सेमीकंडक्टर डिवाइस मॉडलिंग: Difference between revisions
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[[Image:TCAD-overview.JPG|400px|right|thumb|प्रक्रिया स्तर से सर्किट तक निर्माण प्रौद्योगिकी सीएडी उपकरण का पदानुक्रम। बाईं ओर के चिह्न विशिष्ट निर्माण संबंधी समस्याएं दिखाते हैं; दाईं ओर के चिह्न टीसीएडी पर आधारित एमओएस स्केलिंग परिणामों को दर्शाते हैं। क्रेडिट: आईसी | [[Image:TCAD-overview.JPG|400px|right|thumb|प्रक्रिया स्तर से सर्किट तक निर्माण प्रौद्योगिकी सीएडी उपकरण का पदानुक्रम। बाईं ओर के चिह्न विशिष्ट निर्माण संबंधी समस्याएं दिखाते हैं; दाईं ओर के चिह्न टीसीएडी पर आधारित एमओएस स्केलिंग परिणामों को दर्शाते हैं। क्रेडिट: आईसी हैंडबुकवॉल्यूम IIअध्याय 25 के लिए सीआरसी इलेक्ट्रॉनिक डिजाइन ऑटोमेशन में प्रोफेसर रॉबर्ट डटनअनुमति के द्वारा।]]सेमीकंडक्टर उपकरण मॉडलिंग मूलभूत भौतिकी के आधार पर विद्युत उपकरणों के व्यवहार के लिए मॉडल बनाता है जैसे उपकरणों के डोपिंग प्रोफाइल। इसमें [[[[ट्रांजिस्टर]] मॉडल]] (जैसे प्रसिद्ध स्पाइस ट्रांजिस्टर मॉडल) का निर्माण भी सम्मिलित हो सकता है जो ऐसे उपकरणों के विद्युत व्यवहार को पकड़ने की कोशिश करते हैं किन्तु सामान्यतः उन्हें अंतर्निहित भौतिकी से प्राप्त नहीं करते हैं। सामान्यतः यह [[ अर्धचालक प्रक्रिया सिमुलेशन ]] के आउटपुट से शुरू होता है। | ||
== परिचय == | == परिचय == | ||
[[Image:TCAD-circuit.jpg|400px|right|thumb|सीएमओएस इन्वर्टर के दो चरणों का | [[Image:TCAD-circuit.jpg|400px|right|thumb|सीएमओएस इन्वर्टर के दो चरणों का योजनाबद्धइनपुट और आउटपुट वोल्टेज-टाइम प्लॉट दिखा रहा है। मैं<sub>on</sub> और मैं<sub>off</sub> (साथ में आई<sub>DG</sub>मैं<sub>SD</sub> और मैं<sub>DB</sub> घटक) तकनीकी रूप से नियंत्रित कारकों को इंगित करते हैं। साभार: प्रो. रॉबर्ट डटन इन | ||
अनुमति से आईसी | अनुमति से आईसी हैंडबुकखंड IIअध्याय 25 के लिए सीआरसी इलेक्ट्रॉनिक डिजाइन स्वचालन।]]दाईं ओर का आंकड़ा "बड़ी तस्वीर" का एक सरलीकृत वैचारिक दृष्टिकोण प्रदान करता है। यह आंकड़ा दो इन्वर्टर चरणों और सर्किट के परिणामी इनपुट-आउटपुट वोल्टेज-टाइम प्लॉट को दर्शाता है। डिजिटल सिस्टम के दृष्टिकोण से रुचि के प्रमुख पैरामीटर हैं: समय की देरी स्विचिंग पावर लीकेज करंट और क्रॉस-कपलिंग (क्रॉसस्टॉक) अन्य ब्लॉक के साथ। वोल्टेज का स्तर और संक्रमण की गति भी चिंता का विषय है। | ||
यह आंकड़ा योजनाबद्ध रूप से I के महत्व को भी दर्शाता है<sub>on</sub> बनाम मैं<sub>off</sub> | यह आंकड़ा योजनाबद्ध रूप से I के महत्व को भी दर्शाता है<sub>on</sub> बनाम मैं<sub>off</sub>जो बदले में "ऑन" उपकरण के लिए ड्राइव-करंट (और मोबिलिटी) से संबंधित है और "ऑफ" उपकरण के लिए कई लीकेज पथ हैं। आकृति में स्पष्ट रूप से नहीं दिखाया गया है समाई - दोनों आंतरिक और परजीवी - जो गतिशील प्रदर्शन को प्रभावित करते हैं। | ||
