अर्धचालक पैमाने के उदाहरणों की सूची: Difference between revisions

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{{Semiconductor manufacturing processes}}
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विभिन्न मेटल-ऑक्साइड-[[ अर्धचालक ]] फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (MOSFET, या MOS ट्रांजिस्टर) सेमीकंडक्टर निर्माण प्रक्रिया नोड्स के लिए सूचीबद्ध कई सेमीकंडक्टर [[MOSFET स्केलिंग]] उदाहरण हैं।
विभिन्न धातु-ऑक्साइड-[[ अर्धचालक ]] क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (मोसफेट, या एमओएस  ट्रांजिस्टर) सेमीकंडक्टर निर्माण प्रक्रिया नोड्स के लिए सूचीबद्ध अनेक  सेमीकंडक्टर [[MOSFET स्केलिंग|मोसफेट स्केलिंग]] के उदाहरण हैं।


== MOSFET प्रदर्शनों की समयरेखा ==
== मोसफेट प्रदर्शनों की समयरेखा ==
{{See also|MOSFET|Semiconductor device fabrication|Transistor density}}
{{See also|मोसफेट|सेमीकंडक्टर यंत्र का निर्माण|ट्रांजिस्टर घनत्व}}
<सेक्शन शुरू = प्रदर्शन />


=== पीएमओएस और एनएमओएस ===
=== पीएमओएस और एनएमओएस ===
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|+ [[MOSFET]] ([[PMOS logic|PMOS]] and [[NMOS logic|NMOS]]) demonstrations
|+ [[MOSFET|मोसफेट]] ([[PMOS logic|पीएमओएस]] और [[NMOS logic|एनएमओएस]]) स्पष्टीकरण
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! data-sort-type="number" | [[Gate oxide|Oxide thickness]]<ref name="collins">{{cite web |title=Angstrom |url=https://www.collinsdictionary.com/dictionary/english/angstrom |website=[[Collins English Dictionary]] |access-date=2019-03-02}}</ref>
! data-sort-type="number" | [[Gate oxide|Oxide thickness]]<ref name="collins">{{cite web |title=Angstrom |url=https://www.collinsdictionary.com/dictionary/english/angstrom |website=[[Collins English Dictionary]] |access-date=2019-03-02}}</ref>
! [[MOSFET]] [[logic family|logic]]
! [[MOSFET|मोसफेट]] [[logic family|logic]]
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=== सीएमओएस (सिंगल-गेट) ===
=== सीएमओएस (धातु-मार्ग) ===
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|+ Complementary [[MOSFET]] ([[CMOS]]) demonstrations (single-[[metal gate|gate]])
|+ पूरक [[MOSFET|मोसफेट]] ([[CMOS|सीएमओएस]]) स्पष्टीकरण  (धातु-[[metal gate|मार्ग]])
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=== मल्टी-गेट MOSFET (MuGFET) ===
=== बहु-मार्ग मोसफेट (एमयूज़ीऍफ़ईटी) ===
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|+ [[Multi-gate]] [[MOSFET]] ([[Multigate device|MuGFET]]) demonstrations
|+ [[Multi-gate|बहु-मार्ग]] [[MOSFET|मोसफेट]] ([[Multigate device|एमयूज़ीऍफ़ईटी]]) स्पष्टीकरण
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=== अन्य प्रकार के MOSFET ===
=== अन्य प्रकार के मोसफेट ===
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|+ [[MOSFET]] demonstrations ([[MOSFET#Types of MOSFET|other types]])
|+ [[MOSFET|मोसफेट]] स्पष्टीकरण  ([[MOSFET#Types of MOSFET|अन्य प्रकार]])
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! [[MOSFET]]<br />[[MOSFET#Types of MOSFET|type]]
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|} <अनुभाग अंत = प्रदर्शन />
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== माइक्रो-स्केल MOSFETs == का उपयोग कर वाणिज्यिक उत्पाद
== माइक्रो-स्केल मोसफेटs == का उपयोग कर वाणिज्यिक उत्पाद


=== 20 माइक्रोन निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद ===
=== 20 माइक्रोन निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद ===
* [[RCA]] की [[CD4000]] [[एकीकृत परिपथ]]ों (ICs) की श्रृंखला 1968 में शुरू हुई।<ref name="Lojek330"/>
* [[एकीकृत परिपथ|एकीकृत परिपथों]] (आईसीएस) की [[RCA|आरसीए]] की [[CD4000|सीडी4000]] श्रृंखला 1968 में शुरू हुई।<ref name="Lojek330"/>




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{{Main|10 µm process}}
{{Main|10 µm process}}


* [[इंटेल 4004]], पहला सिंगल-चिप [[माइक्रोप्रोसेसर]] [[ CPU ]], 1971 में लॉन्च किया गया।
* [[इंटेल 4004]], प्रथम एकल-चिप [[माइक्रोप्रोसेसर]] [[ CPU | सीपीयू]] 1971 में प्रक्षेपण किया गया।
* [[इंटेल 8008]] सीपीयू 1972 में लॉन्च हुआ।
* [[इंटेल 8008]] सीपीयू 1972 में प्रक्षेपण  हुआ।
* [[एमओएस टेक्नोलॉजी 6502]] 1 मेगाहर्ट्ज सीपीयू 1975 में लॉन्च किया गया (8 सुक्ष्ममापी)।
* [[एमओएस टेक्नोलॉजी 6502|एमओएस प्रौद्योगिकी  6502]] 1 मेगाहर्ट्ज सीपीयू 1975 (8 माइक्रोन) में प्रक्षेपण  किया गया।


=== 8 μm निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद ===
=== 8 μm निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद ===
* [[इंटेल 1103]], एक प्रारंभिक [[गतिशील रैंडम-एक्सेस मेमोरी]] (DRAM) चिप को 1970 में लॉन्च किया गया।<ref name="Lojek-1103">{{cite book |last1=Lojek |first1=Bo |title=सेमीकंडक्टर इंजीनियरिंग का इतिहास|date=2007 |publisher=[[Springer Science & Business Media]] |isbn=9783540342588 |pages=362–363 |url=https://books.google.com/books?id=2cu1Oh_COv8C&pg=PA362 |quote=The i1103 was manufactured on a 6-mask silicon-gate P-MOS process with 8 μm minimum features. The resulting product had a 2,400 μm, 2 memory cell size, a die size just under 10 mm<sup>2</sup>, and sold for around $21.}}</ref>
* [[इंटेल 1103]], एक प्रारंभिक [[गतिशील रैंडम-एक्सेस मेमोरी|गतिशील अनियमित-अभिगम  मेमोरी]] (डीआरएएम) चिप को 1970 में प्रक्षेपण  किया गया।<ref name="Lojek-1103">{{cite book |last1=Lojek |first1=Bo |title=सेमीकंडक्टर इंजीनियरिंग का इतिहास|date=2007 |publisher=[[Springer Science & Business Media]] |isbn=9783540342588 |pages=362–363 |url=https://books.google.com/books?id=2cu1Oh_COv8C&pg=PA362 |quote=The i1103 was manufactured on a 6-mask silicon-gate P-MOS process with 8 μm minimum features. The resulting product had a 2,400 μm, 2 memory cell size, a die size just under 10 mm<sup>2</sup>, and sold for around $21.}}</ref>




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{{Main|6 µm process}}
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* [[Toshiba]] TLCS-12, 1973 में [[Ford EEC]] (इलेक्ट्रॉनिक इंजन कंट्रोल) सिस्टम के लिए विकसित एक माइक्रोप्रोसेसर।<ref name="shmj-1973-toshiba"/>* 1974 में लॉन्च किया गया [[Intel 8080]] CPU इस प्रक्रिया का उपयोग करके निर्मित किया गया था।<ref name="listoid">{{Cite web |url=http://www.listoid.com/list/142 |title=इंटेल माइक्रोप्रोसेसर का इतिहास - लिस्टॉयड|access-date=2019-07-02 |archive-date=2015-04-27 |archive-url=https://web.archive.org/web/20150427124729/http://www.listoid.com/list/142 |url-status=dead }}</ref>
* [[Toshiba]] TLCS-12, 1973 में [[Ford EEC]] (इलेक्ट्रॉनिक इंजन कंट्रोल) सिस्टम के लिए विकसित एक माइक्रोप्रोसेसर।<ref name="shmj-1973-toshiba"/>* 1974 में प्रक्षेपण  किया गया [[Intel 8080]] CPU इस प्रक्रिया का उपयोग करके निर्मित किया गया था।<ref name="listoid">{{Cite web |url=http://www.listoid.com/list/142 |title=इंटेल माइक्रोप्रोसेसर का इतिहास - लिस्टॉयड|access-date=2019-07-02 |archive-date=2015-04-27 |archive-url=https://web.archive.org/web/20150427124729/http://www.listoid.com/list/142 |url-status=dead }}</ref>
* [[टेलीविजन इंटरफ़ेस एडाप्टर]], कस्टम ग्राफिक्स और ऑडियो चिप 1977 में [[अटारी 2600]] के लिए विकसित किया गया।<ref name="designingc64">{{cite web |title=Design case history: the Commodore 64 |website=IEEE Spectrum |access-date=1 September 2019 |url=https://spectrum.ieee.org/ns/pdfs/commodore64_mar1985.pdf}}</ref>
* [[टेलीविजन इंटरफ़ेस एडाप्टर]], कस्टम ग्राफिक्स और ऑडियो चिप 1977 में [[अटारी 2600]] के लिए विकसित किया गया।<ref name="designingc64">{{cite web |title=Design case history: the Commodore 64 |website=IEEE Spectrum |access-date=1 September 2019 |url=https://spectrum.ieee.org/ns/pdfs/commodore64_mar1985.pdf}}</ref>
* [[एमओएस टेक्नोलॉजी एसआईडी]], 1982 में [[कमोडोर 64]] के लिए विकसित एक [[प्रोग्राम करने योग्य ध्वनि जनरेटर]]।<ref name="designingc64"/>* [[MOS Technology VIC-II]], 1982 (5 μm) में कमोडोर 64 के लिए विकसित एक [[ वीडियो प्रदर्शन नियंत्रक ]]।<ref name="designingc64"/>
* [[एमओएस टेक्नोलॉजी एसआईडी|एमओएस प्रौद्योगिकी  एसआईडी]], 1982 में [[कमोडोर 64]] के लिए विकसित एक [[प्रोग्राम करने योग्य ध्वनि जनरेटर]]।<ref name="designingc64"/>* [[MOS Technology VIC-II]], 1982 (5 μm) में कमोडोर 64 के लिए विकसित एक [[ वीडियो प्रदर्शन नियंत्रक ]]।<ref name="designingc64"/>




