बोरॉन आर्सेनाइड: Difference between revisions

From Vigyanwiki
No edit summary
No edit summary
Line 1: Line 1:
{{Chembox
{{Chembox
| verifiedrevid = 428779018
| verifiedrevid = 428779018
| Name = Boron arsenide
| Name = बोरोन आर्सेनाइड
| ImageFile = Boron-arsenide-unit-cell-1963-CM-3D-balls.png
| ImageFile = Boron-arsenide-unit-cell-1963-CM-3D-balls.png
| ImageCaption =  
| ImageCaption =  
Line 53: Line 53:
{{Chembox
{{Chembox
| verifiedrevid =  
| verifiedrevid =  
| Name = Boron subarsenide
| Name = बोरोन सबार्सेनाइड
| ImageFile = B12As2_3D_side_view.jpg
| ImageFile = B12As2_3D_side_view.jpg
| ImageCaption =  
| ImageCaption =  
Line 94: Line 94:
  }}
  }}
}}
}}
बोरॉन आर्सेनाइड (या [[ हरताल |हरताल]] बोराइड) रासायनिक यौगिक है जिसमें बोरॉन और आर्सेनिक शामिल है, आमतौर पर [[रासायनिक सूत्र]] बीए के साथ। अन्य बोरॉन आर्सेनाइड यौगिकों को जाना जाता है, जैसे कि सबरसेनाइड {{chem2|B12As2}}. क्यूबिक बीए का रासायनिक संश्लेषण बहुत चुनौतीपूर्ण है और इसके एकल क्रिस्टल रूपों में आमतौर पर दोष होते हैं।<ref name=BAsScience/>
बोरॉन आर्सेनाइड (या [[ हरताल |हरताल]] बोराइड) रासायनिक यौगिक है जिसमें बोरॉन और आर्सेनिक सम्मिलित है, सामान्यतः [[रासायनिक सूत्र]] बीए के साथ अन्य बोरॉन आर्सेनाइड यौगिकों को जाना जाता है, जैसे कि सबरसेनाइड {{chem2|B12As2}}. क्यूबिक बीए का रासायनिक संश्लेषण बहुत चुनौतीपूर्ण है और इसके एकल क्रिस्टल रूपों में सामान्यतः दोष होते हैं।<ref name="BAsScience">{{cite journal|doi=10.1126/science.aat5522|title=बोरॉन आर्सेनाइड में उच्च तापीय चालकता का प्रायोगिक अवलोकन|journal=Science|year = 2018|volume=361|issue=6402|pages=575–578|last1=Kang|first1=J.|last2=Li|first2=M.|last3=Wu|first3=H.|last4=Nguyen|first4=H.|last5=Hu|first5=Y.|pmid=29976798|doi-access=free|bibcode=2018Sci...361..575K}}</ref>




== गुण                                                                                                                                                                ==
== गुण                                                                                                                                                                ==
BAs III-V [[ अर्धचालक |अर्धचालक]] |III-V परिवार में 0.4777 nm के जाली स्थिरांक और 1.82 eV के [[अप्रत्यक्ष बैंडगैप]] के साथ क्यूबिक ([[sphalerite]]) सेमीकंडक्टर है।<ref name=basic/>क्यूबिक बीए को सबरसेनाइड बी में विघटित होने की सूचना है<sub>12</sub>जैसा<sub>2</sub> 920 डिग्री सेल्सियस से ऊपर के तापमान पर।<ref>{{cite journal|doi=10.1149/1.2401826|title=बोरॉन आर्सेनाइड फिल्म्स की तैयारी और गुण|journal=Journal of the Electrochemical Society|volume=121|issue=3|pages=412|year=1974|last1=Chu|first1=T. L|last2=Hyslop|first2=A. E|bibcode=1974JElS..121..412C}}</ref> बोरॉन आर्सेनाइड का गलनांक 2076 °C होता है। BA की तापीय चालकता बहुत अधिक है: लगभग 1300 W/(m·K) 300 K पर।<ref name=BAsScience>{{cite journal|doi=10.1126/science.aat5522|title=बोरॉन आर्सेनाइड में उच्च तापीय चालकता का प्रायोगिक अवलोकन|journal=Science|year = 2018|volume=361|issue=6402|pages=575–578|last1=Kang|first1=J.|last2=Li|first2=M.|last3=Wu|first3=H.|last4=Nguyen|first4=H.|last5=Hu|first5=Y.|pmid=29976798|doi-access=free|bibcode=2018Sci...361..575K}}</ref>
बीएएस III-V [[ अर्धचालक |अर्धचालक]] वर्ग में 0.4777 nm के जाली स्थिरांक और 1.82 eV के [[अप्रत्यक्ष बैंडगैप]] के साथ क्यूबिक ([[sphalerite|स्पैलराइट]]) अर्धचालक है।<ref name=basic/> बताया गया है कि क्यूबिक बीए 920 डिग्री सेल्सियस से ऊपर के तापमान पर सबार्सेनाइड {{chem2|B12As2}} में विघटित हो जाता है।<ref>{{cite journal|doi=10.1149/1.2401826|title=बोरॉन आर्सेनाइड फिल्म्स की तैयारी और गुण|journal=Journal of the Electrochemical Society|volume=121|issue=3|pages=412|year=1974|last1=Chu|first1=T. L|last2=Hyslop|first2=A. E|bibcode=1974JElS..121..412C}}</ref> बोरॉन आर्सेनाइड का गलनांक 2076°C होता है। 300 K पर बीएएस की तापीय चालकता 1300 W/(m·K) के आसपास बहुत अधिक है <ref name="BAsScience" />
क्यूबिक बीए के बुनियादी भौतिक गुणों को प्रयोगात्मक रूप से मापा गया है:<ref name=basic>{{cite journal|doi=10.1063/1.5116025|arxiv=1911.11281|title=क्यूबिक बोरान आर्सेनाइड के बुनियादी भौतिक गुण|journal=Applied Physics Letters|volume=115|issue=12|pages=122103|year=2019|last1=Kang|first1=Joon Sang|last2=Li|first2=Man|last3=Wu|first3=Huan|last4=Nguyen|first4=Huuduy|last5=Hu|first5=Yongjie|bibcode=2019ApPhL.115l2103K|s2cid=204184925}}</ref> बैंड गैप (1.82 eV), ऑप्टिकल अपवर्तक सूचकांक (3.29 तरंग दैर्ध्य 657 एनएम), लोचदार मापांक (326 GPa), कतरनी मापांक, पॉसों का अनुपात, थर्मल विस्तार गुणांक (3.85×10)<sup>-6</sup>/के), और ताप क्षमता। यह त्रिगुट और चतुर्धातुक अर्धचालकों का उत्पादन करने के लिए [[गैलियम आर्सेनाइड]] के साथ मिश्रित किया जा सकता है।<ref name="APL2000">{{cite journal|doi=10.1063/1.126058|title=गॉस के साथ मेल खाने वाले एलॉय लैड्स शुरू करता है|journal=Applied Physics Letters|volume=76|issue=11|pages=1443|year=2000|last1=Geisz|first1=J. F|last2=Friedman|first2=D. J|last3=Olson|first3=J. M|last4=Kurtz|first4=Sarah R|author4-link= Sarah Kurtz |last5=Reedy|first5=R. C|last6=Swartzlander|first6=A. B|last7=Keyes|first7=B. M|last8=Norman|first8=A. G|bibcode=2000ApPhL..76.1443G}}</ref>
बीए में उच्च इलेक्ट्रॉन और छेद की गतिशीलता है,> 1000 सेमी<sup>2</sup>/V/सेकंड, सिलिकॉन के विपरीत जिसमें उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता है, लेकिन कम छिद्र गतिशीलता है।<ref>{{Cite journal |last1=Shin |first1=Jungwoo |last2=Gamage |first2=Geethal Amila |last3=Ding |first3=Zhiwei |last4=Chen |first4=Ke |last5=Tian |first5=Fei |last6=Qian |first6=Xin |last7=Zhou |first7=Jiawei |last8=Lee |first8=Hwijong |last9=Zhou |first9=Jianshi |last10=Shi |first10=Li |last11=Nguyen |first11=Thanh |date=2022-07-22 |title=क्यूबिक बोरान आर्सेनाइड में उच्च एंबिपोलर गतिशीलता|url=https://www.science.org/doi/10.1126/science.abn4290 |journal=Science |language=en |volume=377 |issue=6604 |pages=437–440 |doi=10.1126/science.abn4290 |pmid=35862526 |bibcode=2022Sci...377..437S |s2cid=250952849 |issn=0036-8075}}</ref>
2023 में, जर्नल [[ प्रकृति (पत्रिका) |प्रकृति (पत्रिका)]] में अध्ययन ने बताया कि उच्च उच्च दबाव बीए के अधीन अधिकांश सामग्रियों में देखी गई विशिष्ट वृद्धि के विपरीत इसकी तापीय चालकता कम हो जाती है।<ref>{{Cite news |date=2023-01-27 |title=नए सेमीकंडक्टर में दबाव में देखा गया आश्चर्यजनक गर्मी हस्तांतरण व्यवहार|url=https://physicsworld.com/surprising-heat-transfer-behaviour-seen-in-new-semiconductor-under-pressure/ |access-date=2023-01-30 |website=Physics World |language=en-GB}}</ref><ref>{{Cite journal |last1=Li |first1=Suixuan |last2=Qin |first2=Zihao |last3=Wu |first3=Huan |last4=Li |first4=Man |last5=Kunz |first5=Martin |last6=Alatas |first6=Ahmet |last7=Kavner |first7=Abby |last8=Hu |first8=Yongjie |date=23 November 2022 |title=बोरॉन आर्सेनाइड में उच्च दबाव के तहत विषम तापीय परिवहन|url=https://www.nature.com/articles/s41586-022-05381-x |journal=[[Nature (journal)|Nature]] |language=en |volume=612 |issue=7940 |pages=459–464 |doi=10.1038/s41586-022-05381-x |pmid=36418403 |bibcode=2022Natur.612..459L |s2cid=253838186 |issn=1476-4687}}</ref><ref>{{cite magazine |last1=Remmel |first1=Ariana |title=बोरॉन आर्सेनाइड दबाव में नियम तोड़ता है|magazine=[[C&EN]] |date=2 January 2023 |volume=101 |issue=1 |page=6 |doi=10.1021/cen-10101-scicon3 |url=https://cen.acs.org/materials/semiconductor-breaks-rules-physics-under/100/web/2022/12 |access-date=2 April 2023}}</ref>


