राइट वन्स रीड मैनी
राइट वन्स रीड मैनी (वॉर्म) एक डेटा भंडारण उपकरण का वर्णन करता है जिसमें जानकारी को एक बार लिखा जाता है, और फिर उसे संशोधित नहीं किया जा सकता। यह लेखन सुरक्षा यह आश्वासन देती है कि उपकरण पर लिखे जाने के बाद मानवीय त्रुटि, कंप्यूटर बग या मैलवेयर से डेटा हानि की संभावना को छोड़कर, डेटा के साथ छेड़छाड़ नहीं की जा सकती है।
सामान्य (गैर-वॉर्म) डेटा भंडारण उपकरणों पर, डेटा को कितनी बार संशोधित किया जा सकता है, यह केवल उपकरण के जीवनकाल पर निर्भर होता है, क्योंकि संशोधन में भौतिक परिवर्तन सम्मिलित होते हैं जो उपकरण के खराब होने का कारण बन सकते हैं। "रीड मैनी" ("कई पढ़ें") पहलू उल्लेखनीय नहीं है, क्योंकि आधुनिक भंडारण उपकरण एक बार लिखे गए डेटा को असीमित रूप से पढ़ने की अनुमति देते हैं।[Note 1]
वॉर्म महत्वपूर्ण फ़ाइलों को सुरक्षित और अक्षुण्ण रखकर उनकी सुरक्षा करता है। यह महत्वपूर्ण डेटा को मिटाने या संशोधित करने के संकट को समाप्त करके उच्चतम स्तर की अखंडता और डेटा सुरक्षा सुनिश्चित करता है। इस तरह, वॉर्म रिकॉर्ड किए गए डेटा की प्रामाणिकता और सुरक्षा को बनाए रखने में मदद करता है।
इतिहास
वॉर्म ड्राइव सीडी-आर, डीवीडी-आर और बीडी-आर के आविष्कार से पहले आई थीं। एक उदाहरण आई.बी.एम 3363 था।[1] ये ड्राइव्स आमतौर पर एक 12 इंच (30 सेमी) डिस्क का उपयोग कार्ट्रिज में करते थे, जिसमें एक अब्लेटिव ऑप्टिकल (अपक्षरणीय प्रकाशिकी) परत होती थी जिसे केवल एक बार लिखा जा सकता था, और ये प्रायः पुस्तकालयों जैसे स्थानों में उपयोग किया जाता था जहां बड़ी मात्रा में डेटा संग्रहीत करने की आवश्यकता होती थी। इन्हें पीसी से जोड़ने के लिए इंटरफेस (अंतरापृष्ठ) भी उपस्थित थे।
छिद्रित कार्ड और पेपर टेप अप्रचलित वॉर्म मीडिया हैं। हालाँकि मीडिया के किसी भी अछूते क्षेत्र को मीडिया के पहले लेखन के बाद छिद्रित किया जा सकता था, लेकिन ऐसा करना वास्तव में कभी भी उपयोगी नहीं था। केवल पठनीय स्मृति (ROM) भी एक वॉर्म मीडिया है। ऐसी मेमोरी में कंप्यूटर को किसी अन्य भंडारण उपकरण जैसे संग्रहण चक्रिका से संचालन प्रणाली को पढ़ने के निर्देश सम्मिलित हो सकते हैं। हालाँकि, गैर-तकनीकी अंतिम-उपयोगकर्ता ROM में लिखने का क्षमत नहीं होता है, लेकिन को एक बार भी नहीं लिख सकता है, लेकिन इसे अपरिवर्तनीय अभिकलन प्लेटफार्म का हिस्सा मानता है।
वॉर्म का उपयोग वित्तीय उद्योग नियामक प्राधिकरण और अमेरिकी प्रतिभूति और विनिमय आयोग के भीतर मध्यग विक्रेता रिकॉर्ड के लिए किया गया था।
वर्तमान वॉर्म ड्राइव
कंप्यूटर के लिए सीडी-आर, डीवीडी-आर और बीडी-आर ऑप्टिकल डिस्क सामान्य वॉर्म उपकरण हैं। इन डिस्क पर, डिस्क के किसी भी क्षेत्र को दूसरी बार रिकॉर्ड नहीं किया जा सकता है। पैकेट लेखन के माध्यम से, जो यूनिवर्सल डिस्क प्रारूप (यूडीएफ) फाइल सिस्टम का उपयोग करता है, ये डिस्क प्रायः एक फ़ाइल सिस्टम का उपयोग करते हैं जो अतिरिक्त कम्प्यूटर फाइल और यहां तक कि एक ही नाम से फ़ाइल के संशोधित संस्करणों को एक अलग क्षेत्र में रिकॉर्ड करने की अनुमति देता है। डिस्क उपयोगकर्ता के लिए, तब तक परिवर्धन और संशोधन की अनुमति देती प्रतीत होती है जब तक कि सभी डिस्क स्थान का उपयोग नहीं हो जाता।
एस.डी कार्ड और माइक्रोएस.डी कार्ड विशिष्टता कई प्रकार की लेखन-सुरक्षा की अनुमति देती है। सबसे सामान्य प्रकार, जो केवल पूर्ण आकार के एस.डी कार्ड का उपयोग करते समय उपलब्ध होता है, यह एक भौतिक लेखन सुरक्षा स्विच प्रदान करता है जो उपयोगकर्ता को होस्ट कार्ड रीडर को लेखन की पहुंच को निषेधित करने की सलाह दी जा सकती है। यदि कार्ड रीडर हार्डवेयर लेखन सुरक्षा स्विच का सम्मान करने के लिए निर्मित नहीं है तो यह कार्ड पर डेटा की सुरक्षा नहीं प्रदान करता।[2]
