जाइरेटर-संधारित्र मॉडल: Difference between revisions

Revision as of 18:23, 12 August 2023

एक साधारण ट्रांसफार्मर और उसका गाइरेटर-संधारित्र मॉडल। आर भौतिक चुंबकीय परिपथ की अरुचि है।

जाइरेटर-संधारित्र मॉडल^[1]^[2] चुंबकीय परिपथ के लिए एक मॉडल होता है, जिसका उपयोग अधिक सामान्य प्रतिरोध-अरुचि मॉडल के स्थान पर किया जा सकता है। मॉडल विद्युत प्रतिरोध (चुंबकीय अरुचि देखें) के बजाय पारगम्य तत्वों को विद्युत समाई (चुंबकीय समाई अनुभाग देखें) के अनुरूप बनाता है। वाइंडिंग को जाइरेटर के रूप में दर्शाया जाता है, जो विद्युत परिपथ और चुंबकीय मॉडल के बीच इंटरफेस होता है।ka

चुंबकीय अरुचि मॉडल की तुलना में जाइरेटर-संधारित्र मॉडल का प्राथमिक लाभ यह है कि मॉडल ऊर्जा प्रवाह, भंडारण और अपव्यय के सही मूल्यों को संरक्षित करता है।^[3]^[4] जाइरेटर-संधारित्र मॉडल मैकेनिकल-इलेक्ट्रिकल एनालॉग्स#अन्य ऊर्जा डोमेन का एक उदाहरण है जो विभिन्न डोमेन में चर के पावर संयुग्म जोड़े को अनुरूप बनाकर ऊर्जा डोमेन में ऊर्जा प्रवाह को संरक्षित करता है। यह यांत्रिक डोमेन के लिए प्रतिबाधा समानता के समान भूमिका निभाता है।

नामकरण

चुंबकीय परिपथ या तो भौतिक चुंबकीय परिपथ या मॉडल चुंबकीय परिपथ को संदर्भित कर सकता है। गांठ-तत्व मॉडल गतिशील प्रणाली सिद्धांत सिद्धांत जो मॉडल चुंबकीय परिपथ का हिस्सा है, उनके नाम विशेषण चुंबकीय से शुरू होते है, हालांकि इस सम्मेलन का सख्ती से पालन नहीं किया जाता है। मॉडल चुंबकीय परिपथ में तत्वों या गतिशील चर का भौतिक चुंबकीय परिपथ में घटकों के साथ एक-से-एक पत्राचार नहीं हो सकता है। मॉडल चुंबकीय परिपथ का हिस्सा तत्वों और चर के प्रतीकों को एम की सबस्क्रिप्ट के साथ लिखा जा सकता है। उदाहरण के लिए, $C_{M}$ मॉडल परिपथ में एक चुंबकीय संधारित्र होगा।

विश्लेषण में आसानी के लिए संबद्ध विद्युत परिपथ में विद्युत तत्वों को चुंबकीय मॉडल में लाया जा सकता है। चुंबकीय परिपथ में मॉडल तत्व जो विद्युत तत्वों का प्रतिनिधित्व करते है, आमतौर पर विद्युत तत्वों के द्वैत (विद्युत परिपथ) होते है। ऐसा इसलिए है क्योंकि इस मॉडल में विद्युत और चुंबकीय डोमेन के बीच ट्रांसड्यूसर आमतौर पर जाइरेटर द्वारा दर्शाए जाते है। एक जाइरेटर एक तत्व को उसके दोहरे में बदल देगा। उदाहरण के लिए, एक चुंबकीय प्रवर्तन एक विद्युत समाई का प्रतिनिधित्व कर सकता है।

चुंबकीय परिपथ और विद्युत परिपथ के बीच समानता का सारांश

निम्नलिखित तालिका विद्युत परिपथ सिद्धांत और चुंबकीय परिपथ सिद्धांत के बीच गणितीय समानता का सारांश प्रस्तुत करती है।

जाइरेटर-संधारित्र दृष्टिकोण में प्रयुक्त चुंबकीय परिपथ और विद्युत परिपथ के बीच दृष्टिकोण
चुंबकीय			विद्युत
नाम	प्रतीक	इकाइयों	नाम	प्रतीक	इकाइयों
मैग्नेटोमोटिव बल (एमएमएफ)	${\mathcal {F}}=\int \mathbf {H} \cdot d\mathbf {l}$	एम्पीयर-टर्न	वैद्युतवाहक बल (ईएमएफ)	${\mathcal {E}}=\int \mathbf {E} \cdot d\mathbf {l}$	वोल्ट
चुंबकीय क्षेत्र	H	एम्पीयर/मीटर = न्यूटन/वेबर	विद्युत क्षेत्र	E	वोल्ट/मीटर = न्यूटन/कूलम्ब
चुंबकीय प्रवाह	$\Phi$	वेबर^{[lower-alpha 1]}	विद्युत का आवेश	Q	कूलम्ब
परिवर्तन की प्रवाह दर	${\dot {\Phi }}$	वेबर/सेकंड = वोल्ट	विद्युत प्रवाह	$I$	कूलम्ब/सेकंड = एम्पेयर
चुंबकीय प्रवेश	$Y_{M}(\omega )={\frac {{\dot {\Phi }}(\omega )}{{\mathcal {F}}(\omega )}}$	ओम = 1/सीमेंस	विद्युत प्रवेश	$Y_{E}(\omega )={\frac {I(\omega )}{V(\omega )}}={\frac {1}{\operatorname {Z_{E}(\omega )} }}$	siemens = 1/ohm
चुंबकीय चालन	$G_{M}=\operatorname {Re} (Y_{M}(\omega ))$	ओम = 1/सीमेंस	विद्युत चालकता	$G_{E}=\operatorname {Re} (Y_{E}(\omega ))$	siemens = 1/ohm
चुंबकीय धारिता (धैर्य)	${\mathcal {P}}={\frac {\operatorname {Im} (Y_{M}(\omega ))}{\omega }}$	हेनरी	विद्युत धारिता	$C={\frac {\operatorname {Im} (Y_{E}(\omega ))}{\omega }}$	farad

जाइरेटर

जाइरेटर की परिभाषा जैसा कि जाइरेटर-संधारित्र दृष्टिकोण पेपर में हैमिल द्वारा उपयोग किया गया है।

जाइरेटर एक दो-पोर्ट नेटवर्क है| नेटवर्क विश्लेषण में उपयोग किया जाने वाला दो-पोर्ट तत्व है। जाइरेटर ट्रांसफार्मर का पूरक है; जबकि एक ट्रांसफॉर्मर में, एक पोर्ट पर वोल्टेज दूसरे पोर्ट पर आनुपातिक वोल्टेज में बदल जाएगा, जाइरेटर में, एक पोर्ट पर वोल्टेज दूसरे पोर्ट पर करंट में बदल जाएगा, और इसके विपरीत।

जाइरेटर-संधारित्र मॉडल में जाइरेटर की भूमिका विद्युत ऊर्जा डोमेन और चुंबकीय ऊर्जा डोमेन के बीच ट्रांसड्यूसर के रूप में होती है। विद्युत क्षेत्र में एक ईएमएफ चुंबकीय क्षेत्र में एक एमएमएफ के अनुरूप होता है, और ऐसा रूपांतरण करने वाले ट्रांसड्यूसर को एक ट्रांसफार्मर के रूप में दर्शाया जाएगा। हालाँकि, वास्तविक विद्युत-चुंबकीय ट्रांसड्यूसर आमतौर पर जाइरेटर के रूप में व्यवहार करते है। चुंबकीय डोमेन से विद्युत डोमेन तक एक ट्रांसड्यूसर फैराडे के प्रवर्तन के नियम का पालन करेगा, अर्थात, चुंबकीय प्रवाह के परिवर्तन की दर (इस समानता में एक चुंबकीय धारा) विद्युत डोमेन में आनुपातिक ईएमएफ उत्पन्न करती है। इसी तरह, विद्युत डोमेन से चुंबकीय डोमेन तक एक ट्रांसड्यूसर एम्पीयर के परिपथल कानून का पालन करेगा, यानी, एक विद्युत प्रवाह एक एमएमएफ उत्पन्न करेगा।

एन घुमावों की एक वाइंडिंग को एन ओम के घुमाव प्रतिरोध के साथ एक जाइरेटर द्वारा मॉडल किया जाता है।^[1]^: 100

ट्रांसड्यूसर जो चुंबकीय प्रवर्तन पर आधारित नहीं है, उन्हें जाइरेटर द्वारा दर्शाया नहीं जा सकता है। उदाहरण के लिए, एक हॉल प्रभाव सेंसर को एक ट्रांसफार्मर द्वारा मॉडल किया जाता है।

चुंबकीय वोल्टेज

चुंबकीय वोल्टेज, $v_{m}$ , मैग्नेटोमोटिव बल (एमएमएफ) का एक वैकल्पिक नाम है, ${\mathcal {F}}$ (एसआई इकाई: एम्पेयर या amp-टर्न), जो एक विद्युत परिपथ में विद्युत वोल्टेज के अनुरूप है।^[4]^: 42^[3]^: 5 सभी लेखक चुंबकीय वोल्टेज शब्द का उपयोग नहीं करते है। बिंदु A और बिंदु B के बीच एक तत्व पर लगाया गया मैग्नेटोमोटिव बल चुंबकीय क्षेत्र की ताकत के घटक के माध्यम से अभिन्न रेखा के बराबर है, $\mathbf {H}$

v_{m}={\mathcal {F}}=-\int _{A}^{B}\mathbf {H} \cdot d\mathbf {l}

प्रतिरोध-अरुचि मॉडल चुंबकीय वोल्टेज और मैग्नेटोमोटिव बल के बीच समान तुल्यता का उपयोग करता है।

चुंबकीय धारा

चुंबकीय धारा, $i_{m}$ , फ्लक्स के परिवर्तन की समय दर का एक वैकल्पिक नाम है, ${\dot {\Phi }}$ (SI इकाई: वेबर (इकाई)/सेकंड या वोल्ट), जो एक विद्युत परिपथ में विद्युत धारा के अनुरूप है।^[2]^: 2429^[4]^: 37भौतिक परिपथ में, ${\dot {\Phi }}$ , चुंबकीय धारा#चुंबकीय विस्थापन धारा है।^[4]^: 37 क्रॉस सेक्शन के एक तत्व के माध्यम से बहने वाली चुंबकीय धारा, $S$ , चुंबकीय प्रवाह घनत्व का अभिन्न अंग क्षेत्र है $\mathbf {B}$

i_{m}={\dot {\Phi }}={\frac {d}{dt}}\int _{S}\mathbf {B} \cdot d\mathbf {S}

प्रतिरोध-अरुचि मॉडल एक अलग तुल्यता का उपयोग करता है, चुंबकीय धारा को फ्लक्स का वैकल्पिक नाम मानता है,

\Phi

. चुंबकीय धारा की परिभाषा में यह अंतर जाइरेटर-संधारित्र मॉडल और प्रतिरोध-अरुचि मॉडल के बीच मूलभूत अंतर है। चुंबकीय धारा और चुंबकीय वोल्टेज की परिभाषा अन्य चुंबकीय तत्वों की परिभाषा को दर्शाती है।^[4]^: 35

चुंबकीय धारिता

एक आयताकार प्रिज्म तत्व का स्थायित्व

चुंबकीय धारिता पारगम्यता का एक वैकल्पिक नाम है, (SI इकाई: हेनरी (इकाई))। इसे मॉडल चुंबकीय परिपथ में एक कैपेसिटेंस द्वारा दर्शाया जाता है। कुछ लेखक उपयोग करते है $C_{\mathrm {M} }$ चुंबकीय धारिता को दर्शाने के लिए जबकि अन्य उपयोग करते है $P$ और धारिता को पारगम्यता के रूप में देखें। किसी तत्व की पारगम्यता एक व्यापक गुण है जिसे चुंबकीय प्रवाह के रूप में परिभाषित किया गया है, $\Phi$ , मैग्नेटोमोटिव बल द्वारा विभाजित तत्व की क्रॉस अनुभागीय सतह के माध्यम से, ${\mathcal {F}}$ , तत्व के पार'^[3]^: 6

C_{\mathrm {M} }=P={\frac {\int \mathbf {B} \cdot d\mathbf {S} }{\int \mathbf {H} \cdot d\mathbf {l} }}={\frac {\Phi }{\mathcal {F}}}

एकसमान क्रॉस-सेक्शन की एक छड़ के लिए, चुंबकीय धारिता इस प्रकार दी जाती है,

C_{\mathrm {M} }=P=\mu _{\mathrm {r} }\mu _{0}{\frac {S}{l}}

जहाँ:

$\mu _{\mathrm {r} }\mu _{0}=\mu$ पारगम्यता (विद्युत चुंबकत्व) है,
$S$ तत्व क्रॉस-सेक्शन है, और
$l$ तत्व की लंबाई है.

