सेमीकंडक्टर डिवाइस मॉडलिंग

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अर्धचालक उपकरण मॉडलिंग (सेमीकंडक्टर डिवाइस मॉडलिंग) मूलभूत भौतिकी के आधार पर विद्युत उपकरणों के व्यवहार के लिए मॉडल बनाता है जैसे उपकरणों के डोपिंग प्रोफाइल। इसमें ट्रांजिस्टर मॉडल (जैसे प्रसिद्ध स्पाइस ट्रांजिस्टर मॉडल) का निर्माण भी सम्मिलित हो सकता है जो ऐसे उपकरणों के विद्युत व्यवहार को पकड़ने की प्रयाश करते हैं किन्तु सामान्यतः उन्हें अंतर्निहित भौतिकी से प्राप्त नहीं करते हैं। सामान्यतः यह अर्धचालक प्रक्रिया सिमुलेशन के आउटपुट से प्रारंभ होता है।

परिचय

दाईं ओर का आंकड़ा "बड़ी तस्वीर" का एक सरलीकृत वैचारिक दृष्टिकोण प्रदान करता है। यह आंकड़ा दो इन्वर्टर चरणों और परिपथ के परिणामी इनपुट-आउटपुट वोल्टेज-टाइम प्लॉट को दर्शाता है। डिजिटल प्रणाली के दृष्टिकोण से रुचि के प्रमुख पैरामीटर हैं: यह समय की देरी स्विचिंग पावर लीकेज करंट और क्रॉस-कपलिंग (क्रॉसस्टॉक) अन्य ब्लॉक के साथ वोल्टेज का स्तर और संक्रमण की गति भी चिंता का विषय है।

यह आंकड़ा योजनाबद्ध रूप से Ion बनाम Ioff के महत्व को भी दर्शाता है, जो बदले में "ऑन" उपकरण के लिए ड्राइव-करंट (और गतिशीलता) से संबंधित है और "ऑफ़" उपकरण के लिए कई रिसाव पथ हैं। आकृति में स्पष्ट रूप से नहीं दिखाया गया है समाई - दोनों आंतरिक और परजीवी - जो गतिशील प्रदर्शन को प्रभावित करते हैं।

पावर स्केलिंग जो अब उद्योग में प्रमुख प्रेरक शक्ति है चित्र में दिखाए गए सरलीकृत समीकरण में परिलक्षित होती है - महत्वपूर्ण पैरामीटर समाई विद्युत की आपूर्ति और क्लॉकिंग आवृत्ति हैं। मुख्य पैरामीटर जो उपकरण के व्यवहार को प्रणाली के प्रदर्शन से संबंधित करते हैं उनमें सीमा वोल्टेज ड्राइविंग करंट और सबथ्रेशोल्ड विशेषताएँ सम्मिलित हैं।

यह अंतर्निहित प्रौद्योगिकी और उपकरण डिज़ाइन चर के साथ प्रणाली प्रदर्शन के समस्याएँ का संगम है जिसके परिणामस्वरूप चल रहे मापन नियम हैं जिन्हें अब हम मूर के नियम के रूप में संहिताबद्ध करते हैं।

उपकरण मॉडलिंग

एकीकृत परिपथ में उपकरणों की भौतिकी और मॉडलिंग में एमओएस और द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर मॉडलिंग का प्रभुत्व है। चूंकि अन्य उपकरण महत्वपूर्ण हैं जैसे मेमोरी उपकरण जिनकी मॉडलिंग आवश्यकताएं अलग-अलग हैं। निश्चित रूप से विश्वसनीयता इंजीनियरिंग के समस्या भी हैं- उदाहरण के लिए इलेक्ट्रो-स्टैटिक डिस्चार्ज (ईएसडी) सुरक्षा परिपथ और उपकरण - जहां सब्सट्रेट और परजीवी उपकरण महत्वपूर्ण महत्व के हैं। अधिकांश उपकरण मॉडलिंग कार्यक्रमों इन प्रभावों और मॉडलिंग पर विचार नहीं करते हैं; इच्छुक पाठक को ईएसडी और I/O मॉडलिंग के क्षेत्र में कई उत्कृष्ट मोनोग्राफ के लिए भेजा जाता है।[1][2][3]

भौतिकी संचालित बनाम कॉम्पैक्ट मॉडल

एनएमओएस के भौतिकी संचालित मॉडलिंग का उदाहरण रंग आकृति स्थितियों के अंतरिक्ष समाधान स्थानीय घनत्व का संकेत देती है। गेट बायस नैनोवायर एनएमओएस में ड्रेन बायस Vd = 0.6V पर विविध है। सीमित ऊर्जा स्तरों पर ध्यान दें क्योंकि वे गेट बायस के साथ चलते हैं।

