuneo; Yamada, J.; Inoue, Junichi; Nakajima, S. (February 1983). "Submicron VLSI memory circuits". 1983 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers. XXVI: 234–235. doi:10.1109/ISSCC.1983.1156549. S2CID 42018248.
  40. ↑ Hu, G. J.; Taur, Yuan; Dennard, Robert H.; Terman, L. M.; Ting, Chung-Yu (December 1983). "A self-aligned 1-μm CMOS technology for VLSI". 1983 International Electron Devices Meeting: 739–741. doi:10.1109/IEDM.1983.190615. S2CID 20070619.
  41. ↑ Sumi, T.; Taniguchi, Tsuneo; Kishimoto, Mikio; Hirano, Hiroshige; Kuriyama, H.; Nishimoto, T.; Oishi, H.; Tetakawa, S. (1987). "A 60ns 4Mb DRAM in a 300mil DIP". 1987 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers. XXX: 282–283. doi:10.1109/ISSCC.1987.1157106. S2CID 60783996.
  42. ↑ Mano, Tsuneo; Yamada, J.; Inoue, Junichi; Nakajima, S.; Matsumura, Toshiro; Minegishi, K.; Miura, K.; Matsuda, T.; Hashimoto, C.; Namatsu, H. (1987). "Circuit technologies for 16Mb DRAMs". 1987 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers. XXX: 22–23. doi:10.1109/ISSCC.1987.1157158. S2CID 60984466.
  43. ↑ Hanafi, Hussein I.; Dennard, Robert H.; Taur, Yuan; Haddad, Nadim F.; Sun, J. Y. C.; Rodriguez, M. D. (September 1987). "0.5 μm CMOS Device Design and Characterization". ESSDERC '87: 17th European Solid State Device Research Conference: 91–94.
  44. ↑ Kasai, Naoki; Endo, Nobuhiro; Kitajima, Hiroshi (December 1987). "0.25 μm CMOS technology using P+polysilicon gate PMOSFET". 1987 International Electron Devices Meeting: 367–370. doi:10.1109/IEDM.1987.191433. S2CID 9203005.
  45. ↑ Inoue, M.; Kotani, H.; Yamada, T.; Yamauchi, Hiroyuki; Fujiwara, A.; Matsushima, J.; Akamatsu, Hironori; Fukumoto, M.; Kubota, M.; Nakao, I.; Aoi (1988). "A 16mb Dram with an Open Bit-Line Architecture". 1988 IEEE International Solid-State Circuits Conference, 1988 ISSCC. Digest of Technical Papers: 246–. doi:10.1109/ISSCC.1988.663712. S2CID 62034618.
  46. ↑ Shahidi, Ghavam G.; Davari, Bijan; Taur, Yuan; Warnock, James D.; Wordeman, Matthew R.; McFarland, P. A.; Mader, S. R.; Rodriguez, M. D. (December 1990). "Fabrication of CMOS on ultrathin SOI obtained by epitaxial lateral overgrowth and chemical-mechanical polishing". International Technical Digest on Electron Devices: 587–590. doi:10.1109/IEDM.1990.237130. S2CID 114249312.
  47. ↑ 47.00 47.01 47.02 47.03 47.04 47.05 47.06 47.07 47.08 47.09 47.10 47.11 47.12 47.13 "Memory". STOL (Semiconductor Technology Online). Retrieved 25 June 2019.
  48. ↑ "0.18-micron Technology". TSMC. Retrieved 30 June 2019.
  49. ↑ "NEC test-produces world's smallest transistor". Thefreelibrary.com. Retrieved 7 December 2017.
  50. ↑ Sekigawa, Toshihiro; Hayashi, Yutaka (August 1984). "Calculated threshold-voltage characteristics of an XMOS transistor having an additional bottom gate". Solid-State Electronics. 27 (8): 827–828. Bibcode:1984SSEle..27..827S. doi:10.1016/0038-1101(84)90036-4. ISSN 0038-1101.