चरण विश्लेषण के लिए, चुंबकीय पारगम्यता^[5] और परमीन्स जटिल मूल्य है।^[5]^[6]

धैर्य अरुचि का व्युत्क्रम है।

चुंबकीय प्रवर्तन

चुंबकीय प्रेरकत्व और विद्युत धारिता के बीच परिपथ तुल्यता।

चुंबकीय परिपथ के जाइरेटर-संधारित्र मॉडल के संदर्भ में, चुंबकीय प्रवर्तन $L_{\mathrm {M} }$ (एसआई इकाई: फैराड) एक विद्युत परिपथ में प्रेरकत्व का समानता है।

चरण विश्लेषण के लिए चुंबकीय आगमनात्मक प्रतिक्रिया है:

x_{\mathrm {L} }=\omega L_{\mathrm {M} }

जहाँ:

$L_{\mathrm {M} }$ चुंबकीय प्रवर्तन है
$\omega$ चुंबकीय परिपथ की कोणीय आवृत्ति है

सम्मिश्र रूप में यह एक धनात्मक काल्पनिक संख्या है:

jx_{\mathrm {L} }=j\omega L_{\mathrm {M} }

चुंबकीय प्रवर्तन द्वारा कायम चुंबकीय संभावित ऊर्जा विद्युत क्षेत्रों में दोलनों की आवृत्ति के साथ बदलती रहती है। किसी निश्चित अवधि में औसत शक्ति शून्य के बराबर होती है। आवृत्ति पर निर्भरता के कारण, चुंबकीय प्रवर्तन मुख्य रूप से चुंबकीय परिपथ में देखा जा सकता है जो बहुत उच्च आवृत्ति और/या अल्ट्रा उच्च आवृत्ति आवृत्तियों पर काम करते है।^{[citation needed]}

चुंबकीय अधिष्ठापन की धारणा विद्युत परिपथ में अधिष्ठापन के अनुरूप जाइरेटर-संधारित्र मॉडल में परिपथ व्यवहार के विश्लेषण और गणना में नियोजित होती है।

एक चुंबकीय प्रारंभ करनेवाला एक विद्युत संधारित्र का प्रतिनिधित्व कर सकता है।^[4]^: 43 विद्युत परिपथ में एक शंट कैपेसिटेंस, जैसे इंट्रा-वाइंडिंग कैपेसिटेंस को चुंबकीय परिपथ में एक श्रृंखला अधिष्ठापन के रूप में दर्शाया जा सकता है।

उदाहरण

तीन चरण ट्रांसफार्मर

वाइंडिंग्स और पर्मेंस तत्वों के साथ तीन चरण वाला ट्रांसफार्मर।

ट्रांसफॉर्मर वाइंडिंग और परमीन्स तत्वों के लिए संधारित्र के लिए गाइरेटर-संधारित्र मॉडल का योजनाबद्ध उपयोग

यह उदाहरण जाइरेटर-संधारित्र दृष्टिकोण द्वारा तैयार किए गए तीन-चरण ट्रांसफार्मर को दिखाता है। इस उदाहरण में ट्रांसफार्मर में तीन प्राथमिक वाइंडिंग और तीन माध्यमिक वाइंडिंग है। चुंबकीय परिपथ सात अरुचि या अनुज्ञा तत्वों में विभाजित है। प्रत्येक वाइंडिंग को जाइरेटर द्वारा प्रतिरूपित किया जाता है। प्रत्येक जाइरेटर का घुमाव प्रतिरोध संबंधित वाइंडिंग पर घुमावों की संख्या के बराबर होता है। प्रत्येक पारगम्य तत्व को एक संधारित्र द्वारा प्रतिरूपित किया जाता है। फैराड में प्रत्येक संधारित्र का मान हेनरी (इकाई) में संबंधित परमिट के प्रवर्तन के समान है।

एन₁, एन₂, और n₃ तीन प्राथमिक वाइंडिंग्स में घुमावों की संख्या है। एन₄, एन₅, और n₆ तीन द्वितीयक वाइंडिंग्स में घुमावों की संख्या है। Φ₁, पीएचआई₂, और Φ₃ तीन ऊर्ध्वाधर तत्वों में प्रवाह है। वेबर्स में प्रत्येक पारगम्य तत्व में चुंबकीय प्रवाह संख्यात्मक रूप से कूलम्ब में सहयोगी समाई में चार्ज के बराबर है। प्रत्येक पारगम्य तत्व में ऊर्जा संबंधित संधारित्र में ऊर्जा के समान होती है।

योजनाबद्ध ट्रांसफार्मर मॉडल के योजनाबद्ध के अलावा एक तीन चरण जनरेटर और एक तीन चरण लोड दिखाता है।

गैप और लीकेज फ्लक्स वाला ट्रांसफार्मर

गैप और लीकेज फ्लक्स वाला ट्रांसफार्मर।

गैप और लीकेज फ्लक्स के साथ ट्रांसफार्मर का जाइरेटर-संधारित्र मॉडल।

जाइरेटर-संधारित्र दृष्टिकोण चुंबकीय परिपथ में रिसाव अधिष्ठापन और वायु अंतराल को समायोजित कर सकता है। अंतराल और रिसाव प्रवाह में एक पारगम्यता होती है जिसे संधारित्र के रूप में समकक्ष परिपथ में जोड़ा जा सकता है। अंतराल की पारगम्यता की गणना मूल तत्वों की तरह ही की जाती है, सिवाय इसके कि एकता की सापेक्ष पारगम्यता का उपयोग किया जाता है। जटिल ज्यामिति के कारण रिसाव प्रवाह की पारगम्यता की गणना करना मुश्किल हो सकता है। इसकी गणना अन्य विचारों जैसे माप या विशिष्टताओं से की जा सकती है।

C_PL और C_SL क्रमशः प्राथमिक और द्वितीयक रिसाव प्रवर्तन का प्रतिनिधित्व करते है। C_GAP वायु अंतराल अनुमति का प्रतिनिधित्व करता है।

चुंबकीय प्रतिबाधा

चुंबकीय जटिल प्रतिबाधा

चुंबकीय प्रतिबाधा और विद्युत प्रवेश के बीच परिपथ तुल्यता।

चुंबकीय जटिल प्रतिबाधा, जिसे पूर्ण चुंबकीय प्रतिरोध भी कहा जाता है, एक जटिल साइनसॉइडल चुंबकीय तनाव (मैग्नेटोमोटिव बल) का भागफल है ${\mathcal {F}}$ ) एक निष्क्रिय चुंबकीय परिपथ पर और परिणामी जटिल साइनसॉइडल चुंबकीय धारा ( ${\dot {\Phi }}$ ) परिपथ में. चुंबकीय प्रतिबाधा विद्युत प्रतिबाधा के समान है।

चुंबकीय जटिल प्रतिबाधा (एसआई इकाई: सीमेंस (इकाई)) द्वारा निर्धारित की जाती है:

Z_{M}={\frac {\mathcal {F}}{\dot {\Phi }}}=z_{M}e^{j\phi }

जहाँ

z_{M}

का मापांक है

Z_{M}

और

\phi

इसका चरण है. एक जटिल चुंबकीय प्रतिबाधा का तर्क चुंबकीय तनाव और चुंबकीय धारा के चरणों के अंतर के बराबर है। जटिल चुंबकीय प्रतिबाधा को निम्नलिखित रूप में प्रस्तुत किया जा सकता है:

Z_{M}=z_{M}e^{j\phi }=z_{M}\cos \phi +jz_{M}\sin \phi =r_{M}+jx_{M}

जहाँ

r_{M}=z_{M}\cos \phi

जटिल चुंबकीय प्रतिबाधा का वास्तविक हिस्सा है, जिसे प्रभावी चुंबकीय प्रतिरोध कहा जाता है, और

x_{M}=z_{M}\sin \phi

जटिल चुंबकीय प्रतिबाधा का काल्पनिक भाग है, जिसे प्रतिक्रियाशील चुंबकीय प्रतिरोध कहा जाता है। चुंबकीय प्रतिबाधा के बराबर है

z_{M}={\sqrt {r_{M}^{2}+x_{M}^{2}}},

\phi =\arctan {\frac {x_{M}}{r_{M}}}

चुंबकीय प्रभावी प्रतिरोध

चुंबकीय प्रभावी प्रतिरोध जटिल चुंबकीय प्रतिबाधा का वास्तविक विश्लेषण घटक है। इससे चुंबकीय परिपथ की चुंबकीय स्थितिज ऊर्जा नष्ट हो जाती है।^[7]^[8] चुंबकीय परिपथ में सक्रिय शक्ति प्रभावी चुंबकीय प्रतिरोध के उत्पाद के बराबर होती है $r_{\mathrm {M} }$ और चुंबकीय धारा का वर्ग $I_{\mathrm {M} }^{2}$

P=r_{\mathrm {M} }I_{\mathrm {M} }^{2}

एक जटिल तल पर चुंबकीय प्रभावी प्रतिरोध एक प्रत्यावर्ती धारा के चुंबकीय परिपथ के लिए प्रतिरोध त्रिकोण के किनारे के रूप में प्रकट होता है। प्रभावी चुंबकीय प्रतिरोध प्रभावी चुंबकीय संचालन के साथ बंधा हुआ है

g_{\mathrm {M} }

अभिव्यक्ति द्वारा

g_{\mathrm {M} }={\frac {r_{\mathrm {M} }}{z_{\mathrm {M} }^{2}}}

जहाँ

z_{\mathrm {M} }

एक चुंबकीय परिपथ की पूर्ण चुंबकीय प्रतिबाधा है।

चुंबकीय प्रतिक्रिया

चुंबकीय प्रतिक्रिया एक निष्क्रिय चुंबकीय परिपथ, या परिपथ के एक तत्व का पैरामीटर है, जो चुंबकीय जटिल प्रतिबाधा और चुंबकीय धारा के चुंबकीय प्रभावी प्रतिरोध के वर्गों के अंतर के वर्गमूल के बराबर है, जिसे प्लस चिह्न के साथ लिया जाता है, यदि चुंबकीय धारा चरण में चुंबकीय तनाव से पीछे है, और चिह्न ऋण के साथ, यदि चुंबकीय धारा चरण में चुंबकीय तनाव से आगे है।

