शक्ति मॉसफेट: Difference between revisions

Power MOSFET
	Two power MOSFETs in the surface-mount package D2PAK. Each of these components can sustain a blocking voltage of 120 volts and a continuous current of 30 amperes with appropriate heatsinking.
Working principle	Semiconductor

Latest revision as of 08:03, 6 November 2023

थ्रू-होल पैकेज में IRLZ24N ऊर्जा मॉसफेट । बाएँ से दाएँ पिन हैं: गेट (तर्क-स्तर), नाली, स्रोत। शीर्ष धातु टैब नाली है, पिन 2 के समान।^[1]

विद्युत मॉसफेट एक विशिष्ट प्रकार का धातु-ऑक्साइड-अर्धचालक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर है जिसे महत्वपूर्ण विद्युत स्तरों को संभालने के लिए प्ररूपित किया गया है।

अन्य विद्युत अर्धचालक उपकरणों के सापेक्ष में, जैसे कि इंसुलेटेड-गेट बाइपोलर ट्रांजिस्टर (आईजीबीटी) या थाय्रिस्टर, इसके मुख्य लाभ हैं उच्च स्विचिंग गति और कम ऊर्जा पर अच्छी प्रदर्शन क्षमता होती है । इसमें आईजीबीटी के साथ एक अलग गेट होता है जिससे इसे सरलता से संचालित किया जा सकता है। कुछ स्थितियों में इनकी प्राप्ति कम हो सकती है, कभी-कभी ऐसी मात्रा में कि गेट ऊर्जा नियंत्रण के अंतर्गत ऊर्जा से अधिक होने की आवश्यकता होती है।

विद्युत मॉसफेट अभिकल्पना की संभावना मॉसफेट और सीएमओएस प्रौद्योगिकी के विकास के द्वारा संभव है, जो 1960 के दशक से एकीकृत परिप्रेक्ष्यों के निर्माण के लिए प्रयोग की जाती है। विद्युत मॉसफेट अपने कार्यसिद्धांत को अपने कम-विद्युत संस्करण, लेटरल मॉसफेट के साथ साझा करता है। ऊर्जा मॉसफेट, जो सामान्यतः ऊर्जा विद्युतकीय में प्रयोग होता है, मानक मॉसफेट से अनुकूलित किया गया था और 1970 के दशक में वाणिज्यिक रूप से प्रस्तुत किया गया था।^[2]ऊर्जा मॉसफेट विश्व में सबसे सामान्य ऊर्जा अर्द्धचालक उपकरण है, क्योंकि इसे कम गेट संचालित ऊर्जा , तेज स्विचिंग गति,^[3] आसान परालेलिंग क्षमता,^[3]^[4] व्यापक बैंडविड्थ, कठोरता, सरल संचालित, सरल बायसिंग, आवेदन करने में ^[4]विशेष रूप से, यह सबसे अधिक प्रयोग होने वाला कम ऊर्जा स्विच है। इसे विभिन्न अनुप्रयोगों में पाया जा सकता है, जैसे कि अधिकांश विद्युत आपूर्ति, डीसी-टू-डीसी कनवर्टर,निम्न-ऊर्जा मोटर नियंत्रक, और बहुत सारे अन्य अनुप्रयोगों में किया जाता है।

इतिहास

मॉसफेट का आविष्कार 1959 में बेल लैब्स में मोहम्मद एम. अटाला और दावों कहंग द्वारा किया गया था। यह ऊर्जा विद्युतकीय में एक सफलता थी। मॉसफेट s की पीढ़ियों ने ऊर्जा आरेखों को प्रदर्शन और घनत्व स्तर प्राप्त करने में सक्षम बनाया जो द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर के साथ संभव नहीं है।^[5]1969 में, हितैची ने पहली ऊर्ध्वाधर शक्ति मॉसफेट प्रस्तुत किया,^[6] जिसे बाद में वीएमओएस के नाम से जाना गया।^[7] उसी वर्ष, स्व-संरेखित गेट के साथ मॉसफेट डीएमओएस की रिपोर्ट सबसे पहले राष्ट्रीय उन्नत औद्योगिक विज्ञान और प्रौद्योगिकी संस्थान ( ईटीएल ) के वाई. तारुई, वाई. हयाशी और तोशीहिरो सेकिगावा ने की थी।^[8]^[9] 1974 में, तोहोकू विश्वविद्यालय में आदेश-स्थिति निशिजावा ने ऑडियो के लिए एक ऊर्जा मॉसफेट का आविष्कार किया, जिसे जल्द ही यामाहा संस्था द्वारा उनके उच्च निष्ठा के लिए निर्मित किया गया था। जेवीसी पायनियर संस्था, सोनी और तोशीबा ने भी 1974 में ऊर्जा मॉसफेट s के साथ प्रवर्धक का निर्माण प्रारंभ किया।^[10] सिलिकॉनिक्स ने 1975 में व्यावसायिक रूप से वीएमओएस प्रस्तुत किया।^[7]

वीएमओएस और डीएमओएस विकसित होकर वीडीएमओएस के नाम से जाने गए।^[10]एचपी लैब्स में जॉन एल. मोल की अनुसंधान टीम ने 1977 में डीएमओएस प्रोटोटाइप तैयार किया, और वीएमओएस पर लाभ का प्रदर्शन किया, जिसमें कम ऑन-प्रतिरोध और उच्च ब्रेकडाउन ऊर्जा सम्मिलित थे।^[7]उसी वर्ष, हितैची ने एलडीएमओएस प्रस्तुत किया, जो डीएमओएस का एक समतल प्रकार है। हितैची 1977 और 1983 के मध्य एकमात्र एलडीएमओएस निर्माता थी, उस दौरान एलडीएमओएस का उपयोग एचएच विद्युतकीय और एशली ऑडियो जैसे निर्माताओं के ऑडियो ऊर्जा प्रवर्धक में किया जाता था, और संगीत और सार्वजनिक संबोधन प्रणालियों के लिए उपयोग किया जाता था।^[10]1995 में 2G डिजिटल सेल्युलर नेटवर्क की प्रारंभ के साथ, एलडीएमओएस 2G, 3G और 4G जैसे मोबाइल नेटवर्क में सबसे व्यापक रूप से प्रयोग किया जाने वाला आरएफ ऊर्जा प्रवर्धक बन गया।^[11] .^[12]एलेक्स लिडो ने 1977 में स्टैनफोर्ड विश्वविद्यालय में हेक्सफेट, एक हेक्सागोनल प्रकार की ऊर्जा एमओएसएफईटी का सह-आविष्कार किया।^[13] टॉम हरमन के साथ।^[14] हेक्सफेट का 1978 में अंतर्राष्ट्रीय सुधारक द्वारा व्यावसायीकरण किया गया था।^[7]^[14]इंसुलेटेड-गेट बाइपोलर ट्रांजिस्टर, जो ऊर्जा मॉसफेट और द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर दोनों के तत्वों को जोड़ता था, 1977 और 1979 के मध्य सामान्य विद्युतीय में बी. जयंत बालिगा द्वारा विकसित किया गया था।^[15]सुपरजंक्शन मॉसफेट एक प्रकार का ऊर्जा मॉसफेट है जो P+ कॉलम का उपयोग करता है जो N-एपिटैक्सी परत में प्रवेश करता है। P और N परतों को ढेर करने का विचार पहली बार 1978 में ओसाका विश्वविद्यालय में शोज़ो शिरोटा और शिगियो कनेडा द्वारा प्रस्तावित किया गया था।^[16] फिलिप्स में डेविड जे. कोए ने 1984 में एक यूएस पेटेंट प्रविष्टि करके वैकल्पिक P-टाइप और N-टाइप परतों के साथ सुपरजंक्शन एमओएसएफईटी का आविष्कार किया, जिसे 1988 में प्रदान किया गया था।^[17]

अनुप्रयोग

एनएक्सपी सेमीकंडक्टर्स 7030AL - एन-चैनल ट्रेंचएमओएस लॉजिक लेवल एफईटी

पावर मॉसफेट विश्व में सबसे अधिक प्रयोग होने वाला पावर अर्द्धचालक उपकरण है। 2010 के अनुसार, पावर मॉसफेट पावर ट्रांजिस्टर मार्केट का 53% अंश रखता है, इसे इंसुलेटेड-गेट बाइपोलर ट्रांजिस्टर (27%), RF पावर एम्प्लीफायर (11%) और बायोपोलर जंक्शन ट्रांजिस्टर (9%) से आगे है। 2018 के अनुसार, हर साल 50 अरब से अधिक ऊर्जा मॉसफेट भेजे जाते हैं। इनमें ट्रेंच पावर मॉसफेट भी सम्मिलित है, जिसने फरवरी 2017 तक 100 अरब से अधिक इकाइयाँ बेची हैं।और एसटीमाइक्रो विद्युतकीय का सुपरजंक्शन मॉसफेट जिसने 2019 तक 5 अरब इकाइयाँ बेची हैं।.^[16]

ऊर्जा मॉसफेट s का उपयोग सामान्यतः उपभोक्ता विद्युतकीय की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए किया जाता है।^[18]^[19]आरएफ डीएमओएस, जिसे आरएफ ऊर्जा एमओएसएफईटी के रूप में भी जाना जाता है, आकाशवाणी आवृति (आरएफ) अनुप्रयोगों के लिए प्ररूपित किया गया एक प्रकार का डीएमओएस ऊर्जा ट्रांजिस्टर है। इसका उपयोग विभिन्न रेडियो और आरएफ अनुप्रयोगों में किया जाता है।^[20]^[21]ऊर्जा मॉसफेट s का व्यापक रूप से परिवहन प्रौद्योगिकी में उपयोग किया जाता है,^[22]^[23]^[24] जिसमें वाहनों की एक विस्तृत श्रृंखला सम्मिलित है। स्वचालित उद्योग में,^[25]^[26]^[27] स्वचालित विद्युतकीय में ऊर्जा मॉसफेट s का व्यापक रूप से उपयोग किया जाता है।^[28]^[29]^[18]ऊर्जा मॉसफेट s सामान्यतः अन्य अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए उपयोग किए जाते हैं।

मूल संरचना

चित्र 1: वीडीएमओएस का क्रॉस सेक्शन, एक प्राथमिक सेल दिखा रहा है। ध्यान दें कि एक सेल बहुत छोटा होता है (कुछ माइक्रोमीटर से लेकर कुछ दसियों माइक्रोमीटर चौड़ा), और एक ऊर्जा मॉसफेट उनमें से कई हजार से बना होता है।

1970 के दशक में, पहले वाणिज्यिक विद्युत मॉसफेट के प्रस्तावित होने के समय कई संरचनाएं खोजी गई थीं। यद्यपि, उनमें से अधिकांश को वर्टिकल डिफ्यूज्ड एमओएस संरचना और एलडीएमओएस संरचना के पक्ष में चलाने की प्राथमिकता दी गई थी।

वीडीएमओएस का विशेष अंश उपकरण की ऊर्ध्वाधरता को दर्शाता है: जिसमें यह देखा जा सकता है कि स्रोत इलेक्ट्रोड ड्रेन के ऊपर स्थापित होता है, जिसके परिणामस्वरूप ट्रांजिस्टर चालू स्थिति में मुख्य रूप से ऊर्ध्वाधर धारा उत्पन्न होता है। वीडीएमओएस में प्रसार विनिर्माण प्रक्रिया को संदर्भित करता है, P वेल्स प्रसारण प्रक्रिया द्वारा प्राप्त किए जाते हैं जिससे P और N+ क्षेत्र प्राप्त होते हैं, इसलिए द्विगुण प्रसरित नाम दिए जाते है ।

ऊर्जा मॉस्फेटस की संरचना पार्श्व मॉसफेट से भिन्न होती है: जैसा कि अधिकांश विद्युत उपकरणों की तरह, उनकी संरचना ऊर्ध्वाधर होती है न कि समतलीय समतल संरचना में, प्रवाह और ब्रेकडाउन ऊर्जा रेटिंग दोनों प्राथमिकतः चैनल आयामों के आधार पर होती हैं, जिससे "सिलिकॉन की भूमि" के अपर्याप्त उपयोग का परिणाम होता है। ऊर्ध्वाधर संरचना के साथ, ट्रांजिस्टर की ऊर्जा रटिंग N एपिटैक्सियल परत के डोपिंग और मोटाई के आधार पर होती है जबकि प्रवाह रेटिंग चैनल की चौड़ाई के आधार पर होती है। इससे ट्रांजिस्टर को संकीर्ण सिलिकॉन टुकड़े में उच्च अवरोधी ऊर्जा और उच्च प्रवाह दोनों को सहन करने की संभावना होती है।

एलडीएमओएस पार्श्व संरचना वाले ऊर्जा मॉस्फेटस होते हैं। इनका प्रमुख उपयोग उच्च-स्तरीय ऑडियो ऊर्जा एम्पलीफायर्स,^[10]और वायरलेस सेल्युलर नेटवर्क में आरएफ ऊर्जा एम्पलीफायर्स में किया जाता है, जैसे कि 2जी, 3जी,^[11]और 4जी।.^[12]उनका लाभ यह है कि वे ऊर्ध्वाधर मॉस्फेटस की तुलना में उत्पन्न किए गए संतृप्त क्षेत्र में बेहतर व्यवहार करते हैं। वर्टिकल मॉस्फेटस स्विचिंग एप्लिकेशन्स के लिए आरेखित किए जाते हैं, इसलिए उन्हें केवल चालू या बंद स्थितियों में ही उपयोग किया जाता है।

ऑन-स्टेट प्रतिरोध

चित्र 2: ऑन-स्टेट प्रतिरोध में मॉसफेट के विभिन्न भागों का योगदान।

जब ऊर्जा मॉसफेट ऑन-स्टेट में होता है तो यह ड्रेन और स्रोत टर्मिनलों के मध्य एक संवेदक व्यवहार प्रदर्शित करता है।चित्र 2 में देखा जा सकता है कि यह प्रतिरोध कई प्राथमिक योगदानों का योग होता है।

R_S स्रोत प्रतिरोध है. यह पैकेज के स्रोत टर्मिनल से मॉसफेट के चैनल के मध्य सभी प्रतिरोधों का तार का जोड़ प्रतिरोध, स्रोत धातुकरण का, और N+ वेल की प्रतिरोध का प्रतिनिधित्व करता है।
R_ch.यह चैनल प्रतिरोध है. यह चैनल की चौड़ाई और किसी दिए गए डाई आकार के लिए चैनल घनत्व के व्युत्क्रमानुपाती होता है। चैनल प्रतिरोध आर के मुख्य योगदानकर्ताओं में से एक R_DSon है जो कम ऊर्जा वाले मॉसफेट s, और चैनल घनत्व को बढ़ाने के लिए सेल का आकार कम करने के लिए प्रयास किए गए हैं।
R_aसक्रिय प्रतिरोध है। यह गेट इलेक्ट्रोड के नीचे सीधे उपचयी क्षेत्र के प्रतिरोध का प्रतिनिधित्व करता है, जहां धारा की दिशा क्षैतिज से ऊर्ध्वाधर में परिवर्तित होती है;
R_JFETऊपर उल्लिखित सेल आकार में कमी के हानिकारक प्रभाव को दर्शाता है: P आरोपण एक परजीवी जेएफईटी ट्रांजिस्टर का गठन करते हैं, जो धारा की चौड़ाई को कम करने की प्रवृत्ति रखते हैं।
R_n सक्रिय परत का प्रतिरोध है। इस परत का कार्य ब्लॉकिंग ऊर्जा को सहन करना होता है, इसलिए आरएन उपकरण के ऊर्जा रेटिंग से सीधे संबंधित होता है। एक उच्च ऊर्जा मॉसफेट को एक मोटी, कम डोप वाली परत की आवश्यकता होती है, अर्थात इसकी प्रतिरोध अधिक होती है, जबकि एक निम्न ऊर्जा ट्रांजिस्टर को केवल एक पतली परत की आवश्यकता होती है जिसमें अधिक डोपिंग स्तर होता है, अर्थात कम प्रतिरोध होती है। इस परिणामस्वरूप, R_n उच्च ऊर्जा मॉसफेट की प्रतिरोध के लिए प्रमुख कारक है।
R_D ड्रेन के लिए आरएस के समकक्ष है। यह ट्रांजिस्टर सबस्ट्रेट चित्र 1 में संकेत दिखाए गए संचारण के स्वरूप में नहीं होता है, नीचे की N+ परत वास्तव में सबसे मोटी होती है और पैकेज कनेक्शन की प्रतिरोध को प्रतिष्ठित करता है।

विघटन ऊर्जा /ऑन-स्टेट प्रतिरोध समन्वयन

चित्र 3: आर_DSon मॉसफेट s की संख्या उनकी ऊर्जा रेटिंग के साथ बढ़ती है।

ऑफ-स्टेट में, ऊर्जा मॉसफेट एक पीआईएन डायोड के समकक्ष होता है जब यह अत्यधिक गैर-सममिति वाला संरचना रिवर्स-बायस होता है, तो स्थान-आवरण क्षेत्र मुख्य रूप से हल्के डोप की ओर विस्तारित होता है । इसका तात्पर्य यह है कि इस परत को मोसफेट के ऑफ-स्टेट ड्रेन-स्रोत ऊर्जा का बहुतायत सहन करना होता है।

यद्यपि, जब मॉसफेट चालू स्थिति में होता है, तो इस N− परत का कोई कार्य नहीं होता है। इसके अतिरिक्त, यह हल्के-डोप क्षेत्र होने के कारण, इसकी स्वाभाविक प्रतिरोधकता अपेक्षाकृत अनदेखी नहीं होती है और मॉसफेट की चालू स्थिति ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध में जोड़ा जाता है।

दो मुख्य पैरामीटर ट्रांजिस्टर की विघटन ऊर्जा और आर.डीसन को नियंत्रित करते हैं: डोपिंग स्तर और N− इपिटैक्सियल परत की मोटाई। परत जितनी मोटी होगी और उसका डोपिंग स्तर कम होगा, विघटन ऊर्जा उतना अधिक होगा। वहीं, परत जितनी पतली होगी और उसका डोपिंग स्तर उतना अधिक होगा, आर.डी.सन उतना ही कम होगा। इसलिए, मॉसफेट के आरेख में ऊर्जा रेटिंग और आन-स्थिति प्रतिरोध के मध्य एक समझौता होता है। इसे चित्र 3 में दिए गए प्लाट द्वारा प्रदर्शित किया गया है।

बॉडी डायोड

चित्र 1 में देखा जा सकता है कि स्रोत मेटालाइजेशन न केवल N+ प्रवेशीकरणों से जुड़ती है, बल्कि पी+ प्रवेशीकरणों से भी जुड़ती है, मॉसफेट का चालन सिद्धांत केवल स्रोत को N+ क्षेत्र से जोड़ने की आवश्यकता होती है। यद्यपि, इसके लिए यदि ऐसा होता तो इसका परिणाम होता कि एन-डोप्ड स्रोत और निकासी के मध्य फ्लोटिंग पी-क्षेत्र होता, जो एक गैर-जुड़ा बेस वाले एनपीएन ट्रांजिस्टर के समान होता है। निश्चित परिस्थितियों में, इस पारस्परिक एनपीएन ट्रांजिस्टर को ट्रिगर किया जाता है, जिसके कारण मॉसफेट अनियंत्रित हो जाता है। पी प्रवेशीकरण को स्रोत मेटालाइजेशन से जोड़ने से पारस्परिक ट्रांजिस्टर का बेस इसके इमीटर से शॉर्ट हो जाता है और इस प्रकार यह अनुमानित लैचिंग को रोकता है। यद्यपि, यह समाधान मॉसफेट के ड्रेन और स्रोत के मध्य एक डायोड बनाता है, जिसके कारण यह केवल एक दिशा में प्रवाह को बंद कर सकता है।