क्यूबिक बीए के मूलभूत भौतिक गुणों को प्रयोगात्मक रूप से मापा गया है:<ref name="basic">{{cite journal|doi=10.1063/1.5116025|arxiv=1911.11281|title=क्यूबिक बोरान आर्सेनाइड के बुनियादी भौतिक गुण|journal=Applied Physics Letters|volume=115|issue=12|pages=122103|year=2019|last1=Kang|first1=Joon Sang|last2=Li|first2=Man|last3=Wu|first3=Huan|last4=Nguyen|first4=Huuduy|last5=Hu|first5=Yongjie|bibcode=2019ApPhL.115l2103K|s2cid=204184925}}</ref> बैंड गैप (1.82 eV), ऑप्टिकल अपवर्तक सूचकांक (3.29 तरंग दैर्ध्य 657 एनएम), लोचदार मापांक (326 GPa), क्लिपर्स मापांक, पॉसों का अनुपात, थर्मल विस्तार गुणांक (3.85×10)<sup>-6</sup>/k), और ताप क्षमता होती है। यह त्रिगुट और चतुर्धातुक अर्धचालकों का उत्पादन करने के लिए [[गैलियम आर्सेनाइड]] के साथ मिश्रित किया जा सकता है।<ref name="APL2000">{{cite journal|doi=10.1063/1.126058|title=गॉस के साथ मेल खाने वाले एलॉय लैड्स शुरू करता है|journal=Applied Physics Letters|volume=76|issue=11|pages=1443|year=2000|last1=Geisz|first1=J. F|last2=Friedman|first2=D. J|last3=Olson|first3=J. M|last4=Kurtz|first4=Sarah R|author4-link= Sarah Kurtz |last5=Reedy|first5=R. C|last6=Swartzlander|first6=A. B|last7=Keyes|first7=B. M|last8=Norman|first8=A. G|bibcode=2000ApPhL..76.1443G}}</ref>
सिलिकॉन के विपरीत बीए में उच्च इलेक्ट्रॉन और छिद्र गतिशीलता >1000 सेमी<sup>2</sup>/वी/सेकंड होती है, जिसमें उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता किन्तु कम छिद्र गतिशीलता होती है।<ref>{{Cite journal |last1=Shin |first1=Jungwoo |last2=Gamage |first2=Geethal Amila |last3=Ding |first3=Zhiwei |last4=Chen |first4=Ke |last5=Tian |first5=Fei |last6=Qian |first6=Xin |last7=Zhou |first7=Jiawei |last8=Lee |first8=Hwijong |last9=Zhou |first9=Jianshi |last10=Shi |first10=Li |last11=Nguyen |first11=Thanh |date=2022-07-22 |title=क्यूबिक बोरान आर्सेनाइड में उच्च एंबिपोलर गतिशीलता|url=https://www.science.org/doi/10.1126/science.abn4290 |journal=Science |language=en |volume=377 |issue=6604 |pages=437–440 |doi=10.1126/science.abn4290 |pmid=35862526 |bibcode=2022Sci...377..437S |s2cid=250952849 |issn=0036-8075}}</ref>
2023 में, जर्नल [[ प्रकृति (पत्रिका) |प्रकृति (पत्रिका)]] ने  अपने  अध्ययन में  बताया कि उच्च उच्च दबाव बीए के अधीन अधिकांश पदार्थो में देखी गई विशिष्ट वृद्धि के विपरीत इसकी तापीय चालकता कम हो जाती है।<ref>{{Cite news |date=2023-01-27 |title=नए सेमीकंडक्टर में दबाव में देखा गया आश्चर्यजनक गर्मी हस्तांतरण व्यवहार|url=https://physicsworld.com/surprising-heat-transfer-behaviour-seen-in-new-semiconductor-under-pressure/ |access-date=2023-01-30 |website=Physics World |language=en-GB}}</ref><ref>{{Cite journal |last1=Li |first1=Suixuan |last2=Qin |first2=Zihao |last3=Wu |first3=Huan |last4=Li |first4=Man |last5=Kunz |first5=Martin |last6=Alatas |first6=Ahmet |last7=Kavner |first7=Abby |last8=Hu |first8=Yongjie |date=23 November 2022 |title=बोरॉन आर्सेनाइड में उच्च दबाव के तहत विषम तापीय परिवहन|url=https://www.nature.com/articles/s41586-022-05381-x |journal=[[Nature (journal)|Nature]] |language=en |volume=612 |issue=7940 |pages=459–464 |doi=10.1038/s41586-022-05381-x |pmid=36418403 |bibcode=2022Natur.612..459L |s2cid=253838186 |issn=1476-4687}}</ref><ref>{{cite magazine |last1=Remmel |first1=Ariana |title=बोरॉन आर्सेनाइड दबाव में नियम तोड़ता है|magazine=[[C&EN]] |date=2 January 2023 |volume=101 |issue=1 |page=6 |doi=10.1021/cen-10101-scicon3 |url=https://cen.acs.org/materials/semiconductor-breaks-rules-physics-under/100/web/2022/12 |access-date=2 April 2023}}</ref>