  51. ↑ Koike, Hanpei; Nakagawa, Tadashi; Sekigawa, Toshiro; Suzuki, E.; Tsutsumi, Toshiyuki (23 February 2003). "Primary Consideration on Compact Modeling of DG MOSFETs with Four-terminal Operation Mode" (PDF). TechConnect Briefs. 2 (2003): 330–333. S2CID 189033174. Archived from the original (PDF) on 26 September 2019.
  52. ↑ Davari, Bijan; Chang, Wen-Hsing; Wordeman, Matthew R.; Oh, C. S.; Taur, Yuan; Petrillo, Karen E.; Rodriguez, M. D. (December 1988). "A high performance 0.25 mu m CMOS technology". Technical Digest., International Electron Devices Meeting: 56–59. doi:10.1109/IEDM.1988.32749. S2CID 114078857.
  53. ↑ Davari, Bijan; Wong, C. Y.; Sun, Jack Yuan-Chen; Taur, Yuan (December 1988). "Doping of n/sup +/ and p/sup +/ polysilicon in a dual-gate CMOS process". Technical Digest., International Electron Devices Meeting: 238–241. doi:10.1109/IEDM.1988.32800. S2CID 113918637.
  54. ↑ Masuoka, Fujio; Takato, Hiroshi; Sunouchi, Kazumasa; Okabe, N.; Nitayama, Akihiro; Hieda, K.; Horiguchi, Fumio (December 1988). "High performance CMOS surrounding-gate transistor (SGT) for ultra high density LSIs". Technical Digest., International Electron Devices Meeting: 222–225. doi:10.1109/IEDM.1988.32796. S2CID 114148274.
  55. ↑ Brozek, Tomasz (2017). Micro- and Nanoelectronics: Emerging Device Challenges and Solutions. CRC Press. p. 117. ISBN 9781351831345.
  56. ↑ Ishikawa, Fumitaro; Buyanova, Irina (2017). Novel Compound Semiconductor Nanowires: Materials, Devices, and Applications. CRC Press. p. 457. ISBN 9781315340722.
  57. ↑ Colinge, J.P. (2008). FinFETs and Other Multi-Gate Transistors. Springer Science & Business Media. p. 11. ISBN 9780387717517.
  58. ↑ Hisamoto, Digh; Kaga, Toru; Kawamoto, Yoshifumi; Takeda, Eiji (December 1989). "A fully depleted lean-channel transistor (DELTA): a novel vertical ultra thin SOI MOSFET". International Technical Digest on Electron Devices Meeting: 833–836. doi:10.1109/IEDM.1989.74182. S2CID 114072236.
  59. ↑ "IEEE Andrew S. Grove Award Recipients". IEEE Andrew S. Grove Award. Institute of Electrical and Electronics Engineers. Retrieved 4 July 2019.
  60. ↑ 60.0 60.1 60.2 Tsu‐Jae King, Liu (June 11, 2012). "FinFET: History, Fundamentals and Future". University of California, Berkeley. Symposium on VLSI Technology Short Course. Archived from the original on 28 May 2016. Retrieved 9 July 2019.
  61. ↑ Hisamoto, Digh; Hu, Chenming; Liu, Tsu-Jae King; Bokor, Jeffrey; Lee, Wen-Chin; Kedzierski, Jakub; Anderson, Erik; Takeuchi, Hideki; Asano, Kazuya (December 1998). "A folded-channel MOSFET for deep-sub-tenth micron era". International Electron Devices Meeting 1998. Technical Digest (Cat. No.98CH36217): 1032–1034. doi:10.1109/IEDM.1998.746531. ISBN 0-7803-4774-9. S2CID 37774589.
  62. ↑ Hu, Chenming; Choi, Yang‐Kyu; Lindert, N.; Xuan, P.; Tang, S.; Ha, D.; Anderson, E.; Bokor, J.; Tsu-Jae King, Liu (December 2001). "Sub-20 nm CMOS FinFET technologies". International Electron Devices Meeting. Technical Digest (Cat. No.01CH37224): 19.1.1–19.1.4. doi:10.1109/IEDM.2001.979526. ISBN 0-7803-7050-3. S2CID 8908553.