प्रेरक भार के लिए फ्रीव्हीलिंग डायोड के रूप में बॉडी डायोड का उपयोग एच ब्रिज या हाफ ब्रिज के आरेखण में किया जा सकता है,यद्यपि ये डायोड सामान्यतः अत्यधिक उच्च एच ब्रिज या हाफ ब्रिज के आरेखण में ऊर्जा ड्रॉप वाले होते हैं, वे बड़े प्रवाह को नियंत्रित कर सकते हैं और कई अनुप्रयोगों में पर्याप्त होते हैं, जिससे भाग की संख्या, उपकरण की लागत और बोर्ड स्थान को कम किया जा सकता है। कार्यक्षमता बढ़ाने के लिए, तंबगत संरेखण प्रायः उपयोग किया जाता है जिससे बॉडी डायोड द्वारा प्रवाहित करने वाले समय की मात्रा को कम से कम किया जा सके।

स्विचिंग संचालन

चित्र 4: ऊर्जा मॉसफेट की आंतरिक धारिता का स्थान।

अपनी एकाधिकार स्वभाव के कारण, ऊर्जा मॉसफेट बहुत उच्च गति पर स्विच कर सकते हैं। वास्तव में, द्विध्रुवी उपकरणों की तरह न्यूनतम वाहकों को हटाने की आवश्यकता नहीं होती है। सम्मिश्रण गति में आंतरिक क्षमताओं के कारण केवल स्वाभाविक सीमिताओं होती है। ये क्षमताएं ट्रांजिस्टर स्विच होने पर आवेश करने या डिस्आवेश करने के लिए होती हैं। यह एक तुलनात्मक धीमी प्रक्रिया हो सकती है क्योंकि गेट क्षमताओं से बहने वाली धारा बाह्य संचालित परिपथ द्वारा सीमित होती है। वास्तव में, यह परिपथ ट्रांजिस्टर की सम्मिश्रण गति का निर्देश करेगा ।

धारिता

मॉसफेट डेटाशीट में, धारिता को प्रायः C_iss इनपुट धारिता, ड्रेन और सोर्स टर्मिनल छोटा,C_ossआउटपुट धारिता, गेट और सोर्स छोटा, और C_rss रिवर्स ट्रांसफर धारिता, जमीन से जुड़ा स्रोत नाम दिया जाता है। इन धारिता और नीचे वर्णित धारिता के बीच संबंध है:

{\begin{matrix}C_{iss}&=&C_{GS}+C_{GD}\\C_{oss}&=&C_{GD}+C_{DS}\\C_{rss}&=&C_{GD}\end{matrix}}

जहां सी_GS, सी_GD और सी_DS क्रमशः गेट-टू-सोर्स, गेट-टू-ड्रेन और ड्रेन-टू-सोर्स धारिता हैं (नीचे देखें)। निर्माता सी को उद्धृत करना पसंद करते हैं_iss, सी_oss और सी_rss क्योंकि इन्हें सीधे ट्रांजिस्टर पर मापा जा सकता है। हालाँकि, जैसा कि सी_GS, सी_GD और सी_DS भौतिक अर्थ के करीब हैं, उनका उपयोग इस लेख के शेष भाग में किया जाएगा।

गेट टू सोर्स धारिता

सी_GS धारिता का गठन C के समानांतर कनेक्शन से होता है_oxN+, सी_oxP और सी_oxm (चित्र 4 देखें)। जैसा कि एन⁺ और पी क्षेत्र अत्यधिक डोप किए गए हैं, दो पूर्व धारिता को स्थिर माना जा सकता है। सी_oxm (पॉलीसिलिकॉन) गेट और (धातु) स्रोत इलेक्ट्रोड के मध्य की धारिता है, इसलिए यह भी स्थिर है। इसलिए, सी पर विचार करना सामान्य बात है_GS एक स्थिर धारिता के रूप में, अर्थात इसका मान ट्रांजिस्टर की स्थिति पर निर्भर नहीं करता है।

गेट टू ड्रेन धारिता

सी_GD धारिता को दो प्राथमिक धारिता की श्रृंखला में कनेक्शन के रूप में देखा जा सकता है। पहला है ऑक्साइड धारिता (C_oxD), गेट इलेक्ट्रोड, सिलिकॉन डाइऑक्साइड और एन एपिटैक्सियल परत के शीर्ष द्वारा गठित। इसका एक स्थिर मूल्य है. दूसरी धारिता (C_GDj) जब मॉसफेट ऑफ-स्टेट में होता है तो डिप्लेशन क्षेत्र|स्पेस-आवेश ज़ोन के विस्तार के कारण होता है। इसलिए, यह ड्रेन टू गेट ऊर्जा पर निर्भर है। इससे C का मान ज्ञात होता है_GD है:

C_{GD}={\frac {C_{oxD}\times C_{GDj}\left(V_{GD}\right)}{C_{oxD}+C_{GDj}\left(V_{GD}\right)}}

स्पेस-आवेश क्षेत्र की चौड़ाई किसके द्वारा दी गई है?^[30]

w_{GDj}={\sqrt {\frac {2\epsilon _{Si}V_{GD}}{qN}}}

कहाँ

\epsilon _{Si}

सिलिकॉन की पारगम्यता है, q इलेक्ट्रॉन आवेश है, और N डोपिंग (अर्धचालक) स्तर है। C का मान_GDj कैपेसिटर#समानांतर-प्लेट कैपेसिटर की अभिव्यक्ति का उपयोग करके अनुमान लगाया जा सकता है:

C_{GDj}=A_{GD}{\frac {\epsilon _{Si}}{w_{GDj}}}

जहाँ एक_GD गेट-ड्रेन ओवरलैप का सतह क्षेत्र है। इसलिए, यह आता है:

C_{GDj}\left(V_{GD}\right)=A_{GD}{\sqrt {\frac {q\epsilon _{Si}N}{2V_{GD}}}}

यह देखा जा सकता है कि सी_GDj (और इस प्रकार सी_GD) एक धारिता है जिसका मान गेट टू ड्रेन ऊर्जा पर निर्भर करता है। जैसे-जैसे यह ऊर्जा बढ़ता है, धारिता कम होती जाती है। जब मॉसफेट ऑन-स्टेट में होता है, तो C_GDj शंट किया जाता है, इसलिए निकास क्षमता का गेट C के बराबर रहता है_oxD, एक स्थिर मान.

निकास से स्रोत धारिता

चूंकि स्रोत धातुकरण पी-कुओं को ओवरलैप करता है , ड्रेन और स्रोत टर्मिनलों को P-N जंक्शन द्वारा अलग किया जाता है। इसलिए, C_DS जंक्शन कैपेसिटेंस है। यह एक गैर-रैखिक धारिता है, और इसके मूल्य की गणना C_GDj.के समान समीकरण का उपयोग करके की जा सकती है।

अन्य गतिशील तत्व

ऊर्जा मॉसफेट का समतुल्य सर्किट, जिसमें गतिशील तत्व (कैपेसिटर, इंडक्टर्स), परजीवी प्रतिरोधक, बॉडी डायोड सम्मिलित हैं।

पैकेजिंग अधिष्ठापन

मॉसफेट को संचालित करने के लिए, सामान्यतः तार बांधने का उपयोग किया जाता है । ये कनेक्शन एक परजीवी अधिष्ठापन को प्रदर्शित करते हैं, जो मॉसफेट प्रौद्योगिकी के लिए विशेषतः नहीं होता है, लेकिन उच्च विनिमय स्पीड के कारण महत्वपूर्ण प्रभाव पड़ता है। परजीवी अधिष्ठापन अपनी धारा को स्थिर रखने की प्रवृत्ति रखती है और ट्रांजिस्टर के बंद होने के समय अधिक वोल्टेज उत्पन्न करती है, जिससे विनिमय हानि बढ़ती हैं।

मॉसफेट के प्रत्येक टर्मिनल के साथ एक परजीवी अधिष्ठापन जोड़ा जा सकता है। उनके अलग-अलग प्रभाव हैं:

गेट इंडक्शन का बहुत कम प्रभाव होता है क्योंकि गेट पर वर्तमान ग्रेडिएंट अपेक्षाकृत धीमे हैं। यद्यपि कुछ स्थितियों में, गेट इंडक्शन और ट्रांजिस्टर की इनपुट धारिता एक इलेक्ट्रॉनिक थरथरानवाला का निर्माण कर सकते हैं। इससे बचना चाहिए, क्योंकि इसके परिणामस्वरूप बहुत अधिक विनिमय हानि होती है। एक विशिष्ट डिज़ाइन पर, इस घटना को रोकने के लिए परजीवी अधिष्ठापन को पर्याप्त रूप से कम रखा जाता है;
जब मॉसफेट स्विच ऑन होता है, तो ड्रेन इंडक्टेंस ऊर्जा को कम करने की प्रवृत्ति रखती है, जिससे स्विच ऑन होने की हानियाँ कम होती हैं। यद्यपि, स्विच ऑफ होने के समय, यह एक अतिरिक्त ऊर्जा को उत्पन्न करती है जिसके कारण स्विच ऑफ हानियाँ बढ़ जाती हैं।
स्रोत पैरासिटिक इंडक्टेंस ड्रेन इंडक्टेंस की तरह व्यवहार करती है, जो एक अतिरिक्त प्रभाव होता है जो विनिमय को और लंबा करता है, जिससे विनिमय हानियां बढ़ जाती हैं।
- तेज़ टर्न-ऑन की प्रारंभ में, स्रोत अधिष्ठापन के कारण, स्रोत पर गेट ऊर्जा के साथ-साथ ऊपर कूदने में सक्षम होगा; आंतरिक वीजीएस ऊर्जा लंबे समय तक कम रहेगा, इसलिए चालू करने में विलंब होगी।
- तेजी से टर्न-ऑफ के प्रारंभ में, जैसे ही स्रोत इंडक्शन के माध्यम से विद्युत तेजी से घटता है, परिणामी ऊर्जा नकारात्मक हो जाता है तथा आंतरिक वीजीएस बढ़ जाता है ऊर्जा, मॉसफेट को चालू रखता है, और इसलिए टर्न-ऑफ में विलंब करता है।

संचालन की सीमाएं

गेट ऑक्साइड टूटना

गेट ऑक्साइड बहुत पतला (100 एनएम या उससे कम) है, इसलिए यह केवल सीमित ऊर्जा ही बनाए रख सकता है। डेटाशीट में, निर्माता प्रायः अधिकतम गेट टू सोर्स ऊर्जा , लगभग 20 वी बताते हैं, और इस सीमा से अधिक होने पर घटक नष्ट हो सकता है। इसके अतिरिक्त, उच्च गेट टू सोर्स ऊर्जा मॉसफेट के जीवनकाल को काफी कम कर देता है, जिससे R पर कोई लाभ नहीं होता है।

इस समस्या से निपटने के लिए प्रायः गेट संचालित परिपथ का उपयोग किया जाता है।

स्रोत ऊर्जा के लिए अधिकतम निकास

ऊर्जा मॉसफेट s में अधिकतम निर्दिष्ट ड्रेन टू सोर्स ऊर्जा होता है, जिसके परे हिमस्खलन टूटना हो सकता है। ब्रेकडाउन ऊर्जा से अधिक होने से उपकरण संचालन में बाधा उत्पन्न करता है, संभावित रूप से अत्यधिक विद्युत अपव्यय के कारण इसे और अन्य परिपथ तत्वों को नुकसान पहुंचता है।

अधिकतम नाली धारा

ड्रेन करंट सामान्य तौर पर एक निश्चित निर्दिष्ट मान (अधिकतम निरंतर ड्रेन करंट) से नीचे रहना चाहिए। यह बहुत कम समय के लिए उच्च मूल्यों तक पहुंच सकता है। वायर बॉन्डिंग जैसे आंतरिक घटकों में जूल तापन और धातु की परत में इलेक्ट्रोमाइग्रेशन जैसी अन्य घटनाओं के कारण ड्रेन धारा सीमित होता है।

अधिकतम तापमान

जंक्शन तापमान (टी_J) डिवाइस के विश्वसनीय रूप से कार्य करने के लिए मॉसफेट का एक निर्दिष्ट अधिकतम मान के अंतर्गत रहना चाहिए, जो मॉसफेट डाई लेआउट और पैकेजिंग सामग्री द्वारा निर्धारित किया जाता है। मोल्डिंग कंपाउंड औरएपॉक्सी विशेषताओं के कारण पैकेजिंग प्रायः अधिकतम जंक्शन तापमान को सीमित करती है।

अधिकतम परिचालन तापमान का तापमान विद्युत अपव्यय और थर्मल प्रतिरोध द्वारा निर्धारित किया जाता है। जंक्शन-टू-केस थर्मल प्रतिरोध डिवाइस और पैकेज के लिए आंतरिक है; केस-टू-एम्बिएंट थर्मल प्रतिरोध काफी हद तक बोर्ड/माउंटिंग लेआउट, हीटसिंकिंग क्षेत्र और वायु/द्रव प्रवाह पर निर्भर है।

विद्युत अपव्यय का प्रकार, चाहे निरंतर या स्पंदित, थर्मल द्रव्यमान विशेषताओं के कारण अधिकतम ऑपरेटिंग तापमान को प्रभावित करता है; सामान्य तौर पर, किसी दिए गए विद्युत अपव्यय के लिए दालों की आवृत्ति जितनी कम होगी, डिवाइस को ठंडा होने के लिए लंबे अंतराल की अनुमति के कारण अधिकतम ऑपरेटिंग परिवेश का तापमान उतना अधिक होगा। प्रारूप, जैसे कि फोस्टर की प्रतिक्रिया प्रमेय, का उपयोग शक्ति क्षणकों से तापमान की गतिशीलता का विश्लेषण करने के लिए किया जा सकता है।

सुरक्षित परिचालन क्षेत्र

सुरक्षित परिचालन क्षेत्र ड्रेन करंट और ड्रेन टू सोर्स ऊर्जा की संयुक्त रेंज को परिभाषित करता है जिसे ऊर्जा मॉसफेट बिना किसी क्षति के संभालने में सक्षम है। इसे इन दो मापदंडों द्वारा परिभाषित विमान में एक क्षेत्र के रूप में रेखांकन द्वारा दर्शाया गया है। ड्रेन करंट और ड्रेन-टू-सोर्स ऊर्जा दोनों को उनके संबंधित अधिकतम मूल्यों से नीचे रहना चाहिए, लेकिन उनका उत्पाद उस अधिकतम विद्युत अपव्यय से भी नीचे रहना चाहिए जिसे डिवाइस संभालने में सक्षम है। इस प्रकार, डिवाइस को उसके अधिकतम धारा और अधिकतम ऊर्जा पर एक साथ संचालित नहीं किया जा सकता है। ^[31]

लैच-अप

ऊर्जा मॉसफेट के समतुल्य परिपथ में एक परजीवी बी.जे.टी के समानांतर एक मॉसफेट होता है। यदि बी.जे.टी चालू हो जाता है, तो इसे बंद नहीं किया जा सकता, क्योंकि गेट का इस पर कोई नियंत्रण नहीं है। इस घटना को लैच-अप के रूप में जाना जाता है, जिससे उपकरण नष्ट हो सकता है। पी-टाइप बॉडी क्षेत्र में ऊर्जा ड्रॉप के कारणबी.जे.टी को चालू किया जा सकता है। लैच-अप से बचने के लिए, डिवाइस पैकेज के भीतर बॉडी और स्रोत को सामान्यतः शॉर्ट-परिपथ किया जाता है।

प्रौद्योगिकी

इस ऊर्जा मॉसफेट में एक जालीदार गेट है, जिसमें वर्गाकार सेल हैं

इस मॉसफेट का गेट लेआउट समानांतर पट्टियों से बना है।

लेआउट

सेलुलर संरचना

जैसा कि ऊपर बताया गया है, ऊर्जा मॉसफेट की वर्तमान हैंडलिंग क्षमता उसके गेट चैनल की चौड़ाई से निर्धारित होती है। गेट चैनल की चौड़ाई चित्रित क्रॉस-सेक्शन का तीसरा आयाम है।

लागत और आकार को कम करने के लिए, ट्रांजिस्टर के डाई क्षेत्र के आकार को यथासंभव छोटा रखना मूल्यवान है। इसलिए, चैनल सतह क्षेत्र की चौड़ाई बढ़ाने, यानी चैनल घनत्व बढ़ाने के लिए अनुकूलन विकसित किए गए हैं। इनमें मुख्य रूप से मॉसफेट डाई के पूरे क्षेत्र में दोहराई जाने वाली सेलुलर संरचनाएं बनाना सम्मिलित है। इन कोशिकाओं के लिए कई आकार प्रस्तावित किए गए हैं, जिनमें से सबसे प्रसिद्ध अंतर्राष्ट्रीय रेक्टिफायर के हेक्सफ़ेट उपकरणों में उपयोग किया जाने वाला हेक्सागोनल आकार है।

चैनल घनत्व बढ़ाने का दूसरा विधि प्राथमिक संरचना के आकार को कम करना है। यह किसी दिए गए सतह क्षेत्र में अधिक कोशिकाओं की अनुमति देता है, और इसलिए अधिक चैनल चौड़ाई। हालाँकि, जैसे-जैसे कोशिका का आकार सिकुड़ता है, प्रत्येक कोशिका का उचित संपर्क सुनिश्चित करना अधिक कठिन हो जाता है। इसे दूर करने के लिए प्रायः एक पट्टी संरचना का उपयोग किया जाता है (चित्र देखें)। यह चैनल घनत्व के संदर्भ में समकक्ष रिज़ॉल्यूशन की सेलुलर संरचना से कम कुशल है, लेकिन छोटी पिच का सामना कर सकता है। समतल धारी संरचना का एक अन्य लाभ यह है कि यह हिमस्खलन टूटने की घटनाओं के दौरान विफलता के प्रति कम संवेदनशील होता है जिसमें परजीवी द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर पर्याप्त आगे के पूर्वाग्रह से चालू होता है। सेलुलर संरचना में, यदि किसी एक कोशिका के स्रोत टर्मिनल से खराब तरीके से संपर्क किया जाता है, तो यह अधिक संभावना हो जाती है कि हिमस्खलन टूटने की घटना के दौरान परजीवी द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर बंद हो जाता है। इस वजह से, तलीय धारी संरचना का उपयोग करने वाले मॉसफेट s केवल अत्यधिक थर्मल तनाव के कारण हिमस्खलन टूटने के समय विफल हो सकते हैं। ^[32]

संरचनाएं

वीएमओएस संरचना में गेट क्षेत्र पर एक वी-नाली है

यूएमओएस में एक ट्रेंच गेट है। इसका उद्देश्य चैनल को लंबवत बनाकर चैनल घनत्व को बढ़ाना है

