राइट वन्स रीड मैनी

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एक बार लिखें अनेक पढ़ें (WORM) एक [[डेटा भंडारण उपकरण]] का वर्णन करता है जिसमें एक बार लिखी गई जानकारी को संशोधित नहीं किया जा सकता है। यह लेखन सुरक्षा यह आश्वासन देती है कि डिवाइस पर लिखे जाने के बाद मानवीय त्रुटि, कंप्यूटर बग या मैलवेयर से डेटा हानि की संभावना को छोड़कर, डेटा के साथ छेड़छाड़ नहीं की जा सकती है।

सामान्य (गैर-वॉर्म) डेटा भंडारण उपकरणों पर, डेटा को कितनी बार संशोधित किया जा सकता है, यह केवल डिवाइस के जीवनकाल तक सीमित होता है, क्योंकि संशोधन में भौतिक परिवर्तन शामिल होते हैं जो डिवाइस के खराब होने का कारण बन सकते हैं। रीड मैनी पहलू उल्लेखनीय नहीं है, क्योंकि आधुनिक भंडारण उपकरण एक बार लिखे जाने पर डेटा को असीमित रूप से पढ़ने की अनुमति देते हैं।[Note 1] WORM महत्वपूर्ण फ़ाइलों को सुरक्षित और अक्षुण्ण रखकर उनकी सुरक्षा करता है। यह महत्वपूर्ण डेटा को हटाए जाने या संशोधित किए जाने के जोखिम को समाप्त करके उच्चतम स्तर की अखंडता और डेटा सुरक्षा सुनिश्चित करता है। इस तरह, WORM रिकॉर्ड किए गए डेटा की प्रामाणिकता और सुरक्षा को बनाए रखने में मदद करता है।

इतिहास

WORM ड्राइव CD-R, DVD रिकॉर्डेबल|DVD-R और ब्लू-रे डिस्क रिकॉर्ड करने योग्य|BD-R के आविष्कार से पहले थीं। एक उदाहरण आईबीएम 3363 था।[1] ये ड्राइव आमतौर पर उपयोग की जाती हैं 12 in (30 cm) एक कार्ट्रिज में डिस्क, एक पृथक करना ऑप्टिकल परत के साथ जिसे केवल एक बार लिखा जा सकता था, और अक्सर पुस्तकालयों जैसे स्थानों में उपयोग किया जाता था जहां बड़ी मात्रा में डेटा संग्रहीत करने की आवश्यकता होती थी। इन्हें पीसी से जोड़ने के लिए इंटरफेस भी मौजूद थे।

छिद्रित कार्ड और कागज का टेप अप्रचलित WORM मीडिया हैं। हालाँकि माध्यम के किसी भी अछूते क्षेत्र को माध्यम के पहले लेखन के बाद छिद्रित किया जा सकता था, लेकिन ऐसा करना वस्तुतः कभी भी उपयोगी नहीं था। केवल पढ़ने के लिये मेमोरी (ROM) भी ​​एक WORM माध्यम है। ऐसी मेमोरी में कंप्यूटर को किसी अन्य स्टोरेज डिवाइस जैसे हार्ड डिस्क से ऑपरेटिंग सिस्टम को पढ़ने के निर्देश शामिल हो सकते हैं। हालाँकि, गैर-तकनीकी अंतिम-उपयोगकर्ता ROM को एक बार भी नहीं लिख सकता है, लेकिन इसे अपरिवर्तनीय कंप्यूटिंग प्लेटफार्म का हिस्सा मानता है।

WORM का उपयोग वित्तीय उद्योग नियामक प्राधिकरण और अमेरिकी प्रतिभूति और विनिमय आयोग के भीतर मध्यग विक्रेता रिकॉर्ड के लिए किया गया था।

वर्तमान WORM ड्राइव

एक बार लिखने योग्य ऑप्टिकल डिस्क पर डेटा को संशोधित नहीं किया जा सकता है और स्थान आरक्षित है।

कंप्यूटर के लिए CD-R, DVD-R और BD-R ऑप्टिकल डिस्क सामान्य WORM डिवाइस हैं। इन डिस्क पर, डिस्क के किसी भी क्षेत्र को दूसरी बार रिकॉर्ड नहीं किया जा सकता है। पैकेट लेखन के माध्यम से, जो यूनिवर्सल डिस्क प्रारूप (यूडीएफ) फाइल सिस्टम का उपयोग करता है, ये डिस्क अक्सर एक फ़ाइल सिस्टम का उपयोग करते हैं जो अतिरिक्त कम्प्यूटर फाइल और यहां तक ​​​​कि एक ही नाम से फ़ाइल के संशोधित संस्करणों को एक अलग क्षेत्र में रिकॉर्ड करने की अनुमति देता है। डिस्क. उपयोगकर्ता के लिए, डिस्क तब तक परिवर्धन और संशोधन की अनुमति देती प्रतीत होती है जब तक कि सभी डिस्क स्थान का उपयोग नहीं हो जाता।