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{{Main|3 µm process}}
{{Main|3 µm process}}


* [[इंटेल 8085]] सीपीयू 1976 में लॉन्च हुआ।<ref>{{cite web |last=Mueller |first=S |title=Microprocessors from 1971 to the Present |publisher=informIT |date=2006-07-21 |url=http://www.informit.com/articles/article.aspx?p=482324&seqNum=2 |access-date=2012-05-11}}</ref> * [[इंटेल 8086]] सीपीयू 1978 में लॉन्च हुआ।<ref name="listoid"/>* [[इंटेल 8088]] सीपीयू 1979 में लॉन्च हुआ।
* [[इंटेल 8085]] सीपीयू 1976 में प्रक्षेपण  हुआ।<ref>{{cite web |last=Mueller |first=S |title=Microprocessors from 1971 to the Present |publisher=informIT |date=2006-07-21 |url=http://www.informit.com/articles/article.aspx?p=482324&seqNum=2 |access-date=2012-05-11}}</ref> * [[इंटेल 8086]] सीपीयू 1978 में प्रक्षेपण  हुआ।<ref name="listoid"/>* [[इंटेल 8088]] सीपीयू 1979 में प्रक्षेपण  हुआ।
* [[मोटोरोला 68000]] 8 मेगाहर्ट्ज सीपीयू 1979 में लॉन्च किया गया (3.5 माइक्रोमीटर)।
* [[मोटोरोला 68000]] 8 मेगाहर्ट्ज सीपीयू 1979 में प्रक्षेपण  किया गया (3.5 माइक्रोमीटर)।


=== 1.5 माइक्रोन निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद ===
=== 1.5 माइक्रोन निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद ===
{{Main|1.5 µm process}}
{{Main|1.5 µm process}}


* [[एनईसी]] के 64{{nbsp}1981 में [[kibibit]] [[स्टेटिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी]] मेमोरी चिप।<ref name="stol"/>* [[इंटेल 80286]] सीपीयू 1982 में लॉन्च हुआ।
* [[एनईसी]] के 64{{nbsp}1981 में [[kibibit]] [[स्टेटिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी|स्टेटिक रैंडम-अभिगम  मेमोरी]] मेमोरी चिप।<ref name="stol"/>* [[इंटेल 80286]] सीपीयू 1982 में प्रक्षेपण  हुआ।
* [[अमिगा एडवांस्ड ग्राफिक्स आर्किटेक्चर]] (शुरुआत में 1992 में बेचा गया) में डेनिस जैसे चिप्स शामिल थे जिन्हें 1.5 माइक्रोन [[सीएमओएस]] प्रक्रिया का उपयोग करके निर्मित किया गया था।<ref>{{cite web|title=Amiga Manual: Amiga 3000+ System Specification 1991|date=17 July 1991 |url=https://archive.org/stream/Amiga_3000_System_Specification_The_1991-07-17_Commodore/Amiga_3000_System_Specification_The_1991-07-17_Commodore_djvu.txt}}</ref>
* [[अमिगा एडवांस्ड ग्राफिक्स आर्किटेक्चर]] (शुरुआत में 1992 में बेचा गया) में डेनिस जैसे चिप्स शामिल थे जिन्हें 1.5 माइक्रोन [[सीएमओएस]] प्रक्रिया का उपयोग करके निर्मित किया गया था।<ref>{{cite web|title=Amiga Manual: Amiga 3000+ System Specification 1991|date=17 July 1991 |url=https://archive.org/stream/Amiga_3000_System_Specification_The_1991-07-17_Commodore/Amiga_3000_System_Specification_The_1991-07-17_Commodore_djvu.txt}}</ref>


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{{Main|1 µm process}}
{{Main|1 µm process}}


* [[निप्पॉन टेलीग्राफ और टेलीफोन]] की डीआरएएम मेमोरी चिप्स, इसके 64 सहित{{nbsp}1979 और 256 में किबिबिट चिप{{nbsp}1980 में kb चिप।<ref name="Gealow"/>* एनईसी 1{{nbsp}1984 में [[Mebibit]] DRAM मेमोरी चिप।<ref name="stol"/>* [[इंटेल 80386]] सीपीयू 1985 में लॉन्च हुआ।
* [[निप्पॉन टेलीग्राफ और टेलीफोन]] की डीआरएएम मेमोरी चिप्स, इसके 64 सहित{{nbsp}1979 और 256 में किबिबिट चिप{{nbsp}1980 में kb चिप।<ref name="Gealow"/>* एनईसी 1{{nbsp}1984 में [[Mebibit]] DRAM मेमोरी चिप।<ref name="stol"/>* [[इंटेल 80386]] सीपीयू 1985 में प्रक्षेपण  हुआ।


===800 एनएम निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद===
===800 एनएम निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद===
{{Main|800 nm process}}
{{Main|800 एनएम प्रक्रिया}}


* निप्पॉन टेलीग्राफ और टेलीफोन 1{{nbsp}1984 में एमबी डीआरएएम मेमोरी चिप।<ref name="Gealow"/>* एनईसी और तोशिबा ने अपने 4 के लिए इस प्रक्रिया का इस्तेमाल किया{{nbsp}1986 में एमबी डीआरएएम मेमोरी चिप्स।<ref name="stol"/>* [[ Hitachi ]], [[आईबीएम]], [[ PANASONIC ]] और [[मित्सुबिशी इलेक्ट्रिक]] ने अपने 4 के लिए इस प्रक्रिया का इस्तेमाल किया{{nbsp}1987 में एमबी डीआरएएम मेमोरी चिप्स।<ref name="Gealow"/>* टोबा का 4{{nbsp}एमबी [[EPROM]] मेमोरी चिप 1987 में।<ref name="stol"/>* हिताची, मित्सुबिशी और तोशिबा ने अपने 1 के लिए इस प्रक्रिया का इस्तेमाल किया{{nbsp}1987 में एमबी स्टेटिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी चिप्स।<ref name="stol"/>* [[इंटेल 80486]] सीपीयू 1989 में लॉन्च हुआ।
* निप्पॉन टेलीग्राफ और टेलीफोन 1{{nbsp}1984 में एमबी डीआरएएम मेमोरी चिप।<ref name="Gealow"/>* एनईसी और तोशिबा ने अपने 4 के लिए इस प्रक्रिया का इस्तेमाल किया{{nbsp}1986 में एमबी डीआरएएम मेमोरी चिप्स।<ref name="stol"/>* [[ Hitachi ]], [[आईबीएम]], [[ PANASONIC ]] और [[मित्सुबिशी इलेक्ट्रिक]] ने अपने 4 के लिए इस प्रक्रिया का इस्तेमाल किया{{nbsp}1987 में एमबी डीआरएएम मेमोरी चिप्स।<ref name="Gealow"/>* टोबा का 4{{nbsp}एमबी [[EPROM]] मेमोरी चिप 1987 में।<ref name="stol"/><nowiki>* हिताची, मित्सुबिशी और तोशिबा ने अपने 1 के लिए इस प्रक्रिया का इस्तेमाल किया{{nbsp}1987 में एमबी स्टेटिक रैंडम-अभिगम  मेमोरी चिप्स।</nowiki><ref name="stol"/>* [[इंटेल 80486]] सीपीयू 1989 में प्रक्षेपण  हुआ।
* [[ microSPARC ]] 1992 में लॉन्च हुआ।
* [[ microSPARC ]] 1992 में प्रक्षेपण  हुआ।
* 1993 में 60 मेगाहर्ट्ज और 66 मेगाहर्ट्ज पर पहला इंटेल पी5 (माइक्रोआर्किटेक्चर)#पी5 [[पेंटियम]] सीपीयू लॉन्च किया गया।
* 1993 में 60 मेगाहर्ट्ज और 66 मेगाहर्ट्ज पर प्रथम इंटेल पी5 (माइक्रोआर्किटेक्चर)#पी5 [[पेंटियम]] सीपीयू प्रक्षेपण  किया गया।


=== 600 एनएम निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद ===
=== 600 एनएम निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद ===
{{Main|600 nm process}}
{{Main|600 एनएम प्रक्रिया}}