पावर स्केलिंग जो अब उद्योग में एक प्रमुख प्रेरक शक्ति है | पावर स्केलिंग जो अब उद्योग में एक प्रमुख प्रेरक शक्ति है चित्र में दिखाए गए सरलीकृत समीकरण में परिलक्षित होती है - महत्वपूर्ण पैरामीटर समाई बिजली की आपूर्ति और क्लॉकिंग आवृत्ति हैं। मुख्य पैरामीटर जो उपकरण के व्यवहार को सिस्टम के प्रदर्शन से संबंधित करते हैं उनमें [[सीमा वोल्टेज]] ड्राइविंग करंट और सबथ्रेशोल्ड विशेषताएँ सम्मिलित हैं। | ||
यह अंतर्निहित प्रौद्योगिकी और उपकरण डिज़ाइन चर के साथ सिस्टम प्रदर्शन के समस्याएँ का संगम है जिसके परिणामस्वरूप चल रहे स्केलिंग नियम हैं जिन्हें अब हम मूर के नियम के रूप में संहिताबद्ध करते हैं। | |||
== उपकरण मॉडलिंग == | |||
[[एकीकृत परिपथ]] में उपकरणों की भौतिकी और मॉडलिंग में एमओएस और द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर मॉडलिंग का प्रभुत्व है। चूंकि अन्य उपकरण महत्वपूर्ण हैं जैसे मेमोरी उपकरण जिनकी मॉडलिंग आवश्यकताएं अलग-अलग हैं। निश्चित रूप से विश्वसनीयता इंजीनियरिंग के समस्या भी हैं- उदाहरण के लिए इलेक्ट्रो-स्टैटिक डिस्चार्ज (ईएसडी) सुरक्षा सर्किट और डिवाइस- जहां सब्सट्रेट और परजीवी उपकरण महत्वपूर्ण महत्व के हैं। अधिकांश उपकरण मॉडलिंग कार्यक्रमों इन प्रभावों और मॉडलिंग पर विचार नहीं करते हैं; इच्छुक पाठक को ईएसडी और I/O मॉडलिंग के क्षेत्र में कई उत्कृष्ट मोनोग्राफ के लिए भेजा जाता है।<ref name="Duvvury1993">C. Duvvury and A. Amerasekera, {{doi-inline|10.1109/5.220901|ESD: a pervasive reliability concern for IC technologies}}, Proc. IEEE, vol. 81, pp. 690-702, 1993.</ref><ref name="Amerasekera2002">A. Amerasekera and C. Duvvury, ESD in Silicon Integrated Circuits, Second Edition, New York, John Wiley & Sons, 2002. {{ISBN|0-471-49871-8}}</ref><ref name="Dabral1998">S. Dabral and T. J. Maloney, Basic ESD and I/O design, New York, John Wiley & Sons, 1998. {{ISBN|0-471-25359-6}}</ref> | |||
== भौतिकी संचालित बनाम कॉम्पैक्ट मॉडल == | == भौतिकी संचालित बनाम कॉम्पैक्ट मॉडल == | ||
[[File:Omen ldos v3.gif|thumb|300px|right|एनएमओएस के भौतिकी संचालित मॉडलिंग का एक उदाहरण। रंग आकृति राज्यों के अंतरिक्ष समाधान स्थानीय घनत्व का संकेत देती है। गेट बायस नैनोवायर एनएमओएस में ड्रेन बायस Vd = 0.6V पर विविध है। सीमित ऊर्जा स्तरों पर ध्यान दें क्योंकि वे गेट बायस के साथ चलते हैं।]]भौतिकी चालित | [[File:Omen ldos v3.gif|thumb|300px|right|एनएमओएस के भौतिकी संचालित मॉडलिंग का एक उदाहरण। रंग आकृति राज्यों के अंतरिक्ष समाधान स्थानीय घनत्व का संकेत देती है। गेट बायस नैनोवायर एनएमओएस में ड्रेन बायस Vd = 0.6V पर विविध है। सीमित ऊर्जा स्तरों पर ध्यान दें क्योंकि वे गेट बायस के साथ चलते हैं।]]