जीडीडीआर4 एसडीआरएएम: Difference between revisions

From Vigyanwiki
No edit summary
No edit summary
Line 1: Line 1:
{{short description|Type of graphics card memory}}
{{short description|Type of graphics card memory}}
{{about|डीडीआर ग्राफिक्स रैम (एसजीआरएएम)|नॉन-ग्राफिक्स (गतिशील) डीडीआर मेमोरी|डीडीआर4 एसडीआरएएम}}
{{about|डीडीआर ग्राफिक्स रैम (एसजीआरएएम)|नॉन-ग्राफिक्स (गतिशील) डीडीआर मेमोरी|डीडीआर4 एसडीआरएएम}}
GDDR4 SDRAM, ग्राफिक्स डबल डेटा रेट 4 सिंक्रोनस डायनेमिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी के लिए एक संक्षिप्त नाम, [[JEDEC]] सेमीकंडक्टर मेमोरी स्टैंडर्ड द्वारा निर्दिष्ट [[ चित्रोपमा पत्रक |चित्रोपमा पत्रक]] [[रैंडम एक्सेस मेमोरी]] (SGRAM) का एक प्रकार है।<ref>{{cite web|url=http://www.jedec.org/standards-documents/results/SGRAM|title=Standards & Documents Search: sgram|publisher=www.jedec.org|access-date=9 September 2013}}</ref><ref>{{cite web|url=http://www.jedec.org/standards-documents/results/GDDR4|title=Standards & Documents Search: gddr4|publisher=www.jedec.org|access-date=9 September 2013}}</ref> यह Rambus|Rambus के [[XDR DRAM]] का प्रतिद्वंद्वी माध्यम है। GDDR4 [[DDR3 SDRAM]] कार्यपद्धति पर आधारित है और इसका उद्देश्य [[DDR2 SDRAM]]-आधारित [[GDDR3]] को बदलना था, लेकिन इसे एक वर्ष के भीतर [[GDDR5]] द्वारा बदल दिया गया।
GDDR4 SDRAM,जो ग्राफिक्स डबल डेटा रेट 4 सिंक्रोनस डायनेमिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी के लिए एक संक्षिप्त नाम, [[JEDEC]] सेमीकंडक्टर मेमोरी स्टैंडर्ड द्वारा निर्दिष्ट का एक प्रकार का [[ चित्रोपमा पत्रक |चित्रोपमा पत्रक]] [[रैंडम एक्सेस मेमोरी]] (SGRAM) है।<ref>{{cite web|url=http://www.jedec.org/standards-documents/results/SGRAM|title=Standards & Documents Search: sgram|publisher=www.jedec.org|access-date=9 September 2013}}</ref><ref>{{cite web|url=http://www.jedec.org/standards-documents/results/GDDR4|title=Standards & Documents Search: gddr4|publisher=www.jedec.org|access-date=9 September 2013}}</ref> यह Rambus के [[XDR DRAM]] का प्रतिद्वंद्वी माध्यम है। GDDR4 [[DDR3 SDRAM]] प्रौद्योगिकी पर आधारित है और इसका उद्देश्य [[DDR2 SDRAM]]-पर आधारित[[GDDR3]] को बदलना था, लेकिन इसे एक वर्ष के भीतर [[GDDR5]] द्वारा बदल दिया गया था।


