विद्युत प्रतिरोधकता और चालकता: Difference between revisions

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| derivations = <math>\sigma = \frac{1}{\rho}</math>
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विद्युत प्रतिरोधकता (जिसे विशिष्ट विद्युत प्रतिरोध या आयतन प्रतिरोधकता भी कहा जाता है) एक सामग्री का एक मूलभूत गुण है जो यह मापता है कि [[ विद्युत प्रवाह |विद्युत प्रवाह]] का कितनी दृढ़ता से प्रतिरोध करता है। कम प्रतिरोधकता एक ऐसी सामग्री को इंगित करती है जो आसानी से विद्युत प्रवाह की अनुमति देती है।प्रतिरोधकता को सामान्यतः[[ ग्रीक वर्णमाला ]] द्वारा दर्शाया जाता है {{mvar|ρ}}(आरओ (पत्र))। विद्युत प्रतिरोधकता की एसआई इकाई [[ ओम ]]-[[ मीटर ]] (Ω⋅m) है।<ref>{{cite book | last = Lowrie | first = William |  title = Fundamentals of Geophysics  | url = https://books.google.com/books?id=h2-NjUg4RtEC&pg=PA254  | publisher = Cambridge University Press | isbn = 978-05-2185-902-8  | pages = 254–55 | date = 2007 | access-date = March 24, 2019 }}</ref><ref name=":0">{{cite book | first = Narinder | last = Kumar | title = Comprehensive Physics for Class XII  | url = https://books.google.com/books?id=IryMtwHHngIC&pg=PA282  | date = 2003  | publisher = Laxmi Publications  | location = New Delhi | isbn = 978-81-7008-592-8 | pages = 280–84 | access-date = March 24, 2019 }}</ref><ref>{{cite book | first = Eric | last = Bogatin  | title = Signal Integrity: Simplified  | url = https://books.google.com/books?id=_IiONSphoB4C&q=Signal%20integrity&pg=PA114 | year = 2004 | publisher = Prentice Hall Professional | isbn = 978-0-13-066946-9 | page = 114 | access-date = March 24, 2019 }}</ref> उदाहरण के लिए, यदि a {{val|1|u=m3}} सामग्री के ठोस घन में दो विपरीत फलकों पर शीट संपर्क होते हैं, और इन संपर्कों के बीच प्रतिरोध होता है {{val|1|u=Ω}}, तो सामग्री की प्रतिरोधकता है {{val|1|u=Ω.m}}.
विद्युत प्रतिरोधकता (जिसे विशिष्ट विद्युत प्रतिरोध या आयतन प्रतिरोधकता भी कहा जाता है) एक पदार्थ का मूलभूत गुण है जो यह मापता है कि [[ विद्युत प्रवाह |विद्युत प्रवाह]] का कितनी दृढ़ता से प्रतिरोध करता है। कम प्रतिरोधकता ऐसी सामग्री को इंगित करती है जो आसानी से विद्युत प्रवाह की अनुमति देता है विद्युत प्रतिरोधकता की SI इकाई [[ ओम |ओम]] -[[ मीटर ]](Ω⋅m) है।<ref>{{cite book | last = Lowrie | first = William |  title = Fundamentals of Geophysics  | url = https://books.google.com/books?id=h2-NjUg4RtEC&pg=PA254  | publisher = Cambridge University Press | isbn = 978-05-2185-902-8  | pages = 254–55 | date = 2007 | access-date = March 24, 2019 }}</ref><ref name=":0">{{cite book | first = Narinder | last = Kumar | title = Comprehensive Physics for Class XII  | url = https://books.google.com/books?id=IryMtwHHngIC&pg=PA282  | date = 2003  | publisher = Laxmi Publications  | location = New Delhi | isbn = 978-81-7008-592-8 | pages = 280–84 | access-date = March 24, 2019 }}</ref><ref>{{cite book | first = Eric | last = Bogatin  | title = Signal Integrity: Simplified  | url = https://books.google.com/books?id=_IiONSphoB4C&q=Signal%20integrity&pg=PA114 | year = 2004 | publisher = Prentice Hall Professional | isbn = 978-0-13-066946-9 | page = 114 | access-date = March 24, 2019 }}</ref> उदाहरण के लिए, यदि a {{val|1|u=m3}} पदार्थ के ठोस घन में दो विपरीत फलकों पर शीट संपर्क होते हैं, और इन संपर्कों के बीच प्रतिरोध 1 Ω है, तो पदार्थ की प्रतिरोधकता 1 Ω⋅m होती है।


