ओवरड्राइव वोल्टेज

ओवरड्राइव वोल्टेज, जिसे सामान्यतः V_OV के रूप में संक्षिप्त किया जाता है, सामान्यतः एमओएसएफईटी ट्रांजिस्टर के संदर्भ में संदर्भित किया जाता है। ओवरड्राइव वोल्टेज को ट्रांजिस्टर गेट और स्रोत (V_GS) के बीच थ्रेसहोल्ड वोल्टेज (V_TH) से अधिक वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है, जहां V_TH को ट्रांजिस्टर को चालू करने के लिए गेट और स्रोत के बीच आवश्यक न्यूनतम वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है (इसे विद्युत् का संचालन करने की अनुमति दें) इस परिभाषा के कारण, ओवरड्राइव वोल्टेज को "अतिरिक्त गेट वोल्टेज" या "प्रभावी वोल्टेज" के रूप में भी जाना जाता है। ओवरड्राइव वोल्टेज को सरल समीकरण का उपयोग करके पाया जा सकता है: V_OV = V_GS − V_TH.

प्रौद्योगिकी

V_OV महत्वपूर्ण है क्योंकि यह सीधे ट्रांजिस्टर के आउटपुट ड्रेन टर्मिनल धारा (I_D) को प्रभावित करता है, जो एम्पलीफायर परिपथ की एक महत्वपूर्ण संपत्ति है। V_OV, बढ़ाकर, (I_D ) को संतृप्ति तक पहुंचने तक बढ़ाया जा सकता है।

ओवरड्राइव वोल्टेज भी महत्वपूर्ण है क्योंकि इसका V_DS से संबंध है, स्रोत के सापेक्ष ड्रेन वोल्टेज, जिसका उपयोग मोस्फेट के संचालन के क्षेत्र को निर्धारित करने के लिए किया जा सकता है। नीचे दी गई तालिका दिखाती है कि मोस्फेट ऑपरेशन के किस क्षेत्र में है, यह समझने के लिए ओवरड्राइव वोल्टेज का उपयोग कैसे करें:

स्थिति	संचालन का क्षेत्र	विवरण
VDS > VOV; VGS > VTH	संतृप्ति (सीसीआर)	मॉस्फ़ेट अधिक मात्रा में धारा दे रहा है, और VDS बदलने से अधिक कुछ नहीं होगा।
VDS < VOV; VGS > VTH	ट्रायोड (रैखिक)	मॉस्फ़ेट वोल्टेज (VDS ) के रैखिक संबंध में धारा पहुंचा रहा है।
VGS < VTH	कटऑफ	मॉस्फ़ेट बंद है, और उसे कोई धारा नहीं देना चाहिए।

एक और भौतिकी से संबंधित स्पष्टीकरण इस प्रकार है:

एनएमओएस ट्रांजिस्टर में, शून्य पूर्वाग्रह के तहत चैनल क्षेत्र में छेद की बहुतायत होती है (यानी, यह पी-प्रकार सिलिकॉन है)। नकारात्मक गेट पूर्वाग्रह (V_GS <0) प्रयुक्त करके हम अधिक छिद्रों को आकर्षित करते हैं, और इसे संचय कहा जाता है। एक सकारात्मक गेट वोल्टेज (V_GS > 0) इलेक्ट्रॉनों को आकर्षित करेगा और छिद्रों को विकर्षित करेगा, और इसे कमी कहा जाता है क्योंकि हम छिद्रों की संख्या कम कर रहे हैं। थ्रेशोल्ड वोल्टेज (V_TH) नामक एक महत्वपूर्ण वोल्टेज पर, चैनल वास्तव में छिद्रों से इतना कम हो जाएगा और इलेक्ट्रॉनों से समृद्ध होगा कि यह एन-प्रकार के सिलिकॉन में बदल जाएगा, और इसे उलटा क्षेत्र कहा जाता है।

जैसे ही हम इस वोल्टेज, V_GS, को V_TH से आगे बढ़ाते हैं, तो कहा जाता है कि हम एक प्रबल चैनल बनाकर गेट को ओवरड्राइव कर रहे हैं, इसलिए ओवरड्राइव (जिसे अधिकांशतः V_ov, V_od, or V_on कहा जाता है) को (V_GS − V_TH) के रूप में परिभाषित किया जाता है।

यह भी देखें

• मॉसफेट
• सीमा वोल्टेज
• इलेक्ट्रॉनिक एम्पलीफायर
• लघु-चैनल प्रभाव
• बिअसिंग