== बोरॉन सबरसेनाइड ==
== बोरॉन सबरसेनाइड ==
बोरॉन आर्सेनाइड भी [[विंशतिफलक]] बोराइड समेत सबरसेनाइड्स के रूप में होता है {{chem2|B12As2}}<nowiki>. यह आर. का है{{overline|3}बोरॉन परमाणुओं के समूहों और दो-परमाणुओं के रूप में जंजीरों के आधार पर समचतुर्भुज संरचना वाला एम </nowiki>[[अंतरिक्ष समूह]]। यह वाइड-बैंडगैप सेमीकंडक्टर (3.47 ईवी) है जिसमें विकिरण क्षति को स्वयं ठीक करने की असाधारण क्षमता है।<ref>{{cite journal|doi=10.1103/PhysRevB.51.11270|pmid=9977852|title=दोष क्लस्टरिंग और इलेक्ट्रॉन-विकिरणित बोरॉन युक्त ठोस पदार्थों की स्व-उपचार|journal=Physical Review B|volume=51|issue=17|pages=11270–11274|year=1995|last1=Carrard|first1=M|last2=Emin|first2=D|last3=Zuppiroli|first3=L|bibcode=1995PhRvB..5111270C}}</ref> इस रूप को [[ सिलिकन कार्बाइड |सिलिकन कार्बाइड]] जैसे [[सब्सट्रेट (रसायन विज्ञान)]] पर उगाया जा सकता है।<ref>{{cite journal | doi = 10.1063/1.2945635 | last1 = Chen | first1 = H. | year=2008 | last2 = Wang | first2 = G. | last3 = Dudley | first3 = M. | last4 = Xu | first4 = Z. | last5 = Edgar | first5 = J. H. | last6 = Batten | first6 = T. | last7 = Kuball | first7 = M. | last8 = Zhang | first8 = L. | last9 = Zhu | first9 = Y. | title = Single-Crystalline B<sub>12</sub>As<sub>2</sub> on ''m''-plane (1{{overline|1}}00) 15R-SiC | journal = Applied Physics Letters | volume = 92 | issue = 23 | page = 231917 | bibcode = 2008ApPhL..92w1917C | hdl = 2097/2186 | hdl-access = free }}</ref> [[सौर सेल]] निर्माण के लिए एक और उपयोग<ref name="APL2000" /><ref>Boone, J. L. and Vandoren, T. P. (1980) ''Boron arsenide thin film solar cell development, ''Final Report, Eagle-Picher Industries, Inc., Miami, OK. [http://adsabs.harvard.edu/abs/1980STIN...8114445B abstract].</ref> प्रस्तावित किया गया था, लेकिन वर्तमान में इसका उपयोग इस उद्देश्य के लिए नहीं किया जाता है।
बोरोन आर्सेनाइड भी सबार्सेनाइड्स के रूप में होता है, जिसमें इकोसाहेड्रल बोराइड {{chem2|B12As2}} भी सम्मिलित है। यह बोरॉन परमाणुओं के समूहों और दो-परमाणु जैसे-जैसे श्रृंखलाओं पर आधारित एक समचतुर्भुज संरचना के साथ R3m [[अंतरिक्ष समूह]] से संबंधित है। यह एक वाइड-बैंडगैप अर्धचालक (3.47 eV) है जिसमें विकिरण क्षति को "स्वयं-ठीक" करने की असाधारण क्षमता है।<ref>{{cite journal|doi=10.1103/PhysRevB.51.11270|pmid=9977852|title=दोष क्लस्टरिंग और इलेक्ट्रॉन-विकिरणित बोरॉन युक्त ठोस पदार्थों की स्व-उपचार|journal=Physical Review B|volume=51|issue=17|pages=11270–11274|year=1995|last1=Carrard|first1=M|last2=Emin|first2=D|last3=Zuppiroli|first3=L|bibcode=1995PhRvB..5111270C}}</ref> इस रूप को [[ सिलिकन कार्बाइड |सिलिकन कार्बाइड]] जैसे [[सब्सट्रेट (रसायन विज्ञान)]]   पर उगाया जा सकता है। <ref>{{cite journal | doi = 10.1063/1.2945635 | last1 = Chen | first1 = H. | year=2008 | last2 = Wang | first2 = G. | last3 = Dudley | first3 = M. | last4 = Xu | first4 = Z. | last5 = Edgar | first5 = J. H. | last6 = Batten | first6 = T. | last7 = Kuball | first7 = M. | last8 = Zhang | first8 = L. | last9 = Zhu | first9 = Y. | title = Single-Crystalline B<sub>12</sub>As<sub>2</sub> on ''m''-plane (1{{overline|1}}00) 15R-SiC | journal = Applied Physics Letters | volume = 92 | issue = 23 | page = 231917 | bibcode = 2008ApPhL..92w1917C | hdl = 2097/2186 | hdl-access = free }}</ref> [[सौर सेल]] निर्माण के लिए एक अन्य उपयोग <ref name="APL2000" /><ref>Boone, J. L. and Vandoren, T. P. (1980) ''Boron arsenide thin film solar cell development, ''Final Report, Eagle-Picher Industries, Inc., Miami, OK. [http://adsabs.harvard.edu/abs/1980STIN...8114445B abstract].</ref> प्रस्तावित किया गया था किन्तु वर्तमान में इस उद्देश्य के लिए इसका उपयोग नहीं किया जाता है।