== इतिहास ==
== इतिहास ==
* 26 अक्टूबर 2005 को, [[सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स]] ने घोषणा की कि उसने पहली GDDR4 मेमोरी विकसित की है, एक 256-[[Mebibit]] चिप जो 2.5 Gbit/s पर चल रही है। सैमसंग ने प्रति पिन 2.8 Gbit/s रेटेड GDDR4 SDRAM का नमूना लेने और बड़े पैमाने पर उत्पादन करने की योजना का भी सारांश किया गया था।<ref>{{cite web |title=Samsung Electronics Develops Industry's First Ultra-Fast GDDR4 Graphics DRAM |url=https://www.samsung.com/semiconductor/insights/news-events/samsung-electronics-develops-industrys-first-ultra-fast-gddr4-graphics-dram/ |website=[[Samsung Semiconductor]] |publisher=[[Samsung]] |access-date=8 July 2019 |date=October 26, 2005}}</ref>
* 26 अक्टूबर 2005 को, [[सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स]] ने घोषणा की कि उसने पहली GDDR4 मेमोरी का विकसित किया है, जो 2.5 जीबीट/सेकंड पर चलने वाले 256-[[Mebibit|मेगाबिट]] चिप है। सैमसंग ने प्रति पिन 2.8 जीबीट/सेकंड रेटेड GDDR4 SDRAM का नमूना लेने और बड़े पैमाने पर उत्पादन करने की योजना का भी सारांश किया गया था।<ref>{{cite web |title=Samsung Electronics Develops Industry's First Ultra-Fast GDDR4 Graphics DRAM |url=https://www.samsung.com/semiconductor/insights/news-events/samsung-electronics-develops-industrys-first-ultra-fast-gddr4-graphics-dram/ |website=[[Samsung Semiconductor]] |publisher=[[Samsung]] |access-date=8 July 2019 |date=October 26, 2005}}</ref>
* 2005 में, [[Hynix]] ने पहली 512-Mbit GDDR4 मेमोरी चिप विकसित किया गया था।<ref name="hynix2000s">{{cite web |title=History: 2000s |url=https://www.skhynix.com/eng/about/history2000.jsp |website=[[SK Hynix]] |access-date=8 July 2019}}</ref>
* 2005 में, [[Hynix|हायनिक्स]] ने पहली 512-Mbit GDDR4 मेमोरी चिप का विकसित किया गया था।<ref name="hynix2000s">{{cite web |title=History: 2000s |url=https://www.skhynix.com/eng/about/history2000.jsp |website=[[SK Hynix]] |access-date=8 July 2019}}</ref>
* 14 फरवरी, 2006 को, सैमसंग ने 32-बिट 512-एमबिट जीडीडीआर4 एसडीआरएएम के विकास की घोषणा की, जो प्रति पिन 3.2 जीबीटी/एस, या मापांक के लिए 12.8 जीबी/एस स्थानांतरित करने में सक्षम है।<ref>[http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/News/GraphicsMemory/category_GraphicsMemory_20060214_0000233753.htm Samsung Develops Ultra-fast Graphics Memory: A More Advanced GDDR4 at Higher Density]</ref>
* 14 फरवरी, 2006 को, सैमसंग ने 32-बिट 512-मेगाबिट GDDR4 SDRAM के विकास की घोषणा की, जो प्रति पिन 3.2 जीबीटी/एस, या मापांक के लिए 12.8 जीबीट/सेकंड स्थानांतरित करने में सक्षम है।<ref>[http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/News/GraphicsMemory/category_GraphicsMemory_20060214_0000233753.htm Samsung Develops Ultra-fast Graphics Memory: A More Advanced GDDR4 at Higher Density]</ref>
* 5 जुलाई, 2006 को, सैमसंग ने 32-बिट 512-एमबिट जीडीडीआर4 एसडीआरएएम के बड़े पैमाने पर उत्पादन की घोषणा की, जिसकी रेटिंग 2.4 जीबीटी/एस प्रति पिन, या मापांक के लिए 9.6 जीबी/एस है। चूंकि हाई-पिन-काउंट मेमोरी पर XDR DRAM के प्रदर्शन से मेल खाने के लिए डिज़ाइन किया गया है, यह लो-पिन-काउंट डिज़ाइन पर XDR प्रदर्शन से मेल खाने में सक्षम नहीं होगा।<ref>[https://web.archive.org/web/20060706142817/http://www.tgdaily.com/2006/07/05/samsung_gddr4/ Samsung sends GDDR4 graphics memory into mass production]</ref>
* 5 जुलाई, 2006 को, सैमसंग ने 32-बिट 512-मेगाबिट GDDR4 SDRAM की मास्टर प्रोडक्शन की घोषणा की, जो प्रति पिन 2.4 जीबीट/सेकंड या मॉड्यूल के लिए 9.6 जीबीबाइट/सेकंड के रेट की है। यह योजना तो हाई-पिन-काउंट मेमोरी पर XDR DRAM के प्रदर्शन से मेल खाने की थी, लेकिन इससे कम-पिन-काउंट डिज़ाइन पर XDR के प्रदर्शन से मेल नहीं कर पाती थी।<ref>[https://web.archive.org/web/20060706142817/http://www.tgdaily.com/2006/07/05/samsung_gddr4/ Samsung sends GDDR4 graphics memory into mass production]</ref>
* 9 फरवरी, 2007 को, सैमसंग ने 32-बिट 512-एमबिट जीडीडीआर4 एसडीआरएएम के बड़े पैमाने पर उत्पादन की घोषणा की, जिसकी रेटिंग 2.8 जीबिट/एस प्रति पिन, या 11.2 जीबी/एस प्रति मापांक है। इस मापांक का उपयोग कुछ [[एएमडी]] कार्ड के लिए किया गया था।<ref>{{cite web |url=http://www.theinquirer.net/default.aspx?article=37559 |title=Samsung releases fastest GDDR-4 SGRAM |work=[[The Inquirer]] |url-status=unfit |archive-url=https://web.archive.org/web/20070212033434/http://theinquirer.net/default.aspx?article=37559 |archive-date=2007-02-12}}</ref>
* 9 फरवरी, 2007 को, सैमसंग ने 32-बिट 512-मेगाबिट GDDR4 SDRAM के बड़े पैमाने पर उत्पादन की घोषणा की, जिसकी रेटिंग 2.8 जीबिट/एस प्रति पिन, या 11.2 जीबीट/सेकंड प्रति मापांक है। इस मापांक का उपयोग कुछ [[एएमडी]] कार्ड के लिए किया गया था।<ref>{{cite web |url=http://www.theinquirer.net/default.aspx?article=37559 |title=Samsung releases fastest GDDR-4 SGRAM |work=[[The Inquirer]] |url-status=unfit |archive-url=https://web.archive.org/web/20070212033434/http://theinquirer.net/default.aspx?article=37559 |archive-date=2007-02-12}}</ref>
* 23 फरवरी, 2007 को, सैमसंग ने 32-बिट 512-एमबिट GDDR4 SDRAM को 4.0 Gbit/s प्रति पिन या 16 GB/s पर मापांक के लिए रेट करने की घोषणा की और वर्ष 2007 के अंत तक व्यावसायिक रूप से उपलब्ध ग्राफिक्स कार्ड पर मेमोरी दिखाई देने की अपेक्षा की। .<ref>[https://web.archive.org/web/20070225083354/http://www.tgdaily.com/2007/02/23/samsung_gddr/ Samsung accelerates graphics memory to 2000 MHz]</ref>
* 23 फरवरी, 2007 को, सैमसंग ने 32-बिट 512-मेगाबिट GDDR4 SDRAM की घोषणा की, जिसकी प्रति पिन रेटिंग 4.0 जीबीट/सेकंड या मॉड्यूल के लिए 16 जीबीबाइट/सेकंड है, और उम्मीद की जाती है कि इस मेमोरी को साल 2007 के अंत तक वाणिज्यिक रूप में उपलब्ध ग्राफिक्स कार्डों पर दिखाई देगी। .<ref>[https://web.archive.org/web/20070225083354/http://www.tgdaily.com/2007/02/23/samsung_gddr/ Samsung accelerates graphics memory to 2000 MHz]</ref>