भौतिकी चालित उपकरण मॉडलिंग शुद्ध होने का इरादा है किन्तु यह [[इलेक्ट्रॉनिक सर्किट सिमुलेशन]] जैसे [[ मसाला ]] सहित उच्च स्तरीय उपकरणों के लिए पर्याप्त तेज़ नहीं है। इसलिए सर्किट सिमुलेटर सामान्यतः अधिक अनुभवजन्य मॉडल ( अधिकांशतः कॉम्पैक्ट मॉडल कहा जाता है) का उपयोग करते हैं जो सीधे अंतर्निहित भौतिकी का मॉडल नहीं करते हैं। उदाहरण के लिए व्युत्क्रम-परत गतिशीलता मॉडलिंग या गतिशीलता की मॉडलिंग और भौतिक मापदंडों परिवेश और परिचालन स्थितियों पर इसकी निर्भरता [[प्रौद्योगिकी सीएडी]] (प्रौद्योगिकी कंप्यूटर एडेड डिजाइन) भौतिक मॉडल और सर्किट-स्तरीय कॉम्पैक्ट मॉडल दोनों के लिए एक महत्वपूर्ण विषय है। चूंकि यह पहले सिद्धांतों से शुद्ध रूप से प्रतिरूपित नहीं किया गया है और इसलिए प्रयोगात्मक डेटा को फिट करने के लिए सहारा लिया जाता है। भौतिक स्तर पर गतिशीलता मॉडलिंग के लिए विद्युत चर विभिन्न प्रकीर्णन तंत्र वाहक घनत्व और स्थानीय क्षमता और क्षेत्र हैं जिसमें उनकी विधि और परिवेश निर्भरता सम्मिलित है। | ||
इसके विपरीत | इसके विपरीत सर्किट-स्तर परमॉडल टर्मिनल वोल्टेज और अनुभवजन्य बिखरने वाले मापदंडों के संदर्भ में प्रभाव को मापते हैं। दो अभ्यावेदन की तुलना की जा सकती हैकिन्तु कई स्थितियों में यह स्पष्ट नहीं है कि अधिक सूक्ष्म व्यवहार के संदर्भ में प्रायोगिक डेटा की व्याख्या कैसे की जाए। | ||
== इतिहास == | == इतिहास == | ||
प्रौद्योगिकी कंप्यूटर-एडेड डिज़ाइन (टीसीएडी) का विकास - प्रक्रिया | प्रौद्योगिकी कंप्यूटर-एडेड डिज़ाइन (टीसीएडी) का विकास - प्रक्रिया उपकरण और सर्किट सिमुलेशन और मॉडलिंग टूल का सहक्रियात्मक संयोजन - [[ द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर ]] विधि में अपनी जड़ें पाता है जो 1960 के दशक के अंत में शुरू हुआ और जंक्शन पृथक दोहरे की चुनौतियाँ -और ट्रिपल-[[ प्रसार ट्रांजिस्टर ]]। ये उपकरण और प्रौद्योगिकी पहले एकीकृत परिपथों के आधार थे; बहरहाल आईसी विकास के चार दशकों के बाद भी स्केलिंग के कई समस्या और अंतर्निहित भौतिक प्रभाव [[एकीकृत सर्किट डिजाइन]] के अभिन्न अंग हैं। आईसी की इन प्रारंभिक पीढ़ियों के साथ प्रक्रिया परिवर्तनशीलता और पैरामीट्रिक उपज एक उद्देश्य था - एक ऐसा विषय जो भविष्य की आईसी प्रौद्योगिकी में भी एक नियंत्रण कारक के रूप में फिर से उभरेगा। | ||
प्रक्रिया नियंत्रण के समस्या - आंतरिक उपकरणों और सभी संबद्ध परजीवी दोनों के लिए - दुर्जेय चुनौतियों को प्रस्तुत किया और प्रक्रिया और उपकरण सिमुलेशन के लिए उन्नत भौतिक मॉडल की एक श्रृंखला के विकास को अनिवार्य किया। 1960 के दशक के अंत में और 1970 के दशक में | प्रक्रिया नियंत्रण के समस्या - आंतरिक उपकरणों और सभी संबद्ध परजीवी दोनों के लिए - दुर्जेय चुनौतियों को प्रस्तुत किया और प्रक्रिया और उपकरण सिमुलेशन के लिए उन्नत भौतिक मॉडल की एक श्रृंखला के विकास को अनिवार्य किया। 1960 के दशक के अंत में और 1970 के दशक में उपयोग किए गए मॉडलिंग दृष्टिकोण प्रमुख रूप से एक- और द्वि-आयामी सिमुलेटर थे। जबकि इन प्रारंभिक पीढ़ियों में टीसीएडी ने बाइपोलर विधि की भौतिकी-उन्मुख चुनौतियों को दूर करने में रोमांचक वादा दिखाया एमओएस प्रौद्योगिकी की उत्तम मापनीयता और बिजली की खपत ने आईसी उद्योग में क्रांति ला दी। 