== अनुप्रयोग ==
== अनुप्रयोग ==
इलेक्ट्रॉनिक्स थर्मल प्रबंधन में उपयोग के लिए बोरॉन आर्सेनाइड सबसे आकर्षक है।<ref>{{cite journal |doi=10.1038/s41928-021-00595-9 |title=गैलियम नाइट्राइड उपकरणों में बोरॉन आर्सेनाइड कूलिंग सबस्ट्रेट्स का एकीकरण|journal=Nature Electronics |volume=4 |pages=416–423 |year=2021 |url=https://www.nature.com/articles/s41928-021-00595-9|last1=Kang |first1=Joon Sang |last2=Li |first2=Man |last3=Wu |first3=Huan |last4=Nguyen |first4=Huuduy |last5=Aoki |first5=Toshihiro |last6=Hu |first6=Yongjie |issue=6 |s2cid=236356514 }}.</ref> GaN-BAs हेट्रोस्ट्रक्चर बनाने के लिए [[गैलियम नाइट्राइड]] ट्रांजिस्टर के साथ प्रायोगिक एकीकरण का प्रदर्शन किया गया है और सिलिकॉन कार्बाइड या डायमंड सबस्ट्रेट्स पर सर्वश्रेष्ठ GaN [[उच्च-इलेक्ट्रॉन-गतिशीलता ट्रांजिस्टर]] उपकरणों की तुलना में बेहतर प्रदर्शन दिखाता है। विनिर्माण बीए कंपोजिट को अत्यधिक संचालन और लचीले थर्मल इंटरफेस के रूप में विकसित किया गया था।<ref>{{cite journal |doi=10.1038/s41467-021-21531-7 |title=उच्च-प्रदर्शन थर्मल प्रबंधन के लिए स्व-इकट्ठे बोरान आर्सेनाइड पर आधारित लचीला थर्मल इंटरफ़ेस|journal=Nature Communications |volume=12 |pages=1284 |year=2021 |last1=Cui |first1=Ying |last2=Qin |first2=Zihao |last3=Wu |first3=Huan |last4=Li |first4=Man |last5=Hu |first5=Yongjie |issue=1 |pmid=33627644 |pmc=7904764 |bibcode=2021NatCo..12.1284C }}.</ref>
इलेक्ट्रॉनिक्स थर्मल प्रबंधन में उपयोग के लिए बोरॉन आर्सेनाइड सबसे आकर्षक है।<ref>{{cite journal |doi=10.1038/s41928-021-00595-9 |title=गैलियम नाइट्राइड उपकरणों में बोरॉन आर्सेनाइड कूलिंग सबस्ट्रेट्स का एकीकरण|journal=Nature Electronics |volume=4 |pages=416–423 |year=2021 |url=https://www.nature.com/articles/s41928-021-00595-9|last1=Kang |first1=Joon Sang |last2=Li |first2=Man |last3=Wu |first3=Huan |last4=Nguyen |first4=Huuduy |last5=Aoki |first5=Toshihiro |last6=Hu |first6=Yongjie |issue=6 |s2cid=236356514 }}.</ref> जीएएन-बीएएस हेट्रोस्ट्रक्चर बनाने के लिए [[गैलियम नाइट्राइड]] ट्रांजिस्टर के साथ प्रायोगिक एकीकरण का प्रदर्शन किया गया है और सिलिकॉन कार्बाइड या डायमंड सबस्ट्रेट्स पर सर्वश्रेष्ठ जीएएन [[उच्च-इलेक्ट्रॉन-गतिशीलता ट्रांजिस्टर]] उपकरणों की तुलना में उत्तम प्रदर्शन दिखाता है। विनिर्माण बीए कंपोजिट को अत्यधिक संचालन और लचीले थर्मल इंटरफेस के रूप में विकसित किया गया था।<ref>{{cite journal |doi=10.1038/s41467-021-21531-7 |title=उच्च-प्रदर्शन थर्मल प्रबंधन के लिए स्व-इकट्ठे बोरान आर्सेनाइड पर आधारित लचीला थर्मल इंटरफ़ेस|journal=Nature Communications |volume=12 |pages=1284 |year=2021 |last1=Cui |first1=Ying |last2=Qin |first2=Zihao |last3=Wu |first3=Huan |last4=Li |first4=Man |last5=Hu |first5=Yongjie |issue=1 |pmid=33627644 |pmc=7904764 |bibcode=2021NatCo..12.1284C }}.</ref>
पहले सिद्धांतों की गणना ने भविष्यवाणी की है कि कमरे के तापमान पर क्यूबिक बीए की तापीय चालकता उल्लेखनीय रूप से 2,200 W/(m·K) से अधिक है, जो हीरे और ग्रेफाइट की तुलना में है।<ref>[http://phys.org/news/2013-07-competitor-diamond-thermal-conductor.html An unlikely competitor for diamond as the best thermal conductor], Phys.org news (July 8, 2013)</ref> दोषों के उच्च घनत्व के कारण बाद के मापों से केवल 190 W/(m·K) का मान प्राप्त हुआ।<ref>{{cite journal |doi=10.1063/1.4913441 |title=Experimental study of the proposed super-thermal-conductor: BAs |journal=Applied Physics Letters |volume=106 |issue=7 |pages=074105 |year=2015 |last1=Lv |first1=Bing |last2=Lan |first2=Yucheng |last3=Wang |first3=Xiqu |last4=Zhang |first4=Qian |last5=Hu |first5=Yongjie |last6=Jacobson |first6=Allan J |last7=Broido |first7=David |last8=Chen |first8=Gang |last9=Ren |first9=Zhifeng |last10=Chu |first10=Ching-Wu |bibcode=2015ApPhL.106g4105L |hdl=1721.1/117852 |osti=1387754 |s2cid=54074851 |url=https://dspace.mit.edu/bitstream/1721.1/117852/1/Lv2015APL_BAs.pdf |hdl-access=free}}</ref><ref>{{cite journal |last1=Zheng |first1=Qiang |last2=Polanco |first2=Carlos A. |last3=Du |first3=Mao-Hua |last4=Lindsay |first4=Lucas R. |last5=Chi |first5=Miaofang |author-link5=Miaofang Chi |last6=Yan |first6=Jiaqiang |last7=Sales |first7=Brian C. |date=6 September 2018 |title=एंटीसाइट जोड़े बीए की तापीय चालकता को दबा देते हैं|journal=Physical Review Letters |volume=121 |issue=10 |page=105901 |arxiv=1804.02381 |bibcode=2018PhRvL.121j5901Z |doi=10.1103/PhysRevLett.121.105901 |pmid=30240242 |s2cid=206316624}}</ref> चार-फोनन प्रकीर्णन को शामिल करते हुए हाल ही के पहले-सिद्धांतों की गणना 1400 W/(m·K) की तापीय चालकता की भविष्यवाणी करती है।<ref>{{cite journal |doi=10.1103/PhysRevB.96.161201 |title=चार-फोनन प्रकीर्णन ठोस पदार्थों की आंतरिक तापीय चालकता को काफी कम कर देता है|journal=Physical Review B |volume=96 |issue=16 |pages=161201 |year=2017 |last1=Feng |first1=Tianli |last2=Lindsay |first2=Lucas |last3=Ruan |first3=Xiulin |bibcode=2017PhRvB..96p1201F |doi-access=free}}</ref> बाद में, दोष-मुक्त बोरॉन आर्सेनाइड क्रिस्टल को प्रयोगात्मक रूप से महसूस किया गया और 1300 W/(m·K) की अति उच्च तापीय चालकता के साथ मापा गया।<ref name=BAsScience/>सिद्धांत भविष्यवाणियों के अनुरूप। दोषों के छोटे घनत्व वाले क्रिस्टल ने 900-1000 W/(m·K) की तापीय चालकता दिखाई है।<ref>{{cite journal |doi=10.1126/science.aat8982 |pmid=29976796 |title=क्यूबिक बोरान आर्सेनाइड क्रिस्टल में उच्च तापीय चालकता|journal=Science |volume=361 |issue=6402 |pages=579–581 |year=2018 |last1=Li |first1=Sheng |last2=Zheng |first2=Qiye |last3=Lv |first3=Yinchuan |last4=Liu |first4=Xiaoyuan |last5=Wang |first5=Xiqu |last6=Huang |first6=Pinshane Y. |last7=Cahill |first7=David G. |last8=Lv |first8=Bing |bibcode=2018Sci...361..579L |doi-access=free}}</ref><ref>{{cite journal |doi=10.1126/science.aat7932 |pmid=29976797 |title=बोरॉन आर्सेनाइड बल्क क्रिस्टल में असामान्य उच्च तापीय चालकता|journal=Science |volume=361 |issue=6402 |pages=582–585 |year=2018 |last1=Tian |first1=Fei |last2=Song |first2=Bai |last3=Chen |first3=Xi |last4=Ravichandran |first4=Navaneetha K |last5=Lv |first5=Yinchuan |last6=Chen |first6=Ke |last7=Sullivan |first7=Sean |last8=Kim |first8=Jaehyun |last9=Zhou |first9=Yuanyuan |last10=Liu |first10=Te-Huan |last11=Goni |first11=Miguel |last12=Ding |first12=Zhiwei |last13=Sun |first13=Jingying |last14=Gamage |first14=Geethal Amila Gamage Udalamatta |last15=Sun |first15=Haoran |last16=Ziyaee |first16=Hamidreza |last17=Huyan |first17=Shuyuan |last18=Deng |first18=Liangzi |last19=Zhou |first19=Jianshi |last20=Schmidt |first20=Aaron J |last21=Chen |first21=Shuo |last22=Chu |first22=Ching-Wu |last23=Huang |first23=Pinshane Y |last24=Broido |first24=David |last25=Shi |first25=Li |last26=Chen |first26=Gang |last27=Ren |first27=Zhifeng |bibcode=2018Sci...361..582T |doi-access=free}}</ref>
 
