इंडियम टिन ऑक्साइड: Difference between revisions
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[[इंडियम टिन ऑक्साइड ( ITO)|इंडियम टिन ऑक्साइड ( | [[इंडियम टिन ऑक्साइड ( ITO)|'''इंडियम टिन ऑक्साइड (आईटीओ)''']] अलग-अलग अनुपात में इंडियम, टिन और [[ऑक्सीजन]] की एक त्रिगुट संरचना है। ऑक्सीजन सामग्री के आधार पर, इसे सिरेमिक या [[मिश्र धातु]] के रूप में वर्णित किया जा सकता है। इंडियम टिन ऑक्साइड को सामान्य रूप से ऑक्सीजन-संतृप्त संरचना के रूप में 74% In, 18% Sn, और 8% O भार के निर्माण के साथ सामना करना पड़ता है। ऑक्सीजन-संतृप्त रचनाएँ इतनी विशिष्ट हैं कि असंतृप्त रचनाओं को 'ऑक्सीजन-अपूर्ण आईटीओ कहा जाता है। यह पतली परतों में पारदर्शी और रंगहीन होता है, जबकि भार रूप में यह पीले से भूरे रंग का होता है। वर्णक्रम के अवरक्त क्षेत्र में यह धातु जैसे दर्पण के रूप में कार्य करता है। | ||
इंडियम टिन ऑक्साइड अपनी विद्युत चालकता और [[ऑप्टिकल पारदर्शिता|प्रकाशिक पारदर्शिता]] के कारण सबसे व्यापक रूप से उपयोग किए जाने वाले [[पारदर्शी संवाहक ऑक्साइड]] में से एक है, आसानी से इसे एक [[पतली फिल्म|पतली झिल्ली]] के रूप में निक्षेपित किया जा सकता है, और इसकी आर्द्रता के लिए रासायनिक प्रतिरोध है। जैसा कि सभी पारदर्शी संवाहक झिल्ली के साथ होता है, चालकता और पारदर्शिता के बीच एक समझौता किया जाना चाहिए, क्योंकि घनत्व बढ़ने और आवेश वाहकों की सांद्रता बढ़ने से झिल्ली की चालकता बढ़ जाती है, लेकिन इसकी पारदर्शिता कम हो जाती है। | इंडियम टिन ऑक्साइड अपनी विद्युत चालकता और [[ऑप्टिकल पारदर्शिता|प्रकाशिक पारदर्शिता]] के कारण सबसे व्यापक रूप से उपयोग किए जाने वाले [[पारदर्शी संवाहक ऑक्साइड]] में से एक है, आसानी से इसे एक [[पतली फिल्म|पतली झिल्ली]] के रूप में निक्षेपित किया जा सकता है, और इसकी आर्द्रता के लिए रासायनिक प्रतिरोध है। जैसा कि सभी पारदर्शी संवाहक झिल्ली के साथ होता है, चालकता और पारदर्शिता के बीच एक समझौता किया जाना चाहिए, क्योंकि घनत्व बढ़ने और आवेश वाहकों की सांद्रता बढ़ने से झिल्ली की चालकता बढ़ जाती है, लेकिन इसकी पारदर्शिता कम हो जाती है। | ||
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== सामग्री और गुण == | == सामग्री और गुण == | ||
[[File:Absorption of glass and ITO glass.svg|350px|thumb|कांच और | [[File:Absorption of glass and ITO glass.svg|350px|thumb|कांच और आईटीओ कांच का अवशोषण।]]आईटीओ संरचना के आधार पर 1526–1926 °C (1800–2200 [[केल्विन]], 2800–3500 °F) की सीमा में गलनांक के साथ इंडियम और टिन का मिश्रित ऑक्साइड है। सबसे अधिक उपयोग की जाने वाली सामग्री ca In4Sn की संरचना का ऑक्साइड है। सामग्री लगभग 4 eV के बड़े [[ऊर्जा अंतराल]] के साथ एक n-प्रकार अर्धचालक है।<ref>{{cite journal |last1=Gorobtsov |first1=Philipp Yu. |last2=Fisenko |first2=Nikita A. |last3=Solovey |first3=Valentin R. |title=व्युत्पन्न सोल-जेल की माइक्रोस्ट्रक्चर और स्थानीय इलेक्ट्रोफिजिकल गुण (In2O3-10%SnO2)/V2O5 फिल्में|journal=Colloid and Interface Science Communications |year=2021 |volume=43 |page=100452 |doi=10.1016/j.colcom.2021.100452|s2cid=237762446 }}</ref> आईटीओ दृश्यमान प्रकाश और अपेक्षाकृत संवाहक दोनों के लिए पारदर्शी है। इसमें ~10−4 Ω·cm की कम [[विद्युत प्रतिरोधकता]] होती है, और एक पतली फिल्म में 80% से अधिक का प्रकाशिक संप्रेषण हो सकता है<ref name="Chen-2013">{{cite journal|doi=10.1021/la4033282 | pmid=24117323 | volume=29 | issue=45 | title=समाधान प्रसंस्करण के माध्यम से योग्यता के एक उच्च चित्र के साथ अत्यधिक पारदर्शी और प्रवाहकीय इंडियम-टिन ऑक्साइड पतली फिल्मों का निर्माण| journal=Langmuir | pages=13836–13842 | last1 = Chen | first1 = Zhangxian| year=2013 }}</ref> इन गुणों का उपयोग [[मोबाइल फोन]] जैसे [[टच-स्क्रीन]] अनुप्रयोगों में अत्यधिक लाभ के लिए किया जाता है। | ||
== सामान्य उपयोग == | == सामान्य उपयोग == | ||
[[File:LHcockpitWindow.jpg|250px|thumb|डीफ्रॉस्टिंग के लिए उपयोग की जाने वाली [[एयरबस]] कॉकपिट विंडो पर | [[File:LHcockpitWindow.jpg|250px|thumb|डीफ्रॉस्टिंग के लिए उपयोग की जाने वाली [[एयरबस]] कॉकपिट विंडो पर आईटीओ कोटिंग के कारण [[पतली फिल्म हस्तक्षेप|पतली झिल्ली हस्तक्षेप]]।]]इंडियम टिन ऑक्साइड ( आईटीओ) एक प्रकाशीय इलेक्ट्रॉनिकी सामग्री है जो अनुसंधान और उद्योग दोनों में व्यापक रूप से लागू होती है। आईटीओ का उपयोग कई अनुप्रयोगों के लिए किया जा सकता है, जैसे फ्लैट-पैनल डिस्प्ले, स्मार्ट विंडो, बहुलक-आधारित इलेक्ट्रॉनिक, पतली झिल्ली फोटोवोल्टिक, सुपरमार्केट फ्रीजर के कांच के दरवाजे और आर्किटेक्चरल विंडो। इसके अतिरिक्त, कांच कार्यद्रव के लिए आईटीओ पतली झिल्लीें कांच की खिड़कियों के लिए ऊर्जा संरक्षण के लिए सहायक हो सकती हैं।<ref name=j1>{{cite journal |last1=Kim |first1=H. |last2=Gilmore |first2=C. M. |last3=Piqué |first3=A. |last4=Horwitz |first4=J. S. |last5=Mattoussi |first5=H. |author-link5=Hedi Mattoussi |last6=Murata |first6=H. |last7=Kafafi |first7=Z. H. |last8=Chrisey |first8=D. B. |title=कार्बनिक प्रकाश उत्सर्जक उपकरणों के लिए इंडियम-टिन-ऑक्साइड पतली फिल्मों के विद्युत, ऑप्टिकल और संरचनात्मक गुण|journal=Journal of Applied Physics |date=December 1999 |volume=86 |issue=11 |pages=6451–6461 |doi=10.1063/1.371708 |bibcode=1999JAP....86.6451K }}</ref> | ||
आईटीओ [[ग्रीन]] [[टेप कास्टिंग|टेप]] का उपयोग दीप के उत्पादन के लिए किया जाता है जो वैद्युत-संदीप्तिशील, कार्यात्मक और पूर्ण रूप से नमनीय होता है।<ref name=":0">{{cite journal |last1=Straue |first1=Nadja |last2=Rauscher |first2=Martin |last3=Dressler |first3=Martina |last4=Roosen |first4=Andreas |last5=Moreno |first5=R. |title=लचीले इलेक्ट्रोल्यूमिनिसेंट लैंप के लिए आईटीओ ग्रीन टेप की टेप कास्टिंग|journal=Journal of the American Ceramic Society |date=February 2012 |volume=95 |issue=2 |pages=684–689 |doi=10.1111/j.1551-2916.2011.04836.x }}</ref> इसके अतिरिक्त, आईटीओ पतली झिल्ली का उपयोग मुख्य रूप से उन विलेपन के रूप में किया जाता है जो अपरावर्ती होते हैं और एलसीडी और विद्युत्-संदीप्ति के लिए होते हैं, जहां पतली झिल्ली को पारदर्शी इलेक्ट्रोड के संचालन के रूप में उपयोग किया जाता है।<ref name=":1">{{cite journal |last1=Du |first1=Jian |last2=Chen |first2=Xin-liang |last3=Liu |first3=Cai-chi |last4=Ni |first4=Jian |last5=Hou |first5=Guo-fu |last6=Zhao |first6=Ying |last7=Zhang |first7=Xiao-dan |title=कम तापमान पर प्रतिक्रियाशील थर्मल वाष्पीकरण द्वारा विकसित सौर कोशिकाओं के लिए अत्यधिक पारदर्शी और प्रवाहकीय इंडियम टिन ऑक्साइड पतली फिल्म|journal=Applied Physics A |date=24 April 2014 |volume=117 |issue=2 |pages=815–822 |doi=10.1007/s00339-014-8436-x |bibcode=2014ApPhA.tmp..229D |s2cid=95720073 }}</ref> | |||
आईटीओ का उपयोग प्रायः [[लिक्विड क्रिस्टल डिस्प्ले]], [[OLED|ओलेड]] डिस्प्ले, [[प्लाज्मा प्रदर्शन|प्लाज्मा डिस्प्ले]], [[टच स्क्रीन|टच पैनल]] और [[इलेक्ट्रॉनिक पेपर|इलेक्ट्रॉनिक]] इंक एप्लिकेशन जैसे डिस्प्ले के लिए पारदर्शी संवाहक विलेपन (कोटिंग) बनाने के लिए किया जाता है। आईटीओ की पतली झिल्ली का उपयोग कार्बनिक प्रकाश उत्सर्जक डायोड, सौर कोशिकाओं, [[एंटीस्टेटिक कोटिंग|प्रतिस्थैतिक]] विलेपन और विद्युत चुम्बकीय अंतरास्थापन (EMI) परिरक्षण में भी किया जाता है। कार्बनिक प्रकाश उत्सर्जक डायोड में, आईटीओ का उपयोग [[एनोड]] (समग्र अन्तः क्षेपण परत) के रूप में किया जाता है। | |||
वातरोधी (विंडशील्ड) पर निक्षेपित | वातरोधी (विंडशील्ड) पर निक्षेपित आईटीओ झिल्ली का उपयोग वायु-यान के विंडशील्ड को अपहिमन करने के लिए किया जाता है। झिल्ली में विद्युत-दाब लगाने से ऊष्मा उत्पन्न होती है। आईटीओ का उपयोग [[विद्युत चुम्बकीय विकिरण]] को प्रतिबिंबित करने के लिए भी किया जाता है। [[लॉकहीड मार्टिन एफ-22 रैप्टर]] के कैनोपी में एक आईटीओ कोटिंग है जो [[राडार]] तरंगों को दर्शाती है, इसकी चाल प्रौद्योगिकी क्षमताओं को बढ़ाती है और इसे एक विशिष्ट सोने की रंगत देती है।<ref>{{cite book |last1=Sweetman |first1=Bill |author1-link=Bill Sweetman |title=एफ-22 रैप्टर|date=1998 |publisher=[[MBI Publishing Company]] |isbn=978-1-61060-143-6 |page=48 |language=en}}</ref> | ||