चुंबकीय प्रतिक्रिया ^[7]^[6]^[8] प्रत्यावर्ती धारा परिपथ के चुंबकीय जटिल प्रतिबाधा का घटक है, जो परिपथ में चुंबकीय धारा और चुंबकीय तनाव के बीच चरण बदलाव उत्पन्न करता है। इसे की इकाइयों में मापा जाता है ${\tfrac {1}{\Omega }}$ और द्वारा दर्शाया गया है $x$ (या $X$ ) यह आगमनात्मक हो सकता है $x_{L}=\omega L_{M}$ या कैपेसिटिव $x_{C}={\tfrac {1}{\omega C_{M}}}$ , जहाँ $\omega$ चुंबकीय धारा की कोणीय आवृत्ति है, $L_{M}$ एक परिपथ की चुंबकीय प्रवर्तनशीलता है, $C_{M}$ किसी परिपथ की चुंबकीय धारिता है श्रृंखला में जुड़े प्रेरकत्व और धारिता के साथ एक अविकसित परिपथ की चुंबकीय प्रतिक्रिया बराबर होती है: ${\textstyle x=x_{L}-x_{C}=\omega L_{M}-{\frac {1}{\omega C_{M}}}}$ . अगर $x_{L}=x_{C}$ , फिर शुद्ध प्रतिक्रिया $x=0$ और परिपथ में प्रतिध्वनि होती है। सामान्य स्थिति में ${\textstyle x={\sqrt {z^{2}-r^{2}}}}$ . जब कोई ऊर्जा हानि अनुपस्थित हो ( $r=0$ ), $x=z$ . चुंबकीय परिपथ में चरण बदलाव का कोण ${\textstyle \phi =\arctan {\frac {x}{r}}}$ . एक जटिल तल पर, चुंबकीय प्रतिक्रिया एक प्रत्यावर्ती धारा के परिपथ के लिए प्रतिरोध त्रिकोण के किनारे के रूप में प्रकट होती है।

समानता की सीमाएँ

चुंबकीय परिपथ और विद्युत परिपथ के बीच इस समानता की सीमाओं में निम्नलिखित सम्मलित है;

सामान्य विद्युत परिपथों में धारा बहुत कम रिसाव के साथ परिपथ तक ही सीमित होती है। विशिष्ट चुंबकीय परिपथ में संपूर्ण चुंबकीय क्षेत्र चुंबकीय परिपथ तक ही सीमित नहीं होता है क्योंकि चुंबकीय पारगम्यता सामग्री के बाहर भी मौजूद होती है (वैक्यूम पारगम्यता देखें)। इस प्रकार, चुंबकीय कोर के बाहर अंतरिक्ष में महत्वपूर्ण रिसाव प्रवाह हो सकता है। यदि मुख्य परिपथ की तुलना में रिसाव प्रवाह छोटा है, तो इसे अक्सर अतिरिक्त तत्वों के रूप में दर्शाया जा सकता है। चरम मामलों में, एक लम्प्ड-एलिमेंट मॉडल बिल्कुल भी उपयुक्त नहीं हो सकता है, और इसके बजाय फील्ड सिद्धांत (भौतिकी) का उपयोग किया जाता है।
चुंबकीय परिपथ अरेखीय तत्व है; विद्युत परिपथ में धारिता के विपरीत, चुंबकीय परिपथ में पारगम्यता स्थिर नहीं होती है, लेकिन चुंबकीय क्षेत्र के आधार पर भिन्न होती है। उच्च चुंबकीय प्रवाह पर चुंबकीय परिपथ संतृप्ति (चुंबकीय) के कोर के लिए फेरोमैग्नेटिक सामग्री का उपयोग किया जाता है, जो चुंबकीय प्रवाह की और वृद्धि को सीमित करता है, इसलिए इस स्तर से ऊपर पारगम्यता तेजी से कम हो जाती है। इसके अलावा, लौहचुंबकीय सामग्रियों में प्रवाह हिस्टैरिसीस के अधीन है; यह न केवल तात्कालिक एमएमएफ पर बल्कि एमएमएफ के इतिहास पर भी निर्भर करता है। चुंबकीय प्रवाह के स्रोत को बंद करने के बाद, अवशेष चुंबकत्व को लौहचुंबकीय सामग्रियों में छोड़ दिया जाता है, जिससे बिना एमएमएफ के प्रवाह बनता है।

संदर्भ

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[5] Hamill parenthetically includes "(per turn)" on page 97. ^[1]