1980 के दशक के मध्य तक एकीकृत इलेक्ट्रॉनिक्स के लिए सीएमओएस प्रमुख चालक बन गया। बहरहाल ये प्रारंभिक टीसीएडी घटनाक्रम <ref name="DeMan1973">H.J. DeMan and R. Mertens, [http://ieeexplore.ieee.org/search/wrapper.jsp?arnumber=1155152 SITCAP--A simulator for bipolar transistors for computer-aided circuit analysis programs], International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), Technical Digest, pp. 104-5, February, 1973.</ref><ref name="Dutton1979">R.W. Dutton and D.A. Antoniadis, [http://ieeexplore.ieee.org/search/wrapper.jsp?arnumber=1155937 Process simulation for device design and control], International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), Technical Digest, pp. 244-245, February, 1979</ref> एक आवश्यक टूलसेट के रूप में उनके विकास और व्यापक तैनाती के लिए मंच तैयार करें जिसने वीएलएसआई और यूएलएसआई युगों के माध्यम से प्रौद्योगिकी विकास का लाभ उठाया है जो अब मुख्यधारा हैं। | ||
एक चौथाई सदी से भी अधिक समय से आईसी के विकास पर एमओएस विधि का वर्चस्व रहा है। 1970 और 1980 के दशक में एनएमओएस को गति और क्षेत्र लाभ के | एक चौथाई सदी से भी अधिक समय से आईसी के विकास पर एमओएस विधि का वर्चस्व रहा है। 1970 और 1980 के दशक में एनएमओएस को गति और क्षेत्र लाभ के कारणप्रौद्योगिकी सीमाओं और अलगावपरजीवी प्रभाव और प्रक्रिया जटिलता से संबंधित चिंताओं के कारण पसंद किया गया था। एनएमओएस -वर्चस्व वाले एकीकृत सर्किट या एसएसआई,एमएसआई,एलएसआई और वीएलएसआई के उद्भव के उस युग के दौरानएमओएस प्रौद्योगिकी के मौलिक स्केलिंग कानूनों को संहिताबद्ध और व्यापक रूप से प्रयुक्त किया गया था।<ref name="Dennard1973">R.H. Dennard, F.H. Gaensslen, H.N. Yu, V.L. Rodeout, E. Bassous and A.R. LeBlanc, [http://ieeexplore.ieee.org/search/wrapper.jsp?arnumber=1050511 Design of ion-implanted MOSFETs with very small physical dimensions], IEEE Jour. Solid-State Circuits, vol. SC-9, pp.256-268, October, 1974.</ref> यह इस अवधि के समय भी था कि टीसीएडी शक्तिशाली प्रक्रिया मॉडलिंग (मुख्य रूप से एक-आयामी) को साकार करने के मामले में परिपक्वता तक पहुंच गयाजो तब एक अभिन्न प्रौद्योगिकी डिजाइन उपकरण बन गयाजिसका उपयोग पूरे उद्योग में सार्वभौमिक रूप से किया जाता था।<ref name="Dutton1981">R.W. Dutton and S.E. Hansen, [http://ieeexplore.ieee.org/search/wrapper.jsp?arnumber=1456436 Process modeling of integrated circuit device technology], Proceedings of the IEEE, vol. 69, no. 10, pp. 1305-1320, October, 1981.</ref> उसी समय उपकरण सिमुलेशनमुख्य रूप से एमओएस उपकरणों की प्रकृति के कारण द्वि-आयामीउपकरणों के डिजाइन और स्केलिंग में प्रौद्योगिकीविदों का कार्य-घोड़ा बन गया।<ref name="Cottrell1979">P.E. Cottrell and E.M. Buturla, "Two-dimensional static and transient simulation of mobile carrier transport in a semiconductor," Proceedings NASECODE I (Numerical Analysis of Semiconductor Devices), pp. 31-64, Boole Press, 1979.</ref><ref name="Selberherr1979">[[Siegfried Selberherr|S. Selberherr]], W. Fichtner, and H.W. Potzl, "Minimos - A program package to facilitate MOS device design and analysis," Proceedings NASECODE I (Numerical Analysis of Semiconductor Devices), pp. 275-79, Boole Press, 1979.