Line 15: Line 15:
GDDR4 SDRAM ने डेटा ट्रांसमिशन में देरी को कम करने के लिए DBI (डेटा बस इनवर्जन) और मल्टी-प्रीम्बल प्रस्तुत किया गया था। [[प्रीफैच बफर]] को 4 बिट से बढ़ाकर 8 बिट कर दिया गया था। GDDR4 के लिए मेमोरी बैंकों की अधिकतम संख्या 8 तक बढ़ा दी गई है। GDDR3 SDRAM के समान बैंडविड्थ प्राप्त करने के लिए, GDDR4 कोर उसी कच्चे बैंडविड्थ के GDDR3 कोर के आधे प्रदर्शन पर चलता है। कोर वोल्टेज को घटाकर 1.5 V कर दिया गया था।
GDDR4 SDRAM ने डेटा ट्रांसमिशन में देरी को कम करने के लिए DBI (डेटा बस इनवर्जन) और मल्टी-प्रीम्बल प्रस्तुत किया गया था। [[प्रीफैच बफर]] को 4 बिट से बढ़ाकर 8 बिट कर दिया गया था। GDDR4 के लिए मेमोरी बैंकों की अधिकतम संख्या 8 तक बढ़ा दी गई है। GDDR3 SDRAM के समान बैंडविड्थ प्राप्त करने के लिए, GDDR4 कोर उसी कच्चे बैंडविड्थ के GDDR3 कोर के आधे प्रदर्शन पर चलता है। कोर वोल्टेज को घटाकर 1.5 V कर दिया गया था।