* मित्सुबिशी इलेक्ट्रिक, तोशिबा और एनईसी ने 16 पेश किए{{nbsp}600 के साथ निर्मित एमबी डीआरएएम मेमोरी चिप्स{{nbsp}1989 में एनएम प्रक्रिया।<ref name="stol"/>* एनईसी के 16{{nbsp}एमबी EPROM मेमोरी चिप 1990 में।<ref name="stol"/>* मित्सुबिशी के 16{{nbsp}एमबी [[फ्लैश मेमोरी]] चिप 1991 में।<ref name="stol"/>* [[इंटेल 80486DX4]] CPU 1994 में लॉन्च हुआ।
* मित्सुबिशी इलेक्ट्रिक, तोशिबा और एनईसी ने 16 पेश किए{{nbsp}600 के साथ निर्मित एमबी डीआरएएम मेमोरी चिप्स{{nbsp}1989 में एनएम प्रक्रिया।<ref name="stol"/>* एनईसी के 16{{nbsp}एमबी EPROM मेमोरी चिप 1990 में।<ref name="stol"/>* मित्सुबिशी के 16{{nbsp}एमबी [[फ्लैश मेमोरी]] चिप 1991 में।<ref name="stol"/>* [[इंटेल 80486DX4]] CPU 1994 में प्रक्षेपण  हुआ।
* IBM/[[Motorola]] [[PowerPC 601]], पहली PowerPC चिप का उत्पादन 0.6 μm में किया गया था।
* IBM/[[Motorola]] [[PowerPC 601]], पहली PowerPC चिप का उत्पादन 0.6 μm में किया गया था।
* 75 मेगाहर्ट्ज, 90 मेगाहर्ट्ज और 100 मेगाहर्ट्ज पर इंटेल [[इंटेल P5]] सीपीयू।
* 75 मेगाहर्ट्ज, 90 मेगाहर्ट्ज और 100 मेगाहर्ट्ज पर इंटेल [[इंटेल P5]] सीपीयू।


=== 350 एनएम निर्माण प्रक्रिया की विशेषता वाले उत्पाद ===
=== 350 एनएम निर्माण प्रक्रिया की विशेषता वाले उत्पाद ===
{{Main|350 nm process}}
{{Main|350 एनएम प्रक्रिया}}


* [[सोनी]] के 16{{nbsp}1994 में एमबी स्टेटिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी चिप।<ref name="stol"/>* [[NEC VR4300]] (1995), [[निन्टेंडो 64]] गेम कंसोल में इस्तेमाल किया गया।
* [[सोनी]]<nowiki> के 16{{nbsp}1994 में एमबी स्टेटिक रैंडम-अभिगम  मेमोरी चिप।</nowiki><ref name="stol"/>* [[NEC VR4300]] (1995), [[निन्टेंडो 64]] गेम कंसोल में इस्तेमाल किया गया।
* [[इंटेल]] [[पेंटियम प्रो]] (1995), [[पेंटियम द्वितीय]]P5 (माइक्रोआर्किटेक्चर) #P54CS, 1995), और प्रारंभिक पेंटियम II CPUs (क्लामाथ (माइक्रोप्रोसेसर), 1997)।
* [[इंटेल]] [[पेंटियम प्रो]] (1995), [[पेंटियम द्वितीय]]P5 (माइक्रोआर्किटेक्चर) #P54CS, 1995), और प्रारंभिक पेंटियम II CPUs (क्लामाथ (माइक्रोप्रोसेसर), 1997)।
* उन्नत सूक्ष्म उपकरण [[AMD K5]] (1996) और मूल [[AMD K6]] (मॉडल 6, 1997) CPU।
* उन्नत सूक्ष्म उपकरण [[AMD K5]] (1996) और मूल [[AMD K6]] (मॉडल 6, 1997) CPU।
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=== 250 एनएम निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद ===
=== 250 एनएम निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद ===
{{Main|250 nm process}}
{{Main|250 एनएम प्रक्रिया}}


* हिताची के 16{{nbsp}1993 में एमबी एसआरएएम मेमोरी चिप।<ref name="stol"/>* हिताची और एनईसी ने 256 पेश किए{{nbsp}1993 में इस प्रक्रिया के साथ Mb DRAM मेमोरी चिप्स का निर्माण किया गया, इसके बाद 1994 में पैनासोनिक, मित्सुबिशी इलेक्ट्रिक और [[ ओकी इलेक्ट्रिक उद्योग ]] का निर्माण किया गया।<ref name="stol"/>* एनईसी 1{{nbsp}1995 में [[गिबिबाइट]] डीआरएएम मेमोरी चिप।<ref name="stol"/>* हिताची के 128{{nbsp}1996 में एमबी [[ नैंड फ्लैश ]] मेमोरी चिप।<ref name="stol"/>* [[DEC Alpha]] 21264A, जिसे 1999 में व्यावसायिक रूप से उपलब्ध कराया गया था।
* हिताची के 16{{nbsp}1993 में एमबी एसआरएएम मेमोरी चिप।<ref name="stol"/>* हिताची और एनईसी ने 256 पेश किए{{nbsp}1993 में इस प्रक्रिया के साथ Mb DRAM मेमोरी चिप्स का निर्माण किया गया, इसके बाद 1994 में पैनासोनिक, मित्सुबिशी इलेक्ट्रिक और [[ ओकी इलेक्ट्रिक उद्योग ]] का निर्माण किया गया।<ref name="stol"/>* एनईसी 1{{nbsp}1995 में [[गिबिबाइट]] डीआरएएम मेमोरी चिप।<ref name="stol"/>* हिताची के 128{{nbsp}1996 में एमबी [[ नैंड फ्लैश ]] मेमोरी चिप।<ref name="stol"/>* [[DEC Alpha]] 21264A, जिसे 1999 में व्यावसायिक रूप से उपलब्ध कराया गया था।
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=== 180 एनएम निर्माण प्रौद्योगिकी का उपयोग करने वाले प्रोसेसर ===
=== 180 एनएम निर्माण प्रौद्योगिकी का उपयोग करने वाले प्रोसेसर ===
{{Main|180 nm process}}
{{Main|180 एनएम प्रक्रिया}}


* इंटेल [[कॉपरमाइन (माइक्रोप्रोसेसर)]] - अक्टूबर 1999
* इंटेल [[कॉपरमाइन (माइक्रोप्रोसेसर)]] - अक्टूबर 1999
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=== 130 एनएम विनिर्माण प्रौद्योगिकी का उपयोग करने वाले प्रोसेसर ===
=== 130 एनएम विनिर्माण प्रौद्योगिकी का उपयोग करने वाले प्रोसेसर ===
{{Main|130 nm process}}
{{Main|130 एनएम प्रक्रिया}}


* फुजित्सु स्पा RC64 V - 2001<ref>Krewell, Kevin (21 October 2002). [http://www.eecg.toronto.edu/~moshovos/ACA07/lecturenotes/ultrasparc5%2520(mpr).pdf "Fujitsu's SPARC64 V Is Real Deal".] ''[[Microprocessor Report]]''.</ref>
* फुजित्सु स्पा RC64 V - 2001<ref>Krewell, Kevin (21 October 2002). [http://www.eecg.toronto.edu/~moshovos/ACA07/lecturenotes/ultrasparc5%2520(mpr).pdf "Fujitsu's SPARC64 V Is Real Deal".] ''[[Microprocessor Report]]''.</ref>
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* भंवर 86SX - [http://www.dmp.com.tw/]
* भंवर 86SX - [http://www.dmp.com.tw/]


== नैनो-स्केल MOSFETs == का उपयोग कर वाणिज्यिक उत्पाद
== नैनो-स्केल मोसफेटs == का उपयोग कर वाणिज्यिक उत्पाद
{{See also|Nanoelectronics|Nanocircuitry}}
{{See also|Nanoelectronics|Nanocircuitry}}


=== 90 एनएम विनिर्माण प्रौद्योगिकी का उपयोग कर चिप्स ===
=== 90 एनएम विनिर्माण प्रौद्योगिकी का उपयोग कर चिप्स ===
{{Main|90 nm process}}
{{Main|90 एनएम प्रक्रिया}}


* सोनी-तोशिबा इमोशन इंजन+[[प्लेस्टेशन 2 तकनीकी विनिर्देश]] (प्लेस्टेशन 2) - 2003<ref name="sony2003"/>* IBM PowerPC G5#PowerPC 970FX - 2004
* सोनी-तोशिबा इमोशन इंजन+[[प्लेस्टेशन 2 तकनीकी विनिर्देश]] (प्लेस्टेशन 2) - 2003<ref name="sony2003"/>* IBM PowerPC G5#PowerPC 970FX - 2004
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* इंटेल सेलेरॉन एम डोथन (माइक्रोप्रोसेसर) -1024 - 2004-08
* इंटेल सेलेरॉन एम डोथन (माइक्रोप्रोसेसर) -1024 - 2004-08
* इंटेल झियोन नोकोना, इरविंडेल, क्रैनफोर्ड, पोटोमैक, पैक्सविले - 2004-06
* इंटेल झियोन नोकोना, इरविंडेल, क्रैनफोर्ड, पोटोमैक, पैक्सविले - 2004-06
* इंटेल [[पेंटियम डी]] स्मिथफील्ड - 2005-05
* इंटेल [[पेंटियम डी]] स्मिथक्षेत्र - 2005-05
* AMD Athlon 64 विनचेस्टर, वेनिस, सैन डिएगो, ऑरलियन्स - 2004-10
* AMD Athlon 64 विनचेस्टर, वेनिस, सैन डिएगो, ऑरलियन्स - 2004-10
* AMD [[Athlon 64 X2]] मैनचेस्टर, टोलेडो, विंडसर - 2005-05
* AMD [[Athlon 64 X2]] मैनचेस्टर, टोलेडो, विंडसर - 2005-05
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=== 65 एनएम निर्माण प्रौद्योगिकी का उपयोग करने वाले प्रोसेसर ===
=== 65 एनएम निर्माण प्रौद्योगिकी का उपयोग करने वाले प्रोसेसर ===
{{Main|65 nm process}}
{{Main|65 एनएम प्रक्रिया}}