पी-सब्सट्रेट ऊर्जा एमओएसएफईटी

एक पी-सब्सट्रेट एमओएसएफईटी एक एमओएसएफईटी है जिसमें विपरीत डोपिंग प्रकार होते हैं यह मॉसफेट P के साथ P-प्रकार सब्सट्रेट का उपयोग करके बनाया गया है⁻एपिटैक्सी. जैसे ही चैनल एन-क्षेत्र में बैठता है, यह ट्रांजिस्टर एक नकारात्मक गेट टू सोर्स ऊर्जा द्वारा चालू हो जाता है। यह इसे हिरन कनवर्टर में वांछनीय बनाता है, जहां स्विच का एक टर्मिनल इनपुट ऊर्जा के उच्च पक्ष से जुड़ा होता है: एन-एमओएसएफईटी के साथ, इस विन्यास के लिए गेट पर बराबर ऊर्जा लागू करने की आवश्यकता होती है $V_{in}+V_{GS}$ , जबकि कोई ऊर्जा खत्म नहीं हुआ $V_{in}$ P-मॉसफेट के साथ आवश्यक है।

इस प्रकार के मॉसफेट का मुख्य नुकसान खराब ऑन-स्टेट प्रदर्शन है, क्योंकि यह आवेश वाहक के रूप में छेद का उपयोग करता है, जिसमें इलेक्ट्रॉनों की तुलना में बहुत कम इलेक्ट्रॉन गतिशीलता होती है। चूंकि विद्युत प्रतिरोधकता और चालकता सीधे गतिशीलता से संबंधित है, किसी दिए गए पीएमओएस डिवाइस में एक होगा $R_{DSon}$ समान आयाम वाले N-मॉसफेट से तीन गुना अधिक।

वीएमओएस

वीएमओएस संरचना में गेट क्षेत्र पर एक वी-ग्रूव है और इसका उपयोग पहले वाणिज्यिक उपकरणों के लिए किया गया था।^[33]

यूएमओएस

इस ऊर्जा मॉसफेट संरचना में, जिसे ट्रेंच-एमओएस भी कहा जाता है, गेट इलेक्ट्रोड को सिलिकॉन में खोदी गई खाई में दफनाया जाता है। इसका परिणाम एक ऊर्ध्वाधर चैनल होता है। संरचना का मुख्य हित जेएफईटी प्रभाव की अनुपस्थिति है। संरचना का नाम खाई के यू-आकार से आता है।

सुपर-जंक्शन डीप-ट्रेंच तकनीक

विशेष रूप से 500 V से अधिक वोल्टेज के लिए,इन्फिनियॉन टेक्नोलॉजीजके कूलएमओएस उत्पादों सहित कुछ निर्माताओं ने एक आवेश संतुलन सिद्धांत का उपयोग करना प्रारंभ किया है। इस प्रौद्योगिकी के साथ, उच्च ऊर्जा मॉसफेट के उपकरण प्रतिरोधन के सबसे बड़े योगदानकर्ता के रूप में उपकरण की पैपीलेयर के प्रतिरोध को 5 से अधिक गुना घटा सकता है।

सुपर-जंक्शन एमओएसएफईटी की विनिर्माण दक्षता और विश्वसनीयता में सुधार करने की मांग करते हुए, रेनेसा विद्युतकीय ने एक गहरी-ट्रेंच प्रक्रिया तकनीक के साथ एक सुपर-जंक्शन संरचना विकसित की। इस तकनीक में पी-प्रकार के क्षेत्र बनाने के लिए कम अशुद्धता वाले एन-प्रकार की सामग्री खाईयों को एट्चिंग करके बनाया जाता है। यह प्रक्रिया बहु-स्तरीय पैपीलेयर वृद्धि दृष्टिकोण के संगठन में उपस्थित समस्याओं को दूर करती है और अत्यंत कम ऑन-प्रतिरोध और कम संयोजनात्मकता परिणामित होती है।

उच्चतम चक्रवात क्षेत्र के कारण, एक उत्कृष्टता-जंजिंग संरचना में एक पारावर्तन प्रतियामक समय कम होता है, लेकिन एक पारंपरिक प्लेनर पॉवर मोसफेट की तुलना में एक पारावर्तन प्रतियामक धारा अधिक होती है।

यह भी देखें

विद्युत रोधित गेट द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर
मॉसफेट
विद्युत के विद्युतकीय
ऊर्जा सेमीकंडक्टर डिवाइस