आईटीओ का उपयोग विभिन्न [[ऑप्टिकल कोटिंग|प्रकाशिक]] विलेपन के लिए भी किया जाता है, विशेष रूप से मोटर वाहन के लिए [[अवरक्त]]-प्रतिबिंबित विलेपन (तप्त [[गर्म दर्पण|दर्पण]]), और [[सोडियम वाष्प दीपक|सोडियम वाष्प दीप]] कांच। अन्य उपयोगों में [[गैस सेंसर|गैस संवेदित्र]] सम्मिलित हैं,<ref>{{Cite journal|last1=Mokrushin|first1=Artem S.|last2=Fisenko|first2=Nikita A.|last3=Gorobtsov|first3=Philipp Yu|last4=Simonenko|first4=Tatiana L.|last5=Glumov|first5=Oleg V.|last6=Melnikova|first6=Natalia A.|last7=Simonenko|first7=Nikolay P.|last8=Bukunov|first8=Kirill A.|last9=Simonenko|first9=Elizaveta P.|last10=Sevastyanov|first10=Vladimir G.|last11=Kuznetsov|first11=Nikolay T.|date=2021-01-01|title=प्रतिरोधी गैस सेंसर के अत्यधिक सीओ संवेदनशील घटक के रूप में आईटीओ पतली फिल्म का पेन प्लॉटर प्रिंटिंग|url=http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0039914020307463|journal=Talanta|language=en|volume=221|pages=121455|doi=10.1016/j.talanta.2020.121455|pmid=33076078|s2cid=224811369|issn=0039-9140}}</ref> [[विरोधी प्रतिबिंब कोटिंग|परावर्तन रोधी विलेपन]], पारद्युतिक, और [[वीसीएसईएल|वीसीसेल]] लेजर के लिए [[ब्रैग परावर्तक]] सम्मिलित है। आईटीओ का उपयोग लो-ई विंडो पैन के लिए IR परावर्तक के रूप में भी किया जाता है। ब्लू चैनल प्रतिक्रिया बढ़ाने के साधन के रूप में [[कोडक डीसीएस|कोडक DCS 520]] से प्रारंभ होने वाले बाद के कोडक DCS कैमरों में आईटीओ का उपयोग संवेदित्र विलेपन के रूप में भी किया गया था।<ref>[http://www.kodak.com/global/en/service/professional/tib/tib4131.jhtml?pq-path=14567#SEC3 Increasing the Blue Channel Response]. ''Technical Information Bulletin''. kodak.com</ref> | |||
आईटीओ पतली झिल्ली [[विकृति प्रमापक]] 1400 °C तक के तापमान पर काम कर सकते हैं और कठोर वातावरण में उपयोग किए जा सकते हैं, जैसे [[गैस टर्बाइन]], [[जेट इंजिन]] और [[रॉकेट इंजन]]।<ref>{{cite thesis |last1=Luo |first1=Qing |title=ऊंचे तापमान पर उपयोग के लिए इंडियम टिन ऑक्साइड पतली फिल्म तनाव गेज|date=1 January 2001 |pages=1–146 |url=https://digitalcommons.uri.edu/dissertations/AAI3025561 }}</ref> | |||
== वैकल्पिक संश्लेषण विधियाँ और वैकल्पिक सामग्री == | == वैकल्पिक संश्लेषण विधियाँ और वैकल्पिक सामग्री == | ||
इंडियम की उच्च कीमत और सीमित आपूर्ति के कारण, | इंडियम की उच्च कीमत और सीमित आपूर्ति के कारण, आईटीओ परतों की कोमलता और नम्यता की कमी, और निर्वात की आवश्यकता वाली भारी परत निक्षेपण, आईटीओ और वैकल्पिक सामग्री तैयार करने के वैकल्पिक तरीकों की जांच की जा रही है।<ref name= Fortunato 2007 242–247>{{cite journal|last=Fortunato|first=E. |author2=D. Ginley |author3=H. Hosono |author4=D.C. Paine|title=फोटोवोल्टिक के लिए पारदर्शी कंडक्टिंग ऑक्साइड|journal=MRS Bulletin|date=March 2007|volume=32|issue=3 |pages=242–247|doi=10.1557/mrs2007.29|s2cid=136882786 |url=https://semanticscholar.org/paper/ae5e391b63e58873044863bd095b1462edcf1552 }}</ref> विभिन्न तत्वों के साथ जिंक ऑक्साइड पर आधारित प्रतिज्ञाता विकल्प अपमिश्रित किए गए। <ref>{{Cite journal |last1=Akhmedov |first1=Akhmed |last2=Abduev |first2=Aslan |last3=Murliev |first3=Eldar |last4=Asvarov |first4=Abil |last5=Muslimov |first5=Arsen |last6=Kanevsky |first6=Vladimir |date=January 2021 |title=ZnO-In2O3 ऑक्साइड सिस्टम पारदर्शी इलेक्ट्रोड के निम्न-तापमान निक्षेपण के लिए एक सामग्री के रूप में|journal=Materials |language=en |volume=14 |issue=22 |pages=6859 |doi=10.3390/ma14226859 |issn=1996-1944 |pmc=8618142 |pmid=34832261|bibcode=2021Mate...14.6859A |doi-access=free }}</ref> | ||
=== अपमिश्रित यौगिक === | === अपमिश्रित यौगिक === | ||
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|newspaper=R&D Magazine |format=online |publisher=Advantage Business Media |date=11 April 2011 |access-date=11 April 2011 }}</ref><ref>{{cite journal |last1=Kyrylyuk |first1=Andriy V. |last2=Hermant |first2=Marie Claire |last3=Schilling |first3=Tanja |last4=Klumperman |first4=Bert |last5=Koning |first5=Cor E. |last6=van der Schoot |first6=Paul |title=बहुघटक कार्बन नैनोट्यूब फैलाव में विद्युत रिसाव को नियंत्रित करना|journal=Nature Nanotechnology |date=10 April 2011 |volume=6 |issue=6 |pages=364–369 |doi=10.1038/nnano.2011.40 |pmid=21478868 |bibcode=2011NatNa...6..364K }}</ref> | |newspaper=R&D Magazine |format=online |publisher=Advantage Business Media |date=11 April 2011 |access-date=11 April 2011 }}</ref><ref>{{cite journal |last1=Kyrylyuk |first1=Andriy V. |last2=Hermant |first2=Marie Claire |last3=Schilling |first3=Tanja |last4=Klumperman |first4=Bert |last5=Koning |first5=Cor E. |last6=van der Schoot |first6=Paul |title=बहुघटक कार्बन नैनोट्यूब फैलाव में विद्युत रिसाव को नियंत्रित करना|journal=Nature Nanotechnology |date=10 April 2011 |volume=6 |issue=6 |pages=364–369 |doi=10.1038/nnano.2011.40 |pmid=21478868 |bibcode=2011NatNa...6..364K }}</ref> | ||
=== [[ग्राफीन]] === | === [[ग्राफीन]] === | ||
एक अन्य कार्बन-आधारित विकल्प के रूप में, ग्राफीन की झिल्लीें नम्य होती हैं और मानक | एक अन्य कार्बन-आधारित विकल्प के रूप में, ग्राफीन की झिल्लीें नम्य होती हैं और मानक आईटीओ की तुलना में कम विद्युत प्रतिरोध के साथ 90% पारदर्शिता की स्वीकृति देने के लिए दिखाया गया है।<ref>{{cite news |last1=ServiceJun. 20 |first1=Robert F. |title=ग्राफीन अंत में बड़ा हो जाता है|url=https://www.science.org/content/article/graphene-finally-goes-big |work=Science |publisher=AAAS |date=20 June 2010 }}</ref> पतली धातु की झिल्ली को संभावित प्रतिस्थापन सामग्री के रूप में भी देखा जाता है। वर्तमान में जिस हाइब्रिड सामग्री का परीक्षण किया जा रहा है, वह [[चांदी]] के [[nanowires|नैनोवायर]] से बना एक इलेक्ट्रोड है और ग्राफीन से प्रच्छन्न हुआ है। ऐसी सामग्रियों के लाभों में विद्युत प्रवाहकीय और नम्य होने के साथ-साथ पारदर्शिता बनाए रखना सम्मिलित है।<ref>{{cite journal |last1=Chen |first1=Ruiyi |last2=Das |first2=Suprem R. |last3=Jeong |first3=Changwook |last4=Khan |first4=Mohammad Ryyan |last5=Janes |first5=David B. |last6=Alam |first6=Muhammad A. |title=उच्च प्रदर्शन, अत्यधिक स्थिर, पारदर्शी संचालन इलेक्ट्रोड के लिए को-परकोलेटिंग ग्राफीन-रैप्ड सिल्वर नैनोवायर नेटवर्क|journal=Advanced Functional Materials |date=6 November 2013 |volume=23 |issue=41 |pages=5150–5158 |doi=10.1002/adfm.201300124 |s2cid=97512306 }}</ref> | ||
=== [[प्रवाहकीय पॉलिमर|प्रवाहकीय बहुलक]] === | === [[प्रवाहकीय पॉलिमर|प्रवाहकीय बहुलक]] === | ||
कुछ | कुछ आईटीओ अनुप्रयोगों के लिए स्वाभाविक रूप से प्रवाहकीय बहुलक (ICPs) भी विकसित किए जा रहे हैं।<ref>{{cite journal |last1=Xia |first1=Yijie |last2=Sun |first2=Kuan |last3=Ouyang |first3=Jianyong |title=ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के पारदर्शी इलेक्ट्रोड के रूप में सॉल्यूशन-प्रोसेस्ड मेटैलिक कंडक्टिंग पॉलिमर फिल्म्स|journal=Advanced Materials |date=8 May 2012 |volume=24 |issue=18 |pages=2436–2440 |doi=10.1002/adma.201104795 |pmid=22488584 |s2cid=205244148 }}</ref><ref>{{cite journal |last1=Saghaei |first1=Jaber |last2=Fallahzadeh |first2=Ali |last3=Saghaei |first3=Tayebeh |title=अत्यधिक प्रवाहकीय फिनोल-उपचारित PEDOT: PSS एनोड्स का उपयोग करके ITO-मुक्त कार्बनिक सौर सेल|journal=Organic Electronics |date=September 2015 |volume=24 |pages=188–194 |doi=10.1016/j.orgel.2015.06.002 }}</ref> सामान्य रूप से अकार्बनिक सामग्रियों की तुलना में बहुलक, जैसे पॉलीएनीलाइन और पेडॉट: पीएसएस के संचालन के लिए चालकता कम होती है, लेकिन वे प्रसंस्करण और निर्माण में अधिक नम्य, कम मूल्यवान और अधिक पर्यावरण के अनुकूल होते हैं। | ||
