विद्युत चुम्बकीय प्रतिध्वनि कक्ष

जर्मनी के ओटो-वॉन-गुएरिके-यूनिवर्सिटी मैगडेबर्ग में (बड़े) रिवर्बरेशन चैंबर के अंदर का दृश्य। बाईं ओर वर्टिकल मोड स्टिरर (या ट्यूनर) है, जो (सांख्यिकीय रूप से) सजातीय क्षेत्र वितरण सुनिश्चित करने के लिए विद्युत चुम्बकीय सीमाओं को बदलता है।

इलेक्ट्रोमैग्नेटिक रिवर्बरेशन चैंबर (जिसे रीवरब चैंबर (आरवीसी) या मोड-स्टिरर्ड चैंबर (एमएससी) के रूप में भी जाना जाता है) इलेक्ट्रोमैग्नेटिक कम्पैटिबिलिटी (ईएमसी) परीक्षण और अन्य इलेक्ट्रोमैग्नेटिक शोध के लिए वातावरण है। विद्युत चुम्बकीय प्रतिध्वनि कक्षों को सर्वप्रथम एच.ए. मेंडेस द्वारा 1968 में प्रस्तुत किया गया था। पुनर्संयोजन कक्ष विद्युत चुम्बकीय विकिरण ऊर्जा के न्यूनतम अवशोषण (विद्युत चुम्बकीय विकिरण) के साथ स्क्रीन किया गया कमरा होता है। कम अवशोषण के कारण मध्यम इनपुट शक्ति के साथ अधिक क्षेत्र शक्ति प्राप्त की जा सकती है। प्रतिध्वनि कक्ष उच्च क्यू कारक वाला कैविटी रेजोनेटर है। इस प्रकार, विद्युत और चुंबकीय क्षेत्र की शक्तियों का स्थानिक वितरण दृढ़ता से अमानवीय (खड़ी तरंगें) है। इस विषमता को कम करने के लिए या अधिक ट्यूनर (स्टिरर) का उपयोग किया जाता है। ट्यूनर बड़े धातु परावर्तकों के साथ निर्माण है जिसे विभिन्न सीमा स्थितियों को प्राप्त करने के लिए विभिन्न अभिविन्यासों में ले जाया जा सकता है। पुनर्संयोजन कक्ष की न्यूनतम उपयोग योग्य आवृत्ति (एलयूएफ) कक्ष के आकार और ट्यूनर के डिजाइन पर निर्भर करती है। छोटे कक्षों में बड़े कक्षों की अपेक्षा में अधिक एलयूएफ होता है।

प्रतिध्वनि कक्ष की अवधारणा माइक्रोवेव ओवन से तुलनीय है।

शब्दावली/नोटेशन

प्रस्तावना

अंकन मुख्य रूप से अंतर्राष्ट्रीय इंटरनेशनल इलेक्ट्रोटेक्नीकल कमीशन 61000-4-21 के समान है। माध्य और अधिकतम मान जैसी सांख्यिकीय मात्राओं के लिए, प्रयुक्त डोमेन पर ज़ोर देने के लिए अधिक स्पष्ट नोटेशन का उपयोग किया जाता है। यहां, स्थानिक डोमेन (सबस्क्रिप्ट) $s$) का अर्थ है कि मात्राएँ विभिन्न कक्ष स्थितियों और संयोजन डोमेन (सबस्क्रिप्ट) के लिए ली जाती हैं $e$) विभिन्न सीमा या उत्तेजना स्थितियों (जैसे ट्यूनर स्थिति) को संदर्भित करता है।