संदर्भ

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-[[File:Nedap ESD1 - power supply board 2 - International Rectifier IRLZ24N-91538.jpg|thumb|[[TO-220]]AB [[थ्रू-होल तकनीक]] | थ्रू-होल पैकेज में IRLZ24N पावर MOSFET। बाएँ से दाएँ पिन हैं: गेट (तर्क-स्तर), नाली, स्रोत। शीर्ष धातु टैब नाली है, पिन 2 के समान।<ref>[https://www.infineon.com/cms/en/product/power/mosfet/20v-300v-n-channel-power-mosfet/40v-75v-n-channel-power-mosfet/irlz24n/ IRLZ24N, 55V N-Channel Power MOSFET, TO-220AB package; Infineon.]</ref>]]विद्युत मॉसफेट एक विशिष्ट प्रकार का धातु-ऑक्साइड अर्धचालक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर है जिसे महत्वपूर्ण विद्युत स्तरों को संभालने के लिए प्रारूपित किया गया है। अन्य  विद्युत अर्धचालक उपकरणों के सापेक्ष में, जैसे [[विद्युत रोधित गेट द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर]] या थाइरिस्टर, इसका मुख्य लाभ उच्च स्विचिंग गति और कम ऊर्जा पर उचित प्रदर्शन क्षमता रखता है।
+[[File:Nedap ESD1 - power supply board 2 - International Rectifier IRLZ24N-91538.jpg|thumb| थ्रू-होल पैकेज में IRLZ24N ऊर्जा   मॉसफेट  । बाएँ से दाएँ पिन हैं: गेट (तर्क-स्तर), नाली, स्रोत। शीर्ष धातु टैब नाली है, पिन 2 के समान।<ref>[https://www.infineon.com/cms/en/product/power/mosfet/20v-300v-n-channel-power-mosfet/40v-75v-n-channel-power-mosfet/irlz24n/ IRLZ24N, 55V N-Channel Power MOSFET, TO-220AB package; Infineon.]</ref>]]विद्युत मॉसफेट एक विशिष्ट प्रकार का धातु-ऑक्साइड-अर्धचालक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर है जिसे महत्वपूर्ण विद्युत स्तरों को संभालने के लिए प्ररूपित किया गया है।
-यह IGBT के साथ एक अलग गेट साझा करता है जिससे इसे आसानी से ड्राइव किया जा सकता है।कभी-कभी इन्हें कम गेन का सामना करना पड़ सकता है, कभी-कभी इतनी दर्जा तक कि गेट ऊर्जा  नियंत्रण के तहत ऊर्जा  से अधिक होनी चाहिए।
+अन्य विद्युत अर्धचालक उपकरणों के सापेक्ष में,  जैसे कि इंसुलेटेड-गेट बाइपोलर ट्रांजिस्टर (आईजीबीटी) या थाय्रिस्टर, इसके मुख्य लाभ हैं उच्च स्विचिंग गति और कम ऊर्जा पर अच्छी प्रदर्शन क्षमता होती है । इसमें आईजीबीटी के साथ एक अलग गेट होता है जिससे इसे सरलता से संचालित किया जा सकता है। कुछ स्थितियों में इनकी प्राप्ति कम हो सकती है, कभी-कभी ऐसी मात्रा में कि गेट ऊर्जा नियंत्रण के अंतर्गत  ऊर्जा से अधिक होने की आवश्यकता होती है।
-पावर मॉसफेट के डिज़ाइन की संभावना मॉसफेट और सीएमओएस प्रौद्योगिकी के विकास के द्वारा संभव बनी है, जो 1960 के दशक से एकीकृत परिप्रेक्ष्यों के निर्माण के लिए प्रयोग की जाती है। पावर मॉसफेट अपने कार्यसिद्धांत को अपने कम-बिजली संस्करण, लेटरल मॉसफेट के साथ साझा करता है। पावर MOSFET, जो आमतौर पर पावर इलेक्ट्रॉनिक्स में प्रयोग होता है, मानक मॉसफेट से अनुकूलित किया गया था और 1970 के दशक में वाणिज्यिक रूप से प्रस्तुत किया गया था।<ref>{{Cite book |last1=Irwin |first1=J. David |title=औद्योगिक इलेक्ट्रॉनिक्स हैंडबुक|date=1997 |publisher=[[CRC Press]] |isbn=9780849383434 |page=218 |url=https://books.google.com/books?id=s0k9kGs5bHYC&pg=PA218}}</ref>
+विद्युत मॉसफेट अभिकल्पना की संभावना मॉसफेट और सीएमओएस प्रौद्योगिकी के विकास के द्वारा संभव है, जो 1960 के दशक से एकीकृत परिप्रेक्ष्यों के निर्माण के लिए प्रयोग की जाती है। विद्युत मॉसफेट अपने कार्यसिद्धांत को अपने कम-विद्युत संस्करण, लेटरल मॉसफेट के साथ साझा करता है। ऊर्जा मॉसफेट, जो सामान्यतः ऊर्जा विद्युतकीय में प्रयोग होता है, मानक मॉसफेट से अनुकूलित किया गया था और 1970 के दशक में वाणिज्यिक रूप से प्रस्तुत किया गया था।<ref>{{Cite book |last1=Irwin |first1=J. David |title=औद्योगिक इलेक्ट्रॉनिक्स हैंडबुक|date=1997 |publisher=[[CRC Press]] |isbn=9780849383434 |page=218 |url=https://books.google.com/books?id=s0k9kGs5bHYC&pg=PA218}}</ref>ऊर्जा मॉसफेट विश्व में सबसे सामान्य ऊर्जा अर्द्धचालक उपकरण है, क्योंकि इसे कम गेट संचालित ऊर्जा , तेज स्विचिंग गति,<ref name="aosmd">{{Cite web |title=पावर MOSFET मूल बातें|url=http://www.aosmd.com/res/application_notes/mosfets/Power_MOSFET_Basics.pdf |website=Alpha & Omega Semiconductor |access-date=29 July 2019}}</ref> आसान परालेलिंग क्षमता,<ref name="aosmd" /><ref name="Duncan178">{{Cite book |last1=Duncan |first1=Ben |title=उच्च प्रदर्शन ऑडियो पावर एम्पलीफायर|date=1996 |publisher=[[Elsevier]] |isbn=9780080508047 |pages=[https://archive.org/details/highperfomanceau0000dunc/page/178 178–81] |url=https://archive.org/details/highperfomanceau0000dunc/page/178 }}</ref> व्यापक बैंडविड्थ, कठोरता, सरल संचालित, सरल बायसिंग, आवेदन करने में <ref name="Duncan178" />विशेष रूप से, यह सबसे अधिक प्रयोग होने वाला कम ऊर्जा   स्विच है। इसे विभिन्न अनुप्रयोगों में पाया जा सकता है, जैसे कि अधिकांश  विद्युत आपूर्ति, [[डीसी-टू-डीसी कनवर्टर]],निम्न-ऊर्जा  [[मोटर नियंत्रक]], और बहुत सारे अन्य अनुप्रयोगों में किया जाता है।
-पावर मॉसफेट विश्व में सबसे आम पावर सेमीकंडक्टर उपकरण है, क्योंकि इसे कम गेट ड्राइव पावर, तेज स्विचिंग गति,<ref name="aosmd">{{Cite web |title=पावर MOSFET मूल बातें|url=http://www.aosmd.com/res/application_notes/mosfets/Power_MOSFET_Basics.pdf |website=Alpha & Omega Semiconductor |access-date=29 July 2019}}</ref> आसान परालेलिंग क्षमता,<ref name="aosmd" /><ref name="Duncan178">{{Cite book |last1=Duncan |first1=Ben |title=उच्च प्रदर्शन ऑडियो पावर एम्पलीफायर|date=1996 |publisher=[[Elsevier]] |isbn=9780080508047 |pages=[https://archive.org/details/highperfomanceau0000dunc/page/178 178–81] |url=https://archive.org/details/highperfomanceau0000dunc/page/178 }}</ref> व्यापक बैंडविड्थ, कठोरता, आसान ड्राइव, सरल बायसिंग, आवेदन करने में आसानी और मरम्मत करने में आसानी के कारण।<ref name="Duncan178" />विशेष रूप से, यह सबसे अधिक प्रयोग होने वाला कम ऊर्जा  (200 V से कम) स्विच है। इसे विभिन्न अनुप्रयोगों में पाया जा सकता है, जैसे कि अधिकांश बिजली आपूर्ति, [[डीसी-टू-डीसी कनवर्टर]], लो-ऊर्जा  [[मोटर नियंत्रक]], और बहुत सारे अन्य अनुप्रयोगों में।
 == इतिहास ==
-{{See also|MOSFET|VMOS|LDMOS|Insulated-gate bipolar transistor}}
+{{See also|मोसफेट|वीएमओएस|एलडीएमओएस|विद्युत रोधित गेट द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर}}
-मॉसफेट का आविष्कार 1959 में [[बेल लैब्स]] में मोहम्मद एम. अटाला और [[दावों कहंग]] द्वारा किया गया था। यह पावर इलेक्ट्रॉनिक्स में एक सफलता थी। MOSFETs की पीढ़ियों ने पावर डिजाइनरों को प्रदर्शन और घनत्व स्तर प्राप्त करने में सक्षम बनाया जो द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर के साथ संभव नहीं है।<ref>{{Cite news |title=GaN के साथ पावर घनत्व पर पुनर्विचार करें|url=https://www.electronicdesign.com/power/rethink-power-density-gan |access-date=23 July 2019 |work=[[Electronic Design (magazine)|Electronic Design]] |date=21 April 2017}}</ref>
+मॉसफेट का आविष्कार 1959 में [[बेल लैब्स]] में मोहम्मद एम. अटाला और [[दावों कहंग]] द्वारा किया गया था। यह ऊर्जा विद्युतकीय में एक सफलता थी। मॉसफेट  s की पीढ़ियों ने ऊर्जा आरेखों को प्रदर्शन और घनत्व स्तर प्राप्त करने में सक्षम बनाया जो द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर के साथ संभव नहीं है।<ref>{{Cite news |title=GaN के साथ पावर घनत्व पर पुनर्विचार करें|url=https://www.electronicdesign.com/power/rethink-power-density-gan |access-date=23 July 2019 |work=[[Electronic Design (magazine)|Electronic Design]] |date=21 April 2017}}</ref>1969 में, [[ Hitachi | हितैची]] ने पहली ऊर्ध्वाधर शक्ति मॉसफेट प्रस्तुत किया,<ref>{{Cite book |last1=Oxner |first1=E. S. |title=Fet प्रौद्योगिकी और अनुप्रयोग|date=1988 |publisher=[[CRC Press]] |isbn=9780824780500 |page=18 |url=https://books.google.com/books?id=0AE-0e-sAnsC&pg=PA18}}</ref> जिसे बाद में [[वीएमओएस]]  के नाम से जाना गया।<ref name="powerelectronics">{{Cite journal |title=असतत अर्धचालकों में प्रगति जारी है|url=https://www.powerelectronics.com/content/advances-discrete-semiconductors-march |journal=Power Electronics Technology |publisher=[[Informa]] |pages=52–6 |access-date=31 July 2019 |date=September 2005 |archive-url=https://web.archive.org/web/20060322222716/http://powerelectronics.com/mag/509PET26.pdf |archive-date=22 March 2006 |url-status=live}}</ref> उसी वर्ष, स्व-संरेखित गेट के साथ मॉसफेट डीएमओएस की रिपोर्ट सबसे पहले [[राष्ट्रीय उन्नत औद्योगिक विज्ञान और प्रौद्योगिकी संस्थान]] ( ईटीएल ) के वाई. तारुई, वाई. हयाशी और तोशीहिरो सेकिगावा ने की थी।<ref>{{Cite journal |last1=Tarui |first1=Y. |last2=Hayashi |first2=Y. |last3=Sekigawa |first3=Toshihiro |title=Diffusion Self-Aligned MOST; A New Approach for High Speed Device |journal=Proceedings of the 1st Conference on Solid State Devices |date=September 1969 |doi=10.7567/SSDM.1969.4-1 |s2cid=184290914 |url=https://www.semanticscholar.org/paper/Diffusion-Selfaligned-MOST%3B-A-New-Approach-for-High-Tarui-Hayashi/c4ad0fa7b03e080cc027545f7152caa28633fa9a}}</ref><ref>{{Cite conference |last1=McLintock |first1=G. A. |last2=Thomas |first2=R. E. |title=स्व-संरेखित द्वारों के साथ डबल-डिफ्यूज्ड MOST की मॉडलिंग|conference=1972 International Electron Devices Meeting |date=December 1972 |pages=24–26 |doi=10.1109/IEDM.1972.249241}}</ref> 1974 में, तोहोकू विश्वविद्यालय में [[ आदेश-स्थिति निशिजावा |आदेश-स्थिति निशिजावा]] ने ऑडियो के लिए एक ऊर्जा   मॉसफेट का आविष्कार किया, जिसे जल्द ही [[यामाहा कॉर्पोरेशन|यामाहा संस्था]] द्वारा उनके [[उच्च निष्ठा]] के लिए निर्मित किया गया था। जेवीसी [[पायनियर कॉर्पोरेशन|पायनियर संस्था]], [[सोनी]] और [[ तोशीबा ]] ने भी 1974 में ऊर्जा मॉसफेट s के साथ प्रवर्धक का निर्माण प्रारंभ किया।<ref name="Duncan177">{{cite book |last1=Duncan |first1=Ben |title=उच्च प्रदर्शन ऑडियो पावर एम्पलीफायर|date=1996 |publisher=[[Elsevier]] |isbn=9780080508047 |pages=[https://archive.org/details/highperfomanceau0000dunc/page/177 177–8, 406] |url=https://archive.org/details/highperfomanceau0000dunc/page/177 }}</ref> सिलिकॉनिक्स ने 1975 में व्यावसायिक रूप से वीएमओएस प्रस्तुत किया।<ref name="powerelectronics" />
-में, [[ Hitachi ]] ने पहली ऊर्ध्वाधर शक्ति मॉसफेट पेश की,<ref>{{Cite book |last1=Oxner |first1=E. S. |title=Fet प्रौद्योगिकी और अनुप्रयोग|date=1988 |publisher=[[CRC Press]] |isbn=9780824780500 |page=18 |url=https://books.google.com/books?id=0AE-0e-sAnsC&pg=PA18}}</ref> जिसे बाद में [[वीएमओएस]] (वी-ग्रूव एमओएसएफईटी) के नाम से जाना जाएगा।<ref name="powerelectronics">{{Cite journal |title=असतत अर्धचालकों में प्रगति जारी है|url=https://www.powerelectronics.com/content/advances-discrete-semiconductors-march |journal=Power Electronics Technology |publisher=[[Informa]] |pages=52–6 |access-date=31 July 2019 |date=September 2005 |archive-url=https://web.archive.org/web/20060322222716/http://powerelectronics.com/mag/509PET26.pdf |archive-date=22 March 2006 |url-status=live}}</ref> उसी वर्ष, स्व-संरेखित गेट के साथ MOSFET#DMOS (डबल-डिफ्यूज्ड MOSFET) की रिपोर्ट सबसे पहले [[राष्ट्रीय उन्नत औद्योगिक विज्ञान और प्रौद्योगिकी संस्थान]] (ETL) के वाई. तारुई, वाई. हयाशी और तोशीहिरो सेकिगावा ने की थी।<ref>{{Cite journal |last1=Tarui |first1=Y. |last2=Hayashi |first2=Y. |last3=Sekigawa |first3=Toshihiro |title=Diffusion Self-Aligned MOST; A New Approach for High Speed Device |journal=Proceedings of the 1st Conference on Solid State Devices |date=September 1969 |doi=10.7567/SSDM.1969.4-1 |s2cid=184290914 |url=https://www.semanticscholar.org/paper/Diffusion-Selfaligned-MOST%3B-A-New-Approach-for-High-Tarui-Hayashi/c4ad0fa7b03e080cc027545f7152caa28633fa9a}}</ref><ref>{{Cite conference |last1=McLintock |first1=G. A. |last2=Thomas |first2=R. E. |title=स्व-संरेखित द्वारों के साथ डबल-डिफ्यूज्ड MOST की मॉडलिंग|conference=1972 International Electron Devices Meeting |date=December 1972 |pages=24–26 |doi=10.1109/IEDM.1972.249241}}</ref> 1974 में, तोहोकू विश्वविद्यालय में [[ आदेश-स्थिति निशिजावा ]] ने ऑडियो के लिए एक पावर मॉसफेट का आविष्कार किया, जिसे जल्द ही [[यामाहा कॉर्पोरेशन]] द्वारा उनके [[उच्च निष्ठा]] [[ऑडियो पावर [[एम्पलीफायर]]]] के लिए निर्मित किया गया था। [[JVC]], [[पायनियर कॉर्पोरेशन]], [[सोनी]] और [[ तोशीबा ]] ने भी 1974 में पावर MOSFETs के साथ एम्पलीफायरों का निर्माण शुरू किया।<ref name="Duncan177">{{cite book |last1=Duncan |first1=Ben |title=उच्च प्रदर्शन ऑडियो पावर एम्पलीफायर|date=1996 |publisher=[[Elsevier]] |isbn=9780080508047 |pages=[https://archive.org/details/highperfomanceau0000dunc/page/177 177–8, 406] |url=https://archive.org/details/highperfomanceau0000dunc/page/177 }}</ref> सिलिकॉनिक्स ने 1975 में व्यावसायिक रूप से VMOS पेश किया।<ref name="powerelectronics" />
-VMOS और DMOS विकसित होकर VDMOS (वर्टिकल DMOS) के नाम से जाने गए।<ref name="Duncan177" />[[एचपी लैब्स]] में जॉन एल. मोल की अनुसंधान टीम ने 1977 में डीएमओएस प्रोटोटाइप तैयार किया, और वीएमओएस पर फायदे का प्रदर्शन किया, जिसमें कम ऑन-प्रतिरोध और उच्च ब्रेकडाउन ऊर्जा  शामिल थे।<ref name="powerelectronics" />उसी वर्ष, हिताची ने [[एलडीएमओएस]] (पार्श्व डीएमओएस) पेश किया, जो डीएमओएस का एक समतल प्रकार है। हिताची 1977 और 1983 के बीच एकमात्र एलडीएमओएस निर्माता थी, उस दौरान एलडीएमओएस का उपयोग [[एचएच इलेक्ट्रॉनिक्स]] (वी-सीरीज़) और [[एशली ऑडियो]] जैसे निर्माताओं के ऑडियो पावर एम्पलीफायरों में किया जाता था, और संगीत और सार्वजनिक संबोधन प्रणालियों के लिए उपयोग किया जाता था।<ref name="Duncan177" />1995 में [[2जी]] डिजिटल [[सेल्युलर नेटवर्क]] की शुरुआत के साथ, एलडीएमओएस 2जी, 3जी जैसे मोबाइल नेटवर्क में सबसे व्यापक रूप से इस्तेमाल किया जाने वाला [[आरएफ पावर एम्पलीफायर]] बन गया।<ref name="Baliga2005">{{cite book|url=https://books.google.com/books?id=StJpDQAAQBAJ|title=सिलिकॉन आरएफ पावर मॉसफेट्स|last1=Baliga|first1=B. Jayant|date=2005|publisher=[[World Scientific]]|isbn=9789812561213|author1-link=B. Jayant Baliga}}</ref> और 4जी.<ref name="Asif">{{Cite book |last1=Asif |first1=Saad |title=5G Mobile Communications: Concepts and Technologies |date=2018 |publisher=[[CRC Press]] |isbn=9780429881343 |page=134 |url=https://books.google.com/books?id=yg1mDwAAQBAJ&pg=PT134}}</ref>