* सोनी–तोशिबा इमोशन इंजन+प्लेस्टेशन 2 तकनीकी विनिर्देश (पीएसटू)<ref>{{cite web|url=https://pc.watch.impress.co.jp/docs/2003/0421/sony1.htm|title=ソニー、65nm対応の半導体設備を導入。3年間で2,000億円の投資|website=pc.watch.impress.co.jp|url-status=live|archive-url=https://web.archive.org/web/20160813020249/http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2003/0421/sony1.htm|archive-date=2016-08-13}}</ref> - 2005
* सोनी–तोशिबा इमोशन इंजन+प्लेस्टेशन 2 तकनीकी विनिर्देश (पीएसटू)<ref>{{cite web|url=https://pc.watch.impress.co.jp/docs/2003/0421/sony1.htm|title=ソニー、65nm対応の半導体設備を導入。3年間で2,000億円の投資|website=pc.watch.impress.co.jp|url-status=live|archive-url=https://web.archive.org/web/20160813020249/http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2003/0421/sony1.htm|archive-date=2016-08-13}}</ref> - 2005
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=== 45 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग करने वाले प्रोसेसर ===
=== 45 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग करने वाले प्रोसेसर ===
{{Main|45 nm process}}
{{Main|45 एनएम प्रक्रिया}}


* पैनासोनिक ने 2007 में 45 एनएम [[वीनस इंजन]] जारी किया।<ref>{{cite news |title=Panasonic ने नई पीढ़ी के UniPhier System LSI की बिक्री शुरू की|url=http://panasonic.co.jp/corp/news/official.data/data.dir/en071010-3/en071010-3.html |access-date=2 July 2019 |publisher=[[Panasonic]] |date=October 10, 2007}}</ref>
* पैनासोनिक ने 2007 में 45 एनएम [[वीनस इंजन]] जारी किया।<ref>{{cite news |title=Panasonic ने नई पीढ़ी के UniPhier System LSI की बिक्री शुरू की|url=http://panasonic.co.jp/corp/news/official.data/data.dir/en071010-3/en071010-3.html |access-date=2 July 2019 |publisher=[[Panasonic]] |date=October 10, 2007}}</ref>
* [[वोल्फडेल (माइक्रोप्रोसेसर)]], [[यॉर्कफील्ड (माइक्रोप्रोसेसर)]], यॉर्कफील्ड (माइक्रोप्रोसेसर) # यॉर्कफील्ड एक्सई और पेन्रीन (माइक्रोप्रोसेसर) [[कोर 2]] ब्रांड के तहत बेचे जाने वाले इंटेल कोर हैं।
* [[वोल्फडेल (माइक्रोप्रोसेसर)]], [[यॉर्कफील्ड (माइक्रोप्रोसेसर)|यॉर्कक्षेत्र (माइक्रोप्रोसेसर)]], यॉर्कक्षेत्र (माइक्रोप्रोसेसर) # यॉर्कक्षेत्र एक्सई और पेन्रीन (माइक्रोप्रोसेसर) [[कोर 2]] ब्रांड के तहत बेचे जाने वाले इंटेल कोर हैं।
* [[Intel Core i7]] श्रृंखला प्रोसेसर, Intel Core#Core i5 750 (Lynnfield (माइक्रोप्रोसेसर) और Clarksfield (माइक्रोप्रोसेसर))
* [[Intel Core i7]] श्रृंखला प्रोसेसर, Intel Core#Core i5 750 (Lynnfield (माइक्रोप्रोसेसर) और Clarksfield (माइक्रोप्रोसेसर))
* [[पेंटियम ड्यूल-कोर]] वोल्फडेल (माइक्रोप्रोसेसर)#वोल्फडेल-3एम|वोल्फडेल-3एम वर्तमान हैं{{when|date=April 2018}} इंटेल मेनस्ट्रीम डुअल कोर पेंटियम ब्रांड के तहत बेचा गया।
* [[पेंटियम ड्यूल-कोर]] वोल्फडेल (माइक्रोप्रोसेसर)#वोल्फडेल-3एम|वोल्फडेल-3एम वर्तमान हैं{{when|date=April 2018}} इंटेल मेनस्ट्रीम डुअल कोर पेंटियम ब्रांड के तहत बेचा गया।
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=== 32 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग कर चिप्स ===
=== 32 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग कर चिप्स ===
{{Main|32 nm process}}
{{Main|32 एनएम प्रक्रिया}}


* तोशिबा ने कमर्शियल 32 का निर्माण किया{{nbsp}32 के साथ [[ उसे जाना होगा ]] नंद फ्लैश मेमोरी चिप्स{{nbsp}एनएम प्रक्रिया 2009 में।<ref name="toshiba2009">{{cite news |title=Toshiba Makes Major Advances in NAND Flash Memory with 3-bit-per-cell 32nm generation and with 4-bit-per-cell 43nm technology |url=http://www.toshiba.co.jp/about/press/2009_02/pr1102.htm |access-date=21 June 2019 |work=[[Toshiba]] |date=11 February 2009}}</ref>
* तोशिबा ने कमर्शियल 32 का निर्माण किया{{nbsp}32 के साथ [[ उसे जाना होगा ]] नंद फ्लैश मेमोरी चिप्स{{nbsp}एनएम प्रक्रिया 2009 में।<ref name="toshiba2009">{{cite news |title=Toshiba Makes Major Advances in NAND Flash Memory with 3-bit-per-cell 32nm generation and with 4-bit-per-cell 43nm technology |url=http://www.toshiba.co.jp/about/press/2009_02/pr1102.htm |access-date=21 June 2019 |work=[[Toshiba]] |date=11 February 2009}}</ref>
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=== 24–28 nm तकनीक का उपयोग करने वाले चिप्स ===
=== 24–28 nm तकनीक का उपयोग करने वाले चिप्स ===
* [[एसके हाइनिक्स]] ने घोषणा की कि वह 64 जीबी क्षमता के साथ 26 एनएम फ्लैश चिप का उत्पादन कर सकता है; इंटेल कॉर्प और माइक्रोन टेक्नोलॉजी ने तब तक स्वयं तकनीक विकसित कर ली थी। 2010 में घोषित।<ref>[http://www.eetimes.com/electronics-news/4087542/Hynix-Samsung-push-NAND-flash-below-30-nm Article reporting Hynix 26&nbsp;nm technology announcement]</ref>
* [[एसके हाइनिक्स]] ने घोषणा की कि वह 64 जीबी क्षमता के साथ 26 एनएम फ्लैश चिप का उत्पादन कर सकता है; इंटेल कॉर्प और माइक्रोन प्रौद्योगिकी  ने तब तक स्वयं तकनीक विकसित कर ली थी। 2010 में घोषित।<ref>[http://www.eetimes.com/electronics-news/4087542/Hynix-Samsung-push-NAND-flash-below-30-nm Article reporting Hynix 26&nbsp;nm technology announcement]</ref>
* तोशिबा ने घोषणा की कि वह 31 अगस्त, 2010 को 24 एनएम फ्लैश मेमोरी एनएएनडी उपकरणों की शिपिंग कर रहा है।<ref>[http://www.toshiba.co.jp/about/press/2010_08/pr3101.htm?from=RSS_PRESS&uid=20100831-1112e Toshiba launches 24nm process NAND flash memory]</ref>
* तोशिबा ने घोषणा की कि वह 31 अगस्त, 2010 को 24 एनएम फ्लैश मेमोरी एनएएनडी उपकरणों की शिपिंग कर रहा है।<ref>[http://www.toshiba.co.jp/about/press/2010_08/pr3101.htm?from=RSS_PRESS&uid=20100831-1112e Toshiba launches 24nm process NAND flash memory]</ref>
*2016 में [[एमसीएसटी]] का 28 एनएम प्रोसेसर [[एल्ब्रस-8एस]] सीरियल प्रोडक्शन के लिए चला गया।<ref>{{cite web |title=The Russian 28-nm processor "Elbrus-8C" will go into production in 2016. |url=https://www.cnews.ru/news/top/rossijskij_28nm_protsessor_elbrus8s |access-date=7 September 2020}}</ref><ref>{{cite web |title="एल्ब्रस" पर एक और घरेलू डेटा स्टोरेज सिस्टम बनाया गया है|url=https://rossaprimavera.ru/news/d7e86147 |access-date=7 September 2020}}</ref>
*2016 में [[एमसीएसटी]] का 28 एनएम प्रोसेसर [[एल्ब्रस-8एस]] सीरियल प्रोडक्शन के लिए चला गया।<ref>{{cite web |title=The Russian 28-nm processor "Elbrus-8C" will go into production in 2016. |url=https://www.cnews.ru/news/top/rossijskij_28nm_protsessor_elbrus8s |access-date=7 September 2020}}</ref><ref>{{cite web |title="एल्ब्रस" पर एक और घरेलू डेटा स्टोरेज सिस्टम बनाया गया है|url=https://rossaprimavera.ru/news/d7e86147 |access-date=7 September 2020}}</ref>
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=== 22 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग करने वाले चिप्स ===
=== 22 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग करने वाले चिप्स ===
{{Main|22 nm process}}
{{Main|22 एनएम प्रक्रिया}}