क्यूबिक के आकार का बोरॉन आर्सेनाइड [[सिलिकॉन]] की तुलना में गर्मी और बिजली के संचालन में बेहतर पाया गया है, साथ ही इलेक्ट्रॉनों और इसके सकारात्मक चार्ज समकक्ष, इलेक्ट्रॉन-छेद दोनों के संचालन में सिलिकॉन की तुलना में बेहतर है।<ref>{{cite news |last=General |first=Ryan |title=चीनी एमआईटी प्रोफेसर जासूसी के आरोपों के महीनों बाद 'गेम चेंजर' खोजने में मदद करते हैं|language=en |publisher=NextShark |date=18 August 2022 |url=https://www.yahoo.com/news/chinese-mit-professor-helps-discover-215437385.html |accessdate=19 August 2022 }}</ref>
पहले सिद्धांतों की गणना ने पूर्वानुमान किया  है कि कमरे के तापमान पर क्यूबिक बीए की तापीय चालकता उल्लेखनीय रूप से 2,200 W/(m·K) से अधिक है, जो हीरे और ग्रेफाइट की तुलना में है।<ref>[http://phys.org/news/2013-07-competitor-diamond-thermal-conductor.html An unlikely competitor for diamond as the best thermal conductor], Phys.org news (July 8, 2013)</ref> दोषों के उच्च घनत्व के कारण बाद के मापों से केवल 190 W/(m·K) का मान प्राप्त हुआ था ।<ref>{{cite journal |doi=10.1063/1.4913441 |title=Experimental study of the proposed super-thermal-conductor: BAs |journal=Applied Physics Letters |volume=106 |issue=7 |pages=074105 |year=2015 |last1=Lv |first1=Bing |last2=Lan |first2=Yucheng |last3=Wang |first3=Xiqu |last4=Zhang |first4=Qian |last5=Hu |first5=Yongjie |last6=Jacobson |first6=Allan J |last7=Broido |first7=David |last8=Chen |first8=Gang |last9=Ren |first9=Zhifeng |last10=Chu |first10=Ching-Wu |bibcode=2015ApPhL.106g4105L |hdl=1721.1/117852 |osti=1387754 |s2cid=54074851 |url=https://dspace.mit.edu/bitstream/1721.1/117852/1/Lv2015APL_BAs.pdf |hdl-access=free}}</ref><ref>{{cite journal |last1=Zheng |first1=Qiang |last2=Polanco |first2=Carlos A. |last3=Du |first3=Mao-Hua |last4=Lindsay |first4=Lucas R. |last5=Chi |first5=Miaofang |author-link5=Miaofang Chi |last6=Yan |first6=Jiaqiang |last7=Sales |first7=Brian C. |date=6 September 2018 |title=एंटीसाइट जोड़े बीए की तापीय चालकता को दबा देते हैं|journal=Physical Review Letters |volume=121 |issue=10 |page=105901 |arxiv=1804.02381 |bibcode=2018PhRvL.121j5901Z |doi=10.1103/PhysRevLett.121.105901 |pmid=30240242 |s2cid=206316624}}</ref> चार-फोनन प्रकीर्णन को सम्मिलित करते हुए वर्तमान  के पहले-सिद्धांतों की गणना 1400 W/(m·K) की तापीय चालकता की पूर्वानुमान करती है।<ref>{{cite journal |doi=10.1103/PhysRevB.96.161201 |title=चार-फोनन प्रकीर्णन ठोस पदार्थों की आंतरिक तापीय चालकता को काफी कम कर देता है|journal=Physical Review B |volume=96 |issue=16 |pages=161201 |year=2017 |last1=Feng |first1=Tianli |last2=Lindsay |first2=Lucas |last3=Ruan |first3=Xiulin |bibcode=2017PhRvB..96p1201F |doi-access=free}}</ref> इसके पश्चात, दोष-मुक्त बोरॉन आर्सेनाइड क्रिस्टल को प्रयोगात्मक रूप से अनुभव किया गया और 1300 W/(m·K) की अति उच्च तापीय चालकता के साथ मापा गया था ।<ref name="BAsScience" /> सिद्धांत पूर्वानुमानो के अनुरूप दोषों के छोटे घनत्व वाले क्रिस्टल ने 900-1000 W/(m·K) की तापीय चालकता दिखाई है।<ref>{{cite journal |doi=10.1126/science.aat8982 |pmid=29976796 |title=क्यूबिक बोरान आर्सेनाइड क्रिस्टल में उच्च तापीय चालकता|journal=Science |volume=361 |issue=6402 |pages=579–581 |year=2018 |last1=Li |first1=Sheng |last2=Zheng |first2=Qiye |last3=Lv |first3=Yinchuan |last4=Liu |first4=Xiaoyuan |last5=Wang |first5=Xiqu |last6=Huang |first6=Pinshane Y. |last7=Cahill |first7=David G. |last8=Lv |first8=Bing |bibcode=2018Sci...361..579L |doi-access=free}}</ref><ref>{{cite journal |doi=10.1126/science.aat7932 |pmid=29976797 |title=बोरॉन आर्सेनाइड बल्क क्रिस्टल में असामान्य उच्च तापीय चालकता|journal=Science |volume=361 |issue=6402 |pages=582–585 |year=2018 |last1=Tian |first1=Fei |last2=Song |first2=Bai |last3=Chen |first3=Xi |last4=Ravichandran |first4=Navaneetha K |last5=Lv |first5=Yinchuan |last6=Chen |first6=Ke |last7=Sullivan |first7=Sean |last8=Kim |first8=Jaehyun |last9=Zhou |first9=Yuanyuan |last10=Liu |first10=Te-Huan |last11=Goni |first11=Miguel |last12=Ding |first12=Zhiwei |last13=Sun |first13=Jingying |last14=Gamage |first14=Geethal Amila Gamage Udalamatta |last15=Sun |first15=Haoran |last16=Ziyaee |first16=Hamidreza |last17=Huyan |first17=Shuyuan |last18=Deng |first18=Liangzi |last19=Zhou |first19=Jianshi |last20=Schmidt |first20=Aaron J |last21=Chen |first21=Shuo |last22=Chu |first22=Ching-Wu |last23=Huang |first23=Pinshane Y |last24=Broido |first24=David |last25=Shi |first25=Li |last26=Chen |first26=Gang |last27=Ren |first27=Zhifeng |bibcode=2018Sci...361..582T |doi-access=free}}</ref>
 