+वीएमओएस और डीएमओएस विकसित होकर वीडीएमओएस के नाम से जाने गए।<ref name="Duncan177" />[[एचपी लैब्स]] में जॉन एल. मोल की अनुसंधान टीम ने 1977 में डीएमओएस प्रोटोटाइप तैयार किया, और वीएमओएस पर लाभ का प्रदर्शन किया, जिसमें कम ऑन-प्रतिरोध और उच्च ब्रेकडाउन ऊर्जा  सम्मिलित थे।<ref name="powerelectronics" />उसी वर्ष, हितैची ने [[एलडीएमओएस]] प्रस्तुत किया, जो डीएमओएस का एक समतल प्रकार है। हितैची 1977 और 1983 के मध्य  एकमात्र एलडीएमओएस निर्माता थी, उस दौरान एलडीएमओएस का उपयोग [[एचएच इलेक्ट्रॉनिक्स|एचएच विद्युतकीय]] और [[एशली ऑडियो]] जैसे निर्माताओं के ऑडियो ऊर्जा प्रवर्धक में किया जाता था, और संगीत और सार्वजनिक संबोधन प्रणालियों के लिए उपयोग किया जाता था।<ref name="Duncan177" />1995 में [[2जी|2G]] डिजिटल [[सेल्युलर नेटवर्क]] की प्रारंभ के साथ, एलडीएमओएस 2G, 3G और 4G जैसे मोबाइल नेटवर्क में सबसे व्यापक रूप से प्रयोग किया जाने वाला [[आरएफ पावर एम्पलीफायर|आरएफ ऊर्जा]] प्रवर्धक बन गया।<ref name="Baliga2005">{{cite book|url=https://books.google.com/books?id=StJpDQAAQBAJ|title=सिलिकॉन आरएफ पावर मॉसफेट्स|last1=Baliga|first1=B. Jayant|date=2005|publisher=[[World Scientific]]|isbn=9789812561213|author1-link=B. Jayant Baliga}}</ref> .<ref name="Asif">{{Cite book |last1=Asif |first1=Saad |title=5G Mobile Communications: Concepts and Technologies |date=2018 |publisher=[[CRC Press]] |isbn=9780429881343 |page=134 |url=https://books.google.com/books?id=yg1mDwAAQBAJ&pg=PT134}}</ref>[[एलेक्स लिडो]] ने 1977 में [[स्टैनफोर्ड विश्वविद्यालय]] में हेक्सफेट, एक हेक्सागोनल प्रकार की ऊर्जा एमओएसएफईटी का सह-आविष्कार किया।<ref>{{Cite web |title=उत्तरी अमेरिका के लिए SEMI पुरस्कार|url=http://www.semi.org/en/semi-award-north-america-1 |archive-url=https://web.archive.org/web/20160805003338/http://www.semi.org/en/semi-award-north-america-1 |url-status=dead |archive-date=5 August 2016 |publisher=[[SEMI]] |access-date=5 August 2016}}</ref> टॉम हरमन के साथ।<ref name="businesswire">{{Cite news |title=इंटरनेशनल रेक्टिफायर के एलेक्स लिडो और टॉम हरमन को इंजीनियरिंग हॉल ऑफ फेम में शामिल किया गया|url=https://www.businesswire.com/news/home/20040914005158/en/International-Rectifiers-Alex-Lidow-Tom-Herman-Inducted |access-date=31 July 2019 |work=[[Business Wire]] |date=14 September 2004}}</ref> हेक्सफेट का 1978 में [[ अंतर्राष्ट्रीय सुधारक |अंतर्राष्ट्रीय सुधारक]] द्वारा व्यावसायीकरण किया गया था।<ref name="powerelectronics" /><ref name="businesswire" />इंसुलेटेड-गेट बाइपोलर ट्रांजिस्टर, जो ऊर्जा   मॉसफेट और [[ द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर ]]दोनों के तत्वों को जोड़ता था, 1977 और 1979 के मध्य [[ सामान्य विद्युतीय |सामान्य विद्युतीय]] में बी. जयंत बालिगा द्वारा विकसित किया गया था।<ref name="Baliga2015">{{Cite book |last1=Baliga |first1=B. Jayant |title=The IGBT Device: Physics, Design and Applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor |date=2015 |publisher=[[William Andrew (publisher)|William Andrew]] |isbn=9781455731534 |pages=xxviii, 5–11 |url=https://books.google.com/books?id=f091AgAAQBAJ}}</ref>सुपरजंक्शन मॉसफेट एक प्रकार का ऊर्जा मॉसफेट है जो P+ कॉलम का उपयोग करता है जो N-[[एपिटैक्सी]] परत में प्रवेश करता है।  P और N परतों को ढेर करने का विचार पहली बार 1978 में [[ओसाका विश्वविद्यालय]] में शोज़ो शिरोटा और शिगियो कनेडा द्वारा प्रस्तावित किया गया था।<ref name="st">{{Cite news |title=MDmesh: 20 Years of Superjunction STPOWER MOSFETs, A Story About Innovation |url=https://blog.st.com/mdmesh-anniversary/ |access-date=2 November 2019 |work=[[STMicroelectronics]] |date=11 September 2019}}</ref> फिलिप्स में डेविड जे. कोए ने 1984 में एक यूएस पेटेंट प्रविष्टि करके वैकल्पिक  P-टाइप और N-टाइप परतों के साथ सुपरजंक्शन एमओएसएफईटी का आविष्कार किया, जिसे 1988 में प्रदान किया गया था।<ref>[https://patents.google.com/patent/US4754310A/en US Patent 4,754,310]</ref>
-[[एलेक्स लिडो]] ने 1977 में [[स्टैनफोर्ड विश्वविद्यालय]] में हेक्सफेट, एक हेक्सागोनल प्रकार की पावर एमओएसएफईटी का सह-आविष्कार किया।<ref>{{Cite web |title=उत्तरी अमेरिका के लिए SEMI पुरस्कार|url=http://www.semi.org/en/semi-award-north-america-1 |archive-url=https://web.archive.org/web/20160805003338/http://www.semi.org/en/semi-award-north-america-1 |url-status=dead |archive-date=5 August 2016 |publisher=[[SEMI]] |access-date=5 August 2016}}</ref> टॉम हरमन के साथ।<ref name="businesswire">{{Cite news |title=इंटरनेशनल रेक्टिफायर के एलेक्स लिडो और टॉम हरमन को इंजीनियरिंग हॉल ऑफ फेम में शामिल किया गया|url=https://www.businesswire.com/news/home/20040914005158/en/International-Rectifiers-Alex-Lidow-Tom-Herman-Inducted |access-date=31 July 2019 |work=[[Business Wire]] |date=14 September 2004}}</ref> HexFET का 1978 में [[ अंतर्राष्ट्रीय सुधारक ]] द्वारा व्यावसायीकरण किया गया था।<ref name="powerelectronics" /><ref name="businesswire" />इंसुलेटेड-गेट बाइपोलर ट्रांजिस्टर (IGBT), जो पावर मॉसफेट और [[ द्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टर ]] (BJT) दोनों के तत्वों को जोड़ता है, 1977 और 1979 के बीच [[ सामान्य विद्युतीय ]] में बी. जयंत बालिगा द्वारा विकसित किया गया था।<ref name="Baliga2015">{{Cite book |last1=Baliga |first1=B. Jayant |title=The IGBT Device: Physics, Design and Applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor |date=2015 |publisher=[[William Andrew (publisher)|William Andrew]] |isbn=9781455731534 |pages=xxviii, 5–11 |url=https://books.google.com/books?id=f091AgAAQBAJ}}</ref>
-सुपरजंक्शन मॉसफेट एक प्रकार का पावर मॉसफेट है जो P+ कॉलम का उपयोग करता है जो N-[[एपिटैक्सी]] परत में प्रवेश करता है। पी और एन परतों को ढेर करने का विचार पहली बार 1978 में [[ओसाका विश्वविद्यालय]] में शोज़ो शिरोटा और शिगियो कनेडा द्वारा प्रस्तावित किया गया था।<ref name="st">{{Cite news |title=MDmesh: 20 Years of Superjunction STPOWER MOSFETs, A Story About Innovation |url=https://blog.st.com/mdmesh-anniversary/ |access-date=2 November 2019 |work=[[STMicroelectronics]] |date=11 September 2019}}</ref> फिलिप्स में डेविड जे. कोए ने 1984 में एक यूएस पेटेंट दाखिल करके वैकल्पिक पी-टाइप और एन-टाइप परतों के साथ सुपरजंक्शन एमओएसएफईटी का आविष्कार किया, जिसे 1988 में प्रदान किया गया था।<ref>[https://patents.google.com/patent/US4754310A/en US Patent 4,754,310]</ref>
 == अनुप्रयोग ==
-{{Main|List of MOSFET applications#Power MOSFET}}
+[[File:Asus Zenbook UX32V - motherboard - NXP 7030AL-0152.jpg|thumb|[[एनएक्सपी सेमीकंडक्टर]]्स 7030AL - एन-चैनल ट्रेंचएमओएस लॉजिक लेवल एफईटी]]पावर मॉसफेट विश्व में सबसे अधिक प्रयोग होने वाला पावर अर्द्धचालक  उपकरण है। 2010 के अनुसार, पावर मॉसफेट पावर ट्रांजिस्टर मार्केट का 53% अंश रखता है, इसे इंसुलेटेड-गेट बाइपोलर ट्रांजिस्टर (27%), RF पावर एम्प्लीफायर (11%) और बायोपोलर जंक्शन ट्रांजिस्टर (9%) से आगे है। 2018 के अनुसार, हर साल 50 अरब से अधिक ऊर्जा मॉसफेट भेजे जाते हैं। इनमें ट्रेंच पावर मॉसफेट भी सम्मिलित है, जिसने फरवरी 2017 तक 100 अरब से अधिक इकाइयाँ बेची हैं।और एसटीमाइक्रो विद्युतकीय का  सुपरजंक्शन मॉसफेट जिसने 2019 तक 5 अरब इकाइयाँ बेची हैं।.<ref name="st"/>
-{{See also|LDMOS#Applications|MOSFET|Insulated-gate bipolar transistor|RF CMOS#Applications}}
-[[File:Asus Zenbook UX32V - motherboard - NXP 7030AL-0152.jpg|thumb|[[एनएक्सपी सेमीकंडक्टर]]्स 7030AL - एन-चैनल ट्रेंचएमओएस लॉजिक लेवल एफईटी]]पावर मॉसफेट दुनिया में सबसे अधिक इस्तेमाल किया जाने वाला पावर सेमीकंडक्टर उपकरण है।<ref name="aosmd"/> {{As of|2010}}, पावर सेमीकंडक्टर डिवाइस बाजार में पावर मॉसफेट की हिस्सेदारी 53% है, जो इंसुलेटेड-गेट बाइपोलर ट्रांजिस्टर (27%), आरएफ पावर एम्पलीफायर (11%) और बाइपोलर जंक्शन ट्रांजिस्टर (9%) से आगे है।<ref>{{Cite news |title=Power Transistor Market Will Cross $13.0 Billion in 2011 |url=http://www.icinsights.com/news/bulletins/Power-Transistor-Market-Will-Cross-130-Billion-In-2011/ |access-date=15 October 2019 |work=IC Insights |date=June 21, 2011}}</ref> {{As of|2018}}, प्रतिवर्ष 50 बिलियन से अधिक पावर MOSFETs भेजे जाते हैं।<ref>{{Cite journal |last1=Carbone |first1=James |title=Buyers can expect 30-week lead times and higher tags to continue for MOSFETs |journal=Electronics Sourcing |date=September–October 2018 |pages=18–19 |url=http://www.electronics-sourcing.com/wp-content/uploads/2018/08/ESE-SepOct18.pdf}}</ref> इनमें ट्रेंच पावर मॉसफेट शामिल है, जिसकी फरवरी 2017 तक 100 बिलियन से अधिक इकाइयाँ बिकीं।<ref>{{Cite journal |last1=Williams |first1=Richard K. |last2=Darwish |first2=Mohamed N. |last3=Blanchard |first3=Richard A. |last4=Siemieniec |first4=Ralf |last5=Rutter |first5=Phil |last6=Kawaguchi |first6=Yusuke |title=The Trench Power MOSFET: Part I—History, Technology, and Prospects |journal=IEEE Transactions on Electron Devices |date=23 February 2017 |volume=64 |issue=3 |pages=674–691 |doi=10.1109/TED.2017.2653239 |url=https://www.researchgate.net/publication/314143170|bibcode=2017ITED...64..674W |s2cid=20730536 }}</ref> और [[STMicroelectronics]] का MDmesh (सुपरजंक्शन MOSFET) जिसने 5 बिलियन यूनिट्स बेची हैं {{As of|2019|lc=y}}.<ref name="st"/>
-पावर MOSFETs का उपयोग आमतौर पर [[उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स]] की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए किया जाता है।<ref name="Infineon-MOSFET">{{cite web |title=MOSFET|url=https://www.infineon.com/cms/en/product/power/mosfet/ |website=[[Infineon Technologies]] |access-date=24 December 2019}}</ref><ref name="EiceDRIVER">{{cite web |title=Infineon EiceDRIVER गेट ड्राइवर ICs|url=https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-EiceDRIVER_Gate_Driver_ICs-ProductSelectionGuide-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46250cc1fdf015110069cb90f49 |website=[[Infineon]] |date=August 2019 |access-date=26 December 2019}}</ref>
+ऊर्जा मॉसफेट s का उपयोग सामान्यतः [[उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स|उपभोक्ता विद्युतकीय]] की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए किया जाता है।<ref name="Infineon-MOSFET">{{cite web |title=MOSFET|url=https://www.infineon.com/cms/en/product/power/mosfet/ |website=[[Infineon Technologies]] |access-date=24 December 2019}}</ref><ref name="EiceDRIVER">{{cite web |title=Infineon EiceDRIVER गेट ड्राइवर ICs|url=https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-EiceDRIVER_Gate_Driver_ICs-ProductSelectionGuide-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46250cc1fdf015110069cb90f49 |website=[[Infineon]] |date=August 2019 |access-date=26 December 2019}}</ref>आरएफ [[डीएमओएस]], जिसे आरएफ ऊर्जा एमओएसएफईटी के रूप में भी जाना जाता है, [[ आकाशवाणी आवृति ]] (आरएफ) अनुप्रयोगों के लिए प्ररूपित किया गया एक प्रकार का डीएमओएस ऊर्जा ट्रांजिस्टर है। इसका उपयोग विभिन्न [[रेडियो]] और आरएफ अनुप्रयोगों में किया जाता है।<ref name="RF-DMOS">{{cite web |title=आरएफ डीएमओएस ट्रांजिस्टर|url=https://www.st.com/en/radio-frequency-transistors/rf-dmos-transistors.html |website=[[STMicroelectronics]] |access-date=22 December 2019}}</ref><ref name="AN1256">{{cite web |title=AN1256: Application note {{ndash}} High-power RF MOSFET targets VHF applications |url=https://www.st.com/content/ccc/resource/technical/document/application_note/07/e8/f6/20/61/db/43/d2/CD00004135.pdf/files/CD00004135.pdf/jcr:content/translations/en.CD00004135.pdf |website=[[ST Microelectronics]] |date=July 2007 |access-date=22 December 2019}}</ref>ऊर्जा मॉसफेट  s का व्यापक रूप से परिवहन प्रौद्योगिकी में उपयोग किया जाता है,<ref name="Emadi2017">{{Cite book |last1=Emadi |first1=Ali |title=ऑटोमोटिव पावर इलेक्ट्रॉनिक्स और मोटर ड्राइव की हैंडबुक|date=2017 |publisher=[[CRC Press]] |isbn=9781420028157 |page=117 |url=https://books.google.com/books?id=40duBwAAQBAJ&pg=PA117}}</ref><ref name="Infineon">{{cite web |title=परिवहन के लिए इन्फिनियॉन समाधान|url=https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-Solutions_for_Transportation_24V-60V-ABR-v00_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160dfb145ba3f70 |website=[[Infineon]] |date=June 2013 |access-date=23 December 2019}}</ref><ref name="HITFET">{{cite web |title=HITFETs: Smart, Protected MOSFETs |url=https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-ApplicationNote_v12-AN-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bc8c8e5ae31d1 |website=[[Infineon]] |access-date=23 December 2019}}</ref> जिसमें [[वाहनों]] की एक विस्तृत श्रृंखला सम्मिलित है। स्वचालित उद्योग में,<ref name="spinoff">{{Cite web |title=सीएमओएस सेंसर फोन कैमरे, एचडी वीडियो को सक्षम करते हैं|url=https://spinoff.nasa.gov/Spinoff2017/cg_1.html |website=NASA Spinoff |publisher=[[NASA]] |access-date=6 November 2019}}</ref><ref name="Veendrick245">{{Cite book |last1=Veendrick |first1=Harry J. M. |title=Nanometer CMOS ICs: From Basics to ASICs |date=2017 |publisher=Springer |isbn=9783319475974 |page=245 |url=https://books.google.com/books?id=Lv_EDgAAQBAJ&pg=PA245}}</ref><ref name="Korec9">{{Cite book |last1=Korec |first1=Jacek |title=Low Voltage Power MOSFETs: Design, Performance and Applications |date=2011 |publisher=[[Springer Science+Business Media]] |isbn=978-1-4419-9320-5 |pages=[https://archive.org/details/Jacek_Korec_Low_Voltage_Power_MOSFETs/page/n17 9]–14 |url=https://archive.org/details/Jacek_Korec_Low_Voltage_Power_MOSFETs}}</ref>  [[ऑटोमोटिव इलेक्ट्रॉनिक्स|स्वचालित विद्युतकीय]] में ऊर्जा मॉसफेट s का व्यापक रूप से उपयोग किया जाता है।<ref name="Fuji">{{Cite web |title=ऑटोमोटिव पावर MOSFETs|url=https://www.fujielectric.com/company/tech/pdf/r50-2/03.pdf |website=[[Fuji Electric]] |access-date=10 August 2019}}</ref><ref name="Williams2017">{{Cite journal |last1=Williams |first1=R. K. |last2=Darwish |first2=M. N. |last3=Blanchard |first3=R. A. |last4=Siemieniec |first4=R. |last5=Rutter |first5=P. |last6=Kawaguchi |first6=Y. |title=The Trench Power MOSFET—Part II: Application Specific VDMOS, LDMOS, Packaging, Reliability |journal=IEEE Transactions on Electron Devices |date=2017 |volume=64 |issue=3 |pages=692–712 |doi=10.1109/TED.2017.2655149 |issn=0018-9383|bibcode=2017ITED...64..692W |s2cid=38550249 }}</ref><ref name="Infineon-MOSFET" />ऊर्जा मॉसफेट  s सामान्यतः अन्य अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए उपयोग किए जाते हैं।
-आरएफ [[डीएमओएस]], जिसे आरएफ पावर एमओएसएफईटी के रूप में भी जाना जाता है, [[ आकाशवाणी आवृति ]] (आरएफ) अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया एक प्रकार का डीएमओएस पावर ट्रांजिस्टर है। इसका उपयोग विभिन्न [[रेडियो]] और आरएफ अनुप्रयोगों में किया जाता है।<ref name="RF-DMOS">{{cite web |title=आरएफ डीएमओएस ट्रांजिस्टर|url=https://www.st.com/en/radio-frequency-transistors/rf-dmos-transistors.html |website=[[STMicroelectronics]] |access-date=22 December 2019}}</ref><ref name="AN1256">{{cite web |title=AN1256: Application note {{ndash}} High-power RF MOSFET targets VHF applications |url=https://www.st.com/content/ccc/resource/technical/document/application_note/07/e8/f6/20/61/db/43/d2/CD00004135.pdf/files/CD00004135.pdf/jcr:content/translations/en.CD00004135.pdf |website=[[ST Microelectronics]] |date=July 2007 |access-date=22 December 2019}}</ref>
-पावर MOSFETs का व्यापक रूप से परिवहन प्रौद्योगिकी में उपयोग किया जाता है,<ref name="Emadi2017">{{Cite book |last1=Emadi |first1=Ali |title=ऑटोमोटिव पावर इलेक्ट्रॉनिक्स और मोटर ड्राइव की हैंडबुक|date=2017 |publisher=[[CRC Press]] |isbn=9781420028157 |page=117 |url=https://books.google.com/books?id=40duBwAAQBAJ&pg=PA117}}</ref><ref name="Infineon">{{cite web |title=परिवहन के लिए इन्फिनियॉन समाधान|url=https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-Solutions_for_Transportation_24V-60V-ABR-v00_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160dfb145ba3f70 |website=[[Infineon]] |date=June 2013 |access-date=23 December 2019}}</ref><ref name="HITFET">{{cite web |title=HITFETs: Smart, Protected MOSFETs |url=https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-ApplicationNote_v12-AN-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bc8c8e5ae31d1 |website=[[Infineon]] |access-date=23 December 2019}}</ref> जिसमें [[वाहनों]] की एक विस्तृत श्रृंखला शामिल है।