* इंटेल के [[आइवी ब्रिज (माइक्रोआर्किटेक्चर)]] पर आधारित इंटेल कोर i7 और इंटेल कोर i5 प्रोसेसर श्रृंखला 7 चिप-सेट के लिए 22 एनएम प्रौद्योगिकी 23 अप्रैल, 2012 को दुनिया भर में बिक्री के लिए गई।<ref>[http://semiaccurate.com/2012/04/23/intel-launches-ivy-bridge-amid-crushing-marketing-buzzwords/ Intel launches Ivy Bridge...]</ref>
* इंटेल के [[आइवी ब्रिज (माइक्रोआर्किटेक्चर)]] पर आधारित इंटेल कोर i7 और इंटेल कोर i5 प्रोसेसर श्रृंखला 7 चिप-सेट के लिए 22 एनएम प्रौद्योगिकी 23 अप्रैल, 2012 को दुनिया भर में बिक्री के लिए गई।<ref>[http://semiaccurate.com/2012/04/23/intel-launches-ivy-bridge-amid-crushing-marketing-buzzwords/ Intel launches Ivy Bridge...]</ref>
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=== 20 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग कर चिप्स ===
=== 20 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग कर चिप्स ===
* सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने 64 का बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू किया{{nbsp}}2010 में 20 एनएम प्रक्रिया का उपयोग करते हुए गिबिबिट नंद फ्लैश मेमोरी चिप्स।<ref name="samsung-history">{{cite web |title=इतिहास|url=https://www.samsung.com/us/aboutsamsung/company/history/ |website=[[Samsung Electronics]] |publisher=[[Samsung]] |access-date=19 June 2019}}</ref>
* सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने 64 का बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू किया 2010 में 20 एनएम प्रक्रिया का उपयोग करते हुए गिबिबिट नंद फ्लैश मेमोरी चिप्स।<ref name="samsung-history">{{cite web |title=इतिहास|url=https://www.samsung.com/us/aboutsamsung/company/history/ |website=[[Samsung Electronics]] |publisher=[[Samsung]] |access-date=19 June 2019}}</ref>




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=== 14 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग कर चिप्स ===
=== 14 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग कर चिप्स ===
{{Main|14 nm process}}
{{Main|14 एनएम प्रक्रिया}}


* Intel की [[ब्रॉडवेल (माइक्रोआर्किटेक्चर)]] 14 nm तकनीक पर आधारित Intel Core i7 और Intel Core i5 प्रोसेसर जनवरी 2015 में लॉन्च किए गए थे।<ref>[http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1325057 EETimes Intel Rolls 14nm Broadwell in Vegas]</ref>
* Intel की [[ब्रॉडवेल (माइक्रोआर्किटेक्चर)]] 14 nm तकनीक पर आधारित Intel Core i7 और Intel Core i5 प्रोसेसर जनवरी 2015 में प्रक्षेपण  किए गए थे।<ref>[http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1325057 EETimes Intel Rolls 14nm Broadwell in Vegas]</ref>
* AMD के Zen (माइक्रोआर्किटेक्चर) या Zen+ आर्किटेक्चर पर आधारित [[AMD Ryzen]] प्रोसेसर और जो 14 nm FinFET तकनीक का उपयोग करता है।<ref>{{Cite web|url=http://tech4gizmos.com/amd-zen-architecture/|title=एएमडी ज़ेन वास्तुकला अवलोकन|date=2015-12-04|website=Tech4Gizmos|language=en-GB|access-date=2019-05-01}}</ref>
* AMD के Zen (माइक्रोआर्किटेक्चर) या Zen+ आर्किटेक्चर पर आधारित [[AMD Ryzen]] प्रोसेसर और जो 14 nm FinFET तकनीक का उपयोग करता है।<ref>{{Cite web|url=http://tech4gizmos.com/amd-zen-architecture/|title=एएमडी ज़ेन वास्तुकला अवलोकन|date=2015-12-04|website=Tech4Gizmos|language=en-GB|access-date=2019-05-01}}</ref>




===10 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग कर चिप्स ===
===10 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग कर चिप्स ===
{{Main|10 nm process}}
{{Main|10 एनएम प्रक्रिया}}


* [[ SAMSUNG ]] ने घोषणा की कि उसने 10 का उपयोग करके [[ बहु स्तरीय सेल ]] (एमएलसी) फ्लैश मेमोरी चिप्स का [[बड़े पैमाने पर उत्पादन]] शुरू कर दिया है{{nbsp}एनएम प्रक्रिया 2013 में।<ref name="tomshardware">{{cite news |title=Samsung Mass Producing 128Gb 3-bit MLC NAND Flash |url=https://www.tomshardware.co.uk/NAND-128Gb-Mass-Production-3-bit-MLC,news-43458.html |access-date=21 June 2019 |work=[[Tom's Hardware]] |date=11 April 2013}}</ref> 17 अक्टूबर 2016 को, सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने 10 एनएम पर चिप चिप्स पर सिस्टम के बड़े पैमाने पर उत्पादन की घोषणा की।<ref>{{citation |url=https://news.samsung.com/global/samsung-starts-industrys-first-mass-production-of-system-on-chip-with-10-nanometer-finfet-technology |title=Samsung Starts Industry's First Mass Production of System-on-Chip with 10-Nanometer FinFET Technology |date=Oct 2016}}</ref>
* [[ SAMSUNG ]] ने घोषणा की कि उसने 10 का उपयोग करके [[ बहु स्तरीय सेल ]] (एमएलसी) फ्लैश मेमोरी चिप्स का [[बड़े पैमाने पर उत्पादन]] शुरू कर दिया है{{nbsp}एनएम प्रक्रिया 2013 में।<ref name="tomshardware">{{cite news |title=Samsung Mass Producing 128Gb 3-bit MLC NAND Flash |url=https://www.tomshardware.co.uk/NAND-128Gb-Mass-Production-3-bit-MLC,news-43458.html |access-date=21 June 2019 |work=[[Tom's Hardware]] |date=11 April 2013}}</ref> 17 अक्टूबर 2016 को, सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने 10 एनएम पर चिप चिप्स पर सिस्टम के बड़े पैमाने पर उत्पादन की घोषणा की।<ref>{{citation |url=https://news.samsung.com/global/samsung-starts-industrys-first-mass-production-of-system-on-chip-with-10-nanometer-finfet-technology |title=Samsung Starts Industry's First Mass Production of System-on-Chip with 10-Nanometer FinFET Technology |date=Oct 2016}}</ref>
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=== 7 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग कर चिप्स ===
=== 7 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग कर चिप्स ===
{{Main|7 nm process}}
{{Main|7 एनएम प्रक्रिया}}


* TSMC ने अप्रैल 2017 में 7nm प्रक्रिया का उपयोग करके 256 Mbit SRAM मेमोरी चिप्स का जोखिम उत्पादन शुरू किया।<ref>{{cite web |title=7nm Technology |url=https://www.tsmc.com/english/dedicatedFoundry/technology/7nm.htm |publisher=[[TSMC]] |access-date=30 June 2019}}</ref>
* TSMC ने अप्रैल 2017 में 7nm प्रक्रिया का उपयोग करके 256 Mbit SRAM मेमोरी चिप्स का जोखिम उत्पादन शुरू किया।<ref>{{cite web |title=7nm Technology |url=https://www.tsmc.com/english/dedicatedFoundry/technology/7nm.htm |publisher=[[TSMC]] |access-date=30 June 2019}}</ref>
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=== 5 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग कर चिप्स ===
=== 5 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग कर चिप्स ===
{{Main|5 nm process}}
{{Main|5 एनएम प्रक्रिया}}


* सैमसंग ने 2018 के अंत में 5 एनएम चिप्स (5LPE) का उत्पादन शुरू किया।<ref>{{Cite web|url=https://www.anandtech.com/show/14231/samsung-completes-development-of-5-nm-euv-process-technology|title=Samsung Completes Development of 5nm EUV Process Technology|last=Shilov|first=Anton|website=www.anandtech.com|access-date=2019-05-31}}</ref>
* सैमसंग ने 2018 के अंत में 5 एनएम चिप्स (5LPE) का उत्पादन शुरू किया।<ref>{{Cite web|url=https://www.anandtech.com/show/14231/samsung-completes-development-of-5-nm-euv-process-technology|title=Samsung Completes Development of 5nm EUV Process Technology|last=Shilov|first=Anton|website=www.anandtech.com|access-date=2019-05-31}}</ref>
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=== 3 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग कर चिप्स ===
=== 3 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग कर चिप्स ===
{{Main|3 nm process}}
{{Main|3 एनएम प्रक्रिया}}


* TSMC ने 3 को रिलीज़ करने की योजना की घोषणा की है{{nbsp}}एनएम डिवाइस 2021–2022 के दौरान।<ref>{{cite news |title=TSMC Plans New Fab for 3nm |url=https://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1330971 |access-date=26 September 2019 |work=[[EE Times]] |date=12 December 2016}}</ref><ref>{{citation |url=https://www.tomshardware.com/news/samsung-3nm-gaafet-production-2021,38426.html |title=Samsung Plans Mass Production of 3nm GAAFET Chips in 2021 |first=Lucian |last=Armasu |date=11 January 2019 |work=[[Tom's Hardware]]}}</ref>
* TSMC ने 3 को रिलीज़ करने की योजना की घोषणा की है{{nbsp}}एनएम डिवाइस 2021–2022 के दौरान।<ref>{{cite news |title=TSMC Plans New Fab for 3nm |url=https://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1330971 |access-date=26 September 2019 |work=[[EE Times]] |date=12 December 2016}}</ref><ref>{{citation |url=https://www.tomshardware.com/news/samsung-3nm-gaafet-production-2021,38426.html |title=Samsung Plans Mass Production of 3nm GAAFET Chips in 2021 |first=Lucian |last=Armasu |date=11 January 2019 |work=[[Tom's Hardware]]}}</ref>

Revision as of 12:22, 14 June 2023

Semiconductor
device
fabrication
4-fach-NAND-C10.JPG
MOSFET scaling
(process nodes)
Future

विभिन्न धातु-ऑक्साइड-अर्धचालक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (मोसफेट, या एमओएस ट्रांजिस्टर) सेमीकंडक्टर निर्माण प्रक्रिया नोड्स के लिए सूचीबद्ध अनेक सेमीकंडक्टर मोसफेट स्केलिंग के उदाहरण हैं।