  63. ↑ Ahmed, Shibly; Bell, Scott; Tabery, Cyrus; Bokor, Jeffrey; Kyser, David; Hu, Chenming; Liu, Tsu-Jae King; Yu, Bin; Chang, Leland (December 2002). "FinFET scaling to 10 nm gate length" (PDF). Digest. International Electron Devices Meeting: 251–254. CiteSeerX 10.1.1.136.3757. doi:10.1109/IEDM.2002.1175825. ISBN 0-7803-7462-2. S2CID 7106946.
  64. ↑ Lee, Hyunjin; Choi, Yang-Kyu; Yu, Lee-Eun; Ryu, Seong-Wan; Han, Jin-Woo; Jeon, K.; Jang, D.Y.; Kim, Kuk-Hwan; Lee, Ju-Hyun; et al. (June 2006), "Sub-5nm All-Around Gate FinFET for Ultimate Scaling", Symposium on VLSI Technology, 2006: 58–59, doi:10.1109/VLSIT.2006.1705215, hdl:10203/698, ISBN 978-1-4244-0005-8, S2CID 26482358
  65. ↑ "Still Room at the Bottom (nanometer transistor developed by Yang-kyu Choi from the Korea Advanced Institute of Science and Technology )", Nanoparticle News, 1 April 2006, archived from the original on 6 November 2012
  66. ↑ Weimer, Paul K. (June 1962). "The TFT A New Thin-Film Transistor". Proceedings of the IRE. 50 (6): 1462–1469. doi:10.1109/JRPROC.1962.288190. ISSN 0096-8390. S2CID 51650159.
  67. ↑ Kuo, Yue (1 January 2013). "Thin Film Transistor Technology—Past, Present, and Future" (PDF). The Electrochemical Society Interface. 22 (1): 55–61. Bibcode:2013ECSIn..22a..55K. doi:10.1149/2.F06131if. ISSN 1064-8208.
  68. ↑ Ye, Peide D.; Xuan, Yi; Wu, Yanqing; Xu, Min (2010). "Atomic-Layer Deposited High-k/III-V Metal-Oxide-Semiconductor Devices and Correlated Empirical Model". In Oktyabrsky, Serge; Ye, Peide (eds.). Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs. Springer Science & Business Media. pp. 173–194. doi:10.1007/978-1-4419-1547-4_7. ISBN 978-1-4419-1547-4.
  69. ↑ Brody, T. P.; Kunig, H. E. (October 1966). "A HIGH‐GAIN InAs THIN‐FILM TRANSISTOR". Applied Physics Letters. 9 (7): 259–260. Bibcode:1966ApPhL...9..259B. doi:10.1063/1.1754740. ISSN 0003-6951.
  70. ↑ Woodall, Jerry M. (2010). Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs. Springer Science & Business Media. pp. 2–3. ISBN 9781441915474.
  71. ↑ Kahng, Dawon; Sze, Simon Min (July–August 1967). "A floating gate and its application to memory devices". The Bell System Technical Journal. 46 (6): 1288–1295. Bibcode:1967ITED...14Q.629K. doi:10.1002/j.1538-7305.1967.tb01738.x.
  72. ↑ Wegener, H. A. R.; Lincoln, A. J.; Pao, H. C.; O'Connell, M. R.; Oleksiak, R. E.; Lawrence, H. (October 1967). "The variable threshold transistor, a new electrically-alterable, non-destructive read-only storage device". 1967 International Electron Devices Meeting. 13: 70. doi:10.1109/IEDM.1967.187833.
  73. ↑ Lin, Hung Chang; Iyer, Ramachandra R. (July 1968). "A Monolithic Mos-Bipolar Audio Amplifier". IEEE Transactions on Broadcast and Television Receivers. 14 (2): 80–86. doi:10.1109/TBTR1.1968.4320132.
  74. ↑ 74.0 74.1 Alvarez, Antonio R. (1990). "Introduction To BiCMOS". BiCMOS Technology and Applications. Springer Science & Business Media. pp. 1–20 (2). doi:10.1007/978-1-4757-2029-7_1. ISBN 9780792393849.
  75. ↑ Lin, Hung Chang; Iyer, Ramachandra R.; Ho, C. T. (October 1968). "Complementary MOS-bipolar structure". 1968 International Electron Devices Meeting. 1968 International Electron Devices Meeting. pp. 22–24. doi:10.1109/IEDM.1968.187949.