-ऑटोमोटिव उद्योग में,<ref name="spinoff">{{Cite web |title=सीएमओएस सेंसर फोन कैमरे, एचडी वीडियो को सक्षम करते हैं|url=https://spinoff.nasa.gov/Spinoff2017/cg_1.html |website=NASA Spinoff |publisher=[[NASA]] |access-date=6 November 2019}}</ref><ref name="Veendrick245">{{Cite book |last1=Veendrick |first1=Harry J. M. |title=Nanometer CMOS ICs: From Basics to ASICs |date=2017 |publisher=Springer |isbn=9783319475974 |page=245 |url=https://books.google.com/books?id=Lv_EDgAAQBAJ&pg=PA245}}</ref><ref name="Korec9">{{Cite book |last1=Korec |first1=Jacek |title=Low Voltage Power MOSFETs: Design, Performance and Applications |date=2011 |publisher=[[Springer Science+Business Media]] |isbn=978-1-4419-9320-5 |pages=[https://archive.org/details/Jacek_Korec_Low_Voltage_Power_MOSFETs/page/n17 9]–14 |url=https://archive.org/details/Jacek_Korec_Low_Voltage_Power_MOSFETs}}</ref> [[ऑटोमोटिव इलेक्ट्रॉनिक्स]] में पावर MOSFETs का व्यापक रूप से उपयोग किया जाता है।<ref name="Fuji">{{Cite web |title=ऑटोमोटिव पावर MOSFETs|url=https://www.fujielectric.com/company/tech/pdf/r50-2/03.pdf |website=[[Fuji Electric]] |access-date=10 August 2019}}</ref><ref name="Williams2017">{{Cite journal |last1=Williams |first1=R. K. |last2=Darwish |first2=M. N. |last3=Blanchard |first3=R. A. |last4=Siemieniec |first4=R. |last5=Rutter |first5=P. |last6=Kawaguchi |first6=Y. |title=The Trench Power MOSFET—Part II: Application Specific VDMOS, LDMOS, Packaging, Reliability |journal=IEEE Transactions on Electron Devices |date=2017 |volume=64 |issue=3 |pages=692–712 |doi=10.1109/TED.2017.2655149 |issn=0018-9383|bibcode=2017ITED...64..692W |s2cid=38550249 }}</ref><ref name="Infineon-MOSFET"/>
-पावर MOSFETs (DMOS, LDMOS और VMOS सहित) आमतौर पर अन्य अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए उपयोग किए जाते हैं।
 == मूल संरचना ==
-[[File:Vdmos cross section en.svg|thumb|right|चित्र 1: वीडीएमओएस का क्रॉस सेक्शन, एक प्राथमिक सेल दिखा रहा है। ध्यान दें कि एक सेल बहुत छोटा होता है (कुछ माइक्रोमीटर से लेकर कुछ दसियों माइक्रोमीटर चौड़ा), और एक पावर मॉसफेट उनमें से कई हजार से बना होता है।]]1970 के दशक में, पहले वाणिज्यिक बिजली मॉसफेट के प्रस्तावित होने के समय कई संरचनाएं खोजी गई थीं। यद्यपि, उनमें से अधिकांश को वर्टिकल डिफ्यूज्ड एमओएस संरचना (जिसे डबल-डिफ्यूज्ड एमओएस या बस डीएमओएस भी कहा जाता है) और एलडीएमओएस संरचना के पक्ष में चलाने की प्राथमिकता दी गई है।
+[[File:Vdmos cross section en.svg|thumb|right|चित्र 1: वीडीएमओएस का क्रॉस सेक्शन, एक प्राथमिक सेल दिखा रहा है। ध्यान दें कि एक सेल बहुत छोटा होता है (कुछ माइक्रोमीटर से लेकर कुछ दसियों माइक्रोमीटर चौड़ा), और एक ऊर्जा   मॉसफेट उनमें से कई हजार से बना होता है।]]1970 के दशक में, पहले वाणिज्यिक विद्युत मॉसफेट के प्रस्तावित होने के समय कई संरचनाएं खोजी गई थीं। यद्यपि, उनमें से अधिकांश को वर्टिकल डिफ्यूज्ड एमओएस संरचना और एलडीएमओएस संरचना के पक्ष में चलाने की प्राथमिकता दी गई थी।
 वीडीएमओएस का विशेष अंश उपकरण की ऊर्ध्वाधरता को दर्शाता है: जिसमें यह देखा जा सकता है कि स्रोत इलेक्ट्रोड ड्रेन के ऊपर स्थापित होता है, जिसके परिणामस्वरूप ट्रांजिस्टर चालू स्थिति में मुख्य रूप से ऊर्ध्वाधर धारा उत्पन्न होता है। वीडीएमओएस में [[प्रसार]] विनिर्माण प्रक्रिया को संदर्भित करता है, P वेल्स प्रसारण प्रक्रिया द्वारा प्राप्त किए जाते हैं जिससे P और N+ क्षेत्र प्राप्त होते हैं, इसलिए द्विगुण प्रसरित नाम दिए जाते है ।
-पावर मॉस्फेटस की संरचना पार्श्व मॉसफेट से भिन्न होती है: जैसा कि अधिकांश बिजली उपकरणों की तरह, उनकी संरचना ऊर्ध्वाधर होती है न कि समतलीय । समतल संरचना में, प्रवाह और ब्रेकडाउन वोल्टेज रेटिंग दोनों प्राथमिकतः चैनल आयामों के आधार पर होती हैं, जिससे "सिलिकॉन की भूमि" के अपर्याप्त उपयोग का परिणाम होता है । ऊर्ध्वाधर संरचना के साथ, ट्रांजिस्टर की वोल्टेज रेटिंग N एपिटैक्सियल परत के [[डोपिंग (अर्धचालक)|डोपिंग]] और मोटाई के आधार पर होती है  जबकि प्रवाह रेटिंग चैनल की चौड़ाई के आधार पर होती है।।इससे ट्रांजिस्टर को संकीर्ण सिलिकॉन टुकड़े में उच्च अवरोधी वोल्टेज और उच्च प्रवाह दोनों को सहन करने की संभावना होती है।एलडीएमओएस पार्श्व संरचना वाले पावर मॉस्फेटस होते हैं।  इनका प्रमुख उपयोग उच्च-स्तरीय ऑडियो पावर एम्पलीफायर्स,<ref name="Duncan177" />और वायरलेस सेल्युलर नेटवर्क में  आरएफ पावर एम्पलीफायर्स में किया जाता है, जैसे कि 2जी, 3जी,<ref name="Baliga2005" />और 4जी।.<ref name="Asif" />उनका लाभ यह है कि वे ऊर्ध्वाधर मॉस्फेटस की तुलना में उत्पन्न किए गए संतृप्त क्षेत्र  में बेहतर व्यवहार करते हैं। वर्टिकल मॉस्फेटस स्विचिंग एप्लिकेशन्स के लिए डिज़ाइन किए जाते हैं, इसलिए उन्हें केवल चालू या बंद स्थितियों में ही उपयोग किया जाता है।
+ऊर्जा मॉस्फेटस की संरचना पार्श्व मॉसफेट से भिन्न होती है: जैसा कि अधिकांश विद्युत उपकरणों की तरह, उनकी संरचना ऊर्ध्वाधर होती है न कि समतलीय समतल संरचना में, प्रवाह और ब्रेकडाउन ऊर्जा रेटिंग दोनों प्राथमिकतः चैनल आयामों के आधार पर होती हैं, जिससे "सिलिकॉन की भूमि" के अपर्याप्त उपयोग का परिणाम होता है। ऊर्ध्वाधर संरचना के साथ, ट्रांजिस्टर की ऊर्जा रटिंग N एपिटैक्सियल परत के [[डोपिंग (अर्धचालक)|डोपिंग]] और मोटाई के आधार पर होती है जबकि प्रवाह रेटिंग चैनल की चौड़ाई के आधार पर होती है। इससे ट्रांजिस्टर को संकीर्ण सिलिकॉन टुकड़े में उच्च अवरोधी ऊर्जा और उच्च प्रवाह दोनों को सहन करने की संभावना होती है।
+एलडीएमओएस पार्श्व संरचना वाले ऊर्जा मॉस्फेटस होते हैं।  इनका प्रमुख उपयोग उच्च-स्तरीय ऑडियो ऊर्जा   एम्पलीफायर्स,<ref name="Duncan177" />और वायरलेस सेल्युलर नेटवर्क में आरएफ ऊर्जा एम्पलीफायर्स में किया जाता है, जैसे कि 2जी, 3जी,<ref name="Baliga2005" />और 4जी।.<ref name="Asif" />उनका लाभ यह है कि वे ऊर्ध्वाधर मॉस्फेटस की तुलना में उत्पन्न किए गए संतृप्त क्षेत्र  में बेहतर व्यवहार करते हैं। वर्टिकल मॉस्फेटस स्विचिंग एप्लिकेशन्स के लिए आरेखित किए जाते हैं, इसलिए उन्हें केवल चालू या बंद स्थितियों में ही उपयोग किया जाता है।
 === ऑन-स्टेट प्रतिरोध ===
-[[File:Mosfet resistances.svg|thumb|चित्र 2: ऑन-स्टेट प्रतिरोध में मॉसफेट के विभिन्न भागों का योगदान।]]जब पावर मॉसफेट ऑन-स्टेट में होता है (ऑपरेशन मोड पर चर्चा के लिए मॉसफेट देखें), तो यह ड्रेन और स्रोत टर्मिनलों के बीच एक प्रतिरोधक व्यवहार प्रदर्शित करता है। चित्र 2 में देखा जा सकता है कि यह प्रतिरोध (जिसे R कहा जाता है)<sub>DSon</sub> ऑन-स्टेट में ड्रेन टू सोर्स प्रतिरोध के लिए) कई प्राथमिक योगदानों का योग है:
+[[File:Mosfet resistances.svg|thumb|चित्र 2: ऑन-स्टेट प्रतिरोध में मॉसफेट के विभिन्न भागों का योगदान।]]जब ऊर्जा   मॉसफेट ऑन-स्टेट में होता है  तो यह ड्रेन और स्रोत टर्मिनलों के मध्य  एक संवेदक व्यवहार प्रदर्शित करता है।चित्र 2 में देखा जा सकता है कि यह प्रतिरोध  कई प्राथमिक योगदानों का योग होता है।
-* आर<sub>S</sub> स्रोत प्रतिरोध है. यह पैकेज के स्रोत टर्मिनल से मॉसफेट के चैनल के बीच सभी प्रतिरोधों का प्रतिनिधित्व करता है: [[ तार का जोड़ ]] का प्रतिरोध, स्रोत धातुकरण का, और एन का प्रतिरोध<sup>+</sup>कुएँ;
+* R<sub>S</sub> स्रोत प्रतिरोध है. यह पैकेज के स्रोत टर्मिनल से मॉसफेट के चैनल के मध्य  सभी प्रतिरोधों का [[ तार का जोड़ |तार का जोड़]] प्रतिरोध, स्रोत धातुकरण का, और  N+ वेल की प्रतिरोध का प्रतिनिधित्व करता है।
-* आर<sub>ch</sub>. यह चैनल प्रतिरोध है. यह चैनल की चौड़ाई और किसी दिए गए डाई आकार के लिए चैनल घनत्व के व्युत्क्रमानुपाती होता है। चैनल प्रतिरोध आर के मुख्य योगदानकर्ताओं में से एक है<sub>DSon</sub> कम ऊर्जा  वाले MOSFETs, और चैनल घनत्व को बढ़ाने के लिए उनके सेल आकार को कम करने के लिए गहन कार्य किया गया है;
+* R<sub>ch</sub>.यह चैनल प्रतिरोध है. यह चैनल की चौड़ाई और किसी दिए गए डाई आकार के लिए चैनल घनत्व के व्युत्क्रमानुपाती होता है। चैनल प्रतिरोध आर के मुख्य योगदानकर्ताओं में से एक R<sub>DSon</sub> है जो कम ऊर्जा वाले मॉसफेट s, और चैनल घनत्व को बढ़ाने के लिए सेल का आकार कम करने के लिए प्रयास किए गए हैं।
-* आर<sub>a</sub> पहुँच प्रतिरोध है. यह सीधे गेट इलेक्ट्रोड के नीचे एपिटैक्सियल ज़ोन के प्रतिरोध का प्रतिनिधित्व करता है, जहां वर्तमान की दिशा क्षैतिज (चैनल में) से ऊर्ध्वाधर (नाली संपर्क तक) में बदलती है;
+* R<sub>a</sub>सक्रिय प्रतिरोध है। यह गेट इलेक्ट्रोड के नीचे सीधे उपचयी क्षेत्र के प्रतिरोध का प्रतिनिधित्व करता है, जहां धारा की दिशा क्षैतिज से ऊर्ध्वाधर में परिवर्तित होती है;
-* आर<sub>JFET</sub> ऊपर उल्लिखित सेल आकार में कमी का हानिकारक प्रभाव है: पी इम्प्लांटेशन (चित्र 1 देखें) एक परजीवी [[जेएफईटी]] ट्रांजिस्टर के द्वार बनाते हैं जो वर्तमान प्रवाह की चौड़ाई को कम करते हैं;
+* R<sub>JFET</sub>ऊपर उल्लिखित सेल आकार में कमी के हानिकारक प्रभाव को दर्शाता है: P आरोपण एक परजीवी [[जेएफईटी]] ट्रांजिस्टर  का गठन करते हैं, जो धारा की चौड़ाई को कम करने की प्रवृत्ति रखते हैं।
-* आर<sub>n</sub> एपिटैक्सियल परत का प्रतिरोध है। चूंकि इस परत की भूमिका अवरोधक ऊर्जा , आर को बनाए रखना है<sub>n</sub> यह सीधे डिवाइस की ऊर्जा  रेटिंग से संबंधित है। एक उच्च ऊर्जा  मॉसफेट के लिए एक मोटी, कम-डोप्ड परत की आवश्यकता होती है, यानी, अत्यधिक प्रतिरोधी, जबकि कम-ऊर्जा  ट्रांजिस्टर को केवल उच्च डोपिंग स्तर, यानी, कम प्रतिरोधी के साथ एक पतली परत की आवश्यकता होती है। परिणामस्वरूप, आर<sub>n</sub> उच्च-ऊर्जा  MOSFETs के प्रतिरोध के लिए जिम्मेदार मुख्य कारक है;
+* R<sub>n</sub> सक्रिय परत का प्रतिरोध है। इस परत का कार्य ब्लॉकिंग ऊर्जा को सहन करना होता है, इसलिए आरएन उपकरण के ऊर्जा   रेटिंग से सीधे संबंधित होता है। एक उच्च ऊर्जा मॉसफेट को एक मोटी, कम डोप वाली परत की आवश्यकता होती है, अर्थात इसकी प्रतिरोध अधिक होती है, जबकि एक निम्न ऊर्जा ट्रांजिस्टर को केवल एक पतली परत की आवश्यकता होती है जिसमें अधिक डोपिंग स्तर होता है, अर्थात कम प्रतिरोध होती है। इस परिणामस्वरूप, R<sub>n</sub> उच्च ऊर्जा मॉसफेट की प्रतिरोध के लिए प्रमुख कारक है।
-* आर<sub>D</sub> R के समतुल्य है<sub>S</sub> नाली के लिए. यह ट्रांजिस्टर सब्सट्रेट के प्रतिरोध का प्रतिनिधित्व करता है (चित्रा 1 में क्रॉस सेक्शन स्केल पर नहीं है, निचला एन<sup>+</sup>परत वास्तव में सबसे मोटी है) और पैकेज कनेक्शन की।
+* R<sub>D</sub> ड्रेन के लिए आरएस के समकक्ष है। यह ट्रांजिस्टर सबस्ट्रेट चित्र 1 में संकेत दिखाए गए संचारण के स्वरूप में नहीं होता है, नीचे की N+ परत वास्तव में सबसे मोटी होती है और पैकेज कनेक्शन की प्रतिरोध को प्रतिष्ठित करता है।
+*
+=== विघटन ऊर्जा /ऑन-स्टेट प्रतिरोध समन्वयन ===
+[[File:Bv rdson.png|right|thumb|चित्र 3: आर<sub>DSon</sub> मॉसफेट  s की संख्या उनकी ऊर्जा  रेटिंग के साथ बढ़ती है।]]ऑफ-स्टेट में, ऊर्जा मॉसफेट एक पीआईएन डायोड के समकक्ष होता है  जब यह अत्यधिक गैर-सममिति वाला संरचना रिवर्स-बायस होता है, तो स्थान-आवरण क्षेत्र मुख्य रूप से हल्के डोप की ओर विस्तारित होता है । इसका तात्पर्य यह है कि इस परत को मोसफेट के ऑफ-स्टेट ड्रेन-स्रोत ऊर्जा का बहुतायत सहन करना होता है।
-=== ब्रेकडाउन ऊर्जा /ऑन-स्टेट प्रतिरोध ट्रेड-ऑफ ===
-[[File:Bv rdson.png|right|thumb|चित्र 3: आर<sub>DSon</sub> MOSFETs की संख्या उनकी ऊर्जा  रेटिंग के साथ बढ़ती है।]]जब ऑफ-स्टेट में, पावर मॉसफेट एक पिन डायोड (पी द्वारा गठित) के बराबर होता है<sup>+</sup>प्रसार, एन<sup>−</sup>एपिटैक्सियल परत और एन<sup>+</sup>सब्सट्रेट). जब यह अत्यधिक गैर-सममित संरचना रिवर्स-बायस्ड होती है, तो स्पेस-चार्ज क्षेत्र मुख्य रूप से प्रकाश-डोप्ड पक्ष पर, यानी एन के ऊपर फैलता है।<sup>−</sup>परत. इसका मतलब यह है कि इस परत को मॉसफेट के अधिकांश ऑफ-स्टेट ड्रेन-टू-सोर्स ऊर्जा  का सामना करना पड़ता है।
-हालाँकि, जब मॉसफेट चालू स्थिति में होता है, तो यह N<sup>−</sup>परत का कोई कार्य नहीं है। इसके अलावा, चूंकि यह हल्का डोप किया गया क्षेत्र है, इसकी आंतरिक प्रतिरोधकता नगण्य है और मॉसफेट के ऑन-स्टेट ड्रेन-टू-सोर्स प्रतिरोध (R) में जुड़ जाती है।<sub>DSon</sub>) (यह आर है<sub>n</sub> चित्र 2 में प्रतिरोध)।
-दो मुख्य पैरामीटर ब्रेकडाउन ऊर्जा  और आर दोनों को नियंत्रित करते हैं<sub>DSon</sub> ट्रांजिस्टर का: डोपिंग स्तर और एन की मोटाई<sup>−</sup>एपिटैक्सियल परत. परत जितनी मोटी होगी और इसका डोपिंग स्तर जितना कम होगा, ब्रेकडाउन ऊर्जा  उतना ही अधिक होगा। इसके विपरीत, परत जितनी पतली होगी और डोपिंग स्तर जितना अधिक होगा, आर उतना ही कम होगा<sub>DSon</sub> (और इसलिए मॉसफेट की चालन हानि जितनी कम होगी)। इसलिए, यह देखा जा सकता है कि मॉसफेट के डिज़ाइन में इसकी ऊर्जा  रेटिंग और इसके ऑन-स्टेट प्रतिरोध के बीच एक समझौता है।{{Citation needed|date=July 2017}} यह चित्र 3 में कथानक द्वारा प्रदर्शित किया गया है।
+यद्यपि, जब मॉसफेट चालू स्थिति में होता है, तो इस N− परत का कोई कार्य नहीं होता है। इसके अतिरिक्त, यह हल्के-डोप क्षेत्र होने के कारण, इसकी स्वाभाविक प्रतिरोधकता अपेक्षाकृत अनदेखी नहीं होती है और मॉसफेट की चालू स्थिति ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध में जोड़ा जाता है।
+दो मुख्य पैरामीटर ट्रांजिस्टर की विघटन ऊर्जा और आर.डीसन को नियंत्रित करते हैं: डोपिंग स्तर और N− इपिटैक्सियल परत की मोटाई। परत जितनी मोटी होगी और उसका डोपिंग स्तर कम होगा, विघटन ऊर्जा उतना अधिक होगा। वहीं, परत जितनी पतली होगी और उसका डोपिंग स्तर उतना अधिक होगा, आर.डी.सन उतना ही कम होगा। इसलिए, मॉसफेट के आरेख में ऊर्जा रेटिंग और आन-स्थिति प्रतिरोध के मध्य  एक समझौता होता है। इसे चित्र 3 में दिए गए प्लाट द्वारा प्रदर्शित किया गया है।
 === बॉडी डायोड ===
-चित्र 1 में देखा जा सकता है कि स्रोत धातुकरण दोनों एन को जोड़ता है<sup>+</sup>और पी<sup>+</sup>प्रत्यारोपण, हालांकि मॉसफेट के संचालन सिद्धांत के लिए केवल स्रोत को N से कनेक्ट करने की आवश्यकता होती है<sup>+</sup>ज़ोन. हालाँकि, यदि ऐसा होता, तो इसके परिणामस्वरूप एन-डोप्ड स्रोत और ड्रेन के बीच एक फ्लोटिंग पी ज़ोन बन जाता, जो एक गैर-कनेक्टेड बेस वाले बाइपोलर जंक्शन ट्रांजिस्टर#एनपीएन के बराबर है। कुछ शर्तों के तहत (उच्च ड्रेन करंट के तहत, जब ऑन-स्टेट ड्रेन टू सोर्स ऊर्जा  कुछ वोल्ट के क्रम में होता है), यह परजीवी एनपीएन ट्रांजिस्टर चालू हो जाएगा, जिससे एमओएसएफईटी अनियंत्रित हो जाएगा। स्रोत धातुकरण के लिए पी इम्प्लांटेशन का कनेक्शन परजीवी ट्रांजिस्टर के आधार को उसके उत्सर्जक (एमओएसएफईटी के स्रोत) से छोटा कर देता है और इस प्रकार नकली लैचिंग को रोकता है। हालाँकि, यह समाधान मॉसफेट के ड्रेन (कैथोड) और स्रोत (एनोड) के बीच एक [[डायोड]] बनाता है, जिससे यह केवल एक दिशा में करंट को अवरुद्ध करने में सक्षम होता है।
+चित्र 1 में देखा जा सकता है कि स्रोत मेटालाइजेशन न केवल N+ प्रवेशीकरणों से जुड़ती है, बल्कि पी+ प्रवेशीकरणों से भी जुड़ती है,  मॉसफेट का चालन सिद्धांत केवल स्रोत को N+ क्षेत्र से जोड़ने की आवश्यकता होती है। यद्यपि, इसके लिए यदि ऐसा होता तो इसका परिणाम होता कि एन-डोप्ड स्रोत और निकासी के मध्य  फ्लोटिंग पी-क्षेत्र होता, जो एक गैर-जुड़ा बेस वाले एनपीएन ट्रांजिस्टर के समान होता है। निश्चित परिस्थितियों में, इस पारस्परिक एनपीएन ट्रांजिस्टर को ट्रिगर किया जाता है, जिसके कारण मॉसफेट अनियंत्रित हो जाता है। पी प्रवेशीकरण को स्रोत मेटालाइजेशन से जोड़ने से पारस्परिक ट्रांजिस्टर का बेस इसके इमीटर से शॉर्ट हो जाता है और इस प्रकार यह अनुमानित लैचिंग को रोकता है। यद्यपि, यह समाधान मॉसफेट के ड्रेन और स्रोत के मध्य  एक डायोड बनाता है, जिसके कारण यह केवल एक दिशा में प्रवाह को बंद कर सकता है।