मोसफेट प्रदर्शनों की समयरेखा

See also: मोसफेट, सेमीकंडक्टर यंत्र का निर्माण, and ट्रांजिस्टर घनत्व

पीएमओएस और एनएमओएस

मोसफेट (पीएमओएस और एनएमओएस) स्पष्टीकरण
Date Channel length Oxide thickness[1] मोसफेट logic Researcher(s) Organization Ref
June 1960 20,000 nm 100 nm PMOS Mohamed M. Atalla, Dawon Kahng Bell Telephone Laboratories [2][3]
NMOS
10,000 nm 100 nm PMOS Mohamed M. Atalla, Dawon Kahng Bell Telephone Laboratories [4]
NMOS
May 1965 8,000 nm 150 nm NMOS Chih-Tang Sah, Otto Leistiko, A.S. Grove Fairchild Semiconductor [5]
5,000 nm 170 nm PMOS
December 1972 1,000 nm ? PMOS Robert H. Dennard, Fritz H. Gaensslen, Hwa-Nien Yu IBM T.J. Watson Research Center [6][7][8]
1973 7,500 nm ? NMOS Sohichi Suzuki NEC [9][10]
6,000 nm ? PMOS ? Toshiba [11][12]
October 1974 1,000 nm 35 nm NMOS Robert H. Dennard, Fritz H. Gaensslen, Hwa-Nien Yu IBM T.J. Watson Research Center [13]
500 nm
September 1975 1,500 nm 20 nm NMOS Ryoichi Hori, Hiroo Masuda, Osamu Minato Hitachi [7][14]
March 1976 3,000 nm ? NMOS ? Intel [15]
April 1979 1,000 nm 25 nm NMOS William R. Hunter, L. M. Ephrath, Alice Cramer IBM T.J. Watson Research Center [16]
December 1984 100 nm 5 nm NMOS Toshio Kobayashi, Seiji Horiguchi, K. Kiuchi Nippon Telegraph and Telephone [17]
December 1985 150 nm 2.5 nm NMOS Toshio Kobayashi, Seiji Horiguchi, M. Miyake, M. Oda Nippon Telegraph and Telephone [18]
75 nm ? NMOS Stephen Y. Chou, Henry I. Smith, Dimitri A. Antoniadis MIT [19]
January 1986 60 nm ? NMOS Stephen Y. Chou, Henry I. Smith, Dimitri A. Antoniadis MIT [20]
June 1987 200 nm 3.5 nm PMOS Toshio Kobayashi, M. Miyake, K. Deguchi Nippon Telegraph and Telephone [21]
December 1993 40 nm ? NMOS Mizuki Ono, Masanobu Saito, Takashi Yoshitomi Toshiba [22]
September 1996 16 nm ? PMOS Hisao Kawaura, Toshitsugu Sakamoto, Toshio Baba NEC [23]
June 1998 50 nm 1.3 nm NMOS Khaled Z. Ahmed, Effiong E. Ibok, Miryeong Song Advanced Micro Devices (AMD) [24][25]
December 2002 6 nm ? PMOS Bruce Doris, Omer Dokumaci, Meikei Ieong IBM [26][27][28]
December 2003 3 nm ? PMOS Hitoshi Wakabayashi, Shigeharu Yamagami NEC [29][27]
? NMOS


सीएमओएस (धातु-मार्ग)

पूरक मोसफेट (सीएमओएस) स्पष्टीकरण (धातु-मार्ग)
Date Channel length Oxide thickness[1] Researcher(s) Organization Ref
February 1963 ? ? Chih-Tang Sah, Frank Wanlass Fairchild Semiconductor [30][31]
1968 20,000 nm 100 nm ? RCA Laboratories [32]
1970 10,000 nm 100 nm ? RCA Laboratories [32]
December 1976 2,000 nm ? A. Aitken, R.G. Poulsen, A.T.P. MacArthur, J.J. White Mitel Semiconductor [33]
February 1978 3,000 nm ? Toshiaki Masuhara, Osamu Minato, Toshio Sasaki, Yoshio Sakai Hitachi Central Research Laboratory [34][35][36]
February 1983 1,200 nm 25 nm R.J.C. Chwang, M. Choi, D. Creek, S. Stern, P.H. Pelley Intel [37][38]
900 nm 15 nm Tsuneo Mano, J. Yamada, Junichi Inoue, S. Nakajima Nippon Telegraph and Telephone (NTT) [37][39]
December 1983 1,000 nm 22.5 nm G.J. Hu, Yuan Taur, Robert H. Dennard, Chung-Yu Ting IBM T.J. Watson Research Center [40]
February 1987 800 nm 17 nm T. Sumi, Tsuneo Taniguchi, Mikio Kishimoto, Hiroshige Hirano Matsushita [37][41]
700 nm 12 nm Tsuneo Mano, J. Yamada, Junichi Inoue, S. Nakajima Nippon Telegraph and Telephone (NTT) [37][42]
September 1987 500 nm 12.5 nm Hussein I. Hanafi, Robert H. Dennard, Yuan Taur, Nadim F. Haddad IBM T.J. Watson Research Center [43]
December 1987 250 nm ? Naoki Kasai, Nobuhiro Endo, Hiroshi Kitajima NEC [44]
February 1988 400 nm 10 nm M. Inoue, H. Kotani, T. Yamada, Hiroyuki Yamauchi Matsushita [37][45]
December 1990 100 nm ? Ghavam G. Shahidi, Bijan Davari, Yuan Taur, James D. Warnock IBM T.J. Watson Research Center [46]
1993 350 nm ? ? Sony [47]
1996 150 nm ? ? Mitsubishi Electric
1998 180 nm ? ? TSMC [48]
December 2003 5 nm ? Hitoshi Wakabayashi, Shigeharu Yamagami, Nobuyuki Ikezawa NEC [29][49]


बहु-मार्ग मोसफेट (एमयूज़ीऍफ़ईटी)

बहु-मार्ग मोसफेट (एमयूज़ीऍफ़ईटी) स्पष्टीकरण
Date Channel length MuGFET type Researcher(s) Organization Ref
August 1984 ? DGMOS Toshihiro Sekigawa, Yutaka Hayashi Electrotechnical Laboratory (ETL) [50]
1987 2,000 nm DGMOS Toshihiro Sekigawa Electrotechnical Laboratory (ETL) [51]
December 1988 250 nm DGMOS Bijan Davari, Wen-Hsing Chang, Matthew R. Wordeman, C.S. Oh IBM T.J. Watson Research Center [52][53]
180 nm
? GAAFET Fujio Masuoka, Hiroshi Takato, Kazumasa Sunouchi, N. Okabe Toshiba [54][55][56]
December 1989 200 nm FinFET Digh Hisamoto, Toru Kaga, Yoshifumi Kawamoto, Eiji Takeda Hitachi Central Research Laboratory [57][58][59]
December 1998 17 nm FinFET Digh Hisamoto, Chenming Hu, Tsu-Jae King Liu, Jeffrey Bokor University of California (Berkeley) [60][61]
2001 15 nm FinFET Chenming Hu, Yang‐Kyu Choi, Nick Lindert, Tsu-Jae King Liu University of California (Berkeley) [60][62]
December 2002 10 nm FinFET Shibly Ahmed, Scott Bell, Cyrus Tabery, Jeffrey Bokor University of California (Berkeley) [60][63]
June 2006 3 nm GAAFET Hyunjin Lee, Yang-kyu Choi, Lee-Eun Yu, Seong-Wan Ryu KAIST [64][65]


अन्य प्रकार के मोसफेट

मोसफेट स्पष्टीकरण (अन्य प्रकार)
Date Channel
length
(nm) 		Oxide
thickness
(nm)[1] 		मोसफेट
type 		Researcher(s) Organization Ref
October 1962 ? ? TFT Paul K. Weimer RCA Laboratories [66][67]
1965 ? ? GaAs H. Becke, R. Hall, J. White RCA Laboratories [68]
October 1966 100,000 100 TFT T.P. Brody, H.E. Kunig Westinghouse Electric [69][70]
August 1967 ? ? FGMOS Dawon Kahng, Simon Min Sze Bell Telephone Laboratories [71]
October 1967 ? ? MNOS H.A. Richard Wegener, A.J. Lincoln, H.C. Pao Sperry Corporation [72]
July 1968 ? ? BiMOS Hung-Chang Lin, Ramachandra R. Iyer Westinghouse Electric [73][74]
October 1968 ? ? BiCMOS Hung-Chang Lin, Ramachandra R. Iyer, C.T. Ho Westinghouse Electric [75][74]
1969 ? ? VMOS ? Hitachi [76][77]
September 1969 ? ? DMOS Y. Tarui, Y. Hayashi, Toshihiro Sekigawa Electrotechnical Laboratory (ETL) [78][79]
October 1970 ? ? ISFET Piet Bergveld University of Twente [80][81]
October 1970 1000 ? DMOS Y. Tarui, Y. Hayashi, Toshihiro Sekigawa Electrotechnical Laboratory (ETL) [82]
1977 ? ? VDMOS John Louis Moll HP Labs [76]
? ? LDMOS ? Hitachi [83]
July 1979 ? ? IGBT Bantval Jayant Baliga, Margaret Lazeri General Electric [84]
December 1984 2000 ? BiCMOS H. Higuchi, Goro Kitsukawa, Takahide Ikeda, Y. Nishio Hitachi [85]
May 1985 300 ? ? K. Deguchi, Kazuhiko Komatsu, M. Miyake, H. Namatsu Nippon Telegraph and Telephone [86]
February 1985 1000 ? BiCMOS H. Momose, Hideki Shibata, S. Saitoh, Jun-ichi Miyamoto Toshiba [87]
November 1986 90 8.3 ? Han-Sheng Lee, L.C. Puzio General Motors [88]
December 1986 60 ? ? Ghavam G. Shahidi, Dimitri A. Antoniadis, Henry I. Smith MIT [89][20]
May 1987 ? 10 ? Bijan Davari, Chung-Yu Ting, Kie Y. Ahn, S. Basavaiah IBM T.J. Watson Research Center [90]
December 1987 800 ? BiCMOS Robert H. Havemann, R. E. Eklund, Hiep V. Tran Texas Instruments [91]
June 1997 30 ? EJ-MOSFET Hisao Kawaura, Toshitsugu Sakamoto, Toshio Baba NEC [92]
1998 32 ? ? ? NEC [27]
1999 8 ? ? ?
April 2000 8 ? EJ-MOSFET Hisao Kawaura, Toshitsugu Sakamoto, Toshio Baba NEC [93]