</ref> एनएमओएस या एनएमओएस लॉजिक से सीएमओएस विधि में संक्रमण के परिणामस्वरूप प्रक्रिया और उपकरण सिमुलेशन के लिए कसकर युग्मित और पूरी तरह से 2D सिमुलेटर की आवश्यकता हुई। टीसीएडी उपकरणों की यह तीसरी पीढ़ी ट्विन-वेल [[सीएमओएस]] प्रौद्योगिकी (चित्र 3ए देखें) की पूर्ण जटिलता को संबोधित करने के लिए महत्वपूर्ण हो गईजिसमें डिजाइन नियमों और [[ अवरोधित हो जाना ]] जैसे परजीवी प्रभावों के समस्या सम्मिलित हैं।<ref name="Rafferty1985">C.S. Rafferty, M.R. Pinto, and R.W. Dutton, [http://ieeexplore.ieee.org/search/wrapper.jsp?arnumber=1484980 Iterative methods in semiconductor device simulation], IEEE Trans. Elec. Dev., vol. ED-32, no.10, pp.2018-2027, October, 1985.</ref><ref name="Pinto1985">M.R. Pinto and R.W. Dutton, [http://ieeexplore.ieee.org/search/wrapper.jsp?arnumber=1485210 Accurate trigger condition analysis for CMOS latchup], IEEE Electron Device Letters, vol. EDL-6, no. 2, February, 1985.</ref> 1980 के दशक के मध्य तक इस अवधि का संक्षिप्त रूप दिया गया है;<ref name="Dutton1986">R.W. Dutton, [http://ieeexplore.ieee.org/search/wrapper.jsp?arnumber=1486354 Modeling and simulation for VLSI], International Electron Devices Meeting (IEDM), Technical Digest, pp. 2-7, December, 1986.</ref> और डिजाइन प्रक्रिया में टीसीएडी टूल्स का उपयोग कैसे किया गयाइस दृष्टिकोण से देखें।<ref name="Cham1986">K.M. Cham, S.-Y. Oh, D. Chin and J.L. Moll, Computer-Aided Design and VLSI Device Development, Kluwer Academic Publishers (KAP), 1986. {{ISBN|0-89838-204-1}}</ref> | ||
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== संदर्भ== | == संदर्भ== | ||
<references /> | <references /> | ||
*''Electronic Design Automation For Integrated Circuits Handbook'' | *''Electronic Design Automation For Integrated Circuits Handbook''by LavagnoMartinand Scheffer{{ISBN|0-8493-3096-3}} A survey of the field of [[electronic design automation]]. This summary was derived (with permission) from Vol IIChapter 25''Device Modeling—from physics to electrical parameter extraction''by Robert W. DuttonChang-Hoon Choi and Edwin C. Kan. | ||
*R.W. Dutton and A.J. Strojwas | *R.W. Dutton and A.J. Strojwas{{doi-inline|10.1109/43.898831|Perspectives on technology and technology-driven CAD}}IEEE Trans. CAD-ICASvol. 19no. 12pp. 1544–1560December2000. | ||
[[Category: इलेक्ट्रॉनिक उपकरण मॉडलिंग]] [[Category: इलेक्ट्रॉनिक डिजाइन स्वचालन]] | [[Category: इलेक्ट्रॉनिक उपकरण मॉडलिंग]] [[Category: इलेक्ट्रॉनिक डिजाइन स्वचालन]] | ||
Revision as of 16:19, 17 June 2023
File:TCAD-overview.JPG
