ओवरड्राइव वोल्टेज: Difference between revisions
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ओवरड्राइव वोल्टेज, जिसे आमतौर पर वी के रूप में संक्षिप्त किया जाता है<sub>OV</sub>, को आमतौर पर [[MOSFET]] [[ट्रांजिस्टर]] के संदर्भ में संदर्भित किया जाता है। ओवरड्राइव वोल्टेज को ट्रांजिस्टर गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है (वी<sub>GS</sub>) दहलीज वोल्टेज से अधिक (वी<sub>TH</sub>) जहां वी<sub>TH</sub> ट्रांजिस्टर को चालू करने के लिए गेट और स्रोत के बीच आवश्यक न्यूनतम वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है (इसे बिजली का संचालन करने की अनुमति दें)। इस परिभाषा के कारण, ओवरड्राइव वोल्टेज को अतिरिक्त गेट वोल्टेज या प्रभावी वोल्टेज के रूप में भी जाना जाता है।<ref>Sedra and Smith, Microelectronic Circuits, Fifth Edition, (2004) Chapter 4, {{ISBN|978-0-19-533883-6}}</ref> सरल समीकरण का उपयोग करके ओवरड्राइव वोल्टेज पाया जा सकता है: वी<sub>OV</sub> = वी<sub>GS</sub> - वी<sub>TH</sub>. | ओवरड्राइव वोल्टेज, जिसे आमतौर पर वी के रूप में संक्षिप्त किया जाता है<sub>OV</sub>, को आमतौर पर [[MOSFET]] [[ट्रांजिस्टर]] के संदर्भ में संदर्भित किया जाता है। ओवरड्राइव वोल्टेज को ट्रांजिस्टर गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है (वी<sub>GS</sub>) दहलीज वोल्टेज से अधिक (वी<sub>TH</sub>) जहां वी<sub>TH</sub> ट्रांजिस्टर को चालू करने के लिए गेट और स्रोत के बीच आवश्यक न्यूनतम वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है (इसे बिजली का संचालन करने की अनुमति दें)। इस परिभाषा के कारण, ओवरड्राइव वोल्टेज को अतिरिक्त गेट वोल्टेज या प्रभावी वोल्टेज के रूप में भी जाना जाता है।<ref>Sedra and Smith, Microelectronic Circuits, Fifth Edition, (2004) Chapter 4, {{ISBN|978-0-19-533883-6}}</ref> सरल समीकरण का उपयोग करके ओवरड्राइव वोल्टेज पाया जा सकता है: वी<sub>OV</sub> = वी<sub>GS</sub> - वी<sub>TH</sub>. | ||
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ओवरड्राइव वोल्टेज, जिसे आमतौर पर वी के रूप में संक्षिप्त किया जाता हैOV, को आमतौर पर MOSFET ट्रांजिस्टर के संदर्भ में संदर्भित किया जाता है। ओवरड्राइव वोल्टेज को ट्रांजिस्टर गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है (वीGS) दहलीज वोल्टेज से अधिक (वीTH) जहां वीTH ट्रांजिस्टर को चालू करने के लिए गेट और स्रोत के बीच आवश्यक न्यूनतम वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है (इसे बिजली का संचालन करने की अनुमति दें)। इस परिभाषा के कारण, ओवरड्राइव वोल्टेज को अतिरिक्त गेट वोल्टेज या प्रभावी वोल्टेज के रूप में भी जाना जाता है।[1] सरल समीकरण का उपयोग करके ओवरड्राइव वोल्टेज पाया जा सकता है: वीOV = वीGS - वीTH.
प्रौद्योगिकी
वीOV महत्वपूर्ण है क्योंकि यह सीधे आउटपुट ड्रेन टर्मिनल करंट (ID) ट्रांजिस्टर की, एम्पलीफायर सर्किट की एक महत्वपूर्ण संपत्ति। वी को बढ़ाकरOV, मैंD संतृप्ति धारा तक पहुंचने तक बढ़ाया जा सकता है।[2] V से संबंध के कारण ओवरड्राइव वोल्टेज भी महत्वपूर्ण हैDS, स्रोत के सापेक्ष नाली वोल्टेज, जिसका उपयोग MOSFET के संचालन के क्षेत्र को निर्धारित करने के लिए किया जा सकता है। नीचे दी गई तालिका दिखाती है कि MOSFET किस क्षेत्र में है, यह समझने के लिए ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग कैसे करें:
| Conditions | Region of Operation | Description |
|---|---|---|
| VDS > VOV; VGS > VTH | Saturation (CCR) | The MOSFET is delivering a high amount of current, and changing VDS won't do much. |
| VDS < VOV; VGS > VTH | Triode (Linear) | The MOSFET is delivering current in a linear relationship to the voltage (VDS). |
| VGS < VTH | Cutoff | The MOSFET is turned off, and should not be delivering any current. |
एक और भौतिकी से संबंधित स्पष्टीकरण इस प्रकार है:
एनएमओएस ट्रांजिस्टर में, शून्य बायस के तहत चैनल क्षेत्र में छेदों की बहुतायत होती है (यानी, यह पी-टाइप सिलिकॉन है)। नकारात्मक गेट बायस लगाने से (वीGS < 0) हम अधिक छिद्रों को आकर्षित करते हैं, और इसे संचय कहा जाता है। एक सकारात्मक गेट वोल्टेज (वीGS > 0) इलेक्ट्रॉनों को आकर्षित करेगा और छिद्रों को पीछे हटाएगा, और इसे अवक्षय कहा जाता है क्योंकि हम छिद्रों की संख्या को कम कर रहे हैं। एक महत्वपूर्ण वोल्टेज पर दहलीज वोल्टेज कहा जाता है (वीTH) चैनल वास्तव में छेदों से इतना कम हो जाएगा और इलेक्ट्रॉनों में समृद्ध होगा कि यह एन-टाइप सिलिकॉन होने में बदल जाएगा, और इसे उलटा क्षेत्र कहा जाता है।
जैसे ही हम इस वोल्टेज को बढ़ाते हैं, VGS, वी से आगेTH, कहा जाता है कि हम एक मजबूत चैनल बनाकर गेट को ओवरड्राइव कर रहे हैं, इसलिए ओवरड्राइव (जिसे अक्सर V कहा जाता है)ov, मेंod, या वीon) के रूप में परिभाषित किया गया है (वीGS - वीTH).
यह भी देखें
- मॉसफेट
- सीमा वोल्टेज
- इलेक्ट्रॉनिक एम्पलीफायर
- लघु-चैनल प्रभाव
- पक्षपात
संदर्भ
- ↑ Sedra and Smith, Microelectronic Circuits, Fifth Edition, (2004) Chapter 4, ISBN 978-0-19-533883-6
- ↑ Lecture Note of Prof Liu, UC Berkeley