सामान्य

• ${\vec {E}}$: विद्युत क्षेत्र का वेक्टर (ज्यामितीय)।
• ${\vec {H}}$: चुंबकीय क्षेत्र का वेक्टर (ज्यामितीय)।
• $E_{T},\,H_{T}$: पूर्ण विद्युत या चुंबकीय क्षेत्र की ताकत, यानी क्षेत्र वेक्टर (ज्यामितीय) का परिमाण (गणित)।
• $E_{R},\,H_{R}$: विद्युत या चुंबकीय क्षेत्र वेक्टर (ज्यामितीय) के आयताकार वेक्टर घटकों की क्षेत्र शक्ति (परिमाण (गणित))।
• $Z_{0}={\frac {|{\vec {E}}|}{|{\vec {H}}|}}\approx 120\cdot \pi \,\Omega$: मुक्त स्थान की विशेषता प्रतिबाधा
• $\eta _{\rm {Tx}}$: wikt: ट्रांसमिटिंग एंटीना की दक्षता (रेडियो)
• $\eta _{\rm {Rx}}$: wikt: प्राप्त एंटीना की दक्षता (रेडियो)
• $P_{\rm {fwd}},\,P_{\rm {bwd}}$: आगे और पीछे चलने वाली तरंगों की शक्ति (भौतिकी)।
• $Q$: गुणवत्ता कारक.

सांख्यिकी

• ${}_{s}\langle X\rangle _{N}$: का स्थानिक माध्य $X$ के लिए $N$ वस्तुएं (अंतरिक्ष में स्थिति)।
• ${}_{e}\langle X\rangle _{N}$: समुच्चय का मतलब है $X$ के लिए $N$ वस्तुएं (सीमाएं, यानी ट्यूनर स्थिति)।
• $\langle X\rangle$: के बराबर $\langle X\rangle _{\infty }$. आंकड़ों में यह अपेक्षित मूल्य है.
• ${}_{s}\lceil X\rceil _{N}$: स्थानिक अधिकतम $X$ के लिए $N$ वस्तुएं (अंतरिक्ष में स्थिति)।
• ${}_{e}\lceil X\rceil _{N}$: अधिकतम का समूह $X$ के लिए $N$ वस्तुएं (सीमाएं, यानी ट्यूनर स्थिति)।
• $\lceil X\rceil$: के बराबर $\lceil X\rceil _{\infty }$.
• ${}_{s}\!\dagger \!(X)_{N}$: स्थानिक डोमेन में अधिकतम माध्य अनुपात।
• ${}_{e}\!\dagger \!(X)_{N}$: समुच्चय क्षेत्र में अधिकतम माध्य अनुपात।

सिद्धांत

कैविटी अनुनादक

प्रतिध्वनि कक्ष कैविटी गुंजयमान यंत्र है - आमतौर पर स्क्रीन वाला कमरा - जो कि ओवरमोडेड क्षेत्र में संचालित होता है। इसका मतलब समझने के लिए हमें कैविटी रेज़ोनेटर की संक्षेप में शोध करनी होगी।

आयताकार कैविटीओं के लिए, अनुनाद आवृत्ति (या स्वयं की आवृत्ति, या प्राकृतिक आवृत्ति) $f_{mnp}$ द्वारा दिए गए हैं

$f_{mnp}={\frac {c}{2}}{\sqrt {\left({\frac {m}{l}}\right)^{2}+\left({\frac {n}{w}}\right)^{2}+\left({\frac {p}{h}}\right)^{2}}},$ कहाँ $c$ प्रकाश की गति है, $l$, $w$ और $h$ कैविटी की लंबाई, चौड़ाई और ऊंचाई, और हैं $m$, $n$, $p$ गैर-ऋणात्मक पूर्णांक हैं (अधिकतम उनमें से 0 (संख्या) हो सकता है)।

उस समीकरण के साथ, किसी दी गई सीमा से कम ईजेनफ़्रीक्वेंसी वाले सामान्य मोड की संख्या $f$, $N(f)$, गिना जा सकता है. इसका परिणाम चरणीय फ़ंक्शन होता है. सिद्धांत रूप में, दो मोड- ट्रांसवर्सल इलेक्ट्रिक मोड $TE_{mnp}$ और अनुप्रस्थ चुंबकीय मोड $TM_{mnp}$-प्रत्येक ईजेनफ़्रीक्वेंसी के लिए मौजूद है।