  76. ↑ 76.0 76.1 "Advances in Discrete Semiconductors March On". Power Electronics Technology. Informa: 52–6. September 2005. Archived (PDF) from the original on 22 March 2006. Retrieved 31 July 2019.
  77. ↑ Oxner, E. S. (1988). Fet Technology and Application. CRC Press. p. 18. ISBN 9780824780500.
  78. ↑ Tarui, Y.; Hayashi, Y.; Sekigawa, Toshihiro (September 1969). "Diffusion Self-Aligned MOST; A New Approach for High Speed Device". Proceedings of the 1st Conference on Solid State Devices. doi:10.7567/SSDM.1969.4-1. S2CID 184290914.
  79. ↑ McLintock, G. A.; Thomas, R. E. (December 1972). "Modelling of the double-diffused MOST's with self-aligned gates". 1972 International Electron Devices Meeting. 1972 International Electron Devices Meeting. pp. 24–26. doi:10.1109/IEDM.1972.249241.
  80. ↑ Bergveld, P. (January 1970). "Development of an Ion-Sensitive Solid-State Device for Neurophysiological Measurements". IEEE Transactions on Biomedical Engineering. BME-17 (1): 70–71. doi:10.1109/TBME.1970.4502688. PMID 5441220.
  81. ↑ Chris Toumazou; Pantelis Georgiou (December 2011). "40 years of ISFET technology: From neuronal sensing to DNA sequencing". Electronics Letters. doi:10.1049/el.2011.3231. Retrieved 13 May 2016.
  82. ↑ Tarui, Y.; Hayashi, Y.; Sekigawa, Toshihiro (October 1970). DSA enhancement – Depletion MOS IC. 1970 International Electron Devices Meeting. p. 110. doi:10.1109/IEDM.1970.188299.
  83. ↑ Duncan, Ben (1996). High Performance Audio Power Amplifiers. Elsevier. pp. 177–8, 406. ISBN 9780080508047.
  84. ↑ Baliga, B. Jayant (2015). The IGBT Device: Physics, Design and Applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor. William Andrew. pp. xxviii, 5–12. ISBN 9781455731534.
  85. ↑ Higuchi, H.; Kitsukawa, Goro; Ikeda, Takahide; Nishio, Y.; Sasaki, N.; Ogiue, Katsumi (December 1984). "Performance and structures of scaled-down bipolar devices merged with CMOSFETs". 1984 International Electron Devices Meeting: 694–697. doi:10.1109/IEDM.1984.190818. S2CID 41295752.
  86. ↑ Deguchi, K.; Komatsu, Kazuhiko; Miyake, M.; Namatsu, H.; Sekimoto, M.; Hirata, K. (1985). "Step-and-Repeat X-ray/Photo Hybrid Lithography for 0.3 μm Mos Devices". 1985 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers: 74–75.
  87. ↑ Momose, H.; Shibata, Hideki; Saitoh, S.; Miyamoto, Jun-ichi; Kanzaki, K.; Kohyama, Susumu (1985). "1.0-/spl mu/m n-Well CMOS/Bipolar Technology". IEEE Journal of Solid-State Circuits. 20 (1): 137–143. Bibcode:1985IJSSC..20..137M. doi:10.1109/JSSC.1985.1052286. S2CID 37353920.
  88. ↑ Lee, Han-Sheng; Puzio, L.C. (November 1986). "The electrical properties of subquarter-micrometer gate-length MOSFET's". IEEE Electron Device Letters. 7 (11): 612–614. Bibcode:1986IEDL....7..612H. doi:10.1109/EDL.1986.26492. S2CID 35142126.
  89. ↑ Shahidi, Ghavam G.; Antoniadis, Dimitri A.; Smith, Henry I. (December 1986). "Electron velocity overshoot at 300 K and 77 K in silicon MOSFETs with submicron channel lengths". 1986 International Electron Devices Meeting: 824–825. doi:10.1109/IEDM.1986.191325. S2CID 27558025.