=== अनाकार इंडियम-जिंक ऑक्साइड === | === अनाकार इंडियम-जिंक ऑक्साइड === | ||
इंडियम सामग्री को कम करने, प्रसंस्करण कठिनाई को कम करने और विद्युत एकरूपता में सुधार करने के लिए अनाकार पारदर्शी संवाहक ऑक्साइड विकसित किए गए हैं। ऐसी ही एक सामग्री, अक्रिस्टलीय इंडीयम-जिंक-ऑक्साइड लघु-श्रेणी के क्रम को बनाए रखती है, यद्यपि In2O3 और ZnO धातु परमाणुओं के बीच ऑक्सीजन के अनुपात में अंतर से [[क्रिस्टलीकरण]] बाधित हो। इंडियम-जिंक-ऑक्साइड में | इंडियम सामग्री को कम करने, प्रसंस्करण कठिनाई को कम करने और विद्युत एकरूपता में सुधार करने के लिए अनाकार पारदर्शी संवाहक ऑक्साइड विकसित किए गए हैं। ऐसी ही एक सामग्री, अक्रिस्टलीय इंडीयम-जिंक-ऑक्साइड लघु-श्रेणी के क्रम को बनाए रखती है, यद्यपि In2O3 और ZnO धातु परमाणुओं के बीच ऑक्सीजन के अनुपात में अंतर से [[क्रिस्टलीकरण]] बाधित हो। इंडियम-जिंक-ऑक्साइड में आईटीओ के कुछ तुलनीय गुण हैं।<ref>{{cite journal |last1=Ito |first1=N. |last2=Sato |first2=Y. |last3=Song |first3=P.K. |last4=Kaijio |first4=A. |last5=Inoue |first5=K. |last6=Shigesato |first6=Y. |title=अनाकार इंडियम जिंक ऑक्साइड फिल्मों के विद्युत और ऑप्टिकल गुण|journal=Thin Solid Films |date=February 2006 |volume=496 |issue=1 |pages=99–103 |doi=10.1016/j.tsf.2005.08.257 |bibcode=2006TSF...496...99I }}</ref> अक्रिस्टलीय संरचना 500 °C तक भी स्थिर रहती है, जो कार्बनिक सौर कोशिकाओं में महत्वपूर्ण प्रसंस्करण चरणों की स्वीकृति देती है। समरूपता में सुधार कार्बनिक सौर सेल की स्थिति में सामग्री की उपयोगिता को महत्वपूर्ण रूप से बढ़ाता है। कार्बनिक सौर सेल में खराब इलेक्ट्रोड प्रदर्शन के क्षेत्र के प्रतिशत को अनुपयोगी बना देते हैं।<ref>{{cite journal |last1=Irwin |first1=Michael D. |last2=Liu |first2=Jun |last3=Leever |first3=Benjamin J. |last4=Servaites |first4=Jonathan D. |last5=Hersam |first5=Mark C. |last6=Durstock |first6=Michael F. |last7=Marks |first7=Tobin J. |title=एनोड इंटरफेशियल परत हटाने के परिणाम। P3HT में HCl-उपचारित ITO:PCBM-आधारित बल्क-हेटेरोजंक्शन ऑर्गेनिक फोटोवोल्टिक उपकरण|journal=Langmuir |date=16 February 2010 |volume=26 |issue=4 |pages=2584–2591 |doi=10.1021/la902879h |pmid=20014804 |s2cid=425367 |url=https://semanticscholar.org/paper/20b10d86d5e2813e25b804c8950f7236f73a0522 }}</ref> | ||
=== सिल्वर नैनोकण- | === सिल्वर नैनोकण- आईटीओ हाइब्रिड === | ||
[[File:Fig 1. Hybrid ITO Synthesis.jpg|thumb|बहुलक ([[पॉलीथीन टैरीपिथालेट]]) कार्यद्रव में [[चांदी नैनोकण]] (AgNP) की प्रक्रिया]]नम्य इलेक्ट्रॉनिक्स का उत्पादन करने के लिए | [[File:Fig 1. Hybrid ITO Synthesis.jpg|thumb|बहुलक ([[पॉलीथीन टैरीपिथालेट]]) कार्यद्रव में [[चांदी नैनोकण]] (AgNP) की प्रक्रिया]]नम्य इलेक्ट्रॉनिक्स का उत्पादन करने के लिए आईटीओ को उच्च गुणवत्ता वाले नम्य कार्यद्रव के रूप में लोकप्रिय रूप से उपयोग किया गया है।<ref>{{cite journal |last1=Lu |first1=Nanshu |last2=Lu |first2=Chi |last3=Yang |first3=Shixuan |last4=Rogers |first4=John |title=पूरी तरह से इलास्टोमर्स पर आधारित अत्यधिक संवेदनशील त्वचा-माउंटेबल स्ट्रेन गेज|journal=Advanced Functional Materials |date=10 October 2012 |volume=22 |issue=19 |pages=4044–4050 |doi=10.1002/adfm.201200498 |s2cid=16369286 |url=https://semanticscholar.org/paper/dbda266b3e4ddbed68962fa3be54b1978d6c8b33 }}</ref> हालाँकि, इस कार्यद्रव का नमनीय कम हो जाता है क्योंकि इसकी चालकता में सुधार होता है। पिछले शोध ने संकेत दिया है कि क्रिस्टलीयता की डिग्री को बढ़ाकर आईटीओ के यांत्रिक गुणों में सुधार किया जा सकता है।<ref>{{cite journal |last1=Kim |first1=Eun-Hye |last2=Yang |first2=Chan-Woo |last3=Park |first3=Jin-Woo |title=पॉलिमर सबस्ट्रेट्स पर इंडियम टिन ऑक्साइड कोटिंग्स के क्रिस्टलीयता और यांत्रिक गुण|journal=Journal of Applied Physics |date=15 February 2011 |volume=109 |issue=4 |pages=043511–043511–8 |doi=10.1063/1.3556452 |bibcode=2011JAP...109d3511K }}</ref> चांदी (Ag) के साथ अपमिश्रित इस गुण में सुधार कर सकती है, लेकिन इसके परिणामस्वरूप पारदर्शिता का नुकसान होता है।<ref>{{cite journal |last1=Yang |first1=Chan-Woo |last2=Park |first2=Jin-Woo |title=नमनीय धातु इंटरलेयर्स के साथ पॉलीमेरिक सबस्ट्रेट्स पर इंडियम टिन ऑक्साइड (ITO) फिल्मों के चिपकने वाला दरार और बकसुआ प्रदूषण प्रतिरोध|journal=Surface and Coatings Technology |date=May 2010 |volume=204 |issue=16–17 |pages=2761–2766 |doi=10.1016/j.surfcoat.2010.02.033 }}</ref> अधिकांश तरीका जो हाइब्रिड आईटीओ बनाने के लिए सजातीय रूप से Ag [[नैनोकणों]] (AgNP) को अंतर्निहित करता है, पारदर्शिता में कमी को पूरा करने में प्रभावी प्रमाणित हुआ है। हाइब्रिड आईटीओ में एक अनुस्थापन में क्षेत्र होते हैं जो AgNPs पर विकसित होते हैं और दूसरे अनुस्थापन का एक आधात्री होता है। क्षेत्र आधात्री से अधिक मजबूत होते हैं और प्रसार को रोकने के लिए बाधाओं के रूप में कार्य करते हैं, नम्य में अधिकतम वृद्धि करते हैं। सजातीय आईटीओ की तुलना में हाइब्रिड आईटीओ में झुकने में वृद्धि के साथ प्रतिरोधकता में परिवर्तन अधिकतम कम हो जाता है।<ref>{{cite journal |last1=Triambulo |first1=Ross E. |last2=Kim |first2=Jung-Hoon |last3=Na |first3=Min-Young |last4=Chang |first4=Hye-Jung |last5=Park |first5=Jin-Woo |title=पॉलिमर सबस्ट्रेट्स पर पारदर्शी इलेक्ट्रोड के लिए अत्यधिक लचीला, संकर-संरचित इंडियम टिन ऑक्साइड|journal=Applied Physics Letters |date=17 June 2013 |volume=102 |issue=24 |pages=241913 |doi=10.1063/1.4812187 |bibcode=2013ApPhL.102x1913T }}</ref> | ||
=== वैकल्पिक संश्लेषण के तरीके === | === वैकल्पिक संश्लेषण के तरीके === | ||
====टेप कास्टिंग प्रक्रिया==== | ====टेप कास्टिंग प्रक्रिया==== | ||
आईटीओ सामान्य रूप से भौतिक [[वाष्प जमाव|वाष्प निक्षेपण]] (PVD) से संबद्ध होने वाली बहुमूल्य और ऊर्जा-गहन प्रक्रियाओं के माध्यम से निक्षेपित किया जाता है। ऐसी प्रक्रियाओं में [[स्पटरिंग|कणक्षेपण]] सम्मिलित है, जिसके परिणाम-स्वरूप भंगुर परतें बनती हैं।{{Citation needed|date=March 2016}} कण-आधारित तकनीक का उपयोग करने वाली एक वैकल्पिक प्रक्रिया को टेप कास्टिंग प्रक्रिया के रूप में जाना जाता है। क्योंकि यह एक कण-आधारित तकनीक है, आईटीओ नैनो-कणों को पहले प्रसारित किया जाता है, फिर स्थिरता के लिए कार्बनिक विलयन में रखा जाता है। [[लोबान|बेंज़िल]] थैलेट [[प्लास्टाइज़र|सुघट्यताकारी]] और [[पॉलीविनाइल]] ब्यूटिरल बंधक को नैनोकण [[घोल]] तैयार करने में सहायक दिखाया गया है। एक बार टेप कास्टिंग प्रक्रिया पूरी हो जाने के बाद, हरे आईटीओ टेपों के लक्षण वर्णन से पता चलता है कि इष्टतम संचरण लगभग 75% तक चला गया, जिसमें 2 Ω·cm के विद्युत प्रतिरोध की निचली सीमा थी।<ref name=":0" /> | |||
==== लेजर [[सिंटरिंग|निसादन]] ==== | ==== लेजर [[सिंटरिंग|निसादन]] ==== | ||