चैम्बर स्थिति में फ़ील्ड $(x,y,z)$ द्वारा दिए गए हैं

• टीएम मोड के लिए ($H_{z}=0$)

$E_{x}=-{\frac {1}{j\omega \epsilon }}k_{x}k_{z}\cos k_{x}x\sin k_{y}y\sin k_{z}z$

 $E_{y}=-{\frac {1}{j\omega \epsilon }}k_{y}k_{z}\sin k_{x}x\cos k_{y}y\sin k_{z}z$
 $E_{z}={\frac {1}{j\omega \epsilon }}k_{xy}^{2}\sin k_{x}x\sin k_{y}y\cos k_{z}z$
 $H_{x}=k_{y}\sin k_{x}x\cos k_{y}y\cos k_{z}z$
 $H_{y}=-k_{x}\cos k_{x}x\sin k_{y}y\cos k_{z}z$
 $k_{r}^{2}=k_{x}^{2}+k_{y}^{2}+k_{z}^{2},\,k_{x}={\frac {m\pi }{l}},\,k_{y}={\frac {n\pi }{w}},\,k_{z}={\frac {p\pi }{h}}\,k_{xy}^{2}=k_{x}^{2}+k_{y}^{2}$

• TE मोड के लिए ($E_{z}=0$)

$E_{x}=k_{y}\cos k_{x}x\sin k_{y}y\sin k_{z}z$

 $E_{y}=-k_{x}\sin k_{x}x\cos k_{y}y\sin k_{z}z$
 $H_{x}=-{\frac {1}{j\omega \mu }}k_{x}k_{z}\sin k_{x}x\cos k_{y}y\cos k_{z}z$
 $H_{y}=-{\frac {1}{j\omega \mu }}k_{y}k_{z}\cos k_{x}x\sin k_{y}y\cos k_{z}z$
 $H_{z}={\frac {1}{j\omega \mu }}k_{xy}^{2}\cos k_{x}x\cos k_{y}y\sin k_{z}z$

ई- और एच फ़ील्ड के लिए सीमा शर्तों के कारण, कुछ मोड मौजूद नहीं हैं। प्रतिबंध हैं:

• टीएम मोड के लिए: एम और एन शून्य नहीं हो सकते, पी शून्य हो सकता है
• टीई मोड के लिए: एम या एन शून्य हो सकता है (लेकिन दोनों शून्य नहीं हो सकते), पी शून्य नहीं हो सकता

का सहज अनुमान $N(f)$, ${\overline {N}}(f)$, द्वारा दिया गया है

${\overline {N}}(f)={\frac {8\pi }{3}}lwh\left({\frac {f}{c}}\right)^{3}-(l+w+h){\frac {f}{c}}+{\frac {1}{2}}.$ अग्रणी शब्द कक्ष आयतन और आवृत्ति की तीसरी शक्ति के लिए आनुपातिकता (गणित) है। यह शब्द वेल के सूत्र के समान है।

File:Cummodes.svg

लार्ज मैगडेबर्ग रिवर्बरेशन चैंबर के लिए मोड की सटीक और सुचारु संख्या की अपेक्षा।

पर आधारित ${\overline {N}}(f)$ मोड घनत्व ${\overline {n}}(f)$ द्वारा दिया गया है

${\overline {n}}(f)={\frac {d{\overline {N}}(f)}{df}}={\frac {8\pi }{c}}lwh\left({\frac {f}{c}}\right)^{2}-(l+w+h){\frac {1}{c}}.$ महत्वपूर्ण मात्रा निश्चित आवृत्ति अंतराल (गणित) में मोड की संख्या है $\Delta f$, ${\overline {N}}_{\Delta f}(f)$, वह द्वारा दिया गया है