विद्युत चालकता या विशिष्ट चालकता विद्युत प्रतिरोधकता का पारस्परिक है। यह विद्युत प्रवाह का संचालन करने के लिए सामग्री की क्षमता का प्रतिनिधित्व करता है। यह सामान्यतः ग्रीक अक्षर द्वारा दर्शाया जाता है {{mvar|σ}}([[ सिग्मा (पत्र) ]]), लेकिन {{mvar|κ}}([[ रूई ]]) (विशेषकर इलेक्ट्रिकल इंजीनियरिंग में) और {{mvar|γ}}([[ गामा ]]) कभी-कभी उपयोग किया जाता है। विद्युत चालकता की एसआई इकाई [[ सीमेंस (इकाई) ]] प्रति [[ मीटर ]] (एस/एम) है।
विद्युत चालकता (या विशिष्ट चालकता) विद्युत प्रतिरोधकता का व्युत्क्रम है। यह विद्युत प्रवाह संचालित करने के लिए पदार्थ की क्षमता का प्रतिनिधित्व करता है। यह सामान्यतः ग्रीक अक्षर द्वारा दर्शाया जाता है {{mvar|σ}} ([[ सिग्मा (पत्र) |सिग्मा) द्वारा दर्शाया जाता है,]] किन्तु {{mvar|κ}} (विशेषकर विद्युत अभियन्त्रण में) और {{mvar|γ}} ([[ गामा |गामा]]) कभी-कभी उपयोग किया जाता है। विद्युत चालकता की SI इकाई [[ सीमेंस (इकाई) |सीमेंस (इकाई)]] प्रति [[ मीटर |मीटर]] (एस/एम) है।


प्रतिरोधकता और चालकता सामग्री की [[ गहन संपत्ति ]] है, जो सामग्री के मानक घन के विरोध को वर्तमान में देती है। विद्युत प्रतिरोध और चालन संबंधित व्यापक गुण हैं जो विद्युत प्रवाह के लिए एक विशिष्ट वस्तु का विरोध देते हैं।
प्रतिरोधकता और चालकता पदार्थ में [[ गहन संपत्ति |सघन विशेषताएं]] होती है, जो वस्तु के मानक घन के प्रतिरोध को धारा में प्रदान करते है। विद्युत प्रतिरोध और चालन संबंधित व्यापक गुण होते हैं जो विद्युत प्रवाह कों किसी विशिष्ट वस्तु का प्रतिरोध प्रदान करते हैं।


== परिभाषा ==
== परिभाषा ==


=== आदर्श मामला ===
=== अनुकूल स्थति ===
[[Image:Resistivity geometry.png|thumb|दोनों सिरों पर विद्युत संपर्कों के साथ प्रतिरोधक सामग्री का एक टुकड़ा।]]
[[Image:Resistivity geometry.png|thumb|दोनों सिरों पर विद्युत संपर्कों के साथ प्रतिरोधक पदार्थ का एक टुकड़ा।]]
एक आदर्श मामले में, जांच की गई सामग्री का क्रॉस-सेक्शन और भौतिक संरचना पूरे नमूने में समान होती है, और विद्युत क्षेत्र और वर्तमान घनत्व दोनों समानांतर और स्थिर होते हैं। कई प्रतिरोधों और [[ विद्युत कंडक्टर ]]ों में वास्तव में विद्युत प्रवाह के एक समान प्रवाह के साथ एक समान क्रॉस सेक्शन होता है, और वे एक ही सामग्री से बने होते हैं, ताकि यह एक अच्छा मॉडल हो। (आसन्न आरेख देखें।) जब ऐसा होता है, विद्युत प्रतिरोधकता {{mvar|ρ}}(ग्रीक: Rho (अक्षर)) द्वारा गणना की जा सकती है:
एक आदर्श स्थिति में, जांच की गई पदार्थ का अंतः वर्ग और भौतिक संरचना पूरे प्रतिरूप में समान होते है, और विद्युत क्षेत्र और धारा घनत्व दोनों समानांतर और स्थिर होते हैं। कई प्रतिरोधों और [[ विद्युत कंडक्टर | विद्युत चालकों]] में वास्तव में विद्युत प्रवाह के एक समान प्रवाह के साथ एक समान अनुप्रस्थ काट होता है, और वे एक ही पदार्थ से बने होते हैं, जिससे कि यह एक अच्छा मॉडल हो। (आसन्न आरेख देखें।) जब ऐसा होता है, विद्युत प्रतिरोधकता {{mvar|ρ}}(ग्रीक: Rho (अक्षर)) द्वारा गणना की जा सकती है:<math display=block>\rho = R \frac{A}{\ell},</math>जहाँ पे
 