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 {{Short description|Model for magnetic circuits}}
-{{About|modeling the magnetic field in magnetic components such as transformers and chokes|the circuit element|Gyrator}}
+{{About|ट्रांसफार्मर और चोक जैसे चुंबकीय घटकों में चुंबकीय क्षेत्र की मॉडलिंग करना|परिपथ तत्व|जाइरेटर}}
 {{Electromagnetism|Magnetic circuit}}
-[[File:Gyrator-Capacitor model of a simple transformer.png|thumb|upright=1.5|एक साधारण ट्रांसफार्मर और उसका गाइरेटर-कैपेसिटर मॉडल। आर भौतिक चुंबकीय सर्किट की अनिच्छा है।]]जाइरेटर-कैपेसिटर मॉडल<ref name="Hamill">{{cite journal|title = Lumped equivalent circuits of magnetic components: the gyrator-capacitor approach|first=D.C.|last=Hamill|journal=IEEE Transactions on Power Electronics|volume=8|issue=2|date=1993| pages= 97–103|doi= 10.1109/63.223957|bibcode= 1993ITPE....8...97H}}</ref> - कभी-कभी कैपेसिटर-परमीन्स मॉडल भी<ref name="Lambert">{{Cite journal|last1=Lambert|first1=M.|last2=Mahseredjian|first2=J.|last3=Martı´nez-Duró|first3=M. |last4=Sirois| first4=F.| date=2015|title=Magnetic Circuits Within Electric Circuits: Critical Review of Existing Methods and New Mutator Implementations |journal=IEEE Transactions on Power Delivery|volume=30|issue=6|pages= 2427–2434|doi= 10.1109/TPWRD.2015.2391231|s2cid=38890643 }}</ref> - [[चुंबकीय सर्किट]] के लिए एक [[गांठदार तत्व मॉडल]] | गांठ-तत्व मॉडल है, जिसका उपयोग अधिक सामान्य प्रतिरोध-अनिच्छा मॉडल के स्थान पर किया जा सकता है। मॉडल विद्युत प्रतिरोध ([[चुंबकीय अनिच्छा]] देखें) के बजाय पारगम्य तत्वों को विद्युत [[समाई]] (चुंबकीय समाई अनुभाग देखें) के अनुरूप बनाता है। वाइंडिंग को [[जाइरेटर]] के रूप में दर्शाया जाता है, जो विद्युत सर्किट और चुंबकीय मॉडल के बीच इंटरफेस होता है।
+[[File:Gyrator-Capacitor model of a simple transformer.png|thumb|upright=1.5|एक साधारण ट्रांसफार्मर और उसका गाइरेटर-संधारित्र मॉडल। आर भौतिक चुंबकीय परिपथ की अरुचि है।]]'''जाइरेटर-संधारित्र मॉडल'''<ref name="Hamill">{{cite journal|title = Lumped equivalent circuits of magnetic components: the gyrator-capacitor approach|first=D.C.|last=Hamill|journal=IEEE Transactions on Power Electronics|volume=8|issue=2|date=1993| pages= 97–103|doi= 10.1109/63.223957|bibcode= 1993ITPE....8...97H}}</ref><ref name="Lambert">{{Cite journal|last1=Lambert|first1=M.|last2=Mahseredjian|first2=J.|last3=Martı´nez-Duró|first3=M. |last4=Sirois| first4=F.| date=2015|title=Magnetic Circuits Within Electric Circuits: Critical Review of Existing Methods and New Mutator Implementations |journal=IEEE Transactions on Power Delivery|volume=30|issue=6|pages= 2427–2434|doi= 10.1109/TPWRD.2015.2391231|s2cid=38890643 }}</ref> [[चुंबकीय सर्किट|चुंबकीय परिपथ]] के लिए एक मॉडल होता है, जिसका उपयोग अधिक सामान्य प्रतिरोध-अरुचि मॉडल के स्थान पर किया जा सकता है। मॉडल विद्युत प्रतिरोध ([[चुंबकीय अनिच्छा|चुंबकीय अरुचि]] देखें) के बजाय पारगम्य तत्वों को विद्युत [[समाई]] (चुंबकीय समाई अनुभाग देखें) के अनुरूप बनाता है। वाइंडिंग को [[जाइरेटर]] के रूप में दर्शाया जाता है, जो विद्युत परिपथ और चुंबकीय मॉडल के बीच इंटरफेस होता है।ka
-चुंबकीय अनिच्छा मॉडल की तुलना में जाइरेटर-कैपेसिटर मॉडल का प्राथमिक लाभ यह है कि मॉडल ऊर्जा प्रवाह, भंडारण और अपव्यय के सही मूल्यों को संरक्षित करता है।<ref name="González">{{Cite journal|last1=González|first1=Guadalupe G.| last2=Ehsani |first2=Mehrdad |date=2018-03-12|title=पावर-इनवेरिएंट मैग्नेटिक सिस्टम मॉडलिंग|journal=International Journal of Magnetics and Electromagnetism|volume=4|issue=1|doi= 10.35840/2631-5068/6512 |pages=1–9|issn=2631-5068|doi-access=free}}</ref><ref name="Mohammad">{{Cite thesis|title=मल्टी-डोमेन एनर्जी डायनेमिक्स की एक जांच| first=Muneer|last=Mohammad| url=https://oaktrust.library.tamu.edu/handle/1969.1/152720| date=2014-04-22|degree=PhD}}</ref> जाइरेटर-कैपेसिटर मॉडल मैकेनिकल-इलेक्ट्रिकल एनालॉग्स#अन्य ऊर्जा डोमेन का एक उदाहरण है जो विभिन्न डोमेन में चर के पावर संयुग्म जोड़े को अनुरूप बनाकर ऊर्जा डोमेन में ऊर्जा प्रवाह को संरक्षित करता है। यह यांत्रिक डोमेन के लिए [[प्रतिबाधा सादृश्य]] के समान भूमिका निभाता है।
+चुंबकीय अरुचि मॉडल की तुलना में जाइरेटर-संधारित्र मॉडल का प्राथमिक लाभ यह है कि मॉडल ऊर्जा प्रवाह, भंडारण और अपव्यय के सही मूल्यों को संरक्षित करता है।<ref name="González">{{Cite journal|last1=González|first1=Guadalupe G.| last2=Ehsani |first2=Mehrdad |date=2018-03-12|title=पावर-इनवेरिएंट मैग्नेटिक सिस्टम मॉडलिंग|journal=International Journal of Magnetics and Electromagnetism|volume=4|issue=1|doi= 10.35840/2631-5068/6512 |pages=1–9|issn=2631-5068|doi-access=free}}</ref><ref name="Mohammad">{{Cite thesis|title=मल्टी-डोमेन एनर्जी डायनेमिक्स की एक जांच| first=Muneer|last=Mohammad| url=https://oaktrust.library.tamu.edu/handle/1969.1/152720| date=2014-04-22|degree=PhD}}</ref> जाइरेटर-संधारित्र मॉडल मैकेनिकल-इलेक्ट्रिकल एनालॉग्स#अन्य ऊर्जा डोमेन का एक उदाहरण है जो विभिन्न डोमेन में चर के पावर संयुग्म जोड़े को अनुरूप बनाकर ऊर्जा डोमेन में ऊर्जा प्रवाह को संरक्षित करता है। यह यांत्रिक डोमेन के लिए [[प्रतिबाधा सादृश्य|प्रतिबाधा समानता]] के समान भूमिका निभाता है।
 == नामकरण ==
-<!-- The magnetic flux in an inductor in the model magnetic circuit would have the awkward name "magnetic magnetic flux". Fortunately, inductors in the model circuit are rare in the literature. -->
+चुंबकीय परिपथ या तो भौतिक चुंबकीय परिपथ या मॉडल चुंबकीय परिपथ को संदर्भित कर सकता है। [[गांठ-तत्व मॉडल]] [[गतिशील प्रणाली सिद्धांत]] सिद्धांत जो मॉडल चुंबकीय परिपथ का हिस्सा है, उनके नाम विशेषण चुंबकीय से शुरू होते है, हालांकि इस सम्मेलन का सख्ती से पालन नहीं किया जाता है। मॉडल चुंबकीय परिपथ में तत्वों या गतिशील चर का भौतिक चुंबकीय परिपथ में घटकों के साथ एक-से-एक पत्राचार नहीं हो सकता है। मॉडल चुंबकीय परिपथ का हिस्सा तत्वों और चर के प्रतीकों को एम की सबस्क्रिप्ट के साथ लिखा जा सकता है। उदाहरण के लिए, <math>C_M</math> मॉडल परिपथ में एक चुंबकीय संधारित्र होगा।
-<!-- Notes on symbols: for example a magnetic capacitor, that is, a capacitor that appears in the model magnetic circuit. Hamill, Lambert, Yan, and Kaushal use P because the magnetic capacitor represents a physical permeance. Mohammad and Gonzalez use C_M. -->
+विश्लेषण में आसानी के लिए संबद्ध विद्युत परिपथ में विद्युत तत्वों को चुंबकीय मॉडल में लाया जा सकता है। चुंबकीय परिपथ में मॉडल तत्व जो विद्युत तत्वों का प्रतिनिधित्व करते है, आमतौर पर विद्युत तत्वों के द्वैत (विद्युत परिपथ) होते है। ऐसा इसलिए है क्योंकि इस मॉडल में विद्युत और चुंबकीय डोमेन के बीच ट्रांसड्यूसर आमतौर पर जाइरेटर द्वारा दर्शाए जाते है। एक जाइरेटर एक तत्व को उसके दोहरे में बदल देगा। उदाहरण के लिए, एक चुंबकीय प्रवर्तन एक विद्युत समाई का प्रतिनिधित्व कर सकता है।
-चुंबकीय सर्किट या तो भौतिक चुंबकीय सर्किट या मॉडल चुंबकीय सर्किट को संदर्भित कर सकता है। [[गांठ-तत्व मॉडल]] [[गतिशील प्रणाली सिद्धांत]] सिद्धांत जो मॉडल चुंबकीय सर्किट का हिस्सा हैं, उनके नाम विशेषण चुंबकीय से शुरू होते हैं, हालांकि इस सम्मेलन का सख्ती से पालन नहीं किया जाता है। मॉडल चुंबकीय सर्किट में तत्वों या गतिशील चर का भौतिक चुंबकीय सर्किट में घटकों के साथ एक-से-एक पत्राचार नहीं हो सकता है। मॉडल चुंबकीय सर्किट का हिस्सा तत्वों और चर के प्रतीकों को एम की सबस्क्रिप्ट के साथ लिखा जा सकता है। उदाहरण के लिए, <math>C_M</math> मॉडल सर्किट में एक चुंबकीय संधारित्र होगा।
-विश्लेषण में आसानी के लिए संबद्ध विद्युत परिपथ में विद्युत तत्वों को चुंबकीय मॉडल में लाया जा सकता है। चुंबकीय सर्किट में मॉडल तत्व जो विद्युत तत्वों का प्रतिनिधित्व करते हैं, आमतौर पर विद्युत तत्वों के द्वैत (विद्युत सर्किट) होते हैं। ऐसा इसलिए है क्योंकि इस मॉडल में विद्युत और चुंबकीय डोमेन के बीच ट्रांसड्यूसर आमतौर पर जाइरेटर द्वारा दर्शाए जाते हैं। एक जाइरेटर एक तत्व को उसके दोहरे में बदल देगा। उदाहरण के लिए, एक चुंबकीय प्रेरण एक विद्युत समाई का प्रतिनिधित्व कर सकता है।
+==चुंबकीय परिपथ और विद्युत परिपथ के बीच समानता का सारांश==
-==चुंबकीय सर्किट और विद्युत सर्किट के बीच सादृश्य का सारांश==
+निम्नलिखित तालिका विद्युत परिपथ सिद्धांत और चुंबकीय परिपथ सिद्धांत के बीच गणितीय समानता का सारांश प्रस्तुत करती है।
-निम्नलिखित तालिका विद्युत सर्किट सिद्धांत और चुंबकीय सर्किट सिद्धांत के बीच गणितीय सादृश्य का सारांश प्रस्तुत करती है।