  90. ↑ Davari, Bijan; Ting, Chung-Yu; Ahn, Kie Y.; Basavaiah, S.; Hu, Chao-Kun; Taur, Yuan; Wordeman, Matthew R.; Aboelfotoh, O. (May 1987). "Submicron Tungsten Gate MOSFET with 10 nm Gate Oxide". 1987 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers: 61–62.
  91. ↑ Havemann, Robert H.; Eklund, R. E.; Tran, Hiep V.; Haken, R. A.; Scott, D. B.; Fung, P. K.; Ham, T. E.; Favreau, D. P.; Virkus, R. L. (December 1987). "An 0.8 #181;m 256K BiCMOS SRAM technology". 1987 International Electron Devices Meeting: 841–843. doi:10.1109/IEDM.1987.191564. S2CID 40375699.
  92. ↑ Kawaura, Hisao; Sakamoto, Toshitsugu; Baba, Toshio; Ochiai, Yukinori; Fujita, Jun-ichi; Matsui, Shinji; Sone, J. (1997). "Transistor operations in 30-nm-gate-length EJ-MOSFETs". 1997 55th Annual Device Research Conference Digest: 14–15. doi:10.1109/DRC.1997.612456. ISBN 0-7803-3911-8. S2CID 38105606.
  93. ↑ Kawaura, Hisao; Sakamoto, Toshitsugu; Baba, Toshio (12 June 2000). "Observation of source-to-drain direct tunneling current in 8 nm gate electrically variable shallow junction metal–oxide–semiconductor field-effect transistors". Applied Physics Letters. 76 (25): 3810–3812. Bibcode:2000ApPhL..76.3810K. doi:10.1063/1.126789. ISSN 0003-6951.
  94. ↑ Lojek, Bo (2007). सेमीकंडक्टर इंजीनियरिंग का इतिहास. Springer Science & Business Media. pp. 362–363. ISBN 9783540342588. The i1103 was manufactured on a 6-mask silicon-gate P-MOS process with 8 μm minimum features. The resulting product had a 2,400 μm, 2 memory cell size, a die size just under 10 mm2, and sold for around $21.
  95. ↑ 95.0 95.1 "इंटेल माइक्रोप्रोसेसर का इतिहास - लिस्टॉयड". Archived from the original on 2015-04-27. Retrieved 2019-07-02.
  96. ↑ 96.0 96.1 96.2 "Design case history: the Commodore 64" (PDF). IEEE Spectrum. Retrieved 1 September 2019.
  97. ↑ Mueller, S (2006-07-21). "Microprocessors from 1971 to the Present". informIT. Retrieved 2012-05-11.
  98. ↑ "Amiga Manual: Amiga 3000+ System Specification 1991". 17 July 1991.
  99. ↑ "Propeller I semiconductor process technology? Is it 350nm or 180nm?". Archived from the original on 2012-07-10. Retrieved 2012-09-10.
  100. ↑ 100.0 100.1 "प्लेस्टेशन के कोर में प्रयुक्त इमोशन इंजन और ग्राफिक्स सिंथेसाइज़र एक चिप बन जाते हैं" (PDF) (Press release). Sony. 21 April 2003. Retrieved 26 June 2019.
  101. ↑ Krewell, Kevin (21 October 2002). "Fujitsu's SPARC64 V Is Real Deal". Microprocessor Report.
  102. ↑ "ソニー、65nm対応の半導体設備を導入。3年間で2,000億円の投資". pc.watch.impress.co.jp. Archived from the original on 2016-08-13.
  103. ↑ TG Daily – AMD preps 65 nm Turion X2 processors Archived 2007-09-13 at the Wayback Machine
  104. ↑ http://focus.ti.com/pdfs/wtbu/ti_omap3family.pdf[bare URL PDF]
  105. ↑ "Panasonic ने नई पीढ़ी के UniPhier System LSI की बिक्री शुरू की". Panasonic. October 10, 2007. Retrieved 2 July 2019.
  106. ↑ "Toshiba Makes Major Advances in NAND Flash Memory with 3-bit-per-cell 32nm generation and with 4-bit-per-cell 43nm technology". Toshiba. 11 February 2009. Retrieved 21 June 2019.
  107. ↑ "Intel Debuts 32-NM Westmere Desktop Processors". InformationWeek, 7 January 2010. Retrieved 2011-12-17.