निसादन के लिए आवश्यक उच्च तापमान के कारण | निसादन के लिए आवश्यक उच्च तापमान के कारण आईटीओ नैनोकणों का उपयोग कार्यद्रव की विकल्प पर एक सीमा लगाता है। एक वैकल्पिक प्रारंभिक सामग्री के रूप में, In-Sn मिश्र धातु नैनोकण संभावित कार्यद्रव की अधिक विविध श्रेणी के लिए स्वीकृति देते हैं।<ref>{{cite journal |last1=Ohsawa |first1=Masato |last2=Sakio |first2=Susumu |last3=Saito |first3=Kazuya |title=आईटीओ पारदर्शी प्रवाहकीय फिल्म निर्माण के लिए नैनोपार्टिकल स्याही का विकास|trans-title=Development of nanoparticle ink for ITO transparent conductive film formation |language=ja |journal=Journal of Japan Institute of Electronics Packaging |date=2011 |volume=14 |issue=6 |pages=453–459 |doi=10.5104/jiep.14.453 |doi-access=free }}</ref> पारदर्शिता लाने के लिए पहले एक निरंतर प्रवाहकीय In-Sn मिश्र धातु झिल्ली बनाई जाती है, उसके बाद ऑक्सीकरण किया जाता है। इस दो चरण की प्रक्रिया में तापीय अनीलन सम्मिलित है, जिसके लिए विशेष वातावरण नियंत्रण और प्रसंस्करण समय में वृद्धि की आवश्यकता होती है। क्योंकि धातु के नैनोकणों को लेजर के उपचार के तहत एक प्रवाहकीय धातु झिल्ली में आसानी से परिवर्तित किया जा सकता है, उत्पादों की सजातीय आकृति विज्ञान को प्राप्त करने के लिए लेजर निसादन का उपयोग किया जाता है। लेजर निसादन उपयोग में आसान और कम खर्चीला भी है क्योंकि इसे हवा में किया जा सकता है।<ref>{{cite journal |last1=Qin |first1=Gang |last2=Fan |first2=Lidan |last3=Watanabe |first3=Akira |title=लेजर सिंटरिंग का उपयोग करके गीली प्रक्रिया द्वारा इंडियम टिन ऑक्साइड फिल्म का निर्माण|journal=Journal of Materials Processing Technology |date=January 2016 |volume=227 |pages=16–23 |doi=10.1016/j.jmatprotec.2015.07.011 }}</ref> | ||
==== परिवेशी गैस की स्थिति ==== | ==== परिवेशी गैस की स्थिति ==== | ||
उदाहरण के लिए, पारंपरिक तरीकों का उपयोग करते हुए लेकिन ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक गुणों में सुधार के लिए परिवेशी गैस स्थितियों को अलग-अलग करना<ref>{{cite journal |last1=Marikkannan |first1=M. |last2=Subramanian |first2=M. |last3=Mayandi |first3=J. |last4=Tanemura |first4=M. |last5=Vishnukanthan |first5=V. |last6=Pearce |first6=J. M. |title=डीसी मैग्नेट्रॉन स्पुतर्ड इंडियम टिन ऑक्साइड फिल्मों के गुणों पर आर्गन, ऑक्सीजन और हाइड्रोजन के परिवेश संयोजनों का प्रभाव|journal=AIP Advances |date=January 2015 |volume=5 |issue=1 |pages=017128 |doi=10.1063/1.4906566 |bibcode=2015AIPA....5a7128M |doi-access=free }}</ref> उदाहरण के लिए, | उदाहरण के लिए, पारंपरिक तरीकों का उपयोग करते हुए लेकिन ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक गुणों में सुधार के लिए परिवेशी गैस स्थितियों को अलग-अलग करना<ref>{{cite journal |last1=Marikkannan |first1=M. |last2=Subramanian |first2=M. |last3=Mayandi |first3=J. |last4=Tanemura |first4=M. |last5=Vishnukanthan |first5=V. |last6=Pearce |first6=J. M. |title=डीसी मैग्नेट्रॉन स्पुतर्ड इंडियम टिन ऑक्साइड फिल्मों के गुणों पर आर्गन, ऑक्सीजन और हाइड्रोजन के परिवेश संयोजनों का प्रभाव|journal=AIP Advances |date=January 2015 |volume=5 |issue=1 |pages=017128 |doi=10.1063/1.4906566 |bibcode=2015AIPA....5a7128M |doi-access=free }}</ref> उदाहरण के लिए, आईटीओ के गुणों में ऑक्सीजन एक प्रमुख भूमिका निभाता है।<ref>{{cite journal |last1=Gwamuri |first1=Jephias |last2=Marikkannan |first2=Murugesan |last3=Mayandi |first3=Jeyanthinath |last4=Bowen |first4=Patrick |last5=Pearce |first5=Joshua |title=फोटोवोल्टिक उपकरणों के लिए एक शीर्ष इलेक्ट्रोड के रूप में अति पतली आरएफ मैग्नेट्रॉन स्पटर जमा इंडियम टिन ऑक्साइड फिल्म्स के प्रदर्शन पर ऑक्सीजन एकाग्रता का प्रभाव|journal=Materials |date=20 January 2016 |volume=9 |issue=1 |pages=63 |doi=10.3390/ma9010063 |pmid=28787863 |pmc=5456523 |bibcode=2016Mate....9...63G |doi-access=free }}</ref> | ||
==== बहुत पतली झिल्ली के लिए रासायनिक संकर्तन ==== | ==== बहुत पतली झिल्ली के लिए रासायनिक संकर्तन ==== | ||
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==प्रतिबंध और ट्रेड-ऑफ== | ==प्रतिबंध और ट्रेड-ऑफ== | ||
{{Unreferenced section|date=April 2011}} | {{Unreferenced section|date=April 2011}} | ||
आईटीओ के साथ एक बड़ी चिंता इसकी कीमत है। आईटीओ की कीमत [[एल्यूमीनियम जिंक ऑक्साइड]] (AZO) से कई गुना अधिक होती है। AZO [[पारदर्शी संचालन फिल्म|पारदर्शी संचालन झिल्ली]] ( TCO) की एक सामान्य विकल्प है क्योंकि इसकी कम कीमत और सौर स्पेक्ट्रम में अपेक्षाकृत अच्छा प्रकाशिक संचरण प्रदर्शन है। हालांकि, आर्द्रता के लिए रासायनिक प्रतिरोध सहित कई अन्य महत्वपूर्ण प्रदर्शन श्रेणियों में आईटीओ AZO से उपयुक्त है। आईटीओ आर्द्रता से प्रभावित नहीं है, और ऊपरी भाग पर 25-30 वर्षों के [[कॉपर इंडियम गैलियम सेलेनाइड सौर सेल]] के हिस्से के रूप में स्थिर है। | |||
जबकि कणक्षेपण लक्ष्य या बाष्पीकरणीय सामग्री जिसका उपयोग | जबकि कणक्षेपण लक्ष्य या बाष्पीकरणीय सामग्री जिसका उपयोग आईटीओ को निक्षेपित करने के लिए किया जाता है, AZO की तुलना में अधिकतम अधिक बहुमूल्य है, प्रत्येक सेल पर रखी गई सामग्री की मात्रा अधिकतम कम है। इसलिए, प्रति सेल कीमत दंड भी अधिकतम कम है। | ||
== लाभ == | == लाभ == | ||
[[File:44665-11.png|thumb|Al:ZnO और i-/Al:ZnO में नम ताप (DH) अनावृति ([[ऑप्टिकल इंटरफेरोमेट्री|प्रकाशिक व्यतिकरणमिति]]) में सतह आकारिकी परिवर्तन<ref name=dampheat>{{cite web|title=पतली फिल्म फोटोवोल्टिक्स के लिए पारदर्शी संचालन ऑक्साइड (टीसीओ) की स्थिरता के मुद्दे|date=December 2008|author=Pern, John |publisher=U.S. National Renewable Energy Laboratory|url=http://www.nrel.gov/docs/fy09osti/44665.pdf}}</ref>]]लिक्विड क्रिस्टल डिस्प्ले के लिए एक पारदर्शी संवाहक के रूप में AZO की तुलना में | [[File:44665-11.png|thumb|Al:ZnO और i-/Al:ZnO में नम ताप (DH) अनावृति ([[ऑप्टिकल इंटरफेरोमेट्री|प्रकाशिक व्यतिकरणमिति]]) में सतह आकारिकी परिवर्तन<ref name=dampheat>{{cite web|title=पतली फिल्म फोटोवोल्टिक्स के लिए पारदर्शी संचालन ऑक्साइड (टीसीओ) की स्थिरता के मुद्दे|date=December 2008|author=Pern, John |publisher=U.S. National Renewable Energy Laboratory|url=http://www.nrel.gov/docs/fy09osti/44665.pdf}}</ref>]]लिक्विड क्रिस्टल डिस्प्ले के लिए एक पारदर्शी संवाहक के रूप में AZO की तुलना में आईटीओ का प्राथमिक लाभ यह है कि आईटीओ को ठीक प्रतिमान में उत्कीर्णित जा सकता है।<ref name=Ginley>{{cite book|author=David Ginley|title=पारदर्शी कंडक्टरों की पुस्तिका|url=https://books.google.com/books?id=K0qjBlrAGYsC&pg=PA524|date=11 September 2010|publisher=Springer Science & Business Media|isbn=978-1-4419-1638-9|pages=524–}}</ref> AZO को शुद्ध रूप से उत्कीर्णित नहीं जा सकता: यह अम्ल के प्रति इतना संवेदनशील होता है कि यह अम्ल उपचार द्वारा अति-उत्कीर्णित हो जाता है।<ref name=Ginley/> | ||
AZO की तुलना में | AZO की तुलना में आईटीओ का एक अन्य लाभ यह है कि यदि आर्द्रता बेधन करती है, तो आईटीओ, AZO की तुलना में कम ख़राब होगा।<ref name=dampheat/> | ||
कोशिका संवर्धन कार्यद्रव के रूप में | कोशिका संवर्धन कार्यद्रव के रूप में आईटीओ कांच की भूमिका को आसानी से बढ़ाया जा सकता है, जो [[इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी|इलेक्ट्रॉन सूक्ष्मदर्शिकी]] और सहसंबंधी प्रकाश से जुड़े बढ़ते कोशिकाओं पर अध्ययन के नए अवसर का पता लगाता है।<ref>{{cite journal |last1=Pluk |first1=H. |last2=Stokes |first2=D.J. |last3=Lich |first3=B. |last4=Wieringa |first4=B. |last5=Fransen |first5=J. |title=अलेपित संवर्धित कोशिकाओं के सहसंबंधी स्कैनिंग इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी अनुप्रयोगों में इंडियम-टिन ऑक्साइड-लेपित ग्लास स्लाइड के लाभ|journal=Journal of Microscopy |date=March 2009 |volume=233 |issue=3 |pages=353–363 |doi=10.1111/j.1365-2818.2009.03140.x |pmid=19250456 |s2cid=5489454 }}</ref> | ||
== अनुसंधान उदाहरण == | == अनुसंधान उदाहरण == | ||