${\begin{matrix}{\overline {N}}_{\Delta f}(f)&=&\int _{f-\Delta f/2}^{f+\Delta f/2}{\overline {n}}(f)df\\\ &=&{\overline {N}}(f+\Delta f/2)-{\overline {N}}(f-\Delta f/2)\\\ &\simeq &{\frac {8\pi lwh}{c^{3}}}\cdot f^{2}\cdot \Delta f\end{matrix}}$

गुणवत्ता कारक

क्यू फैक्टर (या क्यू फैक्टर) सभी गुंजयमान प्रणालियों के लिए महत्वपूर्ण मात्रा है। आम तौर पर, क्यू कारक को परिभाषित किया जाता है $Q=\omega {\frac {\rm {maximum\;stored\;energy}}{\rm {average\;power\;loss}}}=\omega {\frac {W_{s}}{P_{l}}},$ जहां चक्र में अधिकतम और औसत लिया जाता है, और $\omega =2\pi f$ कोणीय आवृत्ति है.

टीई और टीएम मोड के कारक क्यू की गणना फ़ील्ड से की जा सकती है। संग्रहित ऊर्जा $W_{s}$ द्वारा दिया गया है

$W_{s}={\frac {\epsilon }{2}}\iiint _{V}|{\vec {E}}|^{2}dV={\frac {\mu }{2}}\iiint _{V}|{\vec {H}}|^{2}dV.$ हानि धातु की दीवारों में होती है। यदि दीवार की विद्युत चालकता है $\sigma$ और इसकी पारगम्यता (विद्युत चुम्बकत्व) है $\mu$, सतह प्रतिरोध $R_{s}$ है

$R_{s}={\frac {1}{\sigma \delta _{s}}}={\sqrt {\frac {\pi \mu f}{\sigma }}},$ कहाँ $\delta _{s}=1/{\sqrt {\pi \mu \sigma f}}$ दीवार सामग्री की त्वचा की गहराई है।

घाटा $P_{l}$ के अनुसार गणना की जाती है

$P_{l}={\frac {R_{s}}{2}}\iint _{S}|{\vec {H}}|^{2}dS.$ आयताकार कैविटी के लिए इस प्रकार है

• टीई मोड के लिए:

$Q_{\rm {TE_{mnp}}}={\frac {Z_{0}lwh}{4R_{s}}}{\frac {k_{xy}^{2}k_{r}^{3}}{\zeta lh\left(k_{xy}^{4}+k_{x}^{2}k_{z}^{2}\right)+\xi wh\left(k_{xy}^{4}+k_{y}^{2}k_{z}^{2}\right)+lwk_{xy}^{2}k_{z}^{2}}}$

$\zeta ={\begin{cases}1&{\mbox{if }}n\neq 0\\1/2&{\mbox{if }}n=0\end{cases}},\quad \xi ={\begin{cases}1&{\mbox{if }}m\neq 0\\1/2&{\mbox{if }}m=0\end{cases}}$

• टीएम मोड के लिए:

$Q_{\rm {TM_{mnp}}}={\frac {Z_{0}lwh}{4R_{s}}}{\frac {k_{xy}^{2}k_{r}}{w(\gamma l+h)k_{x}^{2}+l(\gamma w+h)k_{y}^{2}}}$

$\gamma ={\begin{cases}1&{\mbox{if }}p\neq 0\\1/2&{\mbox{if }}p=0\end{cases}}$

व्यक्तिगत मोड के क्यू मानों का उपयोग करते हुए, औसत समग्र गुणवत्ता कारक ${\tilde {Q_{s}}}$ प्राप्त किया जा सकता है: ${\frac {1}{\tilde {Q_{s}}}}=\langle {\frac {1}{Q_{mnp}}}\rangle _{k\leq k_{r}\leq k_{r}+\Delta k}$ ${\tilde {Q_{s}}}={\frac {3}{2}}{\frac {V}{S\delta _{s}}}{\frac {1}{1+{\frac {3c}{16f}}\left(1/l+1/w+1/h\right)}}$