  108. ↑ Cangeloso, Sal (February 4, 2010). "Intel's 6-core 32nm processors arriving soon". Geek.com. Archived from the original on March 30, 2012. Retrieved November 11, 2011.
  109. ↑ "Ambarella A7L Enables the Next Generation of Digital Still Cameras with 1080p60 Fluid Motion Video". News release. September 26, 2011. Retrieved November 11, 2011.
  110. ↑ Article reporting Hynix 26 nm technology announcement
  111. ↑ Toshiba launches 24nm process NAND flash memory
  112. ↑ "The Russian 28-nm processor "Elbrus-8C" will go into production in 2016". Retrieved 7 September 2020.
  113. ↑ ""एल्ब्रस" पर एक और घरेलू डेटा स्टोरेज सिस्टम बनाया गया है". Retrieved 7 September 2020.
  114. ↑ Intel launches Ivy Bridge...
  115. ↑ "इतिहास". Samsung Electronics. Samsung. Retrieved 19 June 2019.
  116. ↑ "16/12nm Technology". TSMC. Retrieved 30 June 2019.
  117. ↑ EETimes Intel Rolls 14nm Broadwell in Vegas
  118. ↑ "एएमडी ज़ेन वास्तुकला अवलोकन". Tech4Gizmos (in British English). 2015-12-04. Retrieved 2019-05-01.
  119. ↑ "Samsung Mass Producing 128Gb 3-bit MLC NAND Flash". Tom's Hardware. 11 April 2013. Retrieved 21 June 2019.
  120. ↑ Samsung Starts Industry's First Mass Production of System-on-Chip with 10-Nanometer FinFET Technology, Oct 2016
  121. ↑ "10 एनएम प्रौद्योगिकी". TSMC. Retrieved 30 June 2019.
  122. ↑ "Latest Samsung Galaxy Smartphones | Mobile Phones".
  123. ↑ techinsights.com. "10nm रोलआउट ठीक साथ-साथ आगे बढ़ रहा है". www.techinsights.com. Archived from the original on 2017-08-03. Retrieved 2017-06-30.
  124. ↑ "7nm Technology". TSMC. Retrieved 30 June 2019.
  125. ↑ TSMC ramping up 7nm chip production Monica Chen, Hsinchu; Jessie Shen, DIGITIMES Friday 22 June 2018
  126. ↑ "Apple's A12 Bionic is the first 7-nanometer smartphone chip". Engadget (in English). Retrieved 2018-09-20.
  127. ↑ Smith, Ryan. "AMD Announces Radeon Instinct MI60 & MI50 Accelerators: Powered By 7nm Vega". www.anandtech.com. Retrieved 2021-01-09.
  128. ↑ Cutress, Ian. "AMD Ryzen 3000 Announced: Five CPUs, 12 Cores for $499, Up to 4.6 GHz, PCIe 4.0, Coming 7/7". www.anandtech.com. Retrieved 2021-01-09.
  129. ↑ Smith, Ryan. "Sony Teases Next-Gen PlayStation: Custom AMD Chip with Zen 2 CPU & Navi GPU, SSD Too". www.anandtech.com. Retrieved 2021-01-09.
  130. ↑ Howse, Brett. "Xbox at E3 2019: Xbox Project Scarlett Console Launching Holiday 2020". www.anandtech.com. Retrieved 2021-01-09.
  131. ↑ Shilov, Anton. "Samsung Completes Development of 5nm EUV Process Technology". www.anandtech.com. Retrieved 2019-05-31.
  132. ↑ TSMC and OIP Ecosystem Partners Deliver Industry's First Complete Design Infrastructure for 5nm Process Technology (press release), TSMC, 3 April 2019
  133. ↑ "TSMC Plans New Fab for 3nm". EE Times. 12 December 2016. Retrieved 26 September 2019.
  134. ↑ Armasu, Lucian (11 January 2019), "Samsung Plans Mass Production of 3nm GAAFET Chips in 2021", Tom's Hardware
  135. ↑ Smith, Ryan. "Samsung Starts 3nm Production: The Gate-All-Around (GAAFET) Era Begins". www.anandtech.com. Retrieved 2022-11-08.
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