क्यूबिक के आकार का बोरॉन आर्सेनाइड [[सिलिकॉन]] की तुलना में गर्मी और बिजली के संचालन में उत्तम पाया गया है, साथ ही इलेक्ट्रॉनों और इसके सकारात्मक चार्ज समकक्ष, इलेक्ट्रॉन-छेद दोनों के संचालन में सिलिकॉन की तुलना में उत्तम है।<ref>{{cite news |last=General |first=Ryan |title=चीनी एमआईटी प्रोफेसर जासूसी के आरोपों के महीनों बाद 'गेम चेंजर' खोजने में मदद करते हैं|language=en |publisher=NextShark |date=18 August 2022 |url=https://www.yahoo.com/news/chinese-mit-professor-helps-discover-215437385.html |accessdate=19 August 2022 }}</ref>
 




Line 118: Line 125:


==बाहरी संबंध==
==बाहरी संबंध==
* 2020 paper by Malica and Dal Corso - [https://aip.scitation.org/doi/abs/10.1063/5.0011111 Temperature dependent elastic constants and thermodynamic properties of BAs: An ab initio investigation]
* 2020 paper by Malica and Dal Corso - [https://aip.scitation.org/doi/abs/10.1063/5.0011111 Temperature dependent elastic constants and thermodynamic properties of बीएएस: An ab initio investigation]
*[http://www.matweb.com/search/SpecificMaterial.asp?bassnum=DSEM17 Matweb data]
*[http://www.matweb.com/search/SpecificMaterial.asp?bassnum=DSEM17 Matweb data]
*{{cite book | title = Boron Chemistry at the Millennium | last = King | first = R. B. | year = 1999 | publisher = Elsevier | location = New York | isbn = 0-444-72006-5 }}
*{{cite book | title = Boron Chemistry at the Millennium | last = King | first = R. B. | year = 1999 | publisher = Elsevier | location = New York | isbn = 0-444-72006-5 }}

Revision as of 09:20, 23 June 2023

बोरोन आर्सेनाइड
Boron-arsenide-unit-cell-1963-CM-3D-balls.png
Identifiers
3D model (JSmol)
ChemSpider
  • InChI=1S/AsB/c1-2
    Key: DBKNIEBLJMAJHX-UHFFFAOYSA-N
  • [B][As]
Properties
BAs
Molar mass 85.733 g/mol[1]
Appearance Brown cubic crystals[1]
Density 5.22 g/cm3[1]
Melting point 1,100 °C (2,010 °F; 1,370 K) decomposes[1]
Insoluble
Band gap 1.82 eV[2]
Thermal conductivity 1300 W/(m·K) (300 K)
Structure[3]
Cubic (sphalerite), cF8, No. 216
F43m
a = 0.4777 nm
4
Related compounds
Other anions
 Boron nitride
Boron phosphide
Boron antimonide
Other cations
 Aluminium arsenide
Gallium arsenide
Indium arsenide
Except where otherwise noted, data are given for materials in their standard state (at 25 °C [77 °F], 100 kPa).
checkY verify (what is checkY☒N ?)
बोरोन सबार्सेनाइड
B12As2 3D side view.jpg
Identifiers
Properties
B12As2
Molar mass 279.58 g/mol
Density 3.56 g/cm3[4]
Insoluble
Band gap 3.47 eV
Structure[5]
Rhombohedral, hR42, No. 166
R3m
a = 0.6149 nm, b = 0.6149 nm, c = 1.1914 nm
α = 90°, β = 90°, γ = 120°
6
Related compounds
Other anions
 Boron suboxide
Except where otherwise noted, data are given for materials in their standard state (at 25 °C [77 °F], 100 kPa).

बोरॉन आर्सेनाइड (या हरताल बोराइड) रासायनिक यौगिक है जिसमें बोरॉन और आर्सेनिक सम्मिलित है, सामान्यतः रासायनिक सूत्र बीए के साथ अन्य बोरॉन आर्सेनाइड यौगिकों को जाना जाता है, जैसे कि सबरसेनाइड B12As2. क्यूबिक बीए का रासायनिक संश्लेषण बहुत चुनौतीपूर्ण है और इसके एकल क्रिस्टल रूपों में सामान्यतः दोष होते हैं।[6]


गुण

बीएएस III-V अर्धचालक वर्ग में 0.4777 nm के जाली स्थिरांक और 1.82 eV के अप्रत्यक्ष बैंडगैप के साथ क्यूबिक (स्पैलराइट) अर्धचालक है।[2] बताया गया है कि क्यूबिक बीए 920 डिग्री सेल्सियस से ऊपर के तापमान पर सबार्सेनाइड B12As2 में विघटित हो जाता है।[7] बोरॉन आर्सेनाइड का गलनांक 2076°C होता है। 300 K पर बीएएस की तापीय चालकता 1300 W/(m·K) के आसपास बहुत अधिक है [6]