${\tilde {Q_{s}}}$ इसमें केवल चैम्बर की दीवारों की सीमित चालकता के कारण होने वाले नुकसान शामिल हैं और इसलिए यह ऊपरी सीमा है। अन्य हानियाँ परावैद्युत हानियाँ हैं जैसे एंटीना समर्थन संरचनाओं में, दीवार कोटिंग के कारण होने वाले नुकसान, और रिसाव के नुकसान। निचली आवृत्ति रेंज के लिए प्रमुख हानि कमरे में ऊर्जा को जोड़ने (एंटीना, टी्स संचारित करने) और कक्ष में फ़ील्ड की निगरानी करने (एंटीना, आर्स प्राप्त करने) के लिए उपयोग किए जाने वाले एंटीना के कारण होती है। यह एंटीना हानि $Q_{a}$ द्वारा दिया गया है $Q_{a}={\frac {16\pi ^{2}Vf^{3}}{c^{3}N_{a}}},$ कहाँ $N_{a}$ चैम्बर में एंटीना की संख्या है.

सभी हानियों सहित गुणवत्ता कारक सभी ल हानि प्रक्रियाओं के कारकों का हार्मोनिक योग है:

${\frac {1}{Q}}=\sum _{i}{\frac {1}{Q_{i}}}$ परिमित गुणवत्ता कारक के परिणामस्वरूप ईजेनमोड आवृत्ति में व्यापक होते हैं, यानी मोड उत्तेजित हो सकता है, भले ही ऑपरेटिंग आवृत्ति ईजेनफ्रीक्वेंसी से बिल्पूर्ण मेल न खाए। इसलिए, ही समय में किसी दी गई आवृत्ति के लिए अधिक ईजेनमोड बाहर निकल जाते हैं।

क्यू-बैंडविड्थ ${\rm {BW}}_{Q}$ आवृत्ति बैंडविड्थ का माप है जिस पर पुनर्संयोजन कक्ष में मोड होते हैं सहसंबद्ध. ${\rm {BW}}_{Q}$ h> प्रतिध्वनि कक्ष की गणना निम्नलिखित का उपयोग करके की जा सकती है:

${\rm {BW}}_{Q}={\frac {f}{Q}}$ सूत्र का उपयोग करना ${\overline {N}}_{\Delta f}(f)$ भीतर उत्साहित मोड की संख्या ${\rm {BW}}_{Q}$ परिणाम

$M(f)={\frac {8\pi Vf^{3}}{c^{3}Q}}.$ चैम्बर गुणवत्ता कारक से संबंधित चैम्बर समय स्थिरांक है $\tau$ द्वारा

$\tau ={\frac {Q}{2\pi f}}.$ यदि इनपुट पावर बंद कर दी जाती है तो यह चैम्बर के क्षेत्र (घातांकीय क्षय) की मुक्त ऊर्जा विश्राम का समय स्थिरांक है।

यह भी देखें

• ऐनाकोइक कक्ष
• प्रतिध्वनि कक्ष
• गूंज कक्ष
• ीकरण क्षेत्र
• जीटीईएम सेल

संदर्भ

• Crawford, M.L.; Koepke, G.H.: Design, Evaluation, and Use of a Reverberation Chamber for Performing Electromagnetic Susceptibility/Vulnerability Measurements, NBS Technical Note 1092, National Bureau od Standards, Boulder, CO, April, 1986.
• Ladbury, J.M.; Koepke, G.H.: Reverberation chamber relationships: corrections and improvements or three wrongs can (almost) make a right, Electromagnetic Compatibility, 1999 IEEE International Symposium on, Volume 1, 1-6, 2–6 August 1999.