 {| class="wikitable"
-|+ Analogy between magnetic circuits and electrical circuits used in the gyrator-capacitor approach
+|+ जाइरेटर-संधारित्र दृष्टिकोण में प्रयुक्त चुंबकीय परिपथ और विद्युत परिपथ के बीच दृष्टिकोण
 |-
-! colspan=3 | Magnetic !! !! colspan=3 | Electric
+! colspan=3 | चुंबकीय !! !! colspan=3 | विद्युत
 |-
-! Name !! Symbol !! Units !! !! Name !! Symbol !! Units
+! नाम !! प्रतीक !! इकाइयों !! !! नाम !! प्रतीक !! इकाइयों
 |-
-|[[Magnetomotive force]] (MMF) || <math>\mathcal{F}= \int \mathbf{H}\cdot d\mathbf{l}</math> || [[ampere-turn]] || || [[Electromotive force]] (EMF) || <math>\mathcal{E}= \int \mathbf{E}\cdot d\mathbf{l}</math> || [[volt]]
+|[[Magnetomotive force|मैग्नेटोमोटिव बल]] (एमएमएफ) || <math>\mathcal{F}= \int \mathbf{H}\cdot d\mathbf{l}</math> || [[ampere-turn|एम्पीयर-टर्न]] || || [[Electromotive force|वैद्युतवाहक बल]] (ईएमएफ) || <math>\mathcal{E}= \int \mathbf{E}\cdot d\mathbf{l}</math> || [[volt|वोल्ट]]
 |-
-| [[Magnetic field]] || '''''H''''' || ampere/[[meter]] =
+| [[Magnetic field|चुंबकीय क्षेत्र]] || '''''H''''' || एम्पीयर/मीटर =
-[[Newton (unit)|newton]]/[[Weber (unit)|weber]]
+न्यूटन/वेबर
-| || [[Electric field]] || '''''E''''' || volt/[[meter]] =
+| || [[Electric field|विद्युत क्षेत्र]] || '''''E''''' || वोल्ट/[[meter|मीटर]] =
-[[Newton (unit)|newton]]/[[coulomb]]
+न्यूटन/कूलम्ब
 |-
-|[[Magnetic flux]]||<math> \Phi </math>||[[weber (unit)|weber]]{{efn| Hamill parenthetically includes "(per turn)" on page 97. <ref name="Hamill"></ref>}}|| || Electric charge || Q || [[coulomb]]
+|[[Magnetic flux|चुंबकीय प्रवाह]]||<math> \Phi </math>||[[weber (unit)|वेबर]]{{efn| Hamill parenthetically includes "(per turn)" on page 97. <ref name="Hamill"></ref>}}|| || विद्युत का आवेश || Q || [[coulomb|कूलम्ब]]
 |-
-|Flux rate of change
+|परिवर्तन की प्रवाह दर
 |<math>\dot \Phi</math>
-|weber/second = [[volt]]
+|वेबर/सेकंड =
+[[volt|वोल्ट]]
 |
-|[[Electric current]]
+|[[Electric current|विद्युत प्रवाह]]
 |<math>I</math>
-|coulomb/second = [[ampere]]
+|कूलम्ब/सेकंड = [[ampere|एम्पेयर]]
 |-
-|Magnetic admittance
+|चुंबकीय प्रवेश
 |<math>Y_M(\omega)=\frac{\dot \Phi(\omega)}{\mathcal{F}(\omega)}</math>
-|[[ohm]] = 1/siemens
+|[[ohm|ओम]] = 1/सीमेंस
 |
-|[[Admittance|Electric admittance]]
+|[[Admittance|विद्युत प्रवेश]]
 |<math>Y_E(\omega)=\frac{I(\omega)}{V(\omega)} = \frac{1}{\operatorname{Z_E(\omega)}} </math>
 |[[siemens (unit)|siemens]] = 1/ohm
 |-
-|Magnetic conductance
+|चुंबकीय चालन
 |<math>G_M = \operatorname{Re}(Y_M(\omega))</math>
-|ohm = 1/siemens
+|ओम = 1/सीमेंस
 |
-|[[Electric conductance]]
+|[[Electric conductance|विद्युत चालकता]]
 |<math>G_E = \operatorname{Re}(Y_E(\omega))</math>
 |siemens = 1/ohm
 |-
-|Magnetic capacitance ([[Permeance]])||<math>\mathcal{P} = \frac{\operatorname{Im}(Y_M(\omega))}{\omega}</math>||[[Henry (unit)|henry]]|| || Electric [[capacitance]]||<math>C = \frac{\operatorname{Im}(Y_E(\omega))}{\omega}</math>
+|चुंबकीय धारिता ([[Permeance|धैर्य]])||<math>\mathcal{P} = \frac{\operatorname{Im}(Y_M(\omega))}{\omega}</math>||[[Henry (unit)|हेनरी]]|| || विद्युत [[capacitance|धारिता]]||<math>C = \frac{\operatorname{Im}(Y_E(\omega))}{\omega}</math>
 |[[farad]]
 |}
 ==जाइरेटर==
-[[File:Gyrator-Capacitor Model Gyrator Element.png|thumb|जाइरेटर की परिभाषा जैसा कि जाइरेटर-कैपेसिटर दृष्टिकोण पेपर में हैमिल द्वारा उपयोग किया गया है।]]
+[[File:Gyrator-Capacitor Model Gyrator Element.png|thumb|जाइरेटर की परिभाषा जैसा कि जाइरेटर-संधारित्र दृष्टिकोण पेपर में हैमिल द्वारा उपयोग किया गया है।]]
-{{main|Gyrator}}
+{{main|जाइरेटर}}
 जाइरेटर एक [[दो-पोर्ट नेटवर्क]] है| नेटवर्क विश्लेषण में उपयोग किया जाने वाला दो-पोर्ट तत्व है। जाइरेटर [[ट्रांसफार्मर]] का पूरक है; जबकि एक ट्रांसफॉर्मर में, एक पोर्ट पर वोल्टेज दूसरे पोर्ट पर आनुपातिक वोल्टेज में बदल जाएगा, जाइरेटर में, एक पोर्ट पर वोल्टेज दूसरे पोर्ट पर करंट में बदल जाएगा, और इसके विपरीत।
-जाइरेटर-कैपेसिटर मॉडल में जाइरेटर की भूमिका विद्युत ऊर्जा डोमेन और चुंबकीय ऊर्जा डोमेन के बीच [[ट्रांसड्यूसर]] के रूप में होती है। विद्युत क्षेत्र में एक ईएमएफ चुंबकीय क्षेत्र में एक एमएमएफ के अनुरूप होता है, और ऐसा रूपांतरण करने वाले ट्रांसड्यूसर को एक ट्रांसफार्मर के रूप में दर्शाया जाएगा। हालाँकि, वास्तविक विद्युत-चुंबकीय ट्रांसड्यूसर आमतौर पर जाइरेटर के रूप में व्यवहार करते हैं। चुंबकीय डोमेन से विद्युत डोमेन तक एक ट्रांसड्यूसर फैराडे के प्रेरण के नियम का पालन करेगा, अर्थात, चुंबकीय प्रवाह के परिवर्तन की दर (इस सादृश्य में एक चुंबकीय धारा) विद्युत डोमेन में आनुपातिक ईएमएफ उत्पन्न करती है। इसी तरह, विद्युत डोमेन से चुंबकीय डोमेन तक एक ट्रांसड्यूसर एम्पीयर के सर्किटल कानून का पालन करेगा, यानी, एक विद्युत प्रवाह एक एमएमएफ उत्पन्न करेगा।
+जाइरेटर-संधारित्र मॉडल में जाइरेटर की भूमिका विद्युत ऊर्जा डोमेन और चुंबकीय ऊर्जा डोमेन के बीच [[ट्रांसड्यूसर]] के रूप में होती है। विद्युत क्षेत्र में एक ईएमएफ चुंबकीय क्षेत्र में एक एमएमएफ के अनुरूप होता है, और ऐसा रूपांतरण करने वाले ट्रांसड्यूसर को एक ट्रांसफार्मर के रूप में दर्शाया जाएगा। हालाँकि, वास्तविक विद्युत-चुंबकीय ट्रांसड्यूसर आमतौर पर जाइरेटर के रूप में व्यवहार करते है। चुंबकीय डोमेन से विद्युत डोमेन तक एक ट्रांसड्यूसर फैराडे के प्रवर्तन के नियम का पालन करेगा, अर्थात, चुंबकीय प्रवाह के परिवर्तन की दर (इस समानता में एक चुंबकीय धारा) विद्युत डोमेन में आनुपातिक ईएमएफ उत्पन्न करती है। इसी तरह, विद्युत डोमेन से चुंबकीय डोमेन तक एक ट्रांसड्यूसर एम्पीयर के परिपथल कानून का पालन करेगा, यानी, एक विद्युत प्रवाह एक एमएमएफ उत्पन्न करेगा।
 एन घुमावों की एक वाइंडिंग को एन ओम के घुमाव प्रतिरोध के साथ एक जाइरेटर द्वारा मॉडल किया जाता है।<ref name="Hamill"/>{{rp|100}}
-ट्रांसड्यूसर जो चुंबकीय प्रेरण पर आधारित नहीं हैं, उन्हें जाइरेटर द्वारा दर्शाया नहीं जा सकता है। उदाहरण के लिए, एक [[हॉल प्रभाव सेंसर]] को एक ट्रांसफार्मर द्वारा मॉडल किया जाता है।
+ट्रांसड्यूसर जो चुंबकीय प्रवर्तन पर आधारित नहीं है, उन्हें जाइरेटर द्वारा दर्शाया नहीं जा सकता है। उदाहरण के लिए, एक [[हॉल प्रभाव सेंसर]] को एक ट्रांसफार्मर द्वारा मॉडल किया जाता है।
 == चुंबकीय वोल्टेज ==
-चुंबकीय वोल्टेज, <math> v_m </math>, [[मैग्नेटोमोटिव बल]] (एमएमएफ) का एक वैकल्पिक नाम है, <math>\mathcal{F} </math> (एसआई इकाई: [[ एम्पेयर ]] या [[amp-टर्न]]), जो एक विद्युत परिपथ में विद्युत [[वोल्टेज]] के अनुरूप है।<ref name="Mohammad"/>{{rp|42}}<ref name="González" />{{rp|5}} सभी लेखक चुंबकीय वोल्टेज शब्द का उपयोग नहीं करते हैं। बिंदु A और बिंदु B के बीच एक तत्व पर लगाया गया मैग्नेटोमोटिव बल चुंबकीय क्षेत्र की ताकत के घटक के माध्यम से अभिन्न रेखा के बराबर है, <math> \mathbf{H} </math>.
+चुंबकीय वोल्टेज, <math> v_m </math>, [[मैग्नेटोमोटिव बल]] (एमएमएफ) का एक वैकल्पिक नाम है, <math>\mathcal{F} </math> (एसआई इकाई: [[ एम्पेयर |एम्पेयर]] या [[amp-टर्न]]), जो एक विद्युत परिपथ में विद्युत [[वोल्टेज]] के अनुरूप है।<ref name="Mohammad"/>{{rp|42}}<ref name="González" />{{rp|5}} सभी लेखक चुंबकीय वोल्टेज शब्द का उपयोग नहीं करते है। बिंदु A और बिंदु B के बीच एक तत्व पर लगाया गया मैग्नेटोमोटिव बल चुंबकीय क्षेत्र की ताकत के घटक के माध्यम से अभिन्न रेखा के बराबर है, <math> \mathbf{H} </math>
 <math display="block">v_m = \mathcal{F}= - \int_A^B \mathbf{H}\cdot d\mathbf{l}</math>
-प्रतिरोध-अनिच्छा मॉडल चुंबकीय वोल्टेज और मैग्नेटोमोटिव बल के बीच समान तुल्यता का उपयोग करता है।
+प्रतिरोध-अरुचि मॉडल चुंबकीय वोल्टेज और मैग्नेटोमोटिव बल के बीच समान तुल्यता का उपयोग करता है।
 == चुंबकीय धारा ==
-{{distinguish | text = [[Magnetic current]], an electromagnetic field quantity}}
+{{distinguish | text = [[चुंबकीय धारा]], एक विद्युत चुम्बकीय क्षेत्र मात्रा}}
-चुंबकीय धारा, <math>i_m</math>, फ्लक्स के परिवर्तन की समय दर का एक वैकल्पिक नाम है, <math>\dot \Phi</math> (SI इकाई: [[वेबर (इकाई)]]/सेकंड या [[वोल्ट]]), जो एक विद्युत परिपथ में विद्युत धारा के अनुरूप है।<ref name="Lambert"/>{{rp|2429}}<ref name="Mohammad"/>{{rp|37}}भौतिक परिपथ में, <math>\dot \Phi</math>, चुंबकीय धारा#चुंबकीय विस्थापन धारा है।<ref name="Mohammad"/>{{rp|37}} क्रॉस सेक्शन के एक तत्व के माध्यम से बहने वाली चुंबकीय धारा, <math>S</math>, चुंबकीय प्रवाह घनत्व का अभिन्न अंग क्षेत्र है <math> \mathbf{B} </math>.