<math display=block>\rho = R \frac{A}{\ell},</math>
कहाँ पे
{{plainlist|1=
{{plainlist|1=
* <math>R</math> is the [[electrical resistance]] of a uniform specimen of the material
* <math>R</math> सामग्री के एक समान नमूने का [[विद्युत प्रतिरोध]] है
* <math>\ell</math> is the [[length]] of the specimen
* <math>\ell</math> नमूने का [[लंबाई]] है
* <math>A</math> is the [[Cross section (geometry)|cross-sectional area]] of the specimen
* <math>A</math> नमूने का [[ अंतः वर्ग(ज्यामिति)|अनुप्रस्थ काट  अंतः वर्ग क्षेत्र]] है
}}
}}
प्रतिरोधकता को एसआई इकाई ओम मीटर (Ω⋅m) का उपयोग करके व्यक्त किया जा सकता है - यानी ओम को वर्ग मीटर (क्रॉस-सेक्शनल क्षेत्र के लिए) से गुणा किया जाता है और फिर मीटर (लंबाई के लिए) से विभाजित किया जाता है।
प्रतिरोधकता को एसआई इकाई ओम मीटर (Ω⋅m) का उपयोग करके व्यक्त किया जा सकता है - अर्थात ओम को वर्ग मीटर (अनुप्रस्थ काट क्षेत्र के लिए) से गुणा किया जाता है और फिर मीटर (लंबाई के लिए) से विभाजित किया जाता है


प्रतिरोध और प्रतिरोधकता दोनों वर्णन करते हैं कि किसी पदार्थ के माध्यम से विद्युत प्रवाह बनाना कितना मुश्किल है, किन्तु प्रतिरोध के विपरीत, प्रतिरोधकता [[ आंतरिक संपत्ति | आंतरिक विशेषता]] है। इसका मतलब यह है कि सभी शुद्ध तांबे के तार (जो उनकी क्रिस्टलीय संरचना आदि के विरूपण के अधीन नहीं हैं), उनके आकार और आकार के अतिरिक्त, एक ही प्रतिरोधकता है, किन्तु एक लंबे, पतले तांबे के तार में मोटे तार की तुलना में बहुत अधिक प्रतिरोध होता है। लघु तांबे के तार प्रत्येक वस्तु की अपनी विशिष्ट प्रतिरोधकता होती है। उदाहरण के लिए, रबर में तांबे की तुलना में बहुत अधिक प्रतिरोधकता होती है।


प्रतिरोध और प्रतिरोधकता दोनों वर्णन करते हैं कि किसी सामग्री के माध्यम से विद्युत प्रवाह बनाना कितना मुश्किल है, लेकिन प्रतिरोध के विपरीत, प्रतिरोधकता एक [[ आंतरिक संपत्ति ]] है। इसका मतलब यह है कि सभी शुद्ध तांबे के तार (जो उनकी क्रिस्टलीय संरचना आदि के विरूपण के अधीन नहीं हैं), उनके आकार और आकार के बावजूद, एक ही प्रतिरोधकता है, लेकिन एक लंबे, पतले तांबे के तार में मोटे तार की तुलना में बहुत अधिक प्रतिरोध होता है। , लघु तांबे के तार। प्रत्येक सामग्री की अपनी विशिष्ट प्रतिरोधकता होती है। उदाहरण के लिए, रबर में तांबे की तुलना में बहुत अधिक प्रतिरोधकता होती है।
[[ हाइड्रोलिक सादृश्य | द्रवगैसप्रवाह सादृश्य]] में, उच्च-प्रतिरोधक वस्तु के माध्यम से धारा पास करना रेत से भरे पाइप के माध्यम से पानी को धकेलने जैसा है - जबकि कम-प्रतिरोधक पदार्थ के माध्यम से धारा पास करना एक खाली पाइप के माध्यम से पानी को धकेलने जैसा है। यदि पाइप समान आकार का हैं, तो रेत से भरे पाइप में प्रवाह के लिए उच्च प्रतिरोध होता है। प्रतिरोध, चूँकि, केवल रेत की उपस्थिति या अनुपस्थिति से निर्धारित नहीं होता है। यह पाइप की लंबाई और चौड़ाई पर भी निर्भर करता है: छोटे या चौड़े पाइप में संकीर्ण या लंबे पाइप की तुलना में कम प्रतिरोध होता है।