भौतिकी चालित उपकरण मॉडलिंग शुद्ध होने का आशय है किन्तु यह इलेक्ट्रॉनिक परिपथ अनुकरण जैसे स्पाइस सहित उच्च स्तरीय उपकरणों के लिए पर्याप्त तेज़ नहीं है। इसलिए परिपथ अनुकारी सामान्यतः अधिक अनुभवजन्य मॉडल ( अधिकांशतः कॉम्पैक्ट मॉडल कहा जाता है) का उपयोग करते हैं जो सीधे अंतर्निहित भौतिकी का मॉडल नहीं करते हैं। उदाहरण के लिए व्युत्क्रम-परत गतिशीलता मॉडलिंग या गतिशीलता की मॉडलिंग और भौतिक मापदंडों परिवेश और परिचालन स्थितियों पर इसकी निर्भरता प्रौद्योगिकी सीएडी (प्रौद्योगिकी कंप्यूटर एडेड डिजाइन) भौतिक मॉडल और परिपथ -स्तरीय कॉम्पैक्ट मॉडल दोनों के लिए महत्वपूर्ण विषय है। चूंकि यह पहले सिद्धांतों से शुद्ध रूप से प्रतिरूपित नहीं किया गया है और इसलिए प्रयोगात्मक डेटा को फिट करने के लिए सहारा लिया जाता है। भौतिक स्तर पर गतिशीलता मॉडलिंग के लिए विद्युत चर विभिन्न प्रकीर्णन तंत्र वाहक घनत्व और स्थानीय क्षमता और क्षेत्र हैं जिसमें उनकी विधि और परिवेश निर्भरता सम्मिलित है।

इसके विपरीत परिपथ -स्तर परमॉडल टर्मिनल वोल्टेज और अनुभवजन्य प्रकीर्णन वाले मापदंडों के संदर्भ में प्रभाव को मापते हैं। दो अभ्यावेदन की तुलना की जा सकती है किन्तु कई स्थितियों में यह स्पष्ट नहीं है कि अधिक सूक्ष्म व्यवहार के संदर्भ में प्रायोगिक डेटा की व्याख्या कैसे की जा सकती है ।

इतिहास

प्रौद्योगिकी कंप्यूटर-एडेड डिज़ाइन (टीसीएडी) का विकास - प्रक्रिया उपकरण और परिपथ अनुकरण और मॉडलिंग उपकरण का सहक्रियात्मक संयोजन - द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर विधि में अपनी जड़ें पाता है जो 1960 के दशक के अंत में प्रारंभ हुआ और जंक्शन पृथक दोहरे की चुनौतियाँ -और ट्रिपल- प्रसार ट्रांजिस्टर ये उपकरण और प्रौद्योगिकी पहले एकीकृत परिपथों के आधार थे; तथापि आईसी विकास के चार दशकों के बाद भी मापन के कई समस्या और अंतर्निहित भौतिक प्रभाव एकीकृत परिपथ डिजाइन के अभिन्न अंग हैं। आईसी की इन प्रारंभिक पीढ़ियों के साथ प्रक्रिया परिवर्तनशीलता और पैरामीट्रिक उपज उद्देश्य था - ऐसा विषय जो भविष्य की आईसी प्रौद्योगिकी में भी नियंत्रण कारक के रूप में फिर से उभर सकता है।

प्रक्रिया नियंत्रण के समस्या - आंतरिक उपकरणों और सभी संबद्ध परजीवी दोनों के लिए - दुर्जेय चुनौतियों को प्रस्तुत किया और प्रक्रिया और उपकरण अनुकरण के लिए उन्नत भौतिक मॉडल की श्रृंखला के विकास को अनिवार्य किया था। यह 1960 के दशक के अंत में और 1970 के दशक में उपयोग किए गए मॉडलिंग दृष्टिकोण प्रमुख रूप से एक- और द्वि-आयामी अनुकारी थे। जबकि इन प्रारंभिक पीढ़ियों में टीसीएडी ने बाइपोलर विधि की भौतिकी-उन्मुख चुनौतियों को दूर करने में रोचक वचन दिखाया एमओएस प्रौद्योगिकी की उत्तम मापनीयता और विद्युत की खपत ने आईसी उद्योग में क्रांति ला दी थी। और 1980 के दशक के मध्य तक एकीकृत इलेक्ट्रॉनिक्स के लिए सीएमओएस प्रमुख चालक बन गया। तथापि ये प्रारंभिक टीसीएडी घटनाक्रम [4][5] आवश्यक टूलसेट के रूप में उनके विकास और व्यापक तैनाती के लिए प्लेटफार्म तैयार करें जिसने वीएलएसआई और यूएलएसआई युगों के माध्यम से प्रौद्योगिकी विकास का लाभ उठाया है जो कि अब मुख्यधारा हैं।