नई पीढ़ी के सौर सेल को रास्ता प्रदान करने के लिए | नई पीढ़ी के सौर सेल को रास्ता प्रदान करने के लिए आईटीओ का उपयोग नैनो तकनीक में किया जा सकता है। इन उपकरणों के साथ बने सौर सेल में कम कीमत, अत्यंत-कम भार और नम्य कोशिका प्रदान करने की क्षमता होती है, जिसमें अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला होती है। नैनो-छड़ के नैनो-पैमाने आयामों के कारण, क्वांटम-आकार के प्रभाव उनके प्रकाशिक गुणों को प्रभावित करते हैं। छड़ों के आकार को टेलरिंग करके, उन्हें रंगों के एक विशिष्ट संकीर्ण बैंड के अंदर प्रकाश को अवशोषित करने के लिए बनाया जा सकता है। विभिन्न आकार की छड़ों के साथ कई कोशिकाओं को एकत्र करके, सौर स्पेक्ट्रम में तरंग दैर्ध्य की एक विस्तृत श्रृंखला एकत्र की जा सकती है और ऊर्जा में परिवर्तित की जा सकती है। इसके अतिरिक्त, छड़ की नैनो-पैमाना मात्रा एक पारंपरिक सेल की तुलना में आवश्यक अर्धचालक सामग्री की मात्रा में महत्वपूर्ण कमी लाती है।<ref>{{cite web|title=ऊर्जा रूपांतरण और भंडारण: ऊर्जा आवश्यकताओं के लिए नई सामग्री और प्रक्रियाएं|url=http://www.nano.gov/html/res/fy04-pdf/fy04%20-%20small%20parts/NNI_FY04_R_mode2_part8.pdf |author=National Nanotechnology Initiative |url-status=dead |archive-url=https://web.archive.org/web/20090512004243/http://www.nano.gov/html/res/fy04-pdf/fy04%20-%20small%20parts/NNI_FY04_R_mode2_part8.pdf |archive-date=May 12, 2009 }}</ref><ref> | ||
{{cite web|title=National Nanotechnology Initiative Research and Development Supporting the next Industrial Revolution|work=nano.gov| page= 29|url=http://nano.gov/sites/default/files/pub_resource/nni04_budget_supplement.pdf}}</ref> हाल के अध्ययनों से पता चला है कि नैनो-संरचित | {{cite web|title=National Nanotechnology Initiative Research and Development Supporting the next Industrial Revolution|work=nano.gov| page= 29|url=http://nano.gov/sites/default/files/pub_resource/nni04_budget_supplement.pdf}}</ref> हाल के अध्ययनों से पता चला है कि नैनो-संरचित आईटीओ प्रकाश ऊर्जा के अवशोषण और भंडारण के लिए एक अनन्य सामग्री में संयोजन करते हुए एक लघु प्रकाश-संधारित्र के रूप में व्यवहार कर सकता है।<ref>{{cite journal |title=मल्टी-चार्ज संचय और प्रकाश-संचालित ऊर्जा भंडारण के लिए मेटल ऑक्साइड नैनोक्रिस्टल की फोटोडोपिंग|journal=Nanoscale |date= 2021 |pages=8773–8783 |doi=10.1039/d0nr09163d|pmc=8136238 |last1=Ghini |first1=Michele |last2=Curreli |first2=Nicola |last3=Camellini |first3=Andrea |last4=Wang |first4=Mengjiao |last5=Asaithambi |first5=Aswin |last6=Kriegel |first6=Ilka |volume=13 |issue=19 |pmid=33959732 }}</ref> | ||
== स्वास्थ्य और सुरक्षा == | == स्वास्थ्य और सुरक्षा == | ||
इंडियम टिन ऑक्साइड के साँस लेने से श्वसन तंत्र में हल्की जलन हो सकती है और इससे बचना चाहिए। यदि अरक्षितता दीर्घकालिक है, तो लक्षण पुराने हो सकते हैं और [[फुप्फुस धूलिमयता]] हो सकते हैं। जानवरों के साथ किए गए अध्ययन से संकेत मिलता है कि इंडियम टिन ऑक्साइड गुर्दे, फेफड़े और हृदय पर नकारात्मक प्रभाव के साथ-साथ जहरीला होता है।<ref>{{cite journal |last1=Hosono |first1=Hideo |last2=Kurita |first2=Masaaki |last3=Kawazoe |first3=Hiroshi |title=एक्साइमर लेजर क्रिस्टलीकरण अनाकार इंडियम-टिन-ऑक्साइड और इसके अनुप्रयोग को ठीक पैटर्निंग के लिए|journal=Japanese Journal of Applied Physics |date=1 October 1998 |volume=37 |issue=Part 2, No. 10A |pages=L1119–L1121 |doi=10.1143/JJAP.37.L1119 |bibcode=1998JaJAP..37L1119H }}</ref> | इंडियम टिन ऑक्साइड के साँस लेने से श्वसन तंत्र में हल्की जलन हो सकती है और इससे बचना चाहिए। यदि अरक्षितता दीर्घकालिक है, तो लक्षण पुराने हो सकते हैं और [[फुप्फुस धूलिमयता]] हो सकते हैं। जानवरों के साथ किए गए अध्ययन से संकेत मिलता है कि इंडियम टिन ऑक्साइड गुर्दे, फेफड़े और हृदय पर नकारात्मक प्रभाव के साथ-साथ जहरीला होता है।<ref>{{cite journal |last1=Hosono |first1=Hideo |last2=Kurita |first2=Masaaki |last3=Kawazoe |first3=Hiroshi |title=एक्साइमर लेजर क्रिस्टलीकरण अनाकार इंडियम-टिन-ऑक्साइड और इसके अनुप्रयोग को ठीक पैटर्निंग के लिए|journal=Japanese Journal of Applied Physics |date=1 October 1998 |volume=37 |issue=Part 2, No. 10A |pages=L1119–L1121 |doi=10.1143/JJAP.37.L1119 |bibcode=1998JaJAP..37L1119H }}</ref> | ||
खनन, उत्पादन और पुनर्ग्रहण की प्रक्रिया के दौरान, श्रमिक संभावित रूप से इंडियम के संपर्क में आते हैं, विशेष रूप से चीन, जापान, कोरिया गणराज्य और कनाडा जैसे देशों में<ref>POLINARES (EU Policy on Natural Resources, 2012). [https://web.archive.org/web/20160313020355/http://www.polinares.eu/docs/d2-1/polinares_wp2_annex2_factsheet5_v1_10.pdf Fact sheet: Indium]. [last accessed 20 Mar 2013]</ref> और [[पल्मोनरी एल्वोलर प्रोटीनोसिस|फुफ्फुसीय कोष्ठिका प्रोटीनमयता]], फुप्फुसी तंतुमयता/[[कणिकागुल्मों|ग्रानुलोमस]], [[वातस्फीति]], की संभावना का सामना करना पड़ता है। अमेरिका, चीन और जापान में कामगारों को इंडियम के संपर्क में आने पर [[कोलेस्ट्रॉल]] विदीर्ण का निदान किया गया है।<ref>{{cite journal |last1=Cummings |first1=Kristin J. |last2=Nakano |first2=Makiko |last3=Omae |first3=Kazuyuki |last4=Takeuchi |first4=Koichiro |last5=Chonan |first5=Tatsuya |last6=Xiao |first6=Yong-long |last7=Harley |first7=Russell A. |last8=Roggli |first8=Victor L. |last9=Hebisawa |first9=Akira |last10=Tallaksen |first10=Robert J. |last11=Trapnell |first11=Bruce C. |last12=Day |first12=Gregory A. |last13=Saito |first13=Rena |last14=Stanton |first14=Marcia L. |last15=Suarthana |first15=Eva |last16=Kreiss |first16=Kathleen |title=इंडियम फेफड़े की बीमारी|journal=Chest |date=June 2012 |volume=141 |issue=6 |pages=1512–1521 |doi=10.1378/chest.11-1880 |pmid=22207675 |pmc=3367484 }}</ref> संशोधित | खनन, उत्पादन और पुनर्ग्रहण की प्रक्रिया के दौरान, श्रमिक संभावित रूप से इंडियम के संपर्क में आते हैं, विशेष रूप से चीन, जापान, कोरिया गणराज्य और कनाडा जैसे देशों में<ref>POLINARES (EU Policy on Natural Resources, 2012). [https://web.archive.org/web/20160313020355/http://www.polinares.eu/docs/d2-1/polinares_wp2_annex2_factsheet5_v1_10.pdf Fact sheet: Indium]. [last accessed 20 Mar 2013]</ref> और [[पल्मोनरी एल्वोलर प्रोटीनोसिस|फुफ्फुसीय कोष्ठिका प्रोटीनमयता]], फुप्फुसी तंतुमयता/[[कणिकागुल्मों|ग्रानुलोमस]], [[वातस्फीति]], की संभावना का सामना करना पड़ता है। अमेरिका, चीन और जापान में कामगारों को इंडियम के संपर्क में आने पर [[कोलेस्ट्रॉल]] विदीर्ण का निदान किया गया है।<ref>{{cite journal |last1=Cummings |first1=Kristin J. |last2=Nakano |first2=Makiko |last3=Omae |first3=Kazuyuki |last4=Takeuchi |first4=Koichiro |last5=Chonan |first5=Tatsuya |last6=Xiao |first6=Yong-long |last7=Harley |first7=Russell A. |last8=Roggli |first8=Victor L. |last9=Hebisawa |first9=Akira |last10=Tallaksen |first10=Robert J. |last11=Trapnell |first11=Bruce C. |last12=Day |first12=Gregory A. |last13=Saito |first13=Rena |last14=Stanton |first14=Marcia L. |last15=Suarthana |first15=Eva |last16=Kreiss |first16=Kathleen |title=इंडियम फेफड़े की बीमारी|journal=Chest |date=June 2012 |volume=141 |issue=6 |pages=1512–1521 |doi=10.1378/chest.11-1880 |pmid=22207675 |pmc=3367484 }}</ref> संशोधित आईटीओ में सम्मिलित चांदी के नैनोकणों को [[कृत्रिम परिवेशीय]] में बरकरार और भग्न त्वचा दोनों के माध्यम से [[एपिडर्मिस]] परत मे प्रवेश कर सकते है। गैर-निसादित आईटीओ को प्रेरित T-[[टी सेल|कोशिका]]-मध्यस्थ संवेदीकरण प्रेरित करने का संदिग्ध है: आंतरचर्मीय अनावृत्ति अध्ययन पर, 5% uआईटीओ की संघनता के परिणामस्वरूप चूहों में [[लिम्फोसाइट|लसीका कोशिका]] प्रसार हुआ, जिसमें 10-दिन की अवधि के माध्यम से कोशिकाओं की संख्या में वृद्धि हुई।<ref>{{cite journal |last1=Brock |first1=Kristie |last2=Anderson |first2=Stacey E. |last3=Lukomska |first3=Ewa |last4=Long |first4=Carrie |last5=Anderson |first5=Katie |last6=Marshall |first6=Nikki |last7=Jean Meade |first7=B. |title=बिना सिंटर्ड इंडियम टिन ऑक्साइड के डर्मल एक्सपोजर के बाद इम्यून स्टिमुलेशन|journal=Journal of Immunotoxicology |date=29 October 2013 |volume=11 |issue=3 |pages=268–272 |doi=10.3109/1547691X.2013.843620 |pmid=24164313 |pmc=4652645 }}</ref> | ||