<अनुभाग अंत = प्रदर्शन />

== माइक्रो-स्केल मोसफेटs == का उपयोग कर वाणिज्यिक उत्पाद

20 माइक्रोन निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद


10 सुक्ष्ममापी निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद

Main article: 10 µm process

8 μm निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद


6 सुक्ष्ममापी निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद

Main article: 6 µm process


3 μm निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद

Main article: 3 µm process
  • इंटेल 8085 सीपीयू 1976 में प्रक्षेपण हुआ।[97] * इंटेल 8086 सीपीयू 1978 में प्रक्षेपण हुआ।[95]* इंटेल 8088 सीपीयू 1979 में प्रक्षेपण हुआ।
  • मोटोरोला 68000 8 मेगाहर्ट्ज सीपीयू 1979 में प्रक्षेपण किया गया (3.5 माइक्रोमीटर)।

1.5 माइक्रोन निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद

Main article: 1.5 µm process


1 माइक्रोमीटर निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद

Main article: 1 µm process

800 एनएम निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद

Main article: 800 एनएम प्रक्रिया
  • निप्पॉन टेलीग्राफ और टेलीफोन 1{{nbsp}1984 में एमबी डीआरएएम मेमोरी चिप।[37]* एनईसी और तोशिबा ने अपने 4 के लिए इस प्रक्रिया का इस्तेमाल किया{{nbsp}1986 में एमबी डीआरएएम मेमोरी चिप्स।[47]* Hitachi , आईबीएम, PANASONIC और मित्सुबिशी इलेक्ट्रिक ने अपने 4 के लिए इस प्रक्रिया का इस्तेमाल किया{{nbsp}1987 में एमबी डीआरएएम मेमोरी चिप्स।[37]* टोबा का 4{{nbsp}एमबी EPROM मेमोरी चिप 1987 में।[47]* हिताची, मित्सुबिशी और तोशिबा ने अपने 1 के लिए इस प्रक्रिया का इस्तेमाल किया{{nbsp}1987 में एमबी स्टेटिक रैंडम-अभिगम मेमोरी चिप्स।[47]* इंटेल 80486 सीपीयू 1989 में प्रक्षेपण हुआ।
  • microSPARC 1992 में प्रक्षेपण हुआ।
  • 1993 में 60 मेगाहर्ट्ज और 66 मेगाहर्ट्ज पर प्रथम इंटेल पी5 (माइक्रोआर्किटेक्चर)#पी5 पेंटियम सीपीयू प्रक्षेपण किया गया।

600 एनएम निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद

Main article: 600 एनएम प्रक्रिया
  • मित्सुबिशी इलेक्ट्रिक, तोशिबा और एनईसी ने 16 पेश किए{{nbsp}600 के साथ निर्मित एमबी डीआरएएम मेमोरी चिप्स{{nbsp}1989 में एनएम प्रक्रिया।[47]* एनईसी के 16{{nbsp}एमबी EPROM मेमोरी चिप 1990 में।[47]* मित्सुबिशी के 16{{nbsp}एमबी फ्लैश मेमोरी चिप 1991 में।[47]* इंटेल 80486DX4 CPU 1994 में प्रक्षेपण हुआ।
  • IBM/Motorola PowerPC 601, पहली PowerPC चिप का उत्पादन 0.6 μm में किया गया था।
  • 75 मेगाहर्ट्ज, 90 मेगाहर्ट्ज और 100 मेगाहर्ट्ज पर इंटेल इंटेल P5 सीपीयू।

350 एनएम निर्माण प्रक्रिया की विशेषता वाले उत्पाद

Main article: 350 एनएम प्रक्रिया


250 एनएम निर्माण प्रक्रिया वाले उत्पाद

Main article: 250 एनएम प्रक्रिया
  • हिताची के 16{{nbsp}1993 में एमबी एसआरएएम मेमोरी चिप।[47]* हिताची और एनईसी ने 256 पेश किए{{nbsp}1993 में इस प्रक्रिया के साथ Mb DRAM मेमोरी चिप्स का निर्माण किया गया, इसके बाद 1994 में पैनासोनिक, मित्सुबिशी इलेक्ट्रिक और ओकी इलेक्ट्रिक उद्योग का निर्माण किया गया।[47]* एनईसी 1{{nbsp}1995 में गिबिबाइट डीआरएएम मेमोरी चिप।[47]* हिताची के 128{{nbsp}1996 में एमबी नैंड फ्लैश मेमोरी चिप।[47]* DEC Alpha 21264A, जिसे 1999 में व्यावसायिक रूप से उपलब्ध कराया गया था।
  • AMD K6-2 चॉपर और चॉपर एक्सटेंडेड। चॉपर को 28 मई 1998 को रिलीज़ किया गया था।
  • AMD K6-III शार्पटूथ ने 250 एनएम का इस्तेमाल किया।
  • मोबाइल पेंटियम MMX P5 (माइक्रोआर्किटेक्चर)#P55C, तिलमूक, अगस्त 1997 में जारी किया गया।
  • पेंटियम II डिसच्यूट्स (माइक्रोप्रोसेसर)।
  • कलाकारों का सपना कंसोल का हिताची एसएच-4 CPU और PowerVR#Series2 (NEC) GPU, 1998 में जारी किया गया।
  • पेंटियम III कटमई (माइक्रोप्रोसेसर)।
  • आरंभिक PlayStation 2 का इमोशन इंजन CPU।

180 एनएम निर्माण प्रौद्योगिकी का उपयोग करने वाले प्रोसेसर

Main article: 180 एनएम प्रक्रिया

130 एनएम विनिर्माण प्रौद्योगिकी का उपयोग करने वाले प्रोसेसर

Main article: 130 एनएम प्रक्रिया
  • फुजित्सु स्पा RC64 V - 2001[101]
  • आईबीएम और Nintendo (खेल घन कंसोल) द्वारा गेको (माइक्रोप्रोसेसर) - 2001
  • मोटोरोला पावरपीसी जी4#पावरपीसी 7447 और 7457 - 2002
  • IBM PowerPC G5#PowerPC 970 - अक्टूबर 2002 - जून 2003
  • Intel Pentium III Tualatin (माइक्रोप्रोसेसर) और कॉपरमाइन (माइक्रोप्रोसेसर) - 2001-04
  • Intel Celeron Tualatin (माइक्रोप्रोसेसर)-256 – 2001-10-02
  • इंटेल पेंटियम एम बनियास (माइक्रोप्रोसेसर) - 2003-03-12
  • इंटेल पेंटियम 4 नॉर्थवुड- 2002-01-07
  • इंटेल सेलेरॉन नॉर्थवुड-128 - 2002-09-18
  • इंटेल जिऑन प्रेस्टनिया और गैलैटिन - 25-02-2002
  • VIA C3 - 2001
  • एएमडी एथलॉन एक्सपी थोरब्रेड, थॉर्टन और बार्टन
  • एएमडी एथलॉन एमपी थोरब्रेड - 2002-08-27
  • एएमडी एथलॉन एक्सपी-एम थोरब्रेड, बार्टन और डबलिन
  • एएमडी ड्यूरॉन ऐप्पलब्रेड - 2003-08-21
  • AMD K7 Sempron ख़ालिस-बी, थॉर्टन, और बार्टन - 2004-07-28
  • AMD K8 Sempron पेरिस - 2004-07-28
  • एएमडी एथलॉन 64 क्लॉहैमर और न्यूकैसल - 23-09-2003
  • एएमडी ओपर्टन स्लेजहैमर - 2003-06-30
  • एल्ब्रस 2000 1891ВМ4Я (1891VM4YA) - 2008-04-27 [1]
  • MCST-R500S 1891BM3 - 2008-07-27 [2]
  • भंवर 86SX - [3]

== नैनो-स्केल मोसफेटs == का उपयोग कर वाणिज्यिक उत्पाद

See also: Nanoelectronics and Nanocircuitry

90 एनएम विनिर्माण प्रौद्योगिकी का उपयोग कर चिप्स

Main article: 90 एनएम प्रक्रिया
  • सोनी-तोशिबा इमोशन इंजन+प्लेस्टेशन 2 तकनीकी विनिर्देश (प्लेस्टेशन 2) - 2003[100]* IBM PowerPC G5#PowerPC 970FX - 2004
  • Elpida मेमोरी का 90 नैनोमीटर#उदाहरण: Elpida 90nm DDR2 SDRAM प्रक्रिया – 2005
  • IBM PowerPC G5#PowerPC 970MP - 2005
  • IBM PowerPC G5#PowerPC 970GX - 2005
  • IBM Xenon (प्रोसेसर) Xbox 360 प्रोसेसर - 2005
  • आईबीएम-सोनी-तोशिबा सेल (माइक्रोप्रोसेसर) - 2005
  • इंटेल पेंटियम 4 प्रेस्कॉट - 2004-02
  • इंटेल सेलेरॉन डी प्रेस्कॉट-256 - 2004-05
  • इंटेल पेंटियम एम डोथन (माइक्रोप्रोसेसर) - 2004-05
  • इंटेल सेलेरॉन एम डोथन (माइक्रोप्रोसेसर) -1024 - 2004-08
  • इंटेल झियोन नोकोना, इरविंडेल, क्रैनफोर्ड, पोटोमैक, पैक्सविले - 2004-06
  • इंटेल पेंटियम डी स्मिथक्षेत्र - 2005-05
  • AMD Athlon 64 विनचेस्टर, वेनिस, सैन डिएगो, ऑरलियन्स - 2004-10
  • AMD Athlon 64 X2 मैनचेस्टर, टोलेडो, विंडसर - 2005-05
  • एएमडी सेमप्रॉन पलेर्मो और मनीला - 2004-08
  • AMD Turion 64 Lancaster और Richmond - 2005-03
  • AMD Turion 64 X2 टेलर और त्रिनिदाद - 2006-05
  • एएमडी ओपर्टन वीनस, ट्रॉय और एथेंस - 2005-08
  • एएमडी डुअल-कोर ओपर्टन डेनमार्क, इटली, मिस्र, सांता एना और सांता रोजा
  • VIA C7 - 2005-05
  • लूंगसन (गॉडसन) लूंगसन#लूंगसन माइक्रोप्रोसेसर विनिर्देश|2E STLS2E02 - 2007-04
  • लूंगसन (गॉडसन) लूंगसन#लूंगसन माइक्रोप्रोसेसर विनिर्देश STLS2F02 - 2008-07
  • एमसीएसटी-4आर - 2010-12
  • एल्ब्रस-2सी+ - 2011-11