+चुंबकीय धारा, <math>i_m</math>, फ्लक्स के परिवर्तन की समय दर का एक वैकल्पिक नाम है, <math>\dot \Phi</math> (SI इकाई: [[वेबर (इकाई)]]/सेकंड या [[वोल्ट]]), जो एक विद्युत परिपथ में विद्युत धारा के अनुरूप है।<ref name="Lambert"/>{{rp|2429}}<ref name="Mohammad"/>{{rp|37}}भौतिक परिपथ में, <math>\dot \Phi</math>, चुंबकीय धारा#चुंबकीय विस्थापन धारा है।<ref name="Mohammad"/>{{rp|37}} क्रॉस सेक्शन के एक तत्व के माध्यम से बहने वाली चुंबकीय धारा, <math>S</math>, चुंबकीय प्रवाह घनत्व का अभिन्न अंग क्षेत्र है <math> \mathbf{B} </math>
 <math display="block"> i_m = \dot \Phi = \frac {d} {dt} \int_S \mathbf{B} \cdot d\mathbf{S}</math>
-प्रतिरोध-अनिच्छा मॉडल एक अलग तुल्यता का उपयोग करता है, चुंबकीय धारा को फ्लक्स का वैकल्पिक नाम मानता है, <math> \Phi</math>. चुंबकीय धारा की परिभाषा में यह अंतर जाइरेटर-कैपेसिटर मॉडल और प्रतिरोध-अनिच्छा मॉडल के बीच मूलभूत अंतर है। चुंबकीय धारा और चुंबकीय वोल्टेज की परिभाषा अन्य चुंबकीय तत्वों की परिभाषा को दर्शाती है।<ref name="Mohammad"/>{{rp|35}}
+प्रतिरोध-अरुचि मॉडल एक अलग तुल्यता का उपयोग करता है, चुंबकीय धारा को फ्लक्स का वैकल्पिक नाम मानता है, <math> \Phi</math>. चुंबकीय धारा की परिभाषा में यह अंतर जाइरेटर-संधारित्र मॉडल और प्रतिरोध-अरुचि मॉडल के बीच मूलभूत अंतर है। चुंबकीय धारा और चुंबकीय वोल्टेज की परिभाषा अन्य चुंबकीय तत्वों की परिभाषा को दर्शाती है।<ref name="Mohammad"/>{{rp|35}}
 ==चुंबकीय धारिता==
-{{anchor|Magnetic capacitance}}
+[[File:Gyrator-Capacitor Model Permeance Element.png|thumb|upright=1.2|एक आयताकार प्रिज्म तत्व का स्थायित्व]]चुंबकीय धारिता पारगम्यता का एक वैकल्पिक नाम है, (SI इकाई: [[हेनरी (इकाई)]])। इसे मॉडल चुंबकीय परिपथ में एक कैपेसिटेंस द्वारा दर्शाया जाता है। कुछ लेखक उपयोग करते है <math>C_\mathrm{M}</math> चुंबकीय धारिता को दर्शाने के लिए जबकि अन्य उपयोग करते है <math>P</math> और धारिता को पारगम्यता के रूप में देखें। किसी तत्व की पारगम्यता एक व्यापक गुण है जिसे चुंबकीय प्रवाह के रूप में परिभाषित किया गया है, <math>\Phi</math>, मैग्नेटोमोटिव बल द्वारा विभाजित तत्व की क्रॉस अनुभागीय सतह के माध्यम से, <math>\mathcal{F} </math>, तत्व के पार'<ref name="González" />{{rp|6}}
-[[File:Gyrator-Capacitor Model Permeance Element.png|thumb|upright=1.2|एक आयताकार प्रिज्म तत्व का स्थायित्व]]चुंबकीय धारिता पारगम्यता का एक वैकल्पिक नाम है, (SI इकाई: [[हेनरी (इकाई)]])। इसे मॉडल चुंबकीय सर्किट में एक कैपेसिटेंस द्वारा दर्शाया जाता है। कुछ लेखक उपयोग करते हैं <math>C_\mathrm{M}</math> चुंबकीय धारिता को दर्शाने के लिए जबकि अन्य उपयोग करते हैं <math>P</math> और धारिता को पारगम्यता के रूप में देखें। किसी तत्व की पारगम्यता एक व्यापक गुण है जिसे चुंबकीय प्रवाह के रूप में परिभाषित किया गया है, <math>\Phi</math>, मैग्नेटोमोटिव बल द्वारा विभाजित तत्व की क्रॉस अनुभागीय सतह के माध्यम से, <math>\mathcal{F} </math>, तत्व के पार'<ref name="González" />{{rp|6}}
+<math display="block">C_\mathrm{M} = P = \frac{\int \mathbf{B}\cdot d\mathbf{S}}{\int \mathbf{H}\cdot d\mathbf{l}}= \frac{\Phi}{\mathcal{F}}</math>एकसमान क्रॉस-सेक्शन की एक छड़ के लिए, चुंबकीय धारिता इस प्रकार दी जाती है,<math display="block">C_\mathrm{M} = P=\mu_\mathrm{r} \mu_0\frac{S}{l}</math>जहाँ:
-<math display="block">C_\mathrm{M} = P = \frac{\int \mathbf{B}\cdot d\mathbf{S}}{\int \mathbf{H}\cdot d\mathbf{l}}= \frac{\Phi}{\mathcal{F}}</math>
-एकसमान क्रॉस-सेक्शन की एक छड़ के लिए, चुंबकीय धारिता इस प्रकार दी जाती है,
-<math display="block">C_\mathrm{M} = P=\mu_\mathrm{r} \mu_0\frac{S}{l}</math>
-कहाँ:
 *<math>\mu_\mathrm{r} \mu_0 = \mu</math> [[पारगम्यता (विद्युत चुंबकत्व)]] है,
 *<math>S</math> तत्व क्रॉस-सेक्शन है, और
 *<math>l</math> तत्व की लंबाई है.
-[[चरण विश्लेषण]] के लिए, चुंबकीय पारगम्यता<ref name=Arkadiew>Arkadiew W. ''Eine Theorie des elektromagnetischen Feldes in den ferromagnetischen Metallen''. – Phys. Zs., H. 14, No 19, 1913, S. 928-934.</ref> और परमीन्स जटिल मूल्य हैं।<ref name=Arkadiew/><ref name=Popov/>
+[[चरण विश्लेषण]] के लिए, चुंबकीय पारगम्यता<ref name=Arkadiew>Arkadiew W. ''Eine Theorie des elektromagnetischen Feldes in den ferromagnetischen Metallen''. – Phys. Zs., H. 14, No 19, 1913, S. 928-934.</ref> और परमीन्स जटिल मूल्य है।<ref name=Arkadiew/><ref name=Popov/>
-धैर्य [[अनिच्छा]] का व्युत्क्रम है।
+धैर्य [[अनिच्छा|अरुचि]] का व्युत्क्रम है।
-==चुंबकीय प्रेरण==
+==चुंबकीय प्रवर्तन==
-{{distinguish||magnetic induction (disambiguation){{!}}magnetic induction}}
+{{distinguish||चुंबकीय प्रेरण (बहुविकल्पी){{!}}चुंबकीय प्रवर्तन}}
-[[File:Magnetic Inductance.png|thumb|upright=1.5|चुंबकीय प्रेरकत्व और विद्युत धारिता के बीच सर्किट तुल्यता।]]चुंबकीय सर्किट के जाइरेटर-कैपेसिटर मॉडल के संदर्भ में, चुंबकीय प्रेरण <math>L_\mathrm{M}</math>(एसआई इकाई: फैराड) एक विद्युत परिपथ में प्रेरकत्व का सादृश्य है।
+[[File:Magnetic Inductance.png|thumb|upright=1.5|चुंबकीय प्रेरकत्व और विद्युत धारिता के बीच परिपथ तुल्यता।]]चुंबकीय परिपथ के जाइरेटर-संधारित्र मॉडल के संदर्भ में, चुंबकीय प्रवर्तन <math>L_\mathrm{M}</math>(एसआई इकाई: फैराड) एक विद्युत परिपथ में प्रेरकत्व का समानता है।
-चरण विश्लेषण के लिए चुंबकीय आगमनात्मक प्रतिक्रिया है:
+चरण विश्लेषण के लिए चुंबकीय आगमनात्मक प्रतिक्रिया है:<math display="block">x_\mathrm{L} = \omega L_\mathrm{M}</math>जहाँ:
-<math display="block">x_\mathrm{L} = \omega L_\mathrm{M}</math>
+*<math>L_\mathrm{M}</math> चुंबकीय प्रवर्तन है
-कहाँ:
-*<math>L_\mathrm{M}</math> चुंबकीय प्रेरण है
 *<math>\omega</math> चुंबकीय परिपथ की [[कोणीय आवृत्ति]] है
-सम्मिश्र रूप में यह एक धनात्मक काल्पनिक संख्या है:
+सम्मिश्र रूप में यह एक धनात्मक काल्पनिक संख्या है:<math display="block">j x_\mathrm{L} = j\omega L_\mathrm{M}</math>चुंबकीय प्रवर्तन द्वारा कायम चुंबकीय संभावित ऊर्जा विद्युत क्षेत्रों में दोलनों की आवृत्ति के साथ बदलती रहती है। किसी निश्चित अवधि में औसत शक्ति शून्य के बराबर होती है। आवृत्ति पर निर्भरता के कारण, चुंबकीय प्रवर्तन मुख्य रूप से चुंबकीय परिपथ में देखा जा सकता है जो [[बहुत उच्च आवृत्ति]] और/या अल्ट्रा उच्च आवृत्ति आवृत्तियों पर काम करते है।{{cn|date=April 2020|reason=reference Mohammad says magnetic inductance will not considered a magnetic element on page 43}}
-<math display="block">j x_\mathrm{L} = j\omega L_\mathrm{M}</math>
-चुंबकीय प्रेरण द्वारा कायम चुंबकीय संभावित ऊर्जा विद्युत क्षेत्रों में दोलनों की आवृत्ति के साथ बदलती रहती है। किसी निश्चित अवधि में औसत शक्ति शून्य के बराबर होती है। आवृत्ति पर निर्भरता के कारण, चुंबकीय प्रेरण मुख्य रूप से चुंबकीय सर्किट में देखा जा सकता है जो [[बहुत उच्च आवृत्ति]] और/या अल्ट्रा उच्च आवृत्ति आवृत्तियों पर काम करते हैं।{{cn|date=April 2020|reason=reference Mohammad says magnetic inductance will not considered a magnetic element on page 43}}
-चुंबकीय [[अधिष्ठापन]] की धारणा विद्युत सर्किट में अधिष्ठापन के अनुरूप जाइरेटर-कैपेसिटर मॉडल में सर्किट व्यवहार के विश्लेषण और गणना में नियोजित होती है।
+चुंबकीय [[अधिष्ठापन]] की धारणा विद्युत परिपथ में अधिष्ठापन के अनुरूप जाइरेटर-संधारित्र मॉडल में परिपथ व्यवहार के विश्लेषण और गणना में नियोजित होती है।
-एक चुंबकीय प्रारंभ करनेवाला एक विद्युत संधारित्र का प्रतिनिधित्व कर सकता है।<ref name="Mohammad"/>{{rp|43}} विद्युत परिपथ में एक शंट कैपेसिटेंस, जैसे इंट्रा-वाइंडिंग कैपेसिटेंस को चुंबकीय सर्किट में एक श्रृंखला अधिष्ठापन के रूप में दर्शाया जा सकता है।
+एक चुंबकीय प्रारंभ करनेवाला एक विद्युत संधारित्र का प्रतिनिधित्व कर सकता है।<ref name="Mohammad" />{{rp|43}} विद्युत परिपथ में एक शंट कैपेसिटेंस, जैसे इंट्रा-वाइंडिंग कैपेसिटेंस को चुंबकीय परिपथ में एक श्रृंखला अधिष्ठापन के रूप में दर्शाया जा सकता है।
 ==उदाहरण==
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 ===तीन चरण ट्रांसफार्मर===
 [[File:Gyrator-Capacitor Model Example Three Phase Transformer.png|thumb|upright=1.5|left|वाइंडिंग्स और पर्मेंस तत्वों के साथ तीन चरण वाला ट्रांसफार्मर।]]
-[[File:Gyrator-Capacitor Model Example Three Phase Transformer Schematic.png|thumb|upright=1.5|ट्रांसफॉर्मर वाइंडिंग और परमीन्स तत्वों के लिए कैपेसिटर के लिए गाइरेटर-कैपेसिटर मॉडल का योजनाबद्ध उपयोग]]यह उदाहरण जाइरेटर-कैपेसिटर दृष्टिकोण द्वारा तैयार किए गए तीन-चरण ट्रांसफार्मर को दिखाता है। इस उदाहरण में ट्रांसफार्मर में तीन प्राथमिक वाइंडिंग और तीन माध्यमिक वाइंडिंग हैं। चुंबकीय सर्किट सात अनिच्छा या अनुज्ञा तत्वों में विभाजित है। प्रत्येक वाइंडिंग को जाइरेटर द्वारा प्रतिरूपित किया जाता है। प्रत्येक जाइरेटर का घुमाव प्रतिरोध संबंधित वाइंडिंग पर घुमावों की संख्या के बराबर होता है। प्रत्येक पारगम्य तत्व को एक संधारित्र द्वारा प्रतिरूपित किया जाता है। फैराड में प्रत्येक संधारित्र का मान हेनरी (इकाई) में संबंधित परमिट के प्रेरण के समान है।