क्यूबिक बीए के मूलभूत भौतिक गुणों को प्रयोगात्मक रूप से मापा गया है:[2] बैंड गैप (1.82 eV), ऑप्टिकल अपवर्तक सूचकांक (3.29 तरंग दैर्ध्य 657 एनएम), लोचदार मापांक (326 GPa), क्लिपर्स मापांक, पॉसों का अनुपात, थर्मल विस्तार गुणांक (3.85×10)-6/k), और ताप क्षमता होती है। यह त्रिगुट और चतुर्धातुक अर्धचालकों का उत्पादन करने के लिए गैलियम आर्सेनाइड के साथ मिश्रित किया जा सकता है।[8]

सिलिकॉन के विपरीत बीए में उच्च इलेक्ट्रॉन और छिद्र गतिशीलता >1000 सेमी2/वी/सेकंड होती है, जिसमें उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता किन्तु कम छिद्र गतिशीलता होती है।[9]


2023 में, जर्नल प्रकृति (पत्रिका) ने अपने अध्ययन में बताया कि उच्च उच्च दबाव बीए के अधीन अधिकांश पदार्थो में देखी गई विशिष्ट वृद्धि के विपरीत इसकी तापीय चालकता कम हो जाती है।[10][11][12]

बोरॉन सबरसेनाइड

बोरोन आर्सेनाइड भी सबार्सेनाइड्स के रूप में होता है, जिसमें इकोसाहेड्रल बोराइड B12As2 भी सम्मिलित है। यह बोरॉन परमाणुओं के समूहों और दो-परमाणु जैसे-जैसे श्रृंखलाओं पर आधारित एक समचतुर्भुज संरचना के साथ R3m अंतरिक्ष समूह से संबंधित है। यह एक वाइड-बैंडगैप अर्धचालक (3.47 eV) है जिसमें विकिरण क्षति को "स्वयं-ठीक" करने की असाधारण क्षमता है।[13] इस रूप को सिलिकन कार्बाइड जैसे सब्सट्रेट (रसायन विज्ञान) पर उगाया जा सकता है। [14] सौर सेल निर्माण के लिए एक अन्य उपयोग [8][15] प्रस्तावित किया गया था किन्तु वर्तमान में इस उद्देश्य के लिए इसका उपयोग नहीं किया जाता है।

अनुप्रयोग

इलेक्ट्रॉनिक्स थर्मल प्रबंधन में उपयोग के लिए बोरॉन आर्सेनाइड सबसे आकर्षक है।[16] जीएएन-बीएएस हेट्रोस्ट्रक्चर बनाने के लिए गैलियम नाइट्राइड ट्रांजिस्टर के साथ प्रायोगिक एकीकरण का प्रदर्शन किया गया है और सिलिकॉन कार्बाइड या डायमंड सबस्ट्रेट्स पर सर्वश्रेष्ठ जीएएन उच्च-इलेक्ट्रॉन-गतिशीलता ट्रांजिस्टर उपकरणों की तुलना में उत्तम प्रदर्शन दिखाता है। विनिर्माण बीए कंपोजिट को अत्यधिक संचालन और लचीले थर्मल इंटरफेस के रूप में विकसित किया गया था।[17]

पहले सिद्धांतों की गणना ने पूर्वानुमान किया है कि कमरे के तापमान पर क्यूबिक बीए की तापीय चालकता उल्लेखनीय रूप से 2,200 W/(m·K) से अधिक है, जो हीरे और ग्रेफाइट की तुलना में है।[18] दोषों के उच्च घनत्व के कारण बाद के मापों से केवल 190 W/(m·K) का मान प्राप्त हुआ था ।[19][20] चार-फोनन प्रकीर्णन को सम्मिलित करते हुए वर्तमान के पहले-सिद्धांतों की गणना 1400 W/(m·K) की तापीय चालकता की पूर्वानुमान करती है।[21] इसके पश्चात, दोष-मुक्त बोरॉन आर्सेनाइड क्रिस्टल को प्रयोगात्मक रूप से अनुभव किया गया और 1300 W/(m·K) की अति उच्च तापीय चालकता के साथ मापा गया था ।[6] सिद्धांत पूर्वानुमानो के अनुरूप दोषों के छोटे घनत्व वाले क्रिस्टल ने 900-1000 W/(m·K) की तापीय चालकता दिखाई है।[22][23]

क्यूबिक के आकार का बोरॉन आर्सेनाइड सिलिकॉन की तुलना में गर्मी और बिजली के संचालन में उत्तम पाया गया है, साथ ही इलेक्ट्रॉनों और इसके सकारात्मक चार्ज समकक्ष, इलेक्ट्रॉन-छेद दोनों के संचालन में सिलिकॉन की तुलना में उत्तम है।[24]