[[ हाइड्रोलिक सादृश्य ]] में, एक उच्च-प्रतिरोधक सामग्री के माध्यम से करंट पास करना रेत से भरे पाइप के माध्यम से पानी को धकेलने जैसा है - जबकि कम-प्रतिरोधक सामग्री के माध्यम से करंट पास करना एक खाली पाइप के माध्यम से पानी को धकेलने जैसा है। यदि पाइप समान आकार और आकार के हैं, तो रेत से भरे पाइप में प्रवाह के लिए उच्च प्रतिरोध होता है। प्रतिरोध, हालांकि, केवल रेत की उपस्थिति या अनुपस्थिति से निर्धारित नहीं होता है। यह पाइप की लंबाई और चौड़ाई पर भी निर्भर करता है: छोटे या चौड़े पाइप में संकीर्ण या लंबे पाइप की तुलना में कम प्रतिरोध होता है।
उपरोक्त समीकरण को पॉइलेट के नियम ([[ क्लाउड पौइलेट ]]के नाम पर) प्राप्त करने के लिए स्थानांतरित किया जा सकता है:


{{anchor|Pouillet's law}} <!--Pouillet's law redirects here-->
<math display=block>R = \rho \frac{\ell}{A}.</math>किसी दिए गए तत्व का प्रतिरोध लंबाई के समानुपाती होता है, किन्तु अनुप्रस्थ काट के क्षेत्रफल के व्युत्क्रमानुपाती होता है। उदाहरण के लिए, यदि {{mvar|A}} = {{val|1|u=m2}}, <math>\ell</math> = {{val|1|u=m}} (विपरीत चेहरों पर पूरी तरह से प्रवाहकीय संपर्कों के साथ एक घन बनाना), तो ओम में इस तत्व का प्रतिरोध संख्यात्मक रूप से उस पदार्थ की प्रतिरोधकता के बराबर होता है जिससे यह Ω⋅m में बना होता है।
उपरोक्त समीकरण को पॉइलेट के नियम ([[ क्लाउड पौइलेट ]] के नाम पर) प्राप्त करने के लिए स्थानांतरित किया जा सकता है:


<math display=block>R = \rho \frac{\ell}{A}.</math>किसी दिए गए तत्व का प्रतिरोध लंबाई के समानुपाती होता है, लेकिन अनुप्रस्थ काट के क्षेत्रफल के व्युत्क्रमानुपाती होता है। उदाहरण के लिए, यदि {{mvar|A}} = {{val|1|u=m2}}, <math>\ell</math> = {{val|1|u=m}} (विपरीत चेहरों पर पूरी तरह से प्रवाहकीय संपर्कों के साथ एक घन बनाना), तो ओम में इस तत्व का प्रतिरोध संख्यात्मक रूप से उस सामग्री की प्रतिरोधकता के बराबर होता है जिससे यह Ω⋅m में बना होता है।
चालकता, {{mvar|σ}}, प्रतिरोधकता का विपरीत है:
 
चालकता, {{mvar|σ}}, प्रतिरोधकता का विलोम है:


<math display=block>\sigma = \frac{1}{\rho}.</math>
<math display=block>\sigma = \frac{1}{\rho}.</math>
चालकता में सीमेंस (इकाई) प्रति मीटर (एस/एम) की एसआई इकाइयां हैं।
चालकता में सीमेंस (इकाई) प्रति मीटर (एस/एम) की एसआई इकाइयां हैं।