एक चौथाई सदी से भी अधिक समय से आईसी के विकास पर एमओएस विधि का वर्चस्व रहा है। 1970 और 1980 के दशक में एनएमओएस को गति और क्षेत्र लाभ के कारण प्रौद्योगिकी सीमाओं और अलग जीवी पर प्रभाव और प्रक्रिया जटिलता से संबंधित चिंताओं के कारण पसंद किया गया था। एनएमओएस -वर्चस्व वाले एकीकृत परिपथ या एसएसआई,एमएसआई,एलएसआई और वीएलएसआई के उद्भव के उस युग के समय एमओएस प्रौद्योगिकी के मौलिक मापन नियमो को संहिताबद्ध और व्यापक रूप से प्रयुक्त किया गया था।[6] यह इस अवधि के समय भी था कि टीसीएडी शक्तिशाली प्रक्रिया मॉडलिंग (मुख्य रूप से एक-आयामी) को साकार करने कअभिन्न प्रौद्योगिकी डिजाइन उपकरण बन गया था जिसका उपयोग पूरे उद्योग में सार्वभौमिक रूप से किया जाता था।[7] उसी समय उपकरण सिमुलेशनमुख्य रूप से एमओएस उपकरणों की प्रकृति के कारण द्वि-आयामीउपकरणों के डिजाइन और मापन में प्रौद्योगिकीविदों का वर्क-हॉर्स बन गया था ।[8][9] एनएमओएस या एनएमओएस लॉजिक से सीएमओएस विधि में संक्रमण के परिणामस्वरूप प्रक्रिया और उपकरण अनुकरण के लिए कसकर युग्मित और पूरी तरह से 2D अनुकारी की आवश्यकता हुई थी । टीसीएडी उपकरणों की यह तीसरी पीढ़ी जुड़वां अच्छी तरह से सीएमओएस प्रौद्योगिकी (चित्र 3ए देखें) की पूर्ण जटिलता को संबोधित करने के लिए महत्वपूर्ण हो गई जिसमें डिजाइन नियमों और अवरोधित हो जाना जैसे परजीवी प्रभावों के समस्या सम्मिलित हैं।[10][11] यह 1980 के दशक के मध्य तक इस अवधि का संक्षिप्त रूप दिया गया है;[12] और डिजाइन प्रक्रिया में टीसीएडी उपकरण का उपयोग कैसे किया गया है इस दृष्टिकोण से देखें।[13]


यह भी देखें

संदर्भ

  • Electronic Design Automation For Integrated Circuits Handbookby LavagnoMartinand SchefferISBN 0-8493-3096-3 A survey of the field of electronic design automation. This summary was derived (with permission) from Vol IIChapter 25Device Modeling—from physics to electrical parameter extractionby Robert W. DuttonChang-Hoon Choi and Edwin C. Kan.
  • R.W. Dutton and A.J. StrojwasPerspectives on technology and technology-driven CADIEEE Trans. CAD-ICASvol. 19no. 12pp. 1544–1560December2000.
  1. ↑ C. Duvvury and A. Amerasekera, ESD: a pervasive reliability concern for IC technologies, Proc. IEEE, vol. 81, pp. 690-702, 1993.
  2. ↑ A. Amerasekera and C. Duvvury, ESD in Silicon Integrated Circuits, Second Edition, New York, John Wiley & Sons, 2002. ISBN 0-471-49871-8
  3. ↑ S. Dabral and T. J. Maloney, Basic ESD and I/O design, New York, John Wiley & Sons, 1998. ISBN 0-471-25359-6
  4. ↑ H.J. DeMan and R. Mertens, SITCAP--A simulator for bipolar transistors for computer-aided circuit analysis programs, International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), Technical Digest, pp. 104-5, February, 1973.
  5. ↑ R.W. Dutton and D.A. Antoniadis, Process simulation for device design and control, International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), Technical Digest, pp. 244-245, February, 1979
  6. ↑ R.H. Dennard, F.H. Gaensslen, H.N. Yu, V.L. Rodeout, E. Bassous and A.R. LeBlanc, Design of ion-implanted MOSFETs with very small physical dimensions, IEEE Jour. Solid-State Circuits, vol. SC-9, pp.256-268, October, 1974.
  7. ↑ R.W. Dutton and S.E. Hansen, Process modeling of integrated circuit device technology, Proceedings of the IEEE, vol. 69, no. 10, pp. 1305-1320, October, 1981.
  8. ↑ P.E. Cottrell and E.M. Buturla, "Two-dimensional static and transient simulation of mobile carrier transport in a semiconductor," Proceedings NASECODE I (Numerical Analysis of Semiconductor Devices), pp. 31-64, Boole Press, 1979.
  9. ↑ S. Selberherr, W. Fichtner, and H.W. Potzl, "Minimos - A program package to facilitate MOS device design and analysis," Proceedings NASECODE I (Numerical Analysis of Semiconductor Devices), pp. 275-79, Boole Press, 1979.
  10. ↑ C.S. Rafferty, M.R. Pinto, and R.W. Dutton, Iterative methods in semiconductor device simulation, IEEE Trans. Elec. Dev., vol. ED-32, no.10, pp.2018-2027, October, 1985.
  11. ↑ M.R. Pinto and R.W. Dutton, Accurate trigger condition analysis for CMOS latchup, IEEE Electron Device Letters, vol. EDL-6, no. 2, February, 1985.
  12. ↑ R.W. Dutton, Modeling and simulation for VLSI, International Electron Devices Meeting (IEDM), Technical Digest, pp. 2-7, December, 1986.
  13. ↑ K.M. Cham, S.-Y. Oh, D. Chin and J.L. Moll, Computer-Aided Design and VLSI Device Development, Kluwer Academic Publishers (KAP), 1986. ISBN 0-89838-204-1
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