डेटा बस उलटा पता/कमांड बस और डेटा के प्रत्येक बाइट में एक अतिरिक्त सक्रिय-निम्न DBI# पिन जोड़ता है। यदि डेटा बाइट में चार से अधिक 0 बिट्स हैं, तो बाइट उलटा है और DBI# सिग्नल कम प्रसारित होता है। इस प्रकार, सभी नौ पिनों में 0 बिट्स की संख्या चार तक सीमित हो जाती है।<ref>{{cite conference
डेटा बस उलटा ने एड्रेस/कमांड बस और डेटा के प्रत्येक बाइट में एक अतिरिक्त सक्रिय-निम्न DBI# पिन जोड़ता है। यदि डेटा बाइट में चार से अधिक 0 बिट्स हैं, तो बाइट उलट जाती है और DBI# सिग्नल कम प्रसारित होता है। इस तरीके से, सभी नौ पिनों में 0 बिट्स की संख्या चार तक सीमित हो जाती है।<ref>{{cite conference
  |title=DDR4 Mini Workshop
  |title=DDR4 Mini Workshop
  |conference=Server Memory Forum 2011
  |conference=Server Memory Forum 2011
Line 21: Line 21:
  |first=J.S. |last=Choi
  |first=J.S. |last=Choi
  |url=https://www.jedec.org/sites/default/files/JS_Choi_DDR4_miniWorkshop.pdf#page=9
  |url=https://www.jedec.org/sites/default/files/JS_Choi_DDR4_miniWorkshop.pdf#page=9
}}  This presentation is about DDR4 rather than GDDR4, but both use data bus inversion.</ref>{{Rp|9}} यह बिजली की खपत और [[ जमीन उछाल |जमीन उछाल]] को कम करता है।
}}  This presentation is about DDR4 rather than GDDR4, but both use data bus inversion.</ref>{{Rp|9}} इससे बिजली की खपत और [[ जमीन उछाल |जमीन उछाल]] को कम करता है।