65 एनएम निर्माण प्रौद्योगिकी का उपयोग करने वाले प्रोसेसर

Main article: 65 एनएम प्रक्रिया

45 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग करने वाले प्रोसेसर

Main article: 45 एनएम प्रक्रिया

32 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग कर चिप्स

Main article: 32 एनएम प्रक्रिया
  • तोशिबा ने कमर्शियल 32 का निर्माण किया{{nbsp}32 के साथ उसे जाना होगा नंद फ्लैश मेमोरी चिप्स{{nbsp}एनएम प्रक्रिया 2009 में।[106]
  • जनवरी 2010 में जारी इंटेल कोर i3 और i5 प्रोसेसर[107]
  • इंटेल 6-कोर प्रोसेसर, कोडनेम गल्फटाउन (माइक्रोप्रोसेसर)[108]
  • Intel i7-970, जुलाई 2010 के अंत में जारी किया गया था, जिसकी कीमत लगभग US$900 थी
  • एएमडी एफएक्स सीरीज प्रोसेसर, कोडनेम ज़म्बेजी और एएमडी के बुलडोजर (माइक्रोआर्किटेक्चर) आर्किटेक्चर पर आधारित, अक्टूबर 2011 में जारी किए गए थे। तकनीक में 32 एनएम एसओआई प्रक्रिया, प्रति मॉड्यूल दो सीपीयू कोर, और क्वाड-से लेकर चार मॉड्यूल तक का उपयोग किया गया था। कोर डिज़ाइन की लागत लगभग US$130 से $280 आठ-कोर डिज़ाइन तक है।
  • अंबरेला इंक. ने सितंबर 2011 में 1080p60 हाई-डेफिनिशन वीडियो क्षमता प्रदान करते हुए डिजिटल स्टिल कैमरों के लिए A7L सिस्टम- on- एक चिप सर्किट की उपलब्धता की घोषणा की[109]


24–28 nm तकनीक का उपयोग करने वाले चिप्स

  • एसके हाइनिक्स ने घोषणा की कि वह 64 जीबी क्षमता के साथ 26 एनएम फ्लैश चिप का उत्पादन कर सकता है; इंटेल कॉर्प और माइक्रोन प्रौद्योगिकी ने तब तक स्वयं तकनीक विकसित कर ली थी। 2010 में घोषित।[110]
  • तोशिबा ने घोषणा की कि वह 31 अगस्त, 2010 को 24 एनएम फ्लैश मेमोरी एनएएनडी उपकरणों की शिपिंग कर रहा है।[111]
  • 2016 में एमसीएसटी का 28 एनएम प्रोसेसर एल्ब्रस-8एस सीरियल प्रोडक्शन के लिए चला गया।[112][113]


22 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग करने वाले चिप्स

Main article: 22 एनएम प्रक्रिया
  • इंटेल के आइवी ब्रिज (माइक्रोआर्किटेक्चर) पर आधारित इंटेल कोर i7 और इंटेल कोर i5 प्रोसेसर श्रृंखला 7 चिप-सेट के लिए 22 एनएम प्रौद्योगिकी 23 अप्रैल, 2012 को दुनिया भर में बिक्री के लिए गई।[114]


20 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग कर चिप्स

  • सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने 64 का बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू किया 2010 में 20 एनएम प्रक्रिया का उपयोग करते हुए गिबिबिट नंद फ्लैश मेमोरी चिप्स।[115]


16 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग करने वाले चिप्स

  • TSMC ने सबसे पहले 16 को शुरू किया{{nbsp}एनएम FinFET चिप उत्पादन 2013 में।[116]


14 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग कर चिप्स

Main article: 14 एनएम प्रक्रिया
  • Intel की ब्रॉडवेल (माइक्रोआर्किटेक्चर) 14 nm तकनीक पर आधारित Intel Core i7 और Intel Core i5 प्रोसेसर जनवरी 2015 में प्रक्षेपण किए गए थे।[117]
  • AMD के Zen (माइक्रोआर्किटेक्चर) या Zen+ आर्किटेक्चर पर आधारित AMD Ryzen प्रोसेसर और जो 14 nm FinFET तकनीक का उपयोग करता है।[118]


10 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग कर चिप्स

Main article: 10 एनएम प्रक्रिया
  • SAMSUNG ने घोषणा की कि उसने 10 का उपयोग करके बहु स्तरीय सेल (एमएलसी) फ्लैश मेमोरी चिप्स का बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू कर दिया है{{nbsp}एनएम प्रक्रिया 2013 में।[119] 17 अक्टूबर 2016 को, सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने 10 एनएम पर चिप चिप्स पर सिस्टम के बड़े पैमाने पर उत्पादन की घोषणा की।[120]
  • TSMC ने 2017 की शुरुआत में बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू करने से पहले, 2016 की शुरुआत में 10 एनएम चिप्स का व्यावसायिक उत्पादन शुरू किया।[121]
  • सैमसंग ने अप्रैल 2017 में कंपनी के 10 एनएम प्रोसेसर का उपयोग करके गैलेक्सी एस 8 स्मार्टफोन की शिपिंग शुरू की।[122]
  • Apple Inc. ने जून 2017 में 10 nm FinFET प्रक्रिया का उपयोग करके TSMC द्वारा निर्मित Apple A10X चिप्स के साथ संचालित दूसरी पीढ़ी के iPad Pro टैबलेट वितरित किए।[123]


7 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग कर चिप्स

Main article: 7 एनएम प्रक्रिया
  • TSMC ने अप्रैल 2017 में 7nm प्रक्रिया का उपयोग करके 256 Mbit SRAM मेमोरी चिप्स का जोखिम उत्पादन शुरू किया।[124]
  • सैमसंग और TSMC ने 2018 में 7 एनएम उपकरणों का बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू किया।[125]
  • Apple A12 और Huawei HiSilicon#Kirin 980 मोबाइल प्रोसेसर, दोनों 2018 में जारी किए गए, TSMC द्वारा निर्मित 7 एनएम चिप्स का उपयोग करते हैं।[126]
  • AMD ने नवंबर 2018 में Vega 20 GPU के साथ TSMC 7 nm का उपयोग करना शुरू किया,[127] जुलाई 2019 से ज़ेन 2-आधारित सीपीयू और एपीयू के साथ,[128] और प्लेस्टेशन 5 दोनों के लिए [129] और एक्सबॉक्स सीरीज एक्स/एस [130] कंसोल के APU, दोनों को नवंबर 2020 में रिलीज़ किया गया।

5 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग कर चिप्स

Main article: 5 एनएम प्रक्रिया
  • सैमसंग ने 2018 के अंत में 5 एनएम चिप्स (5LPE) का उत्पादन शुरू किया।[131]
  • TSMC ने अप्रैल 2019 में 5 एनएम चिप्स (CLN5FF) का उत्पादन शुरू किया।[132]


3 एनएम प्रौद्योगिकी का उपयोग कर चिप्स

Main article: 3 एनएम प्रक्रिया
  • TSMC ने 3 को रिलीज़ करने की योजना की घोषणा की है एनएम डिवाइस 2021–2022 के दौरान।[133][134]
  • सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने 2022 के जून में 3 एनएम जीएएएफईटी ट्रांजिस्टर का जोखिम उत्पादन शुरू कर दिया है।[135]


यह भी देखें

  • फाउंड्री मॉडल
  • एमओएसएफईटी
  • सेमीकंडक्टर डिवाइस निर्माण
  • ट्रांजिस्टर गिनती

संदर्भ

  1. ↑ 1.0 1.1 1.2 "Angstrom". Collins English Dictionary. Retrieved 2019-03-02.
  2. ↑ Sze, Simon M. (2002). Semiconductor Devices: Physics and Technology (PDF) (2nd ed.). Wiley. p. 4. ISBN 0-471-33372-7.
  3. ↑ Atalla, Mohamed M.; Kahng, Dawon (June 1960). "Silicon–silicon dioxide field induced surface devices". IRE-AIEE Solid State Device Research Conference. Carnegie Mellon University Press.
  4. ↑ Voinigescu, Sorin (2013). High-Frequency Integrated Circuits. Cambridge University Press. p. 164. ISBN 9780521873024.
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  10. ↑ "NEC 751 (uCOM-4)". The Antique Chip Collector's Page. Archived from the original on 2011-05-25. Retrieved 2010-06-11.
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