+[[File:Gyrator-Capacitor Model Example Three Phase Transformer Schematic.png|thumb|upright=1.5|ट्रांसफॉर्मर वाइंडिंग और परमीन्स तत्वों के लिए संधारित्र के लिए गाइरेटर-संधारित्र मॉडल का योजनाबद्ध उपयोग]]यह उदाहरण जाइरेटर-संधारित्र दृष्टिकोण द्वारा तैयार किए गए तीन-चरण ट्रांसफार्मर को दिखाता है। इस उदाहरण में ट्रांसफार्मर में तीन प्राथमिक वाइंडिंग और तीन माध्यमिक वाइंडिंग है। चुंबकीय परिपथ सात अरुचि या अनुज्ञा तत्वों में विभाजित है। प्रत्येक वाइंडिंग को जाइरेटर द्वारा प्रतिरूपित किया जाता है। प्रत्येक जाइरेटर का घुमाव प्रतिरोध संबंधित वाइंडिंग पर घुमावों की संख्या के बराबर होता है। प्रत्येक पारगम्य तत्व को एक संधारित्र द्वारा प्रतिरूपित किया जाता है। फैराड में प्रत्येक संधारित्र का मान हेनरी (इकाई) में संबंधित परमिट के प्रवर्तन के समान है।
-एन<sub>1</sub>, एन<sub>2</sub>, और n<sub>3</sub> तीन प्राथमिक वाइंडिंग्स में घुमावों की संख्या है। एन<sub>4</sub>, एन<sub>5</sub>, और n<sub>6</sub> तीन द्वितीयक वाइंडिंग्स में घुमावों की संख्या है। Φ<sub>1</sub>, पीएचआई<sub>2</sub>, और Φ<sub>3</sub> तीन ऊर्ध्वाधर तत्वों में प्रवाह हैं। [[वेबर्स]] में प्रत्येक पारगम्य तत्व में [[चुंबकीय प्रवाह]] संख्यात्मक रूप से [[कूलम्ब]] में सहयोगी समाई में चार्ज के बराबर है। प्रत्येक पारगम्य तत्व में ऊर्जा संबंधित संधारित्र में ऊर्जा के समान होती है।
+एन<sub>1</sub>, एन<sub>2</sub>, और n<sub>3</sub> तीन प्राथमिक वाइंडिंग्स में घुमावों की संख्या है। एन<sub>4</sub>, एन<sub>5</sub>, और n<sub>6</sub> तीन द्वितीयक वाइंडिंग्स में घुमावों की संख्या है। Φ<sub>1</sub>, पीएचआई<sub>2</sub>, और Φ<sub>3</sub> तीन ऊर्ध्वाधर तत्वों में प्रवाह है। [[वेबर्स]] में प्रत्येक पारगम्य तत्व में [[चुंबकीय प्रवाह]] संख्यात्मक रूप से [[कूलम्ब]] में सहयोगी समाई में चार्ज के बराबर है। प्रत्येक पारगम्य तत्व में ऊर्जा संबंधित संधारित्र में ऊर्जा के समान होती है।
 योजनाबद्ध ट्रांसफार्मर मॉडल के योजनाबद्ध के अलावा एक तीन चरण जनरेटर और एक तीन चरण लोड दिखाता है।
-{{clear}}
 === गैप और लीकेज फ्लक्स वाला ट्रांसफार्मर ===
 [[File:Gyrator-Capacitor Model Example Transformer with Gap and Leakage Flux.png|thumb|upright=1.5|left|गैप और लीकेज फ्लक्स वाला ट्रांसफार्मर।]]
-[[File:Gyrator-Capacitor Model Example Transformer with Gap and Leakage Flux Schematic.png|thumb|upright=1.5|गैप और लीकेज फ्लक्स के साथ ट्रांसफार्मर का जाइरेटर-कैपेसिटर मॉडल।]]जाइरेटर-कैपेसिटर दृष्टिकोण चुंबकीय सर्किट में रिसाव अधिष्ठापन और वायु अंतराल को समायोजित कर सकता है। अंतराल और रिसाव प्रवाह में एक पारगम्यता होती है जिसे कैपेसिटर के रूप में समकक्ष सर्किट में जोड़ा जा सकता है। अंतराल की पारगम्यता की गणना मूल तत्वों की तरह ही की जाती है, सिवाय इसके कि एकता की सापेक्ष पारगम्यता का उपयोग किया जाता है। जटिल ज्यामिति के कारण रिसाव प्रवाह की पारगम्यता की गणना करना मुश्किल हो सकता है। इसकी गणना अन्य विचारों जैसे माप या विशिष्टताओं से की जा सकती है।
+[[File:Gyrator-Capacitor Model Example Transformer with Gap and Leakage Flux Schematic.png|thumb|upright=1.5|गैप और लीकेज फ्लक्स के साथ ट्रांसफार्मर का जाइरेटर-संधारित्र मॉडल।]]जाइरेटर-संधारित्र दृष्टिकोण चुंबकीय परिपथ में रिसाव अधिष्ठापन और वायु अंतराल को समायोजित कर सकता है। अंतराल और रिसाव प्रवाह में एक पारगम्यता होती है जिसे संधारित्र के रूप में समकक्ष परिपथ में जोड़ा जा सकता है। अंतराल की पारगम्यता की गणना मूल तत्वों की तरह ही की जाती है, सिवाय इसके कि एकता की सापेक्ष पारगम्यता का उपयोग किया जाता है। जटिल ज्यामिति के कारण रिसाव प्रवाह की पारगम्यता की गणना करना मुश्किल हो सकता है। इसकी गणना अन्य विचारों जैसे माप या विशिष्टताओं से की जा सकती है।
-सी<sub>PL</sub> और सी<sub>SL</sub> क्रमशः प्राथमिक और द्वितीयक रिसाव प्रेरण का प्रतिनिधित्व करते हैं। सी<sub>GAP</sub> वायु अंतराल अनुमति का प्रतिनिधित्व करता है।
-{{clear}}
+C<sub>PL</sub> और C<sub>SL</sub> क्रमशः प्राथमिक और द्वितीयक रिसाव प्रवर्तन का प्रतिनिधित्व करते है। C<sub>GAP</sub> वायु अंतराल अनुमति का प्रतिनिधित्व करता है।
 ==चुंबकीय प्रतिबाधा==
 === चुंबकीय जटिल प्रतिबाधा ===
-[[File:Magnetic impedance.png|upright=1.5|thumb|चुंबकीय प्रतिबाधा और विद्युत प्रवेश के बीच सर्किट तुल्यता।]]चुंबकीय जटिल प्रतिबाधा, जिसे पूर्ण चुंबकीय प्रतिरोध भी कहा जाता है, एक जटिल साइनसॉइडल चुंबकीय तनाव (मैग्नेटोमोटिव बल) का [[भागफल]] है <math>\mathcal{F}</math>) एक निष्क्रिय चुंबकीय सर्किट पर और परिणामी जटिल साइनसॉइडल चुंबकीय धारा (<math>\dot \Phi</math>) सर्किट में. चुंबकीय प्रतिबाधा [[विद्युत प्रतिबाधा]] के समान है।
+[[File:Magnetic impedance.png|upright=1.5|thumb|चुंबकीय प्रतिबाधा और विद्युत प्रवेश के बीच परिपथ तुल्यता।]]चुंबकीय जटिल प्रतिबाधा, जिसे पूर्ण चुंबकीय प्रतिरोध भी कहा जाता है, एक जटिल साइनसॉइडल चुंबकीय तनाव (मैग्नेटोमोटिव बल) का [[भागफल]] है <math>\mathcal{F}</math>) एक निष्क्रिय चुंबकीय परिपथ पर और परिणामी जटिल साइनसॉइडल चुंबकीय धारा (<math>\dot \Phi</math>) परिपथ में. चुंबकीय प्रतिबाधा [[विद्युत प्रतिबाधा]] के समान है।
-चुंबकीय जटिल प्रतिबाधा (एसआई इकाई: [[सीमेंस (इकाई)]]) द्वारा निर्धारित की जाती है:
-<math display="block">Z_M = \frac{\mathcal{F}}{\dot \Phi} = z_M e^{j\phi}</math>
-कहाँ <math>z_M</math> का मापांक है <math>Z_M</math> और <math>\phi</math> इसका चरण है. एक जटिल चुंबकीय प्रतिबाधा का [[तर्क]] चुंबकीय तनाव और चुंबकीय धारा के चरणों के अंतर के बराबर है।
-जटिल चुंबकीय प्रतिबाधा को निम्नलिखित रूप में प्रस्तुत किया जा सकता है:
-<math display="block">Z_M = z_M e^{j\phi} = z_M \cos \phi + j z_M \sin \phi = r_M + j x_M </math>
-कहाँ <math>r_M = z_M \cos \phi</math> जटिल चुंबकीय प्रतिबाधा का वास्तविक हिस्सा है, जिसे प्रभावी चुंबकीय प्रतिरोध कहा जाता है, और <math>x_M = z_M \sin \phi</math> जटिल चुंबकीय प्रतिबाधा का काल्पनिक भाग है, जिसे प्रतिक्रियाशील चुंबकीय प्रतिरोध कहा जाता है।
-चुंबकीय प्रतिबाधा के बराबर है
-<math display="block">z_M = \sqrt{r_{M}^2 + x_{M}^2},</math> <math display="block">\phi = \arctan {\frac{x_M}{r_M}}</math>
+चुंबकीय जटिल प्रतिबाधा (एसआई इकाई: [[सीमेंस (इकाई)]]) द्वारा निर्धारित की जाती है:<math display="block">Z_M = \frac{\mathcal{F}}{\dot \Phi} = z_M e^{j\phi}</math>जहाँ <math>z_M</math> का मापांक है <math>Z_M</math> और <math>\phi</math> इसका चरण है. एक जटिल चुंबकीय प्रतिबाधा का [[तर्क]] चुंबकीय तनाव और चुंबकीय धारा के चरणों के अंतर के बराबर है।
+जटिल चुंबकीय प्रतिबाधा को निम्नलिखित रूप में प्रस्तुत किया जा सकता है:<math display="block">Z_M = z_M e^{j\phi} = z_M \cos \phi + j z_M \sin \phi = r_M + j x_M </math>जहाँ <math>r_M = z_M \cos \phi</math> जटिल चुंबकीय प्रतिबाधा का वास्तविक हिस्सा है, जिसे प्रभावी चुंबकीय प्रतिरोध कहा जाता है, और <math>x_M = z_M \sin \phi</math> जटिल चुंबकीय प्रतिबाधा का काल्पनिक भाग है, जिसे प्रतिक्रियाशील चुंबकीय प्रतिरोध कहा जाता है।
+चुंबकीय प्रतिबाधा के बराबर है<math display="block">z_M = \sqrt{r_{M}^2 + x_{M}^2},</math> <math display="block">\phi = \arctan {\frac{x_M}{r_M}}</math>
 ====चुंबकीय प्रभावी प्रतिरोध====
-चुंबकीय प्रभावी प्रतिरोध जटिल चुंबकीय प्रतिबाधा का [[वास्तविक विश्लेषण]] घटक है। इससे चुंबकीय परिपथ की चुंबकीय स्थितिज ऊर्जा नष्ट हो जाती है।<ref name="Pohl" /><ref name="Küpfmüller">कार्ल कुप्फमुलर|कुपफमुलर के. सैद्धांतिक विद्युत इंजीनियरिंग का परिचय, स्प्रिंगर-वेरलाग, 1959।</ref> चुंबकीय सर्किट में सक्रिय शक्ति प्रभावी चुंबकीय प्रतिरोध के उत्पाद के बराबर होती है <math>r_\mathrm{M}</math> और चुंबकीय धारा का वर्ग <math>I_\mathrm{M}^2</math>.
+चुंबकीय प्रभावी प्रतिरोध जटिल चुंबकीय प्रतिबाधा का [[वास्तविक विश्लेषण]] घटक है। इससे चुंबकीय परिपथ की चुंबकीय स्थितिज ऊर्जा नष्ट हो जाती है।<ref name="Pohl" /><ref name="Küpfmüller">कार्ल कुप्फमुलर|कुपफमुलर के. सैद्धांतिक विद्युत इंजीनियरिंग का परिचय, स्प्रिंगर-वेरलाग, 1959।</ref> चुंबकीय परिपथ में सक्रिय शक्ति प्रभावी चुंबकीय प्रतिरोध के उत्पाद के बराबर होती है <math>r_\mathrm{M}</math> और चुंबकीय धारा का वर्ग <math>I_\mathrm{M}^2</math><math display="block">P = r_\mathrm{M} I_\mathrm{M}^2</math>एक जटिल तल पर चुंबकीय प्रभावी प्रतिरोध एक प्रत्यावर्ती धारा के चुंबकीय परिपथ के लिए प्रतिरोध त्रिकोण के किनारे के रूप में प्रकट होता है। प्रभावी चुंबकीय प्रतिरोध प्रभावी चुंबकीय संचालन के साथ बंधा हुआ है <math>g_\mathrm{M}</math> अभिव्यक्ति द्वारा<math display="block">g_\mathrm{M} = \frac{r_\mathrm{M}}{z_\mathrm{M}^2}</math>जहाँ <math>z_\mathrm{M}</math> एक चुंबकीय परिपथ की पूर्ण चुंबकीय प्रतिबाधा है।