सिग्नलिंग मोर्चे पर, GDDR4 चिप I/O बफर को 8 बिट प्रति दो चक्रों तक विस्तारित करता है, जिससे फट संचरण के समय अधिक निरंतर बैंडविड्थ की अनुमति मिलती है, लेकिन CAS लेटेंसी (CL) में उल्लेखनीय रूप से वृद्धि की कीमत पर, मुख्य रूप से दोहरे घटे हुए काउंट द्वारा निर्धारित किया जाता है। GDDR3 की समानता में एड्रेस/कमांड पिन और हाफ-क्लॉक्ड DRAM सेल। एड्रेसिंग पिन की संख्या GDDR3 कोर की समानता में आधी हो गई थी, और इसका उपयोग पावर और ग्राउंड के लिए किया गया था, जिससे विलंबता भी बढ़ जाती है। GDDR4 का एक अन्य लाभ ऊर्जा दक्षता है: 2.4 Gbit/s पर चल रहा है, यह 2.0 Gbit/s पर चलने वाले GDDR3 चिप्स की समानता में 45% कम बिजली का उपयोग करता है।
साइनलिंग के स्थितियों में, GDDR4 चिप I/O बफर को 8 बिट्स प्रति दो साइकिल तक विस्तारित करता है, जिससे बर्स्ट ट्रांसमिशन के दौरान अधिक सुस्त संचार बैंडविड्थ संभव होती है, लेकिन इसके खर्चे में CAS लैटेंसी (CL) में काफी बढ़ोतरी होती है, जो मुख्य रूप से पते/कमांड पिन्स की दोहरी कमी और आधी-क्लॉक डीआरएएम सेल्स के कारण GDDR3 के संग्रहित काउंट की तुलना में होती है। एड्रेस/कमांड पिन्स की संख्या को GDDR3 कोर की आधी कर दी गई थी, और इन्हें पावर और ग्राउंड के लिए उपयोग किया गया, जिससे लैटेंसी भी बढ़ती है। GDDR4 का एक और लाभ पावर अधिकता है: 2.4 जीबीट/सेकंड पर चलने पर, इसकी शक्ति GDDR3 चिप्स से 2.0 जीबीट/सेकंड पर चलने पर तुलना में 45% कम खपत करती है।


सैमसंग के GDDR4 SDRAM डेटाशीट में, इसे 'GDDR4 [[SGRAM]]', या 'ग्राफ़िक्स डबल डेटा रेट वर्जन 4 सिंक्रोनस ग्राफ़िक्स रैम' के रूप में संदर्भित किया गया था। चूँकि आवश्यक ब्लॉक राइट फीचर उपलब्ध नहीं है, इसलिए इसे SGRAM के रूप में वर्गीकृत नहीं किया गया है।
सैमसंग के GDDR4 SDRAM डेटाशीट में, इसे 'GDDR4 [[SGRAM]]', या 'ग्राफ़िक्स डबल डेटा रेट वर्जन 4 सिंक्रोनस ग्राफ़िक्स रैम' के रूप में संदर्भित किया गया था। चूँकि आवश्यक ब्लॉक राइट फीचर उपलब्ध नहीं है, इसलिए इसे SGRAM के रूप में वर्गीकृत नहीं किया गया है।


== दत्तक ग्रहण ==
== दत्तक ग्रहण ==
वीडियो मेमोरी निर्माता [[Qimonda|किमोंडा]] (पूर्व में [[Infineon]] मेमोरी प्रोडक्ट्स डिवीजन) ने कहा है कि यह GDDR4 के विकास को छोड़ देगा, और सीधे GDDR5 पर चला जाएगा।<ref>[http://news.softpedia.com/news/Qimonda-Plans-GDDR5-50282.shtml Softpedia report]</ref>
वीडियो मेमोरी निर्माता कंपनी [[Qimonda|किमोंडा]] (पूर्व में [[Infineon|इनफीनियन]] मेमोरी प्रोडक्ट्स डिवीजन) ने कहा है कि यह GDDR4 के विकास को छोड़ देगा, और सीधे GDDR5 पर चला जाएगा।<ref>[http://news.softpedia.com/news/Qimonda-Plans-GDDR5-50282.shtml Softpedia report]</ref>




Revision as of 10:24, 4 June 2023

This article is about डीडीआर ग्राफिक्स रैम (एसजीआरएएम). For नॉन-ग्राफिक्स (गतिशील) डीडीआर मेमोरी, see डीडीआर4 एसडीआरएएम.