प्रक्रिया स्तर से सर्किट तक निर्माण प्रौद्योगिकी सीएडी उपकरण का पदानुक्रम। बाईं ओर के चिह्न विशिष्ट निर्माण संबंधी समस्याएं दिखाते हैं; दाईं ओर के चिह्न टीसीएडी पर आधारित एमओएस स्केलिंग परिणामों को दर्शाते हैं। क्रेडिट: आईसी हैंडबुकवॉल्यूम IIअध्याय 25 के लिए सीआरसी इलेक्ट्रॉनिक डिजाइन ऑटोमेशन में प्रोफेसर रॉबर्ट डटनअनुमति के द्वारा।
सेमीकंडक्टर उपकरण मॉडलिंग मूलभूत भौतिकी के आधार पर विद्युत उपकरणों के व्यवहार के लिए मॉडल बनाता है जैसे उपकरणों के डोपिंग प्रोफाइल। इसमें [[ट्रांजिस्टर मॉडल]] (जैसे प्रसिद्ध स्पाइस ट्रांजिस्टर मॉडल) का निर्माण भी सम्मिलित हो सकता है जो ऐसे उपकरणों के विद्युत व्यवहार को पकड़ने की कोशिश करते हैं किन्तु सामान्यतः उन्हें अंतर्निहित भौतिकी से प्राप्त नहीं करते हैं। सामान्यतः यह अर्धचालक प्रक्रिया सिमुलेशन के आउटपुट से शुरू होता है।
परिचय
File:TCAD-circuit.jpg
सीएमओएस इन्वर्टर के दो चरणों का योजनाबद्धइनपुट और आउटपुट वोल्टेज-टाइम प्लॉट दिखा रहा है। मैंon और मैंoff (साथ में आईDGमैंSD और मैंDB घटक) तकनीकी रूप से नियंत्रित कारकों को इंगित करते हैं। साभार: प्रो. रॉबर्ट डटन इन अनुमति से आईसी हैंडबुकखंड IIअध्याय 25 के लिए सीआरसी इलेक्ट्रॉनिक डिजाइन स्वचालन।
दाईं ओर का आंकड़ा "बड़ी तस्वीर" का एक सरलीकृत वैचारिक दृष्टिकोण प्रदान करता है। यह आंकड़ा दो इन्वर्टर चरणों और सर्किट के परिणामी इनपुट-आउटपुट वोल्टेज-टाइम प्लॉट को दर्शाता है। डिजिटल सिस्टम के दृष्टिकोण से रुचि के प्रमुख पैरामीटर हैं: समय की देरी स्विचिंग पावर लीकेज करंट और क्रॉस-कपलिंग (क्रॉसस्टॉक) अन्य ब्लॉक के साथ। वोल्टेज का स्तर और संक्रमण की गति भी चिंता का विषय है।
यह आंकड़ा योजनाबद्ध रूप से I के महत्व को भी दर्शाता हैon बनाम मैंoffजो बदले में "ऑन" उपकरण के लिए ड्राइव-करंट (और मोबिलिटी) से संबंधित है और "ऑफ" उपकरण के लिए कई लीकेज पथ हैं। आकृति में स्पष्ट रूप से नहीं दिखाया गया है समाई - दोनों आंतरिक और परजीवी - जो गतिशील प्रदर्शन को प्रभावित करते हैं।
पावर स्केलिंग जो अब उद्योग में एक प्रमुख प्रेरक शक्ति है चित्र में दिखाए गए सरलीकृत समीकरण में परिलक्षित होती है - महत्वपूर्ण पैरामीटर समाई बिजली की आपूर्ति और क्लॉकिंग आवृत्ति हैं। मुख्य पैरामीटर जो उपकरण के व्यवहार को सिस्टम के प्रदर्शन से संबंधित करते हैं उनमें सीमा वोल्टेज ड्राइविंग करंट और सबथ्रेशोल्ड विशेषताएँ सम्मिलित हैं।
यह अंतर्निहित प्रौद्योगिकी और उपकरण डिज़ाइन चर के साथ सिस्टम प्रदर्शन के समस्याएँ का संगम है जिसके परिणामस्वरूप चल रहे स्केलिंग नियम हैं जिन्हें अब हम मूर के नियम के रूप में संहिताबद्ध करते हैं।
उपकरण मॉडलिंग
एकीकृत परिपथ में उपकरणों की भौतिकी और मॉडलिंग में एमओएस और द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर मॉडलिंग का प्रभुत्व है। चूंकि अन्य उपकरण महत्वपूर्ण हैं जैसे मेमोरी उपकरण जिनकी मॉडलिंग आवश्यकताएं अलग-अलग हैं। निश्चित रूप से विश्वसनीयता इंजीनियरिंग के समस्या भी हैं- उदाहरण के लिए इलेक्ट्रो-स्टैटिक डिस्चार्ज (ईएसडी) सुरक्षा सर्किट और डिवाइस- जहां सब्सट्रेट और परजीवी उपकरण महत्वपूर्ण महत्व के हैं। अधिकांश उपकरण मॉडलिंग कार्यक्रमों इन प्रभावों और मॉडलिंग पर विचार नहीं करते हैं; इच्छुक पाठक को ईएसडी और I/O मॉडलिंग के क्षेत्र में कई उत्कृष्ट मोनोग्राफ के लिए भेजा जाता है।[1][2][3]