2000 के दशक के प्रारंभ में कई विक्रेताओं ने मैग्नेटिक वर्म उपकरण विकसित किए। ये अभिलेखीय ग्रेड भंडारण उपकरण हार्डवेयर और सॉफ्टवेयर दोनों स्तरों पर अनधिकृत परिवर्तन या संशोधन से डेटा को सुरक्षित करने के लिए RAID और चुंबकीय भंडारण प्रौद्योगिकियों की विविधता का उपयोग करते हैं। चूँकि चुंबकीय (और ठोस-अवस्था) भंडारण की लागत कम हो गई है, इसलिए इन अभिलेखीय भंडारण प्रौद्योगिकियों की लागत भी कम हो गई है। इन तकनीकों को लगभग हमेशा सामग्री/प्रलेख प्रबंधन प्रणाली में सीधे एकीकृत किया जाता है जो प्रलेख स्तर के इतिहास के साथ-साथ अवधारण कार्यक्रम और पहुंच नियंत्रण का प्रबंधन करता है।[3][4]
नेटएप, ईएमसी सेंटरा,[5] केओएम नेटवर्क्स,[6] और अन्य सहित मैग्नेटिक स्टोरेज तकनीक प्रदान करने वाले कई विक्रेता हैं।[7] 2013 में, ग्रीनटेक-यूएसए, इंक. ने 3 टीबी और उससे अधिक की क्षमता में वॉर्म हार्ड डिस्क ड्राइव विकसित की। पुनर्लेखन की रोकथाम भौतिक डिस्क स्तर पर की जाती है और इसे संलग्न कंप्यूटर द्वारा संशोधित या ओवरराइड नहीं किया जा सकता है।[8][9]
अनुसंधान
हाल के वर्षों में कार्बनिक घटकों, जैसे पेडोट: पी.एस.एस [10][11] या अन्य पॉलिमर जैसे पी.वी.के[12] या पी.सी.ज़.[13] पर आधारित वॉर्म में नए सिरे से रुचि बढ़ी है। कार्बनिक वर्म उपकरण, जिन्हें कार्बनिक मेमोरी माना जाता है, का उपयोग कम-शक्ति वाले आर.एफ.आई.डी टैग के लिए मेमोरी तत्वों के रूप में किया जा सकता है।[14]
टिप्पणियाँ
- ↑ Historical exceptions include time-limited discs such as Flexplay, designed for short-term rental of movies; and early non-volatile memory technologies such as magnetic-core memory and bubble memory, from which reading data also erased it.
यह भी देखें
- केवल-जोड़ें
संदर्भ
- ↑ "IBM 3363 optical WORM drive". November 21, 1987 – via Computer History Museum Archive.
- ↑ "Simplified Specifications - SD Association, version 3.10 , Part 1, Physical Layer, section 4.3.6" Write Protect Management"". www.sdcard.org. Retrieved 2019-04-11.
- ↑ http://www.aiim.org/documents/standards/ARP1-2009.pdf[dead link]
- ↑ "इलेक्ट्रॉनिक दस्तावेज़ प्रबंधन प्रणाली (ईडीएमएस) का विश्लेषण, चयन और कार्यान्वयन" (PDF). Association for Information and Image Management. 2009. Archived (PDF) from the original on 2009-12-29.
- ↑ EMC Centers emc.com
- ↑ "Products Overview". Archived from the original on 2012-02-17.
- ↑ "SnapLock: WORM Compliance – Data Compliance". NetApp.
- ↑ "GreenTec-USA, Inc. WORM Read Only Disk Drives" http://www.greentec-usa.com
- ↑ "Best Practices to Secure Data from Modification: Eliminating the Risk to Online Content" http://greentec-usa.com/wp/GreenTec-WORM-Whitepaper.pdf
- ↑ Möller, Sven; Perlov, Craig; Jackson, Warren; Taussig, Carl; Forrest, Stephen R. (2003). "A polymer/Semiconductor write-once read-many-times memory". Nature. 426 (6963): 166–169. Bibcode:2003Natur.426..166M. doi:10.1038/nature02070. PMID 14614502. S2CID 4337352.
- ↑ "Smith and Forrest "A low switching voltage organic-on-inorganic heterojunction memory element utilizing a conductive polymer fuse on a doped silicon substrate"".
- ↑ "Lin and Ma "Realization of write-once-read-many-times memory devices based on poly(N-vinylcarbazole) by thermally annealing"".
- ↑ Teo, E. Y. H.; Zhang, C.; Lim, S. L.; Kang, E.; Chan, D. S. H.; Zhu, C. (May 2009). "An Organic-Based Diode–Memory Device With Rectifying Property for Crossbar Memory Array Applications". IEEE Electron Device Letters. 30 (5): 487–489. Bibcode:2009IEDL...30..487Y. doi:10.1109/LED.2009.2017387. ISSN 0741-3106. S2CID 19858062.
- ↑ "Holst Centre reports major step towards organic RFID"