एसडी कार्ड और माइक्रोएसडी कार्ड विशिष्टता कई प्रकार की लेखन-सुरक्षा की अनुमति देती है। सबसे आम फॉर्म, जो केवल पूर्ण आकार के एसडी कार्ड का उपयोग करते समय उपलब्ध होता है, एक भौतिक लेखन सुरक्षा स्विच प्रदान करता है जो उपयोगकर्ता को होस्ट कार्ड रीडर को लेखन पहुंच को अस्वीकार करने की सलाह देने की अनुमति देता है। यदि कार्ड रीडर हार्डवेयर लेखन सुरक्षा स्विच का सम्मान करने के लिए नहीं बनाया गया है तो यह कार्ड पर डेटा की सुरक्षा नहीं करता है।[2] 2000 के दशक की शुरुआत में कई विक्रेताओं ने मैग्नेटिक वर्म डिवाइस विकसित किए। ये अभिलेखीय ग्रेड भंडारण उपकरण हार्डवेयर और सॉफ्टवेयर दोनों स्तरों पर अनधिकृत परिवर्तन या संशोधन से डेटा को सुरक्षित करने के लिए RAID और चुंबकीय भंडारण प्रौद्योगिकियों की विविधता का उपयोग करते हैं। चूँकि चुंबकीय (और ठोस-अवस्था) भंडारण की लागत कम हो गई है, इसलिए इन अभिलेखीय भंडारण प्रौद्योगिकियों की लागत भी कम हो गई है। इन तकनीकों को लगभग हमेशा सामग्री/दस्तावेज़ प्रबंधन प्रणाली में सीधे एकीकृत किया जाता है जो दस्तावेज़ स्तर के इतिहास के साथ-साथ अवधारण कार्यक्रम और पहुंच नियंत्रण का प्रबंधन करता है।[3][4] नेटएप सहित मैग्नेटिक स्टोरेज तकनीक प्रदान करने वाले कई विक्रेता हैं,[5] ईएमसी सेंटरा,[6] कॉम नेटवर्क्स,[7] और दूसरे। 2013 में, ग्रीनटेक-यूएसए, इंक. ने 3 टीबी और उससे अधिक की क्षमता में WORM हार्ड डिस्क ड्राइव विकसित की। पुनर्लेखन की रोकथाम भौतिक डिस्क स्तर पर की जाती है और इसे संलग्न कंप्यूटर द्वारा संशोधित या ओवरराइड नहीं किया जा सकता है।[8][9]


अनुसंधान

हाल के वर्षों में PEDOT:PSS जैसे कार्बनिक घटकों पर आधारित WORM में नए सिरे से रुचि बढ़ी है[10][11] या अन्य पॉलिमर जैसे पीवीके[12] या पीसीज़.[13] ऑर्गेनिक वर्म उपकरण, जिन्हें ऑर्गेनिक मेमोरी माना जाता है, का उपयोग कम-शक्ति वाले आरएफआईडी टैग के लिए मेमोरी तत्वों के रूप में किया जा सकता है।[14]


टिप्पणियाँ

  1. Historical exceptions include time-limited discs such as Flexplay, designed for short-term rental of movies; and early non-volatile memory technologies such as magnetic-core memory and bubble memory, from which reading data also erased it.


यह भी देखें

  • केवल-जोड़ें

संदर्भ

  1. "IBM 3363 optical WORM drive". November 21, 1987 – via Computer History Museum Archive.
  2. "Simplified Specifications - SD Association, version 3.10 , Part 1, Physical Layer, section 4.3.6" Write Protect Management"". www.sdcard.org. Retrieved 2019-04-11.
  3. http://www.aiim.org/documents/standards/ARP1-2009.pdf[dead link]
  4. "इलेक्ट्रॉनिक दस्तावेज़ प्रबंधन प्रणाली (ईडीएमएस) का विश्लेषण, चयन और कार्यान्वयन" (PDF). Association for Information and Image Management. 2009. Archived (PDF) from the original on 2009-12-29.
  5. "SnapLock: WORM Compliance – Data Compliance". NetApp.
  6. EMC Centers emc.com
  7. "Products Overview". Archived from the original on 2012-02-17.
  8. "GreenTec-USA, Inc. WORM Read Only Disk Drives" http://www.greentec-usa.com
  9. "Best Practices to Secure Data from Modification: Eliminating the Risk to Online Content" http://greentec-usa.com/wp/GreenTec-WORM-Whitepaper.pdf
  10. Möller, Sven; Perlov, Craig; Jackson, Warren; Taussig, Carl; Forrest, Stephen R. (2003). "A polymer/Semiconductor write-once read-many-times memory". Nature. 426 (6963): 166–169. Bibcode:2003Natur.426..166M. doi:10.1038/nature02070. PMID 14614502. S2CID 4337352.
  11. "Smith and Forrest "A low switching voltage organic-on-inorganic heterojunction memory element utilizing a conductive polymer fuse on a doped silicon substrate"".
  12. "Lin and Ma "Realization of write-once-read-many-times memory devices based on poly(N-vinylcarbazole) by thermally annealing"".
  13. Teo, E. Y. H.; Zhang, C.; Lim, S. L.; Kang, E.; Chan, D. S. H.; Zhu, C. (May 2009). "An Organic-Based Diode–Memory Device With Rectifying Property for Crossbar Memory Array Applications". IEEE Electron Device Letters. 30 (5): 487–489. Bibcode:2009IEDL...30..487Y. doi:10.1109/LED.2009.2017387. ISSN 0741-3106. S2CID 19858062.
  14. "Holst Centre reports major step towards organic RFID"