भौतिकी संचालित बनाम कॉम्पैक्ट मॉडल
भौतिकी चालित उपकरण मॉडलिंग शुद्ध होने का इरादा है किन्तु यह इलेक्ट्रॉनिक सर्किट सिमुलेशन जैसे मसाला सहित उच्च स्तरीय उपकरणों के लिए पर्याप्त तेज़ नहीं है। इसलिए सर्किट सिमुलेटर सामान्यतः अधिक अनुभवजन्य मॉडल ( अधिकांशतः कॉम्पैक्ट मॉडल कहा जाता है) का उपयोग करते हैं जो सीधे अंतर्निहित भौतिकी का मॉडल नहीं करते हैं। उदाहरण के लिए व्युत्क्रम-परत गतिशीलता मॉडलिंग या गतिशीलता की मॉडलिंग और भौतिक मापदंडों परिवेश और परिचालन स्थितियों पर इसकी निर्भरता प्रौद्योगिकी सीएडी (प्रौद्योगिकी कंप्यूटर एडेड डिजाइन) भौतिक मॉडल और सर्किट-स्तरीय कॉम्पैक्ट मॉडल दोनों के लिए एक महत्वपूर्ण विषय है। चूंकि यह पहले सिद्धांतों से शुद्ध रूप से प्रतिरूपित नहीं किया गया है और इसलिए प्रयोगात्मक डेटा को फिट करने के लिए सहारा लिया जाता है। भौतिक स्तर पर गतिशीलता मॉडलिंग के लिए विद्युत चर विभिन्न प्रकीर्णन तंत्र वाहक घनत्व और स्थानीय क्षमता और क्षेत्र हैं जिसमें उनकी विधि और परिवेश निर्भरता सम्मिलित है।
इसके विपरीत सर्किट-स्तर परमॉडल टर्मिनल वोल्टेज और अनुभवजन्य बिखरने वाले मापदंडों के संदर्भ में प्रभाव को मापते हैं। दो अभ्यावेदन की तुलना की जा सकती हैकिन्तु कई स्थितियों में यह स्पष्ट नहीं है कि अधिक सूक्ष्म व्यवहार के संदर्भ में प्रायोगिक डेटा की व्याख्या कैसे की जाए।
इतिहास
प्रौद्योगिकी कंप्यूटर-एडेड डिज़ाइन (टीसीएडी) का विकास - प्रक्रिया उपकरण और सर्किट सिमुलेशन और मॉडलिंग टूल का सहक्रियात्मक संयोजन - द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर विधि में अपनी जड़ें पाता है जो 1960 के दशक के अंत में शुरू हुआ और जंक्शन पृथक दोहरे की चुनौतियाँ -और ट्रिपल-प्रसार ट्रांजिस्टर । ये उपकरण और प्रौद्योगिकी पहले एकीकृत परिपथों के आधार थे; बहरहाल आईसी विकास के चार दशकों के बाद भी स्केलिंग के कई समस्या और अंतर्निहित भौतिक प्रभाव एकीकृत सर्किट डिजाइन के अभिन्न अंग हैं। आईसी की इन प्रारंभिक पीढ़ियों के साथ प्रक्रिया परिवर्तनशीलता और पैरामीट्रिक उपज एक उद्देश्य था - एक ऐसा विषय जो भविष्य की आईसी प्रौद्योगिकी में भी एक नियंत्रण कारक के रूप में फिर से उभरेगा।
प्रक्रिया नियंत्रण के समस्या - आंतरिक उपकरणों और सभी संबद्ध परजीवी दोनों के लिए - दुर्जेय चुनौतियों को प्रस्तुत किया और प्रक्रिया और उपकरण सिमुलेशन के लिए उन्नत भौतिक मॉडल की एक श्रृंखला के विकास को अनिवार्य किया। 1960 के दशक के अंत में और 1970 के दशक में उपयोग किए गए मॉडलिंग दृष्टिकोण प्रमुख रूप से एक- और द्वि-आयामी सिमुलेटर थे। जबकि इन प्रारंभिक पीढ़ियों में टीसीएडी ने बाइपोलर विधि की भौतिकी-उन्मुख चुनौतियों को दूर करने में रोमांचक वादा दिखाया एमओएस प्रौद्योगिकी की उत्तम मापनीयता और बिजली की खपत ने आईसी उद्योग में क्रांति ला दी। 1980 के दशक के मध्य तक एकीकृत इलेक्ट्रॉनिक्स के लिए सीएमओएस प्रमुख चालक बन गया। बहरहाल ये प्रारंभिक टीसीएडी घटनाक्रम [4][5] एक आवश्यक टूलसेट के रूप में उनके विकास और व्यापक तैनाती के लिए मंच तैयार करें जिसने वीएलएसआई और यूएलएसआई युगों के माध्यम से प्रौद्योगिकी विकास का लाभ उठाया है जो अब मुख्यधारा हैं।