इंडियम युक्त धूल के संपर्क के माध्यम से इंडियम फेफड़े की बीमारी नामक एक नई व्यावसायिक समस्या विकसित हुई थी। पहला मरीज | इंडियम युक्त धूल के संपर्क के माध्यम से इंडियम फेफड़े की बीमारी नामक एक नई व्यावसायिक समस्या विकसित हुई थी। पहला मरीज आईटीओ की आर्द्र सतह की अपघर्षण से जुड़ा एक कर्मचारी है जो [[अंतरालीय निमोनिया]] से पीड़ित था: उसका फेफड़ा आईटीओ से संबंधित कणों से भर गया था।<ref>{{cite journal |last1=Homma |first1=Toshiaki |last2=Ueno |first2=Takahiro |last3=Sekizawa |first3=Kiyohisa |last4=Tanaka |first4=Akiyo |last5=Hirata |first5=Miyuki |title=इंडियम-टिन ऑक्साइड युक्त कणों से निपटने वाले एक कार्यकर्ता में अंतरालीय निमोनिया विकसित हुआ|journal=Journal of Occupational Health |date=4 July 2003 |volume=45 |issue=3 |pages=137–139 |doi=10.1539/joh.45.137 |pmid=14646287 |doi-access=free }}</ref> ये कण [[साइटोकाइन]] उत्पादन और [[बृहतभक्षककोशिका]] दुष्क्रिया को भी प्रेरित कर सकते हैं। [[निसादित]] आईटीओ कण अकेले [[फैगोसाइटिक|भक्षकाण्विक]] दुष्क्रिया का कारण बन सकते हैं लेकिन [[बृहतभक्षककोशिका]] कोशिकाओं में साइटोकिन निवारण नहीं; हालांकि, वे फुफ्फुसीय उपकला कोशिकाओं में प्राक्-शोथरोधक साइटोकिन प्रतिक्रिया को साज़िश कर सकते हैं। uआईटीओ के विपरीत, वे [[अन्तर्जीवविष]] युक्त तरल पदार्थों के संपर्क में आने पर आर्द्र प्रक्रिया को संभालने वाले श्रमिकों को एंडोटॉक्सिन ([[अन्तर्जीवविष|अन्तर्जीवविष)]]भी ला सकते हैं। इसे इस तथ्य के लिए अधीन किया जा सकता है कि sआईटीओs का व्यास बड़ा और छोटा सतह क्षेत्र है, और यह निसादन प्रक्रिया के बाद यह परिवर्तन [[cytotoxicity|कोशिका विषाक्तता]] का कारण बन सकता है।<ref>{{cite journal |last1=Badding |first1=Melissa A. |last2=Schwegler-Berry |first2=Diane |last3=Park |first3=Ju-Hyeong |last4=Fix |first4=Natalie R. |last5=Cummings |first5=Kristin J. |last6=Leonard |first6=Stephen S. |last7=Ojcius |first7=David M. |title=निसादित इंडियम-टिन ऑक्साइड कण इन विट्रो में प्रो-इंफ्लेमेटरी प्रतिक्रियाओं को प्रेरित करते हैं, आंशिक रूप से इन्फ्लामासोम सक्रियण के माध्यम से|journal=PLOS ONE |date=13 April 2015 |volume=10 |issue=4 |pages=e0124368 |doi=10.1371/journal.pone.0124368 |pmid=25874458 |pmc=4395338 |bibcode=2015PLoSO..1024368B |doi-access=free }}</ref> | ||
इन विषयों के कारण | इन विषयों के कारण आईटीओ के विकल्प खोजे गए हैं।<ref>{{cite journal |first1=Akira |last1=Ichiki |first2=Yuichi |last2=Shirasaki |first3=Tadashi |last3=Ito |first4=Tadahiro |last4=Sorori |first5=Tadahiro |last5=Kegasawa |title=टच पैनल के लिए पतली दो तरफा सेंसर फिल्म "एक्सक्लियर" का विकास|trans-title=Development of a Thin Double-sided Sensor Film 'EXCLEAR' for Touch Panels via Silver Halide Photographic Technology |language=ja |year=2017 |journal=Fuji Film Research & Development |id={{NAID|40021224398}} }}</ref><ref>{{Cite web|url=https://www.fujifilmholdings.com/en/sustainability/valuePlan2016/process/policy01/environment2016/02.html|title=पर्यावरण: [विषय 2] पर्यावरण के मुद्दों को हल करने वाली सामग्रियों का विकास स्पर्श पैनल के लिए पतली दो तरफा सेंसर फिल्म को स्पष्ट करें | फ़ूजीफ़िल्म होल्डिंग्स|website=www.fujifilmholdings.com}}</ref> | ||
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[[File:ITO waste-water recycling.jpg|thumb|इंडियम-टिन-ऑक्साइड ( | [[File:ITO waste-water recycling.jpg|thumb|इंडियम-टिन-ऑक्साइड ( आईटीओ ) उत्कीर्णित अपशिष्ट जल उपचार की प्रक्रिया]]निसादन आईटीओ की प्रक्रिया में उपयोग किए जाने वाले [[नक़्क़ाशी (रासायनिक)|उत्कीर्णित (रासायनिक)]] पानी का उपयोग सीमित समय के लिए ही किया जा सकता है, इससे पहले इसका निवारण किया जाना चाहिए। अपघटन के बाद, अपशिष्ट जल में द्वितीयक संसाधन के रूप में In और Cu जैसी मूल्यवान धातुएँ और साथ ही साथ Mo, Cu, Al, Sn और In सम्मिलित होने चाहिए, जो मनुष्यों के लिए स्वास्थ्य के लिए खतरा पैदा कर सकते हैं।<ref>{{cite journal |last1=Fowler |first1=Bruce A |last2=Yamauchi |first2=Hiroshi |last3=Conner |first3=EA |last4=Akkerman |first4=M |title=अर्धचालक धातुओं के संपर्क में आने से मनुष्यों के लिए कैंसर का खतरा|journal=Scandinavian Journal of Work, Environment & Health |date=1993 |volume=19 |pages=101–103 |jstor=40966384 |pmid=8159952 }}</ref><ref>{{cite journal |last1=Chonan |first1=T. |last2=Taguchi |first2=O. |last3=Omae |first3=K. |title=इंडियम-प्रसंस्करण श्रमिकों में अंतरालीय फुफ्फुसीय विकार|journal=European Respiratory Journal |date=27 September 2006 |volume=29 |issue=2 |pages=317–324 |doi=10.1183/09031936.00020306 |pmid=17050566 |doi-access=free }}</ref><ref>{{cite journal |last1=Barceloux |first1=Donald G. |last2=Barceloux |first2=Donald |title=मोलिब्डेनम|journal=Journal of Toxicology: Clinical Toxicology |date=6 August 1999 |volume=37 |issue=2 |pages=231–237 |doi=10.1081/clt-100102422 |pmid=10382558 }}</ref><ref>{{cite journal |last1=Barceloux |first1=Donald G. |last2=Barceloux |first2=Donald |title=ताँबा|journal=Journal of Toxicology: Clinical Toxicology |date=6 August 1999 |volume=37 |issue=2 |pages=217–230 |doi=10.1081/clt-100102421 |pmid=10382557 }}</ref><ref>{{cite journal |last1=Gupta |first1=Umesh C. |last2=Gupta |first2=Subhas C. |title=फसल उत्पादन और पशुधन और मानव स्वास्थ्य के लिए ट्रेस तत्व विषाक्तता संबंध: प्रबंधन के लिए प्रभाव|journal=Communications in Soil Science and Plant Analysis |date=11 November 2008 |volume=29 |issue=11–14 |pages=1491–1522 |doi=10.1080/00103629809370045 |s2cid=53372492 |url=https://semanticscholar.org/paper/f99912c46c7ea05724e8aa35a4d031b662a30374 }}</ref><ref>[http://nj.gov/health/eoh/rtkweb/documents/fs/1025.pdf Hazardous substance factsheet]. New Jersey Department of Health and Senior Services.</ref><ref>Lenntech [http://www.lenntech.com/periodic/elements/sn.htm Health effects of tin].</ref><ref>Yokel, R. A. (2014) pp. 116–119 in ''Encyclopedia of the Neurological Sciences'', ed. M. J. Aminoff and R. B. Daroff, Academic Press, Oxford, 2nd ed..</ref> | ||
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Revision as of 16:19, 29 December 2022
इंडियम टिन ऑक्साइड (आईटीओ) अलग-अलग अनुपात में इंडियम, टिन और ऑक्सीजन की एक त्रिगुट संरचना है। ऑक्सीजन सामग्री के आधार पर, इसे सिरेमिक या मिश्र धातु के रूप में वर्णित किया जा सकता है। इंडियम टिन ऑक्साइड को सामान्य रूप से ऑक्सीजन-संतृप्त संरचना के रूप में 74% In, 18% Sn, और 8% O भार के निर्माण के साथ सामना करना पड़ता है। ऑक्सीजन-संतृप्त रचनाएँ इतनी विशिष्ट हैं कि असंतृप्त रचनाओं को 'ऑक्सीजन-अपूर्ण आईटीओ कहा जाता है। यह पतली परतों में पारदर्शी और रंगहीन होता है, जबकि भार रूप में यह पीले से भूरे रंग का होता है। वर्णक्रम के अवरक्त क्षेत्र में यह धातु जैसे दर्पण के रूप में कार्य करता है।
इंडियम टिन ऑक्साइड अपनी विद्युत चालकता और प्रकाशिक पारदर्शिता के कारण सबसे व्यापक रूप से उपयोग किए जाने वाले पारदर्शी संवाहक ऑक्साइड में से एक है, आसानी से इसे एक पतली झिल्ली के रूप में निक्षेपित किया जा सकता है, और इसकी आर्द्रता के लिए रासायनिक प्रतिरोध है। जैसा कि सभी पारदर्शी संवाहक झिल्ली के साथ होता है, चालकता और पारदर्शिता के बीच एक समझौता किया जाना चाहिए, क्योंकि घनत्व बढ़ने और आवेश वाहकों की सांद्रता बढ़ने से झिल्ली की चालकता बढ़ जाती है, लेकिन इसकी पारदर्शिता कम हो जाती है।
भौतिक वाष्प निक्षेपण द्वारा इंडियम टिन ऑक्साइड की पतली झिल्ली को सतहों पर सबसे अधिक निक्षेपित किया जाता है। प्रायः इलेक्ट्रॉन किरण पुंज वाष्पीकरण, या स्पंदन निक्षेपण तकनीकों की एक श्रृंखला का उपयोग किया जाता है।
सामग्री और गुण