GDDR4 SDRAM,जो ग्राफिक्स डबल डेटा रेट 4 सिंक्रोनस डायनेमिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी के लिए एक संक्षिप्त नाम, JEDEC सेमीकंडक्टर मेमोरी स्टैंडर्ड द्वारा निर्दिष्ट का एक प्रकार का चित्रोपमा पत्रक रैंडम एक्सेस मेमोरी (SGRAM) है।[1][2] यह Rambus के XDR DRAM का प्रतिद्वंद्वी माध्यम है। GDDR4 DDR3 SDRAM प्रौद्योगिकी पर आधारित है और इसका उद्देश्य DDR2 SDRAM-पर आधारितGDDR3 को बदलना था, लेकिन इसे एक वर्ष के भीतर GDDR5 द्वारा बदल दिया गया था।

इतिहास

  • 26 अक्टूबर 2005 को, सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने घोषणा की कि उसने पहली GDDR4 मेमोरी का विकसित किया है, जो 2.5 जीबीट/सेकंड पर चलने वाले 256-मेगाबिट चिप है। सैमसंग ने प्रति पिन 2.8 जीबीट/सेकंड रेटेड GDDR4 SDRAM का नमूना लेने और बड़े पैमाने पर उत्पादन करने की योजना का भी सारांश किया गया था।[3]
  • 2005 में, हायनिक्स ने पहली 512-Mbit GDDR4 मेमोरी चिप का विकसित किया गया था।[4]
  • 14 फरवरी, 2006 को, सैमसंग ने 32-बिट 512-मेगाबिट GDDR4 SDRAM के विकास की घोषणा की, जो प्रति पिन 3.2 जीबीटी/एस, या मापांक के लिए 12.8 जीबीट/सेकंड स्थानांतरित करने में सक्षम है।[5]
  • 5 जुलाई, 2006 को, सैमसंग ने 32-बिट 512-मेगाबिट GDDR4 SDRAM की मास्टर प्रोडक्शन की घोषणा की, जो प्रति पिन 2.4 जीबीट/सेकंड या मॉड्यूल के लिए 9.6 जीबीबाइट/सेकंड के रेट की है। यह योजना तो हाई-पिन-काउंट मेमोरी पर XDR DRAM के प्रदर्शन से मेल खाने की थी, लेकिन इससे कम-पिन-काउंट डिज़ाइन पर XDR के प्रदर्शन से मेल नहीं कर पाती थी।[6]
  • 9 फरवरी, 2007 को, सैमसंग ने 32-बिट 512-मेगाबिट GDDR4 SDRAM के बड़े पैमाने पर उत्पादन की घोषणा की, जिसकी रेटिंग 2.8 जीबिट/एस प्रति पिन, या 11.2 जीबीट/सेकंड प्रति मापांक है। इस मापांक का उपयोग कुछ एएमडी कार्ड के लिए किया गया था।[7]
  • 23 फरवरी, 2007 को, सैमसंग ने 32-बिट 512-मेगाबिट GDDR4 SDRAM की घोषणा की, जिसकी प्रति पिन रेटिंग 4.0 जीबीट/सेकंड या मॉड्यूल के लिए 16 जीबीबाइट/सेकंड है, और उम्मीद की जाती है कि इस मेमोरी को साल 2007 के अंत तक वाणिज्यिक रूप में उपलब्ध ग्राफिक्स कार्डों पर दिखाई देगी। .[8]


टेक्नोलॉजीज

GDDR4 SDRAM ने डेटा ट्रांसमिशन में देरी को कम करने के लिए DBI (डेटा बस इनवर्जन) और मल्टी-प्रीम्बल प्रस्तुत किया गया था। प्रीफैच बफर को 4 बिट से बढ़ाकर 8 बिट कर दिया गया था। GDDR4 के लिए मेमोरी बैंकों की अधिकतम संख्या 8 तक बढ़ा दी गई है। GDDR3 SDRAM के समान बैंडविड्थ प्राप्त करने के लिए, GDDR4 कोर उसी कच्चे बैंडविड्थ के GDDR3 कोर के आधे प्रदर्शन पर चलता है। कोर वोल्टेज को घटाकर 1.5 V कर दिया गया था।