संदर्भ

  1. ↑ 1.0 1.1 1.2 1.3 Haynes, William M., ed. (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (92nd ed.). Boca Raton, FL: CRC Press. p. 4.53. ISBN 1-4398-5511-0.
  2. ↑ 2.0 2.1 2.2 Kang, Joon Sang; Li, Man; Wu, Huan; Nguyen, Huuduy; Hu, Yongjie (2019). "क्यूबिक बोरान आर्सेनाइड के बुनियादी भौतिक गुण". Applied Physics Letters. 115 (12): 122103. arXiv:1911.11281. Bibcode:2019ApPhL.115l2103K. doi:10.1063/1.5116025. S2CID 204184925.
  3. ↑ Perri, J. A; La Placa, S; Post, B (1958). "New group III-group V compounds: BP and BAs". Acta Crystallographica. 11 (4): 310. doi:10.1107/S0365110X58000827.
  4. ↑ Villars, Pierre (ed.) "B12As2 (B6As) Crystal Structure" in Inorganic Solid Phases, Springer, Heidelberg (ed.) SpringerMaterials
  5. ↑ Morosin, B; Aselage, T. L; Feigelson, R. S (2011). "Crystal Structure Refinements of Rhombohedral Symmetry Materials Containing Boron-Rich Icosahedra". MRS Proceedings. 97. doi:10.1557/PROC-97-145.
  6. ↑ 6.0 6.1 6.2 Kang, J.; Li, M.; Wu, H.; Nguyen, H.; Hu, Y. (2018). "बोरॉन आर्सेनाइड में उच्च तापीय चालकता का प्रायोगिक अवलोकन". Science. 361 (6402): 575–578. Bibcode:2018Sci...361..575K. doi:10.1126/science.aat5522. PMID 29976798.
  7. ↑ Chu, T. L; Hyslop, A. E (1974). "बोरॉन आर्सेनाइड फिल्म्स की तैयारी और गुण". Journal of the Electrochemical Society. 121 (3): 412. Bibcode:1974JElS..121..412C. doi:10.1149/1.2401826.
  8. ↑ 8.0 8.1 Geisz, J. F; Friedman, D. J; Olson, J. M; Kurtz, Sarah R; Reedy, R. C; Swartzlander, A. B; Keyes, B. M; Norman, A. G (2000). "गॉस के साथ मेल खाने वाले एलॉय लैड्स शुरू करता है". Applied Physics Letters. 76 (11): 1443. Bibcode:2000ApPhL..76.1443G. doi:10.1063/1.126058.
  9. ↑ Shin, Jungwoo; Gamage, Geethal Amila; Ding, Zhiwei; Chen, Ke; Tian, Fei; Qian, Xin; Zhou, Jiawei; Lee, Hwijong; Zhou, Jianshi; Shi, Li; Nguyen, Thanh (2022-07-22). "क्यूबिक बोरान आर्सेनाइड में उच्च एंबिपोलर गतिशीलता". Science (in English). 377 (6604): 437–440. Bibcode:2022Sci...377..437S. doi:10.1126/science.abn4290. ISSN 0036-8075. PMID 35862526. S2CID 250952849.
  10. ↑ "नए सेमीकंडक्टर में दबाव में देखा गया आश्चर्यजनक गर्मी हस्तांतरण व्यवहार". Physics World (in British English). 2023-01-27. Retrieved 2023-01-30.
  11. ↑ Li, Suixuan; Qin, Zihao; Wu, Huan; Li, Man; Kunz, Martin; Alatas, Ahmet; Kavner, Abby; Hu, Yongjie (23 November 2022). "बोरॉन आर्सेनाइड में उच्च दबाव के तहत विषम तापीय परिवहन". Nature (in English). 612 (7940): 459–464. Bibcode:2022Natur.612..459L. doi:10.1038/s41586-022-05381-x. ISSN 1476-4687. PMID 36418403. S2CID 253838186.
  12. ↑ Remmel, Ariana (2 January 2023). "बोरॉन आर्सेनाइड दबाव में नियम तोड़ता है". C&EN. Vol. 101, no. 1. p. 6. doi:10.1021/cen-10101-scicon3. Retrieved 2 April 2023.
  13. ↑ Carrard, M; Emin, D; Zuppiroli, L (1995). "दोष क्लस्टरिंग और इलेक्ट्रॉन-विकिरणित बोरॉन युक्त ठोस पदार्थों की स्व-उपचार". Physical Review B. 51 (17): 11270–11274. Bibcode:1995PhRvB..5111270C. doi:10.1103/PhysRevB.51.11270. PMID 9977852.
  14. ↑ Chen, H.; Wang, G.; Dudley, M.; Xu, Z.; Edgar, J. H.; Batten, T.; Kuball, M.; Zhang, L.; Zhu, Y. (2008). "Single-Crystalline B12As2 on m-plane (1100) 15R-SiC". Applied Physics Letters. 92 (23): 231917. Bibcode:2008ApPhL..92w1917C. doi:10.1063/1.2945635. hdl:2097/2186.
  15. ↑ Boone, J. L. and Vandoren, T. P. (1980) Boron arsenide thin film solar cell development, Final Report, Eagle-Picher Industries, Inc., Miami, OK. abstract.
  16. ↑ Kang, Joon Sang; Li, Man; Wu, Huan; Nguyen, Huuduy; Aoki, Toshihiro; Hu, Yongjie (2021). "गैलियम नाइट्राइड उपकरणों में बोरॉन आर्सेनाइड कूलिंग सबस्ट्रेट्स का एकीकरण". Nature Electronics. 4 (6): 416–423. doi:10.1038/s41928-021-00595-9. S2CID 236356514..
  17. ↑ Cui, Ying; Qin, Zihao; Wu, Huan; Li, Man; Hu, Yongjie (2021). "उच्च-प्रदर्शन थर्मल प्रबंधन के लिए स्व-इकट्ठे बोरान आर्सेनाइड पर आधारित लचीला थर्मल इंटरफ़ेस". Nature Communications. 12 (1): 1284. Bibcode:2021NatCo..12.1284C. doi:10.1038/s41467-021-21531-7. PMC 7904764. PMID 33627644..
  18. ↑ An unlikely competitor for diamond as the best thermal conductor, Phys.org news (July 8, 2013)
  19. ↑ Lv, Bing; Lan, Yucheng; Wang, Xiqu; Zhang, Qian; Hu, Yongjie; Jacobson, Allan J; Broido, David; Chen, Gang; Ren, Zhifeng; Chu, Ching-Wu (2015). "Experimental study of the proposed super-thermal-conductor: BAs" (PDF). Applied Physics Letters. 106 (7): 074105. Bibcode:2015ApPhL.106g4105L. doi:10.1063/1.4913441. hdl:1721.1/117852. OSTI 1387754. S2CID 54074851.
  20. ↑ Zheng, Qiang; Polanco, Carlos A.; Du, Mao-Hua; Lindsay, Lucas R.; Chi, Miaofang; Yan, Jiaqiang; Sales, Brian C. (6 September 2018). "एंटीसाइट जोड़े बीए की तापीय चालकता को दबा देते हैं". Physical Review Letters. 121 (10): 105901. arXiv:1804.02381. Bibcode:2018PhRvL.121j5901Z. doi:10.1103/PhysRevLett.121.105901. PMID 30240242. S2CID 206316624.
  21. ↑ Feng, Tianli; Lindsay, Lucas; Ruan, Xiulin (2017). "चार-फोनन प्रकीर्णन ठोस पदार्थों की आंतरिक तापीय चालकता को काफी कम कर देता है". Physical Review B. 96 (16): 161201. Bibcode:2017PhRvB..96p1201F. doi:10.1103/PhysRevB.96.161201.
  22. ↑ Li, Sheng; Zheng, Qiye; Lv, Yinchuan; Liu, Xiaoyuan; Wang, Xiqu; Huang, Pinshane Y.; Cahill, David G.; Lv, Bing (2018). "क्यूबिक बोरान आर्सेनाइड क्रिस्टल में उच्च तापीय चालकता". Science. 361 (6402): 579–581. Bibcode:2018Sci...361..579L. doi:10.1126/science.aat8982. PMID 29976796.
  23. ↑ Tian, Fei; Song, Bai; Chen, Xi; Ravichandran, Navaneetha K; Lv, Yinchuan; Chen, Ke; Sullivan, Sean; Kim, Jaehyun; Zhou, Yuanyuan; Liu, Te-Huan; Goni, Miguel; Ding, Zhiwei; Sun, Jingying; Gamage, Geethal Amila Gamage Udalamatta; Sun, Haoran; Ziyaee, Hamidreza; Huyan, Shuyuan; Deng, Liangzi; Zhou, Jianshi; Schmidt, Aaron J; Chen, Shuo; Chu, Ching-Wu; Huang, Pinshane Y; Broido, David; Shi, Li; Chen, Gang; Ren, Zhifeng (2018). "बोरॉन आर्सेनाइड बल्क क्रिस्टल में असामान्य उच्च तापीय चालकता". Science. 361 (6402): 582–585. Bibcode:2018Sci...361..582T. doi:10.1126/science.aat7932. PMID 29976797.
  24. ↑ General, Ryan (18 August 2022). "चीनी एमआईटी प्रोफेसर जासूसी के आरोपों के महीनों बाद 'गेम चेंजर' खोजने में मदद करते हैं" (in English). NextShark. Retrieved 19 August 2022.


बाहरी संबंध

Retrieved from ‘https://www.vigyanwiki.in/index.php?title=बोरॉन_आर्सेनाइड&oldid=200122’