-बॉडी डायोड का उपयोग [[एच ब्रिज]] या हाफ ब्रिज जैसे कॉन्फ़िगरेशन में आगमनात्मक भार के लिए [[फ्लाईबैक डायोड]] के रूप में किया जा सकता है। हालांकि इन डायोडों में आम तौर पर उच्च फॉरवर्ड ऊर्जा  ड्रॉप होता है, वे बड़ी धाराओं को संभाल सकते हैं और कई अनुप्रयोगों में पर्याप्त होते हैं, जिससे भाग की संख्या कम हो जाती है, और इस प्रकार, डिवाइस की लागत और बोर्ड स्थान कम हो जाता है। दक्षता बढ़ाने के लिए, बॉडी डायोड द्वारा करंट प्रवाहित करने के समय को कम करने के लिए अक्सर [[ तुल्यकालिक सुधार ]] का उपयोग किया जाता है।
+प्रेरक भार के लिए फ्रीव्हीलिंग डायोड के रूप में बॉडी डायोड का उपयोग एच ब्रिज या हाफ ब्रिज के आरेखण में किया जा सकता है,यद्यपि ये डायोड सामान्यतः अत्यधिक उच्च एच ब्रिज या हाफ ब्रिज के आरेखण में ऊर्जा ड्रॉप वाले होते हैं, वे बड़े प्रवाह को नियंत्रित कर सकते हैं और कई अनुप्रयोगों में पर्याप्त होते हैं, जिससे भाग की संख्या, उपकरण की लागत और बोर्ड स्थान को कम किया जा सकता है। कार्यक्षमता बढ़ाने के लिए, तंबगत संरेखण प्रायः उपयोग किया जाता है जिससे बॉडी डायोड द्वारा प्रवाहित करने वाले समय की मात्रा को कम से कम किया जा सके।
-== स्विचिंग ऑपरेशन ==
+== स्विचिंग संचालन ==
-[[File:Mosfet capacitances.svg|thumb|चित्र 4: पावर मॉसफेट की आंतरिक कैपेसिटेंस का स्थान।]]उनकी एकध्रुवीय प्रकृति के कारण, पावर मॉसफेट बहुत तेज़ गति से स्विच कर सकता है। वास्तव में, द्विध्रुवी उपकरणों की तरह अल्पसंख्यक वाहकों को हटाने की कोई आवश्यकता नहीं है। कम्यूटेशन गति में एकमात्र आंतरिक सीमा मॉसफेट की आंतरिक कैपेसिटेंस के कारण है (चित्र 4 देखें)। ट्रांजिस्टर स्विच होने पर इन कैपेसिटेंस को चार्ज या डिस्चार्ज किया जाना चाहिए। यह अपेक्षाकृत धीमी प्रक्रिया हो सकती है क्योंकि गेट कैपेसिटेंस के माध्यम से प्रवाहित होने वाली धारा बाहरी ड्राइवर सर्किट द्वारा सीमित होती है। यह सर्किट वास्तव में ट्रांजिस्टर की कम्यूटेशन गति को निर्देशित करेगा (यह मानते हुए कि पावर सर्किट में पर्याप्त रूप से कम प्रेरकत्व है)।
+[[File:Mosfet capacitances.svg|thumb|चित्र 4: ऊर्जा मॉसफेट की आंतरिक धारिता का स्थान।]]अपनी एकाधिकार स्वभाव के कारण, ऊर्जा   मॉसफेट बहुत उच्च गति पर स्विच कर सकते हैं। वास्तव में, द्विध्रुवी उपकरणों की तरह न्यूनतम वाहकों को हटाने की आवश्यकता नहीं होती है। सम्मिश्रण गति में आंतरिक क्षमताओं के कारण केवल स्वाभाविक सीमिताओं होती है। ये क्षमताएं ट्रांजिस्टर स्विच होने पर आवेश  करने या डिस्आवेश  करने के लिए होती हैं। यह एक तुलनात्मक धीमी प्रक्रिया हो सकती है क्योंकि गेट क्षमताओं से बहने वाली धारा बाह्य संचालित परिपथ द्वारा सीमित होती है। वास्तव में, यह परिपथ ट्रांजिस्टर की सम्मिश्रण गति का निर्देश करेगा ।
 === धारिता ===
-मॉसफेट [[ डेटा शीट ]] में, कैपेसिटेंस को अक्सर C नाम दिया जाता है<sub>iss</sub> (इनपुट कैपेसिटेंस, ड्रेन और सोर्स टर्मिनल छोटा), सी<sub>oss</sub> (आउटपुट कैपेसिटेंस, गेट और स्रोत छोटा), और सी<sub>rss</sub> (रिवर्स ट्रांसफर कैपेसिटेंस, जमीन से जुड़ा स्रोत)। इन कैपेसिटेंस और नीचे वर्णित कैपेसिटेंस के बीच संबंध है:
+मॉसफेट डेटाशीट में, धारिता को प्रायः C<sub>iss</sub> इनपुट धारिता, ड्रेन और सोर्स टर्मिनल छोटा,C<sub>oss</sub>आउटपुट धारिता, गेट और सोर्स छोटा, और  C<sub>rss</sub> रिवर्स ट्रांसफर  धारिता, जमीन से जुड़ा स्रोत नाम दिया जाता है। इन  धारिता और नीचे वर्णित धारिता के बीच संबंध है:
 <math display="block">\begin{matrix}
@@ Line 81: / Line 74: @@
 C_{rss} & = & C_{GD} \end{matrix}
 </math>
-जहां सी<sub>GS</sub>, सी<sub>GD</sub> और सी<sub>DS</sub> क्रमशः गेट-टू-सोर्स, गेट-टू-ड्रेन और ड्रेन-टू-सोर्स कैपेसिटेंस हैं (नीचे देखें)। निर्माता सी को उद्धृत करना पसंद करते हैं<sub>iss</sub>, सी<sub>oss</sub> और सी<sub>rss</sub> क्योंकि इन्हें सीधे ट्रांजिस्टर पर मापा जा सकता है। हालाँकि, जैसा कि सी<sub>GS</sub>, सी<sub>GD</sub> और सी<sub>DS</sub> भौतिक अर्थ के करीब हैं, उनका उपयोग इस लेख के शेष भाग में किया जाएगा।
+जहां सी<sub>GS</sub>, सी<sub>GD</sub> और सी<sub>DS</sub> क्रमशः गेट-टू-सोर्स, गेट-टू-ड्रेन और ड्रेन-टू-सोर्स  धारिता हैं (नीचे देखें)। निर्माता सी को उद्धृत करना पसंद करते हैं<sub>iss</sub>, सी<sub>oss</sub> और सी<sub>rss</sub> क्योंकि इन्हें सीधे ट्रांजिस्टर पर मापा जा सकता है। हालाँकि, जैसा कि सी<sub>GS</sub>, सी<sub>GD</sub> और सी<sub>DS</sub> भौतिक अर्थ के करीब हैं, उनका उपयोग इस लेख के शेष भाग में किया जाएगा।
-==== गेट टू सोर्स कैपेसिटेंस ====
+==== गेट टू सोर्स  धारिता ====
-सी<sub>GS</sub> कैपेसिटेंस का गठन C के समानांतर कनेक्शन से होता है<sub>oxN+</sub>, सी<sub>oxP</sub> और सी<sub>oxm</sub> (चित्र 4 देखें)। जैसा कि एन<sup>+</sup> और पी क्षेत्र अत्यधिक डोप किए गए हैं, दो पूर्व कैपेसिटेंस को स्थिर माना जा सकता है। सी<sub>oxm</sub> (पॉलीसिलिकॉन) गेट और (धातु) स्रोत इलेक्ट्रोड के बीच की धारिता है, इसलिए यह भी स्थिर है। इसलिए, सी पर विचार करना आम बात है<sub>GS</sub> एक स्थिर धारिता के रूप में, अर्थात इसका मान ट्रांजिस्टर की स्थिति पर निर्भर नहीं करता है।
+सी<sub>GS</sub>  धारिता का गठन C के समानांतर कनेक्शन से होता है<sub>oxN+</sub>, सी<sub>oxP</sub> और सी<sub>oxm</sub> (चित्र 4 देखें)। जैसा कि एन<sup>+</sup> और पी क्षेत्र अत्यधिक डोप किए गए हैं, दो पूर्व  धारिता को स्थिर माना जा सकता है। सी<sub>oxm</sub> (पॉलीसिलिकॉन) गेट और (धातु) स्रोत इलेक्ट्रोड के मध्य  की धारिता है, इसलिए यह भी स्थिर है। इसलिए, सी पर विचार करना सामान्य   बात है<sub>GS</sub> एक स्थिर धारिता के रूप में, अर्थात इसका मान ट्रांजिस्टर की स्थिति पर निर्भर नहीं करता है।
-==== गेट टू ड्रेन कैपेसिटेंस ====
+==== गेट टू ड्रेन  धारिता ====
-सी<sub>GD</sub> कैपेसिटेंस को दो प्राथमिक कैपेसिटेंस की श्रृंखला में कनेक्शन के रूप में देखा जा सकता है। पहला है ऑक्साइड कैपेसिटेंस (C<sub>oxD</sub>), गेट इलेक्ट्रोड, सिलिकॉन डाइऑक्साइड और एन एपिटैक्सियल परत के शीर्ष द्वारा गठित। इसका एक स्थिर मूल्य है. दूसरी धारिता (C<sub>GDj</sub>) जब मॉसफेट ऑफ-स्टेट में होता है तो डिप्लेशन क्षेत्र|स्पेस-चार्ज ज़ोन के विस्तार के कारण होता है। इसलिए, यह ड्रेन टू गेट ऊर्जा  पर निर्भर है। इससे C का मान ज्ञात होता है<sub>GD</sub> है:
+सी<sub>GD</sub>  धारिता को दो प्राथमिक  धारिता की श्रृंखला में कनेक्शन के रूप में देखा जा सकता है। पहला है ऑक्साइड  धारिता (C<sub>oxD</sub>), गेट इलेक्ट्रोड, सिलिकॉन डाइऑक्साइड और एन एपिटैक्सियल परत के शीर्ष द्वारा गठित। इसका एक स्थिर मूल्य है. दूसरी धारिता (C<sub>GDj</sub>) जब मॉसफेट ऑफ-स्टेट में होता है तो डिप्लेशन क्षेत्र|स्पेस-आवेश  ज़ोन के विस्तार के कारण होता है। इसलिए, यह ड्रेन टू गेट ऊर्जा  पर निर्भर है। इससे C का मान ज्ञात होता है<sub>GD</sub> है:
 <math display="block">C_{GD}=\frac{C_{oxD}\times C_{GDj}\left(V_{GD}\right)}{C_{oxD}+ C_{GDj}\left(V_{GD}\right)}</math>
-स्पेस-चार्ज क्षेत्र की चौड़ाई किसके द्वारा दी गई है?<ref>[[Simon Sze|Simon M. Sze]], ''Modern semiconductor device physics'', John Wiley and Sons, Inc 1998 {{ISBN|0-471-15237-4}}</ref>
+स्पेस-आवेश  क्षेत्र की चौड़ाई किसके द्वारा दी गई है?<ref>[[Simon Sze|Simon M. Sze]], ''Modern semiconductor device physics'', John Wiley and Sons, Inc 1998 {{ISBN|0-471-15237-4}}</ref>
 <math display="block">w_{GDj}=\sqrt{\frac{2\epsilon_{Si}V_{GD}}{qN}}</math>
@@ Line 102: / Line 95: @@
 ==== निकास से स्रोत धारिता ====
-चूंकि स्रोत धातुकरण पी-कुओं को ओवरलैप करता है (चित्र 1 देखें), नाली और स्रोत टर्मिनलों को [[पी-एन जंक्शन]] द्वारा अलग किया जाता है। इसलिए, सी<sub>DS</sub> जंक्शन धारिता है. यह एक गैर-रैखिक धारिता है, और इसके मान की गणना C के समान समीकरण का उपयोग करके की जा सकती है<sub>GDj</sub>.
+चूंकि स्रोत धातुकरण पी-कुओं को ओवरलैप करता है , ड्रेन और स्रोत टर्मिनलों को P-N जंक्शन द्वारा अलग किया जाता है। इसलिए, C<sub>DS</sub> जंक्शन कैपेसिटेंस है। यह एक गैर-रैखिक धारिता है, और इसके मूल्य की गणना  C<sub>GDj</sub>.के समान समीकरण का उपयोग करके की जा सकती है।
 === अन्य गतिशील तत्व ===
-[[File:Mosfet equivalent circuit.svg|thumb|पावर मॉसफेट का समतुल्य सर्किट, जिसमें गतिशील तत्व (कैपेसिटर, इंडक्टर्स), परजीवी प्रतिरोधक, बॉडी डायोड शामिल हैं।]]
+[[File:Mosfet equivalent circuit.svg|thumb|ऊर्जा   मॉसफेट का समतुल्य सर्किट, जिसमें गतिशील तत्व (कैपेसिटर, इंडक्टर्स), परजीवी प्रतिरोधक, बॉडी डायोड सम्मिलित     हैं।]]
 ==== पैकेजिंग अधिष्ठापन ====
-संचालित करने के लिए, मॉसफेट को बाहरी सर्किट से जोड़ा जाना चाहिए, ज्यादातर समय वायर बॉन्डिंग का उपयोग करते हुए (हालांकि वैकल्पिक तकनीकों की जांच की जाती है)। ये कनेक्शन एक परजीवी अधिष्ठापन प्रदर्शित करते हैं, जो किसी भी तरह से मॉसफेट तकनीक के लिए विशिष्ट नहीं है, लेकिन उच्च कम्यूटेशन गति के कारण इसका महत्वपूर्ण प्रभाव पड़ता है। परजीवी अधिष्ठापन अपने वर्तमान स्थिरांक को बनाए रखते हैं और ट्रांजिस्टर बंद होने के दौरान ओवरवॉल्टेज उत्पन्न करते हैं, जिसके परिणामस्वरूप कम्यूटेशन घाटे में वृद्धि होती है।
+मॉसफेट को संचालित करने के लिए, सामान्यतः तार बांधने का उपयोग किया जाता है । ये कनेक्शन एक परजीवी अधिष्ठापन को प्रदर्शित करते हैं, जो मॉसफेट प्रौद्योगिकी के लिए विशेषतः नहीं होता है, लेकिन उच्च विनिमय स्पीड के कारण महत्वपूर्ण प्रभाव पड़ता है। परजीवी अधिष्ठापन अपनी धारा को स्थिर रखने की प्रवृत्ति रखती है और ट्रांजिस्टर के बंद होने के समय अधिक वोल्टेज उत्पन्न करती है, जिससे विनिमय हानि बढ़ती हैं।
 मॉसफेट के प्रत्येक टर्मिनल के साथ एक परजीवी अधिष्ठापन जोड़ा जा सकता है। उनके अलग-अलग प्रभाव हैं:
-* गेट इंडक्शन का बहुत कम प्रभाव होता है (यह मानते हुए कि यह कुछ सैकड़ों नैनोहेनरीज़ से कम है), क्योंकि गेट पर वर्तमान ग्रेडिएंट अपेक्षाकृत धीमे हैं। हालाँकि, कुछ मामलों में, गेट इंडक्शन और ट्रांजिस्टर की इनपुट कैपेसिटेंस एक [[इलेक्ट्रॉनिक थरथरानवाला]] का निर्माण कर सकते हैं। इससे बचना चाहिए, क्योंकि इसके परिणामस्वरूप बहुत अधिक कम्यूटेशन हानि (डिवाइस के नष्ट होने तक) होती है। एक विशिष्ट डिज़ाइन पर, इस घटना को रोकने के लिए परजीवी अधिष्ठापन को काफी कम रखा जाता है;
+* गेट इंडक्शन का बहुत कम प्रभाव होता है क्योंकि गेट पर वर्तमान ग्रेडिएंट अपेक्षाकृत धीमे हैं। यद्यपि कुछ स्थितियों में, गेट इंडक्शन और ट्रांजिस्टर की इनपुट धारिता एक [[इलेक्ट्रॉनिक थरथरानवाला]] का निर्माण कर सकते हैं। इससे बचना चाहिए, क्योंकि इसके परिणामस्वरूप बहुत अधिक विनिमय हानि होती है। एक विशिष्ट डिज़ाइन पर, इस घटना को रोकने के लिए परजीवी अधिष्ठापन को  पर्याप्त रूप से कम रखा जाता है;
-* मॉसफेट चालू होने पर ड्रेन इंडक्शन ड्रेन ऊर्जा  को कम कर देता है, इसलिए यह टर्न ऑन घाटे को कम करता है। हालाँकि, चूंकि यह टर्न-ऑफ के दौरान ओवरवॉल्टेज पैदा करता है, इससे टर्न-ऑफ नुकसान बढ़ जाता है;
+* जब मॉसफेट स्विच ऑन होता है, तो ड्रेन इंडक्टेंस ऊर्जा को कम करने की प्रवृत्ति रखती है, जिससे स्विच ऑन होने की हानियाँ कम होती हैं। यद्यपि, स्विच ऑफ होने के समय, यह एक अतिरिक्त ऊर्जा को उत्पन्न करती है जिसके कारण स्विच ऑफ हानियाँ बढ़ जाती हैं।
-* स्रोत परजीवी इंडक्शन का व्यवहार ड्रेन इंडक्शन के समान होता है, साथ ही एक [[ प्रतिक्रिया ]] प्रभाव होता है जो कम्यूटेशन को लंबे समय तक बनाए रखता है, जिससे कम्यूटेशन हानि बढ़ जाती है।
+* स्रोत पैरासिटिक इंडक्टेंस ड्रेन इंडक्टेंस की तरह व्यवहार करती है, जो एक अतिरिक्त प्रभाव होता है जो विनिमय को और लंबा करता है, जिससे विनिमय हानियां बढ़ जाती हैं।
-** तेज़ टर्न-ऑन की शुरुआत में, स्रोत अधिष्ठापन के कारण, स्रोत पर ऊर्जा  (डाई पर) गेट ऊर्जा  के साथ-साथ ऊपर कूदने में सक्षम होगा; आंतरिक वी<sub>GS</sub> ऊर्जा  लंबे समय तक कम रहेगा, इसलिए चालू करने में देरी होगी।
+** तेज़ टर्न-ऑन की प्रारंभ में, स्रोत अधिष्ठापन के कारण, स्रोत पर गेट ऊर्जा  के साथ-साथ ऊपर कूदने में सक्षम होगा; आंतरिक वीजीएस ऊर्जा  लंबे समय तक कम रहेगा, इसलिए चालू करने में विलंब होगी।
-** तेजी से टर्न-ऑफ की शुरुआत में, जैसे ही स्रोत इंडक्शन के माध्यम से करंट तेजी से घटता है, परिणामी ऊर्जा  नकारात्मक हो जाता है (पैकेज के बाहर लीड के संबंध में) आंतरिक वी बढ़ जाता है<sub>GS</sub> ऊर्जा , मॉसफेट को चालू रखता है, और इसलिए टर्न-ऑफ में देरी करता है।
+** तेजी से टर्न-ऑफ के प्रारंभ में, जैसे ही स्रोत इंडक्शन के माध्यम से विद्युत तेजी से घटता है, परिणामी ऊर्जा नकारात्मक हो जाता है तथा  आंतरिक वीजीएस बढ़ जाता है ऊर्जा, मॉसफेट को चालू रखता है, और इसलिए टर्न-ऑफ में विलंब करता है।
 ==संचालन की सीमाएं==
 === गेट ऑक्साइड टूटना ===
-गेट ऑक्साइड बहुत पतला (100 एनएम या उससे कम) है, इसलिए यह केवल सीमित ऊर्जा  ही बनाए रख सकता है। डेटाशीट में, निर्माता अक्सर अधिकतम गेट टू सोर्स ऊर्जा , लगभग 20 वी बताते हैं, और इस सीमा से अधिक होने पर घटक नष्ट हो सकता है। इसके अलावा, उच्च गेट टू सोर्स ऊर्जा  मॉसफेट के जीवनकाल को काफी कम कर देता है, जिससे R पर कोई लाभ नहीं होता है<sub>DSon</sub> कमी।
+गेट ऑक्साइड बहुत पतला (100 एनएम या उससे कम) है, इसलिए यह केवल सीमित ऊर्जा  ही बनाए रख सकता है। डेटाशीट में, निर्माता प्रायः अधिकतम गेट टू सोर्स ऊर्जा , लगभग 20 वी बताते हैं, और इस सीमा से अधिक होने पर घटक नष्ट हो सकता है। इसके अतिरिक्त, उच्च गेट टू सोर्स ऊर्जा मॉसफेट के जीवनकाल को काफी कम कर देता है, जिससे R पर कोई लाभ नहीं होता है।
-इस समस्या से निपटने के लिए अक्सर [[गेट ड्राइवर]] सर्किट का उपयोग किया जाता है।
+इस समस्या से निपटने के लिए प्रायः [[गेट ड्राइवर|गेट संचालित]] परिपथ का उपयोग किया जाता है।
 === स्रोत ऊर्जा  के लिए अधिकतम निकास ===
-पावर MOSFETs में अधिकतम निर्दिष्ट ड्रेन टू सोर्स ऊर्जा  (बंद होने पर) होता है, जिसके परे [[हिमस्खलन टूटना]] हो सकता है। ब्रेकडाउन ऊर्जा  से अधिक होने से उपकरण संचालन में बाधा उत्पन्न करता है, संभावित रूप से अत्यधिक बिजली अपव्यय के कारण इसे और अन्य सर्किट तत्वों को नुकसान पहुंचता है।
+ऊर्जा मॉसफेट  s में अधिकतम निर्दिष्ट ड्रेन टू सोर्स ऊर्जा होता है, जिसके परे [[हिमस्खलन टूटना]] हो सकता है। ब्रेकडाउन ऊर्जा  से अधिक होने से उपकरण संचालन में बाधा उत्पन्न करता है, संभावित रूप से अत्यधिक विद्युत अपव्यय के कारण इसे और अन्य परिपथ तत्वों को नुकसान पहुंचता है।
 === अधिकतम नाली धारा ===
-ड्रेन करंट आम तौर पर एक निश्चित निर्दिष्ट मान (अधिकतम निरंतर ड्रेन करंट) से नीचे रहना चाहिए। यह बहुत कम समय के लिए उच्च मूल्यों तक पहुंच सकता है (अधिकतम स्पंदित नाली धारा, कभी-कभी विभिन्न पल्स अवधि के लिए निर्दिष्ट)। वायर बॉन्डिंग जैसे आंतरिक घटकों में [[जूल तापन]] और धातु की परत में [[इलेक्ट्रोमाइग्रेशन]] जैसी अन्य घटनाओं के कारण ड्रेन करंट सीमित होता है।
+ड्रेन करंट सामान्य   तौर पर एक निश्चित निर्दिष्ट मान (अधिकतम निरंतर ड्रेन करंट) से नीचे रहना चाहिए। यह बहुत कम समय के लिए उच्च मूल्यों तक पहुंच सकता है। वायर बॉन्डिंग जैसे आंतरिक घटकों में [[जूल तापन]] और धातु की परत में [[इलेक्ट्रोमाइग्रेशन]] जैसी अन्य घटनाओं के कारण ड्रेन धारा सीमित होता है।
 === अधिकतम तापमान ===
-[[जंक्शन तापमान]] (टी<sub>J</sub>) डिवाइस के विश्वसनीय रूप से कार्य करने के लिए मॉसफेट का एक निर्दिष्ट अधिकतम मान के अंतर्गत रहना चाहिए, जो मॉसफेट डाई लेआउट और पैकेजिंग सामग्री द्वारा निर्धारित किया जाता है। मोल्डिंग कंपाउंड और (जहां उपयोग किया जाता है) एपॉक्सी विशेषताओं के कारण पैकेजिंग अक्सर अधिकतम जंक्शन तापमान को सीमित करती है।
+[[जंक्शन तापमान]] (टी<sub>J</sub>) डिवाइस के विश्वसनीय रूप से कार्य करने के लिए मॉसफेट का एक निर्दिष्ट अधिकतम मान के अंतर्गत रहना चाहिए, जो मॉसफेट डाई लेआउट और पैकेजिंग सामग्री द्वारा निर्धारित किया जाता है। मोल्डिंग कंपाउंड औरएपॉक्सी विशेषताओं के कारण पैकेजिंग प्रायः अधिकतम जंक्शन तापमान को सीमित करती है।