डेटा बस उलटा ने एड्रेस/कमांड बस और डेटा के प्रत्येक बाइट में एक अतिरिक्त सक्रिय-निम्न DBI# पिन जोड़ता है। यदि डेटा बाइट में चार से अधिक 0 बिट्स हैं, तो बाइट उलट जाती है और DBI# सिग्नल कम प्रसारित होता है। इस तरीके से, सभी नौ पिनों में 0 बिट्स की संख्या चार तक सीमित हो जाती है।[9]: 9  इससे बिजली की खपत और जमीन उछाल को कम करता है।

साइनलिंग के स्थितियों में, GDDR4 चिप I/O बफर को 8 बिट्स प्रति दो साइकिल तक विस्तारित करता है, जिससे बर्स्ट ट्रांसमिशन के दौरान अधिक सुस्त संचार बैंडविड्थ संभव होती है, लेकिन इसके खर्चे में CAS लैटेंसी (CL) में काफी बढ़ोतरी होती है, जो मुख्य रूप से पते/कमांड पिन्स की दोहरी कमी और आधी-क्लॉक डीआरएएम सेल्स के कारण GDDR3 के संग्रहित काउंट की तुलना में होती है। एड्रेस/कमांड पिन्स की संख्या को GDDR3 कोर की आधी कर दी गई थी, और इन्हें पावर और ग्राउंड के लिए उपयोग किया गया, जिससे लैटेंसी भी बढ़ती है। GDDR4 का एक और लाभ पावर अधिकता है: 2.4 जीबीट/सेकंड पर चलने पर, इसकी शक्ति GDDR3 चिप्स से 2.0 जीबीट/सेकंड पर चलने पर तुलना में 45% कम खपत करती है।

सैमसंग के GDDR4 SDRAM डेटाशीट में, इसे 'GDDR4 SGRAM', या 'ग्राफ़िक्स डबल डेटा रेट वर्जन 4 सिंक्रोनस ग्राफ़िक्स रैम' के रूप में संदर्भित किया गया था। चूँकि आवश्यक ब्लॉक राइट फीचर उपलब्ध नहीं है, इसलिए इसे SGRAM के रूप में वर्गीकृत नहीं किया गया है।

दत्तक ग्रहण

वीडियो मेमोरी निर्माता कंपनी किमोंडा (पूर्व में इनफीनियन मेमोरी प्रोडक्ट्स डिवीजन) ने कहा है कि यह GDDR4 के विकास को छोड़ देगा, और सीधे GDDR5 पर चला जाएगा।[10]


यह भी देखें

संदर्भ

  1. ↑ "Standards & Documents Search: sgram". www.jedec.org. Retrieved 9 September 2013.
  2. ↑ "Standards & Documents Search: gddr4". www.jedec.org. Retrieved 9 September 2013.
  3. ↑ "Samsung Electronics Develops Industry's First Ultra-Fast GDDR4 Graphics DRAM". Samsung Semiconductor. Samsung. October 26, 2005. Retrieved 8 July 2019.
  4. ↑ "History: 2000s". SK Hynix. Retrieved 8 July 2019.
  5. ↑ Samsung Develops Ultra-fast Graphics Memory: A More Advanced GDDR4 at Higher Density
  6. ↑ Samsung sends GDDR4 graphics memory into mass production
  7. ↑ "Samsung releases fastest GDDR-4 SGRAM". The Inquirer. Archived from the original on 2007-02-12.{{cite web}}: CS1 maint: unfit URL (link)
  8. ↑ Samsung accelerates graphics memory to 2000 MHz
  9. ↑ Choi, J.S. (2011). DDR4 Mini Workshop (PDF). Server Memory Forum 2011. This presentation is about DDR4 rather than GDDR4, but both use data bus inversion.
  10. ↑ Softpedia report


बाहरी संबंध

Retrieved from ‘https://www.vigyanwiki.in/index.php?title=जीडीडीआर4_एसडीआरएएम&oldid=184419’