एक चौथाई सदी से भी अधिक समय से आईसी के विकास पर एमओएस विधि का वर्चस्व रहा है। 1970 और 1980 के दशक में एनएमओएस को गति और क्षेत्र लाभ के कारणप्रौद्योगिकी सीमाओं और अलगावपरजीवी प्रभाव और प्रक्रिया जटिलता से संबंधित चिंताओं के कारण पसंद किया गया था। एनएमओएस -वर्चस्व वाले एकीकृत सर्किट या एसएसआई,एमएसआई,एलएसआई और वीएलएसआई के उद्भव के उस युग के दौरानएमओएस प्रौद्योगिकी के मौलिक स्केलिंग कानूनों को संहिताबद्ध और व्यापक रूप से प्रयुक्त किया गया था।[6] यह इस अवधि के समय भी था कि टीसीएडी शक्तिशाली प्रक्रिया मॉडलिंग (मुख्य रूप से एक-आयामी) को साकार करने के मामले में परिपक्वता तक पहुंच गयाजो तब एक अभिन्न प्रौद्योगिकी डिजाइन उपकरण बन गयाजिसका उपयोग पूरे उद्योग में सार्वभौमिक रूप से किया जाता था।[7] उसी समय उपकरण सिमुलेशनमुख्य रूप से एमओएस उपकरणों की प्रकृति के कारण द्वि-आयामीउपकरणों के डिजाइन और स्केलिंग में प्रौद्योगिकीविदों का कार्य-घोड़ा बन गया।[8][9] एनएमओएस या एनएमओएस लॉजिक से सीएमओएस विधि में संक्रमण के परिणामस्वरूप प्रक्रिया और उपकरण सिमुलेशन के लिए कसकर युग्मित और पूरी तरह से 2D सिमुलेटर की आवश्यकता हुई। टीसीएडी उपकरणों की यह तीसरी पीढ़ी ट्विन-वेल सीएमओएस प्रौद्योगिकी (चित्र 3ए देखें) की पूर्ण जटिलता को संबोधित करने के लिए महत्वपूर्ण हो गईजिसमें डिजाइन नियमों और अवरोधित हो जाना जैसे परजीवी प्रभावों के समस्या सम्मिलित हैं।[10][11] 1980 के दशक के मध्य तक इस अवधि का संक्षिप्त रूप दिया गया है;[12] और डिजाइन प्रक्रिया में टीसीएडी टूल्स का उपयोग कैसे किया गयाइस दृष्टिकोण से देखें।[13]
यह भी देखें
- डायोड मॉडलिंग
- ट्रांजिस्टर मॉडल
- कॉम्पैक्ट मॉडल गठबंधन
- प्रौद्योगिकी सीएडी
संदर्भ
- ↑ C. Duvvury and A. Amerasekera, ESD: a pervasive reliability concern for IC technologies, Proc. IEEE, vol. 81, pp. 690-702, 1993.
- ↑ A. Amerasekera and C. Duvvury, ESD in Silicon Integrated Circuits, Second Edition, New York, John Wiley & Sons, 2002. ISBN 0-471-49871-8
- ↑ S. Dabral and T. J. Maloney, Basic ESD and I/O design, New York, John Wiley & Sons, 1998. ISBN 0-471-25359-6
- ↑ H.J. DeMan and R. Mertens, SITCAP--A simulator for bipolar transistors for computer-aided circuit analysis programs, International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), Technical Digest, pp. 104-5, February, 1973.
- ↑ R.W. Dutton and D.A. Antoniadis, Process simulation for device design and control, International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), Technical Digest, pp. 244-245, February, 1979
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