-अधिकतम [[परिचालन तापमान]] का तापमान बिजली अपव्यय और थर्मल प्रतिरोध द्वारा निर्धारित किया जाता है। जंक्शन-टू-केस थर्मल प्रतिरोध डिवाइस और पैकेज के लिए आंतरिक है; केस-टू-एम्बिएंट थर्मल प्रतिरोध काफी हद तक बोर्ड/माउंटिंग लेआउट, हीटसिंकिंग क्षेत्र और वायु/द्रव प्रवाह पर निर्भर है।
+अधिकतम [[परिचालन तापमान]] का तापमान  विद्युत अपव्यय और थर्मल प्रतिरोध द्वारा निर्धारित किया जाता है। जंक्शन-टू-केस थर्मल प्रतिरोध डिवाइस और पैकेज के लिए आंतरिक है; केस-टू-एम्बिएंट थर्मल प्रतिरोध काफी हद तक बोर्ड/माउंटिंग लेआउट, हीटसिंकिंग क्षेत्र और वायु/द्रव प्रवाह पर निर्भर है।
-बिजली अपव्यय का प्रकार, चाहे निरंतर या स्पंदित, [[थर्मल द्रव्यमान]] विशेषताओं के कारण अधिकतम ऑपरेटिंग तापमान को प्रभावित करता है; सामान्य तौर पर, किसी दिए गए बिजली अपव्यय के लिए दालों की आवृत्ति जितनी कम होगी, डिवाइस को ठंडा होने के लिए लंबे अंतराल की अनुमति के कारण अधिकतम ऑपरेटिंग परिवेश का तापमान उतना अधिक होगा। मॉडल, जैसे कि फोस्टर की प्रतिक्रिया प्रमेय, का उपयोग शक्ति क्षणकों से तापमान की गतिशीलता का विश्लेषण करने के लिए किया जा सकता है।
+विद्युत अपव्यय का प्रकार, चाहे निरंतर या स्पंदित, [[थर्मल द्रव्यमान]] विशेषताओं के कारण अधिकतम ऑपरेटिंग तापमान को प्रभावित करता है; सामान्य तौर पर, किसी दिए गए  विद्युत अपव्यय के लिए दालों की आवृत्ति जितनी कम होगी, डिवाइस को ठंडा होने के लिए लंबे अंतराल की अनुमति के कारण अधिकतम ऑपरेटिंग परिवेश का तापमान उतना अधिक होगा। प्रारूप, जैसे कि फोस्टर की प्रतिक्रिया प्रमेय, का उपयोग शक्ति क्षणकों से तापमान की गतिशीलता का विश्लेषण करने के लिए किया जा सकता है।
 === [[सुरक्षित परिचालन क्षेत्र]] ===
-सुरक्षित परिचालन क्षेत्र ड्रेन करंट और ड्रेन टू सोर्स ऊर्जा  की संयुक्त रेंज को परिभाषित करता है जिसे पावर मॉसफेट बिना किसी क्षति के संभालने में सक्षम है। इसे इन दो मापदंडों द्वारा परिभाषित विमान में एक क्षेत्र के रूप में रेखांकन द्वारा दर्शाया गया है। ड्रेन करंट और ड्रेन-टू-सोर्स ऊर्जा  दोनों को उनके संबंधित अधिकतम मूल्यों से नीचे रहना चाहिए, लेकिन उनका उत्पाद उस अधिकतम बिजली अपव्यय से भी नीचे रहना चाहिए जिसे डिवाइस संभालने में सक्षम है। इस प्रकार, डिवाइस को उसके अधिकतम करंट और अधिकतम ऊर्जा  पर एक साथ संचालित नहीं किया जा सकता है।<ref>Pierre Aloïsi, ''Les transistors MOS de puissance'' in '' Interrupteurs électroniques de puissance, traite EGEM'', under the direction of Robert Perret, Lavoisier, Paris, 2003 [in French] {{ISBN|2-7462-0671-4}}</ref>
+सुरक्षित परिचालन क्षेत्र ड्रेन करंट और ड्रेन टू सोर्स ऊर्जा  की संयुक्त रेंज को परिभाषित करता है जिसे ऊर्जा मॉसफेट बिना किसी क्षति के संभालने में सक्षम है। इसे इन दो मापदंडों द्वारा परिभाषित विमान में एक क्षेत्र के रूप में रेखांकन द्वारा दर्शाया गया है। ड्रेन करंट और ड्रेन-टू-सोर्स ऊर्जा  दोनों को उनके संबंधित अधिकतम मूल्यों से नीचे रहना चाहिए, लेकिन उनका उत्पाद उस अधिकतम  विद्युत   अपव्यय से भी नीचे रहना चाहिए जिसे डिवाइस संभालने में सक्षम है। इस प्रकार, डिवाइस को उसके अधिकतम धारा और अधिकतम ऊर्जा  पर एक साथ संचालित नहीं किया जा सकता है। <ref>Pierre Aloïsi, ''Les transistors MOS de puissance'' in '' Interrupteurs électroniques de puissance, traite EGEM'', under the direction of Robert Perret, Lavoisier, Paris, 2003 [in French] {{ISBN|2-7462-0671-4}}</ref>
 == लैच-अप ==
-पावर मॉसफेट के समतुल्य सर्किट में एक परजीवी BJT के समानांतर एक मॉसफेट होता है। यदि BJT चालू हो जाता है, तो इसे बंद नहीं किया जा सकता, क्योंकि गेट का इस पर कोई नियंत्रण नहीं है। इस घटना को लैच-अप के रूप में जाना जाता है, जिससे उपकरण नष्ट हो सकता है। पी-टाइप बॉडी क्षेत्र में ऊर्जा  ड्रॉप के कारण BJT को चालू किया जा सकता है। लैच-अप से बचने के लिए, डिवाइस पैकेज के भीतर बॉडी और स्रोत को आमतौर पर शॉर्ट-सर्किट किया जाता है।
+ऊर्जा   मॉसफेट के समतुल्य परिपथ में एक परजीवी बी.जे.टी के समानांतर एक मॉसफेट होता है। यदि बी.जे.टी चालू हो जाता है, तो इसे बंद नहीं किया जा सकता, क्योंकि गेट का इस पर कोई नियंत्रण नहीं है। इस घटना को लैच-अप के रूप में जाना जाता है, जिससे उपकरण नष्ट हो सकता है। पी-टाइप बॉडी क्षेत्र में ऊर्जा  ड्रॉप के कारणबी.जे.टी को चालू किया जा सकता है। लैच-अप से बचने के लिए, डिवाइस पैकेज के भीतर बॉडी और स्रोत को सामान्यतः शॉर्ट-परिपथ किया जाता है।
 == प्रौद्योगिकी ==
-[[File:Power mos cell layout.svg|right|thumb|इस पावर मॉसफेट में एक जालीदार गेट है, जिसमें वर्गाकार सेल हैं]]
+[[File:Power mos cell layout.svg|right|thumb|इस ऊर्जा मॉसफेट में एक जालीदार गेट है, जिसमें वर्गाकार सेल हैं]]
 [[File:Power mos strip layout.svg|right|thumb|इस मॉसफेट का गेट लेआउट समानांतर पट्टियों से बना है।]]
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 ==== सेलुलर संरचना ====
-जैसा कि ऊपर बताया गया है, पावर मॉसफेट की वर्तमान हैंडलिंग क्षमता उसके गेट चैनल की चौड़ाई से निर्धारित होती है। गेट चैनल की चौड़ाई चित्रित क्रॉस-सेक्शन का तीसरा (जेड-अक्ष) आयाम है।
+जैसा कि ऊपर बताया गया है, ऊर्जा मॉसफेट की वर्तमान हैंडलिंग क्षमता उसके गेट चैनल की चौड़ाई से निर्धारित होती है। गेट चैनल की चौड़ाई चित्रित क्रॉस-सेक्शन का तीसरा आयाम है।
-लागत और आकार को कम करने के लिए, ट्रांजिस्टर के डाई क्षेत्र के आकार को यथासंभव छोटा रखना मूल्यवान है। इसलिए, चैनल सतह क्षेत्र की चौड़ाई बढ़ाने, यानी चैनल घनत्व बढ़ाने के लिए अनुकूलन विकसित किए गए हैं। इनमें मुख्य रूप से मॉसफेट डाई के पूरे क्षेत्र में दोहराई जाने वाली सेलुलर संरचनाएं बनाना शामिल है। इन कोशिकाओं के लिए कई आकार प्रस्तावित किए गए हैं, जिनमें से सबसे प्रसिद्ध अंतर्राष्ट्रीय रेक्टिफायर के HEXFET उपकरणों में उपयोग किया जाने वाला हेक्सागोनल आकार है।
+लागत और आकार को कम करने के लिए, ट्रांजिस्टर के डाई क्षेत्र के आकार को यथासंभव छोटा रखना मूल्यवान है। इसलिए, चैनल सतह क्षेत्र की चौड़ाई बढ़ाने, यानी चैनल घनत्व बढ़ाने के लिए अनुकूलन विकसित किए गए हैं। इनमें मुख्य रूप से मॉसफेट डाई के पूरे क्षेत्र में दोहराई जाने वाली सेलुलर संरचनाएं बनाना सम्मिलित है। इन कोशिकाओं के लिए कई आकार प्रस्तावित किए गए हैं, जिनमें से सबसे प्रसिद्ध अंतर्राष्ट्रीय रेक्टिफायर के हेक्सफ़ेट उपकरणों में उपयोग किया जाने वाला हेक्सागोनल आकार है।
-चैनल घनत्व बढ़ाने का दूसरा तरीका प्राथमिक संरचना के आकार को कम करना है। यह किसी दिए गए सतह क्षेत्र में अधिक कोशिकाओं की अनुमति देता है, और इसलिए अधिक चैनल चौड़ाई। हालाँकि, जैसे-जैसे कोशिका का आकार सिकुड़ता है, प्रत्येक कोशिका का उचित संपर्क सुनिश्चित करना अधिक कठिन हो जाता है। इसे दूर करने के लिए अक्सर एक पट्टी संरचना का उपयोग किया जाता है (चित्र देखें)। यह चैनल घनत्व के संदर्भ में समकक्ष रिज़ॉल्यूशन की सेलुलर संरचना से कम कुशल है, लेकिन छोटी पिच का सामना कर सकता है। समतल धारी संरचना का एक अन्य लाभ यह है कि यह हिमस्खलन टूटने की घटनाओं के दौरान विफलता के प्रति कम संवेदनशील होता है जिसमें परजीवी द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर पर्याप्त आगे के पूर्वाग्रह से चालू होता है। सेलुलर संरचना में, यदि किसी एक कोशिका के स्रोत टर्मिनल से खराब तरीके से संपर्क किया जाता है, तो यह अधिक संभावना हो जाती है कि हिमस्खलन टूटने की घटना के दौरान परजीवी द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर बंद हो जाता है। इस वजह से, तलीय धारी संरचना का उपयोग करने वाले MOSFETs केवल अत्यधिक थर्मल तनाव के कारण हिमस्खलन टूटने के दौरान विफल हो सकते हैं।<ref>{{Cite web |title=Extremely Rugged MOSFET Technology with Ultra-low R<sub>DS(on)</sub> Specified for A Broad Range of E<sub>AR</sub> Conditions |url=http://www.irf.com/technical-info/whitepaper/pcim2000.pdf |website=International Rectifier |access-date=26 April 2022 |first1=Anthony F. J. |last1=Murray |first2=Tim |last2=McDonald |first3=Harold |last3=Davis |first4=Joe |last4=Cao |first5=Kyle |last5=Spring}}</ref>
+चैनल घनत्व बढ़ाने का दूसरा विधि प्राथमिक संरचना के आकार को कम करना है। यह किसी दिए गए सतह क्षेत्र में अधिक कोशिकाओं की अनुमति देता है, और इसलिए अधिक चैनल चौड़ाई। हालाँकि, जैसे-जैसे कोशिका का आकार सिकुड़ता है, प्रत्येक कोशिका का उचित संपर्क सुनिश्चित करना अधिक कठिन हो जाता है। इसे दूर करने के लिए प्रायः   एक पट्टी संरचना का उपयोग किया जाता है (चित्र देखें)। यह चैनल घनत्व के संदर्भ में समकक्ष रिज़ॉल्यूशन की सेलुलर संरचना से कम कुशल है, लेकिन छोटी पिच का सामना कर सकता है। समतल धारी संरचना का एक अन्य लाभ यह है कि यह हिमस्खलन टूटने की घटनाओं के दौरान विफलता के प्रति कम संवेदनशील होता है जिसमें परजीवी द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर पर्याप्त आगे के पूर्वाग्रह से चालू होता है। सेलुलर संरचना में, यदि किसी एक कोशिका के स्रोत टर्मिनल से खराब तरीके से संपर्क किया जाता है, तो यह अधिक संभावना हो जाती है कि हिमस्खलन टूटने की घटना के दौरान परजीवी द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर बंद हो जाता है। इस वजह से, तलीय धारी संरचना का उपयोग करने वाले मॉसफेट s केवल अत्यधिक थर्मल तनाव के कारण हिमस्खलन टूटने के समय विफल हो सकते हैं। <ref>{{Cite web |title=Extremely Rugged MOSFET Technology with Ultra-low R<sub>DS(on)</sub> Specified for A Broad Range of E<sub>AR</sub> Conditions |url=http://www.irf.com/technical-info/whitepaper/pcim2000.pdf |website=International Rectifier |access-date=26 April 2022 |first1=Anthony F. J. |last1=Murray |first2=Tim |last2=McDonald |first3=Harold |last3=Davis |first4=Joe |last4=Cao |first5=Kyle |last5=Spring}}</ref>
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 [[File:Umos cross section en.svg|thumb|यूएमओएस में एक ट्रेंच गेट है। इसका उद्देश्य चैनल को लंबवत बनाकर चैनल घनत्व को बढ़ाना है]]
-==== पी-सब्सट्रेट पावर एमओएसएफईटी ====
+==== पी-सब्सट्रेट ऊर्जा   एमओएसएफईटी ====
-एक पी-सब्सट्रेट एमओएसएफईटी (अक्सर पीएमओएस कहा जाता है) एक एमओएसएफईटी है जिसमें विपरीत डोपिंग प्रकार होते हैं (चित्र 1 में क्रॉस-सेक्शन में पी के बजाय एन और एन के बजाय पी)। यह मॉसफेट P के साथ P-प्रकार सब्सट्रेट का उपयोग करके बनाया गया है<sup>−</sup>एपिटैक्सी. जैसे ही चैनल एन-क्षेत्र में बैठता है, यह ट्रांजिस्टर एक नकारात्मक गेट टू सोर्स ऊर्जा  द्वारा चालू हो जाता है। यह इसे हिरन कनवर्टर में वांछनीय बनाता है, जहां स्विच का एक टर्मिनल इनपुट ऊर्जा  के उच्च पक्ष से जुड़ा होता है: एन-एमओएसएफईटी के साथ, इस कॉन्फ़िगरेशन के लिए गेट पर बराबर ऊर्जा  लागू करने की आवश्यकता होती है <math>V_{in} +V_{GS}</math>, जबकि कोई ऊर्जा  खत्म नहीं हुआ <math>V_{in}</math> P-मॉसफेट के साथ आवश्यक है।
+एक पी-सब्सट्रेट एमओएसएफईटी एक एमओएसएफईटी है जिसमें विपरीत डोपिंग प्रकार होते हैं यह मॉसफेट P के साथ P-प्रकार सब्सट्रेट का उपयोग करके बनाया गया है<sup>−</sup>एपिटैक्सी. जैसे ही चैनल एन-क्षेत्र में बैठता है, यह ट्रांजिस्टर एक नकारात्मक गेट टू सोर्स ऊर्जा  द्वारा चालू हो जाता है। यह इसे हिरन कनवर्टर में वांछनीय बनाता है, जहां स्विच का एक टर्मिनल इनपुट ऊर्जा के उच्च पक्ष से जुड़ा होता है: एन-एमओएसएफईटी के साथ, इस विन्यास के लिए गेट पर बराबर ऊर्जा  लागू करने की आवश्यकता होती है <math>V_{in} +V_{GS}</math>, जबकि कोई ऊर्जा  खत्म नहीं हुआ <math>V_{in}</math> P-मॉसफेट के साथ आवश्यक है।
-इस प्रकार के मॉसफेट का मुख्य नुकसान खराब ऑन-स्टेट प्रदर्शन है, क्योंकि यह चार्ज वाहक के रूप में छेद का उपयोग करता है, जिसमें इलेक्ट्रॉनों की तुलना में बहुत कम [[इलेक्ट्रॉन गतिशीलता]] होती है। चूंकि [[विद्युत प्रतिरोधकता और चालकता]] सीधे गतिशीलता से संबंधित है, किसी दिए गए पीएमओएस डिवाइस में एक होगा <math>R_{DSon}</math> समान आयाम वाले N-मॉसफेट से तीन गुना अधिक।
+इस प्रकार के मॉसफेट का मुख्य नुकसान खराब ऑन-स्टेट प्रदर्शन है, क्योंकि यह आवेश  वाहक के रूप में छेद का उपयोग करता है, जिसमें इलेक्ट्रॉनों की तुलना में बहुत कम [[इलेक्ट्रॉन गतिशीलता]] होती है। चूंकि [[विद्युत प्रतिरोधकता और चालकता]] सीधे गतिशीलता से संबंधित है, किसी दिए गए पीएमओएस डिवाइस में एक होगा <math>R_{DSon}</math> समान आयाम वाले N-मॉसफेट से तीन गुना अधिक।
 ==== वीएमओएस ====
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 ==== यूएमओएस ====
-इस पावर मॉसफेट संरचना में, जिसे ट्रेंच-एमओएस भी कहा जाता है, गेट इलेक्ट्रोड को सिलिकॉन में खोदी गई खाई में दफनाया जाता है। इसका परिणाम एक ऊर्ध्वाधर चैनल होता है। संरचना का मुख्य हित जेएफईटी प्रभाव की अनुपस्थिति है। संरचना का नाम खाई के यू-आकार से आता है।
+इस ऊर्जा   मॉसफेट संरचना में, जिसे ट्रेंच-एमओएस भी कहा जाता है, गेट इलेक्ट्रोड को सिलिकॉन में खोदी गई खाई में दफनाया जाता है। इसका परिणाम एक ऊर्ध्वाधर चैनल होता है। संरचना का मुख्य हित जेएफईटी प्रभाव की अनुपस्थिति है। संरचना का नाम खाई के यू-आकार से आता है।
 ==== सुपर-जंक्शन डीप-ट्रेंच तकनीक ====
-विशेष रूप से 500 वी से अधिक ऊर्जा  के लिए, कुछ निर्माताओं, जिनमें इसके CoolMOS उत्पादों के साथ [[Infineon Technologies]] शामिल हैं, ने चार्ज क्षतिपूर्ति सिद्धांत का उपयोग करना शुरू कर दिया है। इस तकनीक के साथ, एपिटैक्सियल परत का प्रतिरोध, जो उच्च-ऊर्जा  MOSFETs के डिवाइस प्रतिरोध में सबसे बड़ा योगदानकर्ता (95% से अधिक) है, को 5 से अधिक के कारक से कम किया जा सकता है।
+विशेष रूप से 500 V से अधिक वोल्टेज के लिए,इन्फिनियॉन टेक्नोलॉजीजके कूलएमओएस उत्पादों सहित कुछ निर्माताओं ने एक आवेश संतुलन सिद्धांत का उपयोग करना प्रारंभ किया है। इस प्रौद्योगिकी के साथ, उच्च ऊर्जा मॉसफेट के उपकरण प्रतिरोधन के सबसे बड़े योगदानकर्ता के रूप में उपकरण की पैपीलेयर के प्रतिरोध को 5 से अधिक गुना घटा सकता है।
-सुपर-जंक्शन एमओएसएफईटी की विनिर्माण दक्षता और विश्वसनीयता में सुधार करने की मांग करते हुए, [[रेनेसा इलेक्ट्रॉनिक्स]] ने एक गहरी-ट्रेंच प्रक्रिया तकनीक के साथ एक सुपर-जंक्शन संरचना विकसित की। इस तकनीक में पी-प्रकार के क्षेत्र बनाने के लिए कम अशुद्धता वाले एन-प्रकार की सामग्री में खाइयां खोदना शामिल है। यह प्रक्रिया बहु-स्तरीय एपिटैक्सियल विकास दृष्टिकोण में निहित समस्याओं पर काबू पाती है और इसके परिणामस्वरूप बेहद कम प्रतिरोध और कम आंतरिक क्षमता होती है।
+सुपर-जंक्शन एमओएसएफईटी की विनिर्माण दक्षता और विश्वसनीयता में सुधार करने की मांग करते हुए, [[रेनेसा इलेक्ट्रॉनिक्स|रेनेसा विद्युतकीय]] ने एक गहरी-ट्रेंच प्रक्रिया तकनीक के साथ एक सुपर-जंक्शन संरचना विकसित की। इस तकनीक में पी-प्रकार के क्षेत्र बनाने के लिए कम अशुद्धता वाले एन-प्रकार की सामग्री खाईयों को एट्चिंग करके बनाया जाता है।  यह प्रक्रिया बहु-स्तरीय पैपीलेयर वृद्धि दृष्टिकोण के संगठन में उपस्थित समस्याओं को दूर करती है और अत्यंत कम ऑन-प्रतिरोध और कम संयोजनात्मकता परिणामित होती है।
-बढ़े हुए पी-एन जंक्शन क्षेत्र के कारण, एक सुपर-जंक्शन संरचना में पारंपरिक प्लानर पावर मॉसफेट की तुलना में कम रिवर्स रिकवरी समय होता है, लेकिन बड़ा रिवर्स रिकवरी करंट होता है।
+उच्चतम चक्रवात क्षेत्र के कारण, एक उत्कृष्टता-जंजिंग संरचना में एक पारावर्तन प्रतियामक समय कम होता है, लेकिन एक पारंपरिक प्लेनर पॉवर मोसफेट की तुलना में एक पारावर्तन प्रतियामक धारा अधिक होती है।
 == यह भी देखें ==
 * विद्युत रोधित गेट द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर
 * मॉसफेट
-* बिजली के इलेक्ट्रॉनिक्स
+* विद्युत   के  विद्युतकीय
-* पावर सेमीकंडक्टर डिवाइस{{Clear}}
+* ऊर्जा   सेमीकंडक्टर डिवाइस{{Clear}}
 == संदर्भ ==
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 {{Commons category multi|Power MOSFET}}
 * {{cite book |title=Power Semiconductor Devices |first=B. Jayant |last=Baliga |publisher=PWS Publishing |date=1996 |isbn=9780534940980}}
-{{Electronic components}}
 {{Authority control}}
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 [[Category: Machine Translated Page]]
 [[Category:Created On 30/06/2023]]
+[[Category:Vigyan Ready]]

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