आईटीओ संरचना के आधार पर 1526–1926 °C (1800–2200 केल्विन, 2800–3500 °F) की सीमा में गलनांक के साथ इंडियम और टिन का मिश्रित ऑक्साइड है। सबसे अधिक उपयोग की जाने वाली सामग्री ca In4Sn की संरचना का ऑक्साइड है। सामग्री लगभग 4 eV के बड़े ऊर्जा अंतराल के साथ एक n-प्रकार अर्धचालक है।[1] आईटीओ दृश्यमान प्रकाश और अपेक्षाकृत संवाहक दोनों के लिए पारदर्शी है। इसमें ~10−4 Ω·cm की कम विद्युत प्रतिरोधकता होती है, और एक पतली फिल्म में 80% से अधिक का प्रकाशिक संप्रेषण हो सकता है[2] इन गुणों का उपयोग मोबाइल फोन जैसे टच-स्क्रीन अनुप्रयोगों में अत्यधिक लाभ के लिए किया जाता है।
सामान्य उपयोग

इंडियम टिन ऑक्साइड ( आईटीओ) एक प्रकाशीय इलेक्ट्रॉनिकी सामग्री है जो अनुसंधान और उद्योग दोनों में व्यापक रूप से लागू होती है। आईटीओ का उपयोग कई अनुप्रयोगों के लिए किया जा सकता है, जैसे फ्लैट-पैनल डिस्प्ले, स्मार्ट विंडो, बहुलक-आधारित इलेक्ट्रॉनिक, पतली झिल्ली फोटोवोल्टिक, सुपरमार्केट फ्रीजर के कांच के दरवाजे और आर्किटेक्चरल विंडो। इसके अतिरिक्त, कांच कार्यद्रव के लिए आईटीओ पतली झिल्लीें कांच की खिड़कियों के लिए ऊर्जा संरक्षण के लिए सहायक हो सकती हैं।[3]
आईटीओ ग्रीन टेप का उपयोग दीप के उत्पादन के लिए किया जाता है जो वैद्युत-संदीप्तिशील, कार्यात्मक और पूर्ण रूप से नमनीय होता है।[4] इसके अतिरिक्त, आईटीओ पतली झिल्ली का उपयोग मुख्य रूप से उन विलेपन के रूप में किया जाता है जो अपरावर्ती होते हैं और एलसीडी और विद्युत्-संदीप्ति के लिए होते हैं, जहां पतली झिल्ली को पारदर्शी इलेक्ट्रोड के संचालन के रूप में उपयोग किया जाता है।[5]
आईटीओ का उपयोग प्रायः लिक्विड क्रिस्टल डिस्प्ले, ओलेड डिस्प्ले, प्लाज्मा डिस्प्ले, टच पैनल और इलेक्ट्रॉनिक इंक एप्लिकेशन जैसे डिस्प्ले के लिए पारदर्शी संवाहक विलेपन (कोटिंग) बनाने के लिए किया जाता है। आईटीओ की पतली झिल्ली का उपयोग कार्बनिक प्रकाश उत्सर्जक डायोड, सौर कोशिकाओं, प्रतिस्थैतिक विलेपन और विद्युत चुम्बकीय अंतरास्थापन (EMI) परिरक्षण में भी किया जाता है। कार्बनिक प्रकाश उत्सर्जक डायोड में, आईटीओ का उपयोग एनोड (समग्र अन्तः क्षेपण परत) के रूप में किया जाता है।
वातरोधी (विंडशील्ड) पर निक्षेपित आईटीओ झिल्ली का उपयोग वायु-यान के विंडशील्ड को अपहिमन करने के लिए किया जाता है। झिल्ली में विद्युत-दाब लगाने से ऊष्मा उत्पन्न होती है। आईटीओ का उपयोग विद्युत चुम्बकीय विकिरण को प्रतिबिंबित करने के लिए भी किया जाता है। लॉकहीड मार्टिन एफ-22 रैप्टर के कैनोपी में एक आईटीओ कोटिंग है जो राडार तरंगों को दर्शाती है, इसकी चाल प्रौद्योगिकी क्षमताओं को बढ़ाती है और इसे एक विशिष्ट सोने की रंगत देती है।[6]
आईटीओ का उपयोग विभिन्न प्रकाशिक विलेपन के लिए भी किया जाता है, विशेष रूप से मोटर वाहन के लिए अवरक्त-प्रतिबिंबित विलेपन (तप्त दर्पण), और सोडियम वाष्प दीप कांच। अन्य उपयोगों में गैस संवेदित्र सम्मिलित हैं,[7] परावर्तन रोधी विलेपन, पारद्युतिक, और वीसीसेल लेजर के लिए ब्रैग परावर्तक सम्मिलित है। आईटीओ का उपयोग लो-ई विंडो पैन के लिए IR परावर्तक के रूप में भी किया जाता है। ब्लू चैनल प्रतिक्रिया बढ़ाने के साधन के रूप में कोडक DCS 520 से प्रारंभ होने वाले बाद के कोडक DCS कैमरों में आईटीओ का उपयोग संवेदित्र विलेपन के रूप में भी किया गया था।[8]
आईटीओ पतली झिल्ली विकृति प्रमापक 1400 °C तक के तापमान पर काम कर सकते हैं और कठोर वातावरण में उपयोग किए जा सकते हैं, जैसे गैस टर्बाइन, जेट इंजिन और रॉकेट इंजन।[9]
वैकल्पिक संश्लेषण विधियाँ और वैकल्पिक सामग्री
इंडियम की उच्च कीमत और सीमित आपूर्ति के कारण, आईटीओ परतों की कोमलता और नम्यता की कमी, और निर्वात की आवश्यकता वाली भारी परत निक्षेपण, आईटीओ और वैकल्पिक सामग्री तैयार करने के वैकल्पिक तरीकों की जांच की जा रही है।Cite error: Invalid <ref>
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अपमिश्रित यौगिक
इंडियम ऑक्साइड में कई संक्रमण धातु अपमिश्रक, विशेष रूप से मोलिब्डेनम, टिन से प्राप्त की तुलना में बहुत अधिक इलेक्ट्रॉन गतिशीलता और चालकता देते हैं।[11] एल्युमिनियम-अपमिश्रित जिंक आक्साइड (AZO) और इंडियम-अपमिश्रित कैडमियम ऑक्साइड जैसे अपमिश्रित बाइनरी यौगिकों को वैकल्पिक सामग्री के रूप में प्रस्तावित किया गया है। अन्य अकार्बनिक विकल्पों में अल्युमीनियम, गैलियम या इंडियम-अपमिश्रित जिंक ऑक्साइड (AZO, GZO या IZO) सम्मिलित हैं।
कार्बन नैनोट्यूब
कार्बन नैनोट्यूब प्रवाहकीय विलेपन एक संभावित प्रतिस्थापन हैं।[12][13]
ग्राफीन
एक अन्य कार्बन-आधारित विकल्प के रूप में, ग्राफीन की झिल्लीें नम्य होती हैं और मानक आईटीओ की तुलना में कम विद्युत प्रतिरोध के साथ 90% पारदर्शिता की स्वीकृति देने के लिए दिखाया गया है।[14] पतली धातु की झिल्ली को संभावित प्रतिस्थापन सामग्री के रूप में भी देखा जाता है। वर्तमान में जिस हाइब्रिड सामग्री का परीक्षण किया जा रहा है, वह चांदी के नैनोवायर से बना एक इलेक्ट्रोड है और ग्राफीन से प्रच्छन्न हुआ है। ऐसी सामग्रियों के लाभों में विद्युत प्रवाहकीय और नम्य होने के साथ-साथ पारदर्शिता बनाए रखना सम्मिलित है।[15]
प्रवाहकीय बहुलक
कुछ आईटीओ अनुप्रयोगों के लिए स्वाभाविक रूप से प्रवाहकीय बहुलक (ICPs) भी विकसित किए जा रहे हैं।[16][17] सामान्य रूप से अकार्बनिक सामग्रियों की तुलना में बहुलक, जैसे पॉलीएनीलाइन और पेडॉट: पीएसएस के संचालन के लिए चालकता कम होती है, लेकिन वे प्रसंस्करण और निर्माण में अधिक नम्य, कम मूल्यवान और अधिक पर्यावरण के अनुकूल होते हैं।
अनाकार इंडियम-जिंक ऑक्साइड
इंडियम सामग्री को कम करने, प्रसंस्करण कठिनाई को कम करने और विद्युत एकरूपता में सुधार करने के लिए अनाकार पारदर्शी संवाहक ऑक्साइड विकसित किए गए हैं। ऐसी ही एक सामग्री, अक्रिस्टलीय इंडीयम-जिंक-ऑक्साइड लघु-श्रेणी के क्रम को बनाए रखती है, यद्यपि In2O3 और ZnO धातु परमाणुओं के बीच ऑक्सीजन के अनुपात में अंतर से क्रिस्टलीकरण बाधित हो। इंडियम-जिंक-ऑक्साइड में आईटीओ के कुछ तुलनीय गुण हैं।[18] अक्रिस्टलीय संरचना 500 °C तक भी स्थिर रहती है, जो कार्बनिक सौर कोशिकाओं में महत्वपूर्ण प्रसंस्करण चरणों की स्वीकृति देती है। समरूपता में सुधार कार्बनिक सौर सेल की स्थिति में सामग्री की उपयोगिता को महत्वपूर्ण रूप से बढ़ाता है। कार्बनिक सौर सेल में खराब इलेक्ट्रोड प्रदर्शन के क्षेत्र के प्रतिशत को अनुपयोगी बना देते हैं।[19]
सिल्वर नैनोकण- आईटीओ हाइब्रिड
नम्य इलेक्ट्रॉनिक्स का उत्पादन करने के लिए आईटीओ को उच्च गुणवत्ता वाले नम्य कार्यद्रव के रूप में लोकप्रिय रूप से उपयोग किया गया है।[20] हालाँकि, इस कार्यद्रव का नमनीय कम हो जाता है क्योंकि इसकी चालकता में सुधार होता है। पिछले शोध ने संकेत दिया है कि क्रिस्टलीयता की डिग्री को बढ़ाकर आईटीओ के यांत्रिक गुणों में सुधार किया जा सकता है।[21] चांदी (Ag) के साथ अपमिश्रित इस गुण में सुधार कर सकती है, लेकिन इसके परिणामस्वरूप पारदर्शिता का नुकसान होता है।[22] अधिकांश तरीका जो हाइब्रिड आईटीओ बनाने के लिए सजातीय रूप से Ag नैनोकणों (AgNP) को अंतर्निहित करता है, पारदर्शिता में कमी को पूरा करने में प्रभावी प्रमाणित हुआ है। हाइब्रिड आईटीओ में एक अनुस्थापन में क्षेत्र होते हैं जो AgNPs पर विकसित होते हैं और दूसरे अनुस्थापन का एक आधात्री होता है। क्षेत्र आधात्री से अधिक मजबूत होते हैं और प्रसार को रोकने के लिए बाधाओं के रूप में कार्य करते हैं, नम्य में अधिकतम वृद्धि करते हैं। सजातीय आईटीओ की तुलना में हाइब्रिड आईटीओ में झुकने में वृद्धि के साथ प्रतिरोधकता में परिवर्तन अधिकतम कम हो जाता है।[23]
वैकल्पिक संश्लेषण के तरीके
टेप कास्टिंग प्रक्रिया
आईटीओ सामान्य रूप से भौतिक वाष्प निक्षेपण (PVD) से संबद्ध होने वाली बहुमूल्य और ऊर्जा-गहन प्रक्रियाओं के माध्यम से निक्षेपित किया जाता है। ऐसी प्रक्रियाओं में कणक्षेपण सम्मिलित है, जिसके परिणाम-स्वरूप भंगुर परतें बनती हैं।[citation needed] कण-आधारित तकनीक का उपयोग करने वाली एक वैकल्पिक प्रक्रिया को टेप कास्टिंग प्रक्रिया के रूप में जाना जाता है। क्योंकि यह एक कण-आधारित तकनीक है, आईटीओ नैनो-कणों को पहले प्रसारित किया जाता है, फिर स्थिरता के लिए कार्बनिक विलयन में रखा जाता है। बेंज़िल थैलेट सुघट्यताकारी और पॉलीविनाइल ब्यूटिरल बंधक को नैनोकण घोल तैयार करने में सहायक दिखाया गया है। एक बार टेप कास्टिंग प्रक्रिया पूरी हो जाने के बाद, हरे आईटीओ टेपों के लक्षण वर्णन से पता चलता है कि इष्टतम संचरण लगभग 75% तक चला गया, जिसमें 2 Ω·cm के विद्युत प्रतिरोध की निचली सीमा थी।[4]