-<math display="block">P = r_\mathrm{M} I_\mathrm{M}^2</math>
-एक जटिल तल पर चुंबकीय प्रभावी प्रतिरोध एक प्रत्यावर्ती धारा के चुंबकीय सर्किट के लिए प्रतिरोध त्रिकोण के किनारे के रूप में प्रकट होता है। प्रभावी चुंबकीय प्रतिरोध प्रभावी चुंबकीय संचालन के साथ बंधा हुआ है <math>g_\mathrm{M}</math> अभिव्यक्ति द्वारा
-<math display="block">g_\mathrm{M} = \frac{r_\mathrm{M}}{z_\mathrm{M}^2}</math>
-कहाँ <math>z_\mathrm{M}</math> एक चुंबकीय परिपथ की पूर्ण चुंबकीय प्रतिबाधा है।
 ====चुंबकीय प्रतिक्रिया====
-{{see also|Magnetic complex reluctance}}
+{{see also|चुंबकीय जटिल अनिच्छा}}
-चुंबकीय प्रतिक्रिया एक निष्क्रिय चुंबकीय सर्किट, या सर्किट के एक तत्व का पैरामीटर है, जो चुंबकीय जटिल प्रतिबाधा और चुंबकीय धारा के चुंबकीय प्रभावी प्रतिरोध के वर्गों के अंतर के वर्गमूल के बराबर है, जिसे प्लस चिह्न के साथ लिया जाता है, यदि चुंबकीय धारा चरण में चुंबकीय तनाव से पीछे है, और चिह्न ऋण के साथ, यदि चुंबकीय धारा चरण में चुंबकीय तनाव से आगे है।
+चुंबकीय प्रतिक्रिया एक निष्क्रिय चुंबकीय परिपथ, या परिपथ के एक तत्व का पैरामीटर है, जो चुंबकीय जटिल प्रतिबाधा और चुंबकीय धारा के चुंबकीय प्रभावी प्रतिरोध के वर्गों के अंतर के वर्गमूल के बराबर है, जिसे प्लस चिह्न के साथ लिया जाता है, यदि चुंबकीय धारा चरण में चुंबकीय तनाव से पीछे है, और चिह्न ऋण के साथ, यदि चुंबकीय धारा चरण में चुंबकीय तनाव से आगे है।
-चुंबकीय प्रतिक्रिया <ref name=Pohl>{{Cite book| last = Pohl | first = R. W.| title=Elektrizitätslehre| location=Berlin-Gottingen-Heidelberg | publisher=Springer-Verlag| year=1960| language=German}} </ref><ref name=Popov>{{Cite book| author=Popov, V. P.| title=सर्किट के सिद्धांत के सिद्धांत| publisher=M.: Higher School| year=1985| language=Russian}}</ref><ref name=Küpfmüller/>[[प्रत्यावर्ती धारा]] परिपथ के चुंबकीय जटिल प्रतिबाधा का घटक है, जो परिपथ में चुंबकीय धारा और चुंबकीय तनाव के बीच चरण बदलाव उत्पन्न करता है। इसे की इकाइयों में मापा जाता है <math>\tfrac{1}{\Omega}</math> और द्वारा दर्शाया गया है <math>x</math> (या <math>X</math>). यह आगमनात्मक हो सकता है <math>x_L = \omega L_M</math> या कैपेसिटिव <math>x_C = \tfrac{1}{\omega C_M}</math>, कहाँ <math>\omega</math> चुंबकीय धारा की कोणीय आवृत्ति है, <math>L_M</math> एक सर्किट की चुंबकीय प्रेरणशीलता है, <math>C_M</math> किसी सर्किट की चुंबकीय धारिता है. श्रृंखला में जुड़े प्रेरकत्व और धारिता के साथ एक अविकसित सर्किट की चुंबकीय प्रतिक्रिया बराबर होती है: <math display="inline">x = x_L - x_C = \omega L_M - \frac{1}{\omega C_M}</math>. अगर <math>x_L = x_C</math>, फिर शुद्ध प्रतिक्रिया <math>x = 0</math> और परिपथ में प्रतिध्वनि होती है। सामान्य मामले में <math display="inline">x = \sqrt{z^2 - r^2}</math>. जब कोई ऊर्जा हानि अनुपस्थित हो (<math>r = 0</math>), <math>x = z</math>. चुंबकीय सर्किट में चरण बदलाव का कोण <math display="inline">\phi = \arctan{\frac{x}{r}}</math>. एक जटिल तल पर, चुंबकीय प्रतिक्रिया एक प्रत्यावर्ती धारा के सर्किट के लिए प्रतिरोध त्रिकोण के किनारे के रूप में प्रकट होती है।
+चुंबकीय प्रतिक्रिया <ref name=Pohl>{{Cite book| last = Pohl | first = R. W.| title=Elektrizitätslehre| location=Berlin-Gottingen-Heidelberg | publisher=Springer-Verlag| year=1960| language=German}} </ref><ref name=Popov>{{Cite book| author=Popov, V. P.| title=सर्किट के सिद्धांत के सिद्धांत| publisher=M.: Higher School| year=1985| language=Russian}}</ref><ref name=Küpfmüller/> [[प्रत्यावर्ती धारा]] परिपथ के चुंबकीय जटिल प्रतिबाधा का घटक है, जो परिपथ में चुंबकीय धारा और चुंबकीय तनाव के बीच चरण बदलाव उत्पन्न करता है। इसे की इकाइयों में मापा जाता है <math>\tfrac{1}{\Omega}</math> और द्वारा दर्शाया गया है <math>x</math> (या <math>X</math>) यह आगमनात्मक हो सकता है <math>x_L = \omega L_M</math> या कैपेसिटिव <math>x_C = \tfrac{1}{\omega C_M}</math>, जहाँ <math>\omega</math> चुंबकीय धारा की कोणीय आवृत्ति है, <math>L_M</math> एक परिपथ की चुंबकीय प्रवर्तनशीलता है, <math>C_M</math> किसी परिपथ की चुंबकीय धारिता है श्रृंखला में जुड़े प्रेरकत्व और धारिता के साथ एक अविकसित परिपथ की चुंबकीय प्रतिक्रिया बराबर होती है: <math display="inline">x = x_L - x_C = \omega L_M - \frac{1}{\omega C_M}</math>. अगर <math>x_L = x_C</math>, फिर शुद्ध प्रतिक्रिया <math>x = 0</math> और परिपथ में प्रतिध्वनि होती है। सामान्य स्थिति में <math display="inline">x = \sqrt{z^2 - r^2}</math>. जब कोई ऊर्जा हानि अनुपस्थित हो (<math>r = 0</math>), <math>x = z</math>. चुंबकीय परिपथ में चरण बदलाव का कोण <math display="inline">\phi = \arctan{\frac{x}{r}}</math>. एक जटिल तल पर, चुंबकीय प्रतिक्रिया एक प्रत्यावर्ती धारा के परिपथ के लिए प्रतिरोध त्रिकोण के किनारे के रूप में प्रकट होती है।
-== सादृश्य की सीमाएँ ==
+== समानता की सीमाएँ ==
-चुंबकीय सर्किट और विद्युत सर्किट के बीच इस सादृश्य की सीमाओं में निम्नलिखित शामिल हैं;
+चुंबकीय परिपथ और विद्युत परिपथ के बीच इस समानता की सीमाओं में निम्नलिखित सम्मलित है;
-* सामान्य विद्युत परिपथों में धारा बहुत कम रिसाव के साथ परिपथ तक ही सीमित होती है। विशिष्ट चुंबकीय सर्किट में संपूर्ण चुंबकीय क्षेत्र चुंबकीय सर्किट तक ही सीमित नहीं होता है क्योंकि चुंबकीय पारगम्यता सामग्री के बाहर भी मौजूद होती है (वैक्यूम पारगम्यता देखें)। इस प्रकार, चुंबकीय कोर के बाहर अंतरिक्ष में महत्वपूर्ण [[रिसाव प्रवाह]] हो सकता है। यदि मुख्य सर्किट की तुलना में रिसाव प्रवाह छोटा है, तो इसे अक्सर अतिरिक्त तत्वों के रूप में दर्शाया जा सकता है। चरम मामलों में, एक लम्प्ड-एलिमेंट मॉडल बिल्कुल भी उपयुक्त नहीं हो सकता है, और इसके बजाय फील्ड सिद्धांत (भौतिकी) का उपयोग किया जाता है।
+* सामान्य विद्युत परिपथों में धारा बहुत कम रिसाव के साथ परिपथ तक ही सीमित होती है। विशिष्ट चुंबकीय परिपथ में संपूर्ण चुंबकीय क्षेत्र चुंबकीय परिपथ तक ही सीमित नहीं होता है क्योंकि चुंबकीय पारगम्यता सामग्री के बाहर भी मौजूद होती है (वैक्यूम पारगम्यता देखें)। इस प्रकार, चुंबकीय कोर के बाहर अंतरिक्ष में महत्वपूर्ण [[रिसाव प्रवाह]] हो सकता है। यदि मुख्य परिपथ की तुलना में रिसाव प्रवाह छोटा है, तो इसे अक्सर अतिरिक्त तत्वों के रूप में दर्शाया जा सकता है। चरम मामलों में, एक लम्प्ड-एलिमेंट मॉडल बिल्कुल भी उपयुक्त नहीं हो सकता है, और इसके बजाय फील्ड सिद्धांत (भौतिकी) का उपयोग किया जाता है।
-* चुंबकीय सर्किट अरेखीय तत्व हैं; विद्युत सर्किट में धारिता के विपरीत, चुंबकीय सर्किट में पारगम्यता स्थिर नहीं होती है, लेकिन चुंबकीय क्षेत्र के आधार पर भिन्न होती है। उच्च चुंबकीय प्रवाह पर चुंबकीय सर्किट [[संतृप्ति (चुंबकीय)]] के कोर के लिए फेरोमैग्नेटिक सामग्री का उपयोग किया जाता है, जो चुंबकीय प्रवाह की और वृद्धि को सीमित करता है, इसलिए इस स्तर से ऊपर पारगम्यता तेजी से कम हो जाती है। इसके अलावा, लौहचुंबकीय सामग्रियों में प्रवाह [[हिस्टैरिसीस]] के अधीन है; यह न केवल तात्कालिक एमएमएफ पर बल्कि एमएमएफ के इतिहास पर भी निर्भर करता है। चुंबकीय प्रवाह के स्रोत को बंद करने के बाद, अवशेष चुंबकत्व को लौहचुंबकीय सामग्रियों में छोड़ दिया जाता है, जिससे बिना एमएमएफ के प्रवाह बनता है।
+* चुंबकीय परिपथ अरेखीय तत्व है; विद्युत परिपथ में धारिता के विपरीत, चुंबकीय परिपथ में पारगम्यता स्थिर नहीं होती है, लेकिन चुंबकीय क्षेत्र के आधार पर भिन्न होती है। उच्च चुंबकीय प्रवाह पर चुंबकीय परिपथ [[संतृप्ति (चुंबकीय)]] के कोर के लिए फेरोमैग्नेटिक सामग्री का उपयोग किया जाता है, जो चुंबकीय प्रवाह की और वृद्धि को सीमित करता है, इसलिए इस स्तर से ऊपर पारगम्यता तेजी से कम हो जाती है। इसके अलावा, लौहचुंबकीय सामग्रियों में प्रवाह [[हिस्टैरिसीस]] के अधीन है; यह न केवल तात्कालिक एमएमएफ पर बल्कि एमएमएफ के इतिहास पर भी निर्भर करता है। चुंबकीय प्रवाह के स्रोत को बंद करने के बाद, अवशेष चुंबकत्व को लौहचुंबकीय सामग्रियों में छोड़ दिया जाता है, जिससे बिना एमएमएफ के प्रवाह बनता है।
 ==संदर्भ==

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जाइरेटर-संधारित्र मॉडल: Difference between revisions

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Contents

नामकरण

चुंबकीय परिपथ और विद्युत परिपथ के बीच समानता का सारांश

जाइरेटर

चुंबकीय वोल्टेज

चुंबकीय धारा

चुंबकीय धारिता

चुंबकीय प्रवर्तन