लेजर निसादन
निसादन के लिए आवश्यक उच्च तापमान के कारण आईटीओ नैनोकणों का उपयोग कार्यद्रव की विकल्प पर एक सीमा लगाता है। एक वैकल्पिक प्रारंभिक सामग्री के रूप में, In-Sn मिश्र धातु नैनोकण संभावित कार्यद्रव की अधिक विविध श्रेणी के लिए स्वीकृति देते हैं।[24] पारदर्शिता लाने के लिए पहले एक निरंतर प्रवाहकीय In-Sn मिश्र धातु झिल्ली बनाई जाती है, उसके बाद ऑक्सीकरण किया जाता है। इस दो चरण की प्रक्रिया में तापीय अनीलन सम्मिलित है, जिसके लिए विशेष वातावरण नियंत्रण और प्रसंस्करण समय में वृद्धि की आवश्यकता होती है। क्योंकि धातु के नैनोकणों को लेजर के उपचार के तहत एक प्रवाहकीय धातु झिल्ली में आसानी से परिवर्तित किया जा सकता है, उत्पादों की सजातीय आकृति विज्ञान को प्राप्त करने के लिए लेजर निसादन का उपयोग किया जाता है। लेजर निसादन उपयोग में आसान और कम खर्चीला भी है क्योंकि इसे हवा में किया जा सकता है।[25]
परिवेशी गैस की स्थिति
उदाहरण के लिए, पारंपरिक तरीकों का उपयोग करते हुए लेकिन ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक गुणों में सुधार के लिए परिवेशी गैस स्थितियों को अलग-अलग करना[26] उदाहरण के लिए, आईटीओ के गुणों में ऑक्सीजन एक प्रमुख भूमिका निभाता है।[27]
बहुत पतली झिल्ली के लिए रासायनिक संकर्तन
प्लासमोनिक (plasmonic) धात्विक नैनो-सरंचना के संख्यात्मक मॉडलिंग ने पतली-झिल्ली नैनो-डिस्क-प्रतिमानित वाले हाइड्रोजनीकृत अनाकार सिलिकॉन (a-Si:H) सौर फोटोवोल्टिक (PV) कोशिकाओं में प्रकाश प्रबंधन की एक विधि के रूप में अधिकतम संभावनाएं दिखाई हैं। प्लास्मोनिक- परिष्कृत PV उपकरणों के लिए उत्पन्न होने वाली एक समस्या उच्च संप्रेषण और कम पर्याप्त प्रतिरोधकता वाले 'अत्यंत-पतली' पारदर्शी संवाहक ऑक्साइड (TCOs) की आवश्यकता होती है, जिसका उपयोग डिवाइस शीर्ष संपर्क/इलेक्ट्रोड के रूप में किया जाता है। दुर्भाग्य से, TCO पर अधिकांश काम अपेक्षाकृत मोटी परतों पर है और पतले TCO के कुछ रिपोर्ट किए गए स्थितियों में चालकता में अभिहित कमी देखी गई है। इसे दूर करने के लिए पहले एक मोटी परत विकसित करना संभव है और फिर एक पतली परत प्राप्त करने के लिए रासायनिक रूप से इसे निसादन किया जाता है जो समग्र और अत्यधिक प्रवाहकीय होती है।[28]
प्रतिबंध और ट्रेड-ऑफ
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आईटीओ के साथ एक बड़ी चिंता इसकी कीमत है। आईटीओ की कीमत एल्यूमीनियम जिंक ऑक्साइड (AZO) से कई गुना अधिक होती है। AZO पारदर्शी संचालन झिल्ली ( TCO) की एक सामान्य विकल्प है क्योंकि इसकी कम कीमत और सौर स्पेक्ट्रम में अपेक्षाकृत अच्छा प्रकाशिक संचरण प्रदर्शन है। हालांकि, आर्द्रता के लिए रासायनिक प्रतिरोध सहित कई अन्य महत्वपूर्ण प्रदर्शन श्रेणियों में आईटीओ AZO से उपयुक्त है। आईटीओ आर्द्रता से प्रभावित नहीं है, और ऊपरी भाग पर 25-30 वर्षों के कॉपर इंडियम गैलियम सेलेनाइड सौर सेल के हिस्से के रूप में स्थिर है।
जबकि कणक्षेपण लक्ष्य या बाष्पीकरणीय सामग्री जिसका उपयोग आईटीओ को निक्षेपित करने के लिए किया जाता है, AZO की तुलना में अधिकतम अधिक बहुमूल्य है, प्रत्येक सेल पर रखी गई सामग्री की मात्रा अधिकतम कम है। इसलिए, प्रति सेल कीमत दंड भी अधिकतम कम है।
लाभ
लिक्विड क्रिस्टल डिस्प्ले के लिए एक पारदर्शी संवाहक के रूप में AZO की तुलना में आईटीओ का प्राथमिक लाभ यह है कि आईटीओ को ठीक प्रतिमान में उत्कीर्णित जा सकता है।[30] AZO को शुद्ध रूप से उत्कीर्णित नहीं जा सकता: यह अम्ल के प्रति इतना संवेदनशील होता है कि यह अम्ल उपचार द्वारा अति-उत्कीर्णित हो जाता है।[30]
AZO की तुलना में आईटीओ का एक अन्य लाभ यह है कि यदि आर्द्रता बेधन करती है, तो आईटीओ, AZO की तुलना में कम ख़राब होगा।[29]
कोशिका संवर्धन कार्यद्रव के रूप में आईटीओ कांच की भूमिका को आसानी से बढ़ाया जा सकता है, जो इलेक्ट्रॉन सूक्ष्मदर्शिकी और सहसंबंधी प्रकाश से जुड़े बढ़ते कोशिकाओं पर अध्ययन के नए अवसर का पता लगाता है।[31]
अनुसंधान उदाहरण
नई पीढ़ी के सौर सेल को रास्ता प्रदान करने के लिए आईटीओ का उपयोग नैनो तकनीक में किया जा सकता है। इन उपकरणों के साथ बने सौर सेल में कम कीमत, अत्यंत-कम भार और नम्य कोशिका प्रदान करने की क्षमता होती है, जिसमें अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला होती है। नैनो-छड़ के नैनो-पैमाने आयामों के कारण, क्वांटम-आकार के प्रभाव उनके प्रकाशिक गुणों को प्रभावित करते हैं। छड़ों के आकार को टेलरिंग करके, उन्हें रंगों के एक विशिष्ट संकीर्ण बैंड के अंदर प्रकाश को अवशोषित करने के लिए बनाया जा सकता है। विभिन्न आकार की छड़ों के साथ कई कोशिकाओं को एकत्र करके, सौर स्पेक्ट्रम में तरंग दैर्ध्य की एक विस्तृत श्रृंखला एकत्र की जा सकती है और ऊर्जा में परिवर्तित की जा सकती है। इसके अतिरिक्त, छड़ की नैनो-पैमाना मात्रा एक पारंपरिक सेल की तुलना में आवश्यक अर्धचालक सामग्री की मात्रा में महत्वपूर्ण कमी लाती है।[32][33] हाल के अध्ययनों से पता चला है कि नैनो-संरचित आईटीओ प्रकाश ऊर्जा के अवशोषण और भंडारण के लिए एक अनन्य सामग्री में संयोजन करते हुए एक लघु प्रकाश-संधारित्र के रूप में व्यवहार कर सकता है।[34]
स्वास्थ्य और सुरक्षा
इंडियम टिन ऑक्साइड के साँस लेने से श्वसन तंत्र में हल्की जलन हो सकती है और इससे बचना चाहिए। यदि अरक्षितता दीर्घकालिक है, तो लक्षण पुराने हो सकते हैं और फुप्फुस धूलिमयता हो सकते हैं। जानवरों के साथ किए गए अध्ययन से संकेत मिलता है कि इंडियम टिन ऑक्साइड गुर्दे, फेफड़े और हृदय पर नकारात्मक प्रभाव के साथ-साथ जहरीला होता है।[35]
खनन, उत्पादन और पुनर्ग्रहण की प्रक्रिया के दौरान, श्रमिक संभावित रूप से इंडियम के संपर्क में आते हैं, विशेष रूप से चीन, जापान, कोरिया गणराज्य और कनाडा जैसे देशों में[36] और फुफ्फुसीय कोष्ठिका प्रोटीनमयता, फुप्फुसी तंतुमयता/ग्रानुलोमस, वातस्फीति, की संभावना का सामना करना पड़ता है। अमेरिका, चीन और जापान में कामगारों को इंडियम के संपर्क में आने पर कोलेस्ट्रॉल विदीर्ण का निदान किया गया है।[37] संशोधित आईटीओ में सम्मिलित चांदी के नैनोकणों को कृत्रिम परिवेशीय में बरकरार और भग्न त्वचा दोनों के माध्यम से एपिडर्मिस परत मे प्रवेश कर सकते है। गैर-निसादित आईटीओ को प्रेरित T-कोशिका-मध्यस्थ संवेदीकरण प्रेरित करने का संदिग्ध है: आंतरचर्मीय अनावृत्ति अध्ययन पर, 5% uआईटीओ की संघनता के परिणामस्वरूप चूहों में लसीका कोशिका प्रसार हुआ, जिसमें 10-दिन की अवधि के माध्यम से कोशिकाओं की संख्या में वृद्धि हुई।[38]
इंडियम युक्त धूल के संपर्क के माध्यम से इंडियम फेफड़े की बीमारी नामक एक नई व्यावसायिक समस्या विकसित हुई थी। पहला मरीज आईटीओ की आर्द्र सतह की अपघर्षण से जुड़ा एक कर्मचारी है जो अंतरालीय निमोनिया से पीड़ित था: उसका फेफड़ा आईटीओ से संबंधित कणों से भर गया था।[39] ये कण साइटोकाइन उत्पादन और बृहतभक्षककोशिका दुष्क्रिया को भी प्रेरित कर सकते हैं। निसादित आईटीओ कण अकेले भक्षकाण्विक दुष्क्रिया का कारण बन सकते हैं लेकिन बृहतभक्षककोशिका कोशिकाओं में साइटोकिन निवारण नहीं; हालांकि, वे फुफ्फुसीय उपकला कोशिकाओं में प्राक्-शोथरोधक साइटोकिन प्रतिक्रिया को साज़िश कर सकते हैं। uआईटीओ के विपरीत, वे अन्तर्जीवविष युक्त तरल पदार्थों के संपर्क में आने पर आर्द्र प्रक्रिया को संभालने वाले श्रमिकों को एंडोटॉक्सिन (अन्तर्जीवविष)भी ला सकते हैं। इसे इस तथ्य के लिए अधीन किया जा सकता है कि sआईटीओs का व्यास बड़ा और छोटा सतह क्षेत्र है, और यह निसादन प्रक्रिया के बाद यह परिवर्तन कोशिका विषाक्तता का कारण बन सकता है।[40]
इन विषयों के कारण आईटीओ के विकल्प खोजे गए हैं।[41][42]
पुनर्चक्रण
निसादन आईटीओ की प्रक्रिया में उपयोग किए जाने वाले उत्कीर्णित (रासायनिक) पानी का उपयोग सीमित समय के लिए ही किया जा सकता है, इससे पहले इसका निवारण किया जाना चाहिए। अपघटन के बाद, अपशिष्ट जल में द्वितीयक संसाधन के रूप में In और Cu जैसी मूल्यवान धातुएँ और साथ ही साथ Mo, Cu, Al, Sn और In सम्मिलित होने चाहिए, जो मनुष्यों के लिए स्वास्थ्य के लिए खतरा पैदा कर सकते हैं।[43][44][45][46][47][48][49][50]
यह भी देखें
- पारदर्शी संचालन झिल्ली
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बाहरी संबंध
- Spectroscopic studies of conducting metal oxides, with many slides about आईटीओ