=== सामान्य अदिश राशियां ===
=== सामान्य अदिश राशि ===
कम आदर्श मामलों के लिए, जैसे कि अधिक जटिल ज्यामिति, या जब सामग्री के विभिन्न हिस्सों में वर्तमान और [[ विद्युत क्षेत्र ]] भिन्न होते हैं, तो अधिक सामान्य अभिव्यक्ति का उपयोग करना आवश्यक होता है जिसमें किसी विशेष बिंदु पर प्रतिरोधकता को अनुपात के रूप में परिभाषित किया जाता है विद्युत क्षेत्र वर्तमान के [[ वर्तमान घनत्व ]] के लिए उस बिंदु पर बनाता है:
कम आदर्श स्थितियों लिए, जैसे कि अधिक जटिल ज्यामिति, या जब वस्तु के विभिन्न हिस्सों में धारा और [[ विद्युत क्षेत्र ]]भिन्न होते हैं, तो अधिक सामान्य अभिव्यक्ति का उपयोग करना आवश्यक होता है जिसमें किसी विशेष बिंदु पर प्रतिरोधकता को अनुपात के रूप में परिभाषित किया जाता है विद्युत क्षेत्र धारा के [[ वर्तमान घनत्व |धारा घनत्व]] के लिए उस बिंदु पर बनाता है:


<math display=block>\rho=\frac{E}{J},</math>
<math display=block>\rho=\frac{E}{J},</math>
कहाँ पे
जहाँ पे


{{plainlist|1=
{{plainlist|1=
* <math>\rho</math> is the resistivity of the conductor material,
* <math>\rho</math> चालकता, सामग्री की प्रतिरोधकता है,
* <math>E</math> is the [[Magnitude (mathematics)|magnitude]] of the electric field,
* <math>E</math> विद्युत क्षेत्र का [[परिमाण (गणित)|परिमाण]] है,
* <math>J</math> is the magnitude of the [[current density]],
* <math>J</math> [[वर्तमान घनत्व]] का परिमाण है,
}}
}}
जिसमें <math>E</math> तथा <math>J</math> कंडक्टर के अंदर हैं।
जिसमें <math>E</math> तथा <math>J</math> चालक के अंदर हैं।


चालकता प्रतिरोधकता का विलोम (पारस्परिक) है। यहाँ, इसके द्वारा दिया गया है:
चालकता प्रतिरोधकता का विलोम (पारस्परिक) है। यहाँ, इसके द्वारा दिया गया है:


<math display=block>\sigma = \frac{1}{\rho} = \frac{J}{E}.</math>
<math display=block>\sigma = \frac{1}{\rho} = \frac{J}{E}.</math>
उदाहरण के लिए, रबर एक ऐसी सामग्री है जिसमें बड़े {{mvar|ρ}} और छोटा {{mvar|σ}}- क्योंकि रबर में एक बहुत बड़ा विद्युत क्षेत्र भी इसके माध्यम से लगभग कोई प्रवाह नहीं करता है। दूसरी ओर, तांबा एक छोटा सा पदार्थ है {{mvar|ρ}} और बड़ा {{mvar|σ}}- क्योंकि एक छोटा विद्युत क्षेत्र भी इसके माध्यम से बहुत अधिक धारा खींचता है।
उदाहरण के लिए, रबर एक ऐसी वस्तु है जिसमें बड़े {{mvar|ρ}} और छोटा {{mvar|σ}}- क्योंकि रबर में एक बहुत बड़ा विद्युत क्षेत्र भी इसके माध्यम से लगभग कोई प्रवाह नहीं करता है। दूसरी ओर, तांबा एक छोटी सी वस्तु है {{mvar|ρ}} और बड़ा {{mvar|σ}}- क्योंकि एक छोटा विद्युत क्षेत्र भी इसके माध्यम से बहुत अधिक धारा खींचता है।


जैसा कि नीचे दिखाया गया है, जब विद्युत क्षेत्र और सामग्री में वर्तमान घनत्व स्थिर होता है, तो यह अभिव्यक्ति एकल संख्या तक सरल हो जाती है।
जैसा कि नीचे दिखाया गया है, जब विद्युत क्षेत्र और पदार्थ में धारा घनत्व स्थिर होता है, तो यह अभिव्यक्ति एकल संख्या तक सरल हो जाती है।


:{| class="toccolours collapsible collapsed" width="80%" style="text-align:left;"
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! Derivation from general definition of resistivity
! प्रतिरोधकता की सामान्य परिभाषा से व्युत्पत्ति
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|There are three equations to be combined here. The first is the resistivity for parallel current and electric field:
|There are three equations to be combined here. The first is the resistivity for parallel current and electric field:
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Finally, we apply Ohm's law, {{math|1=''V''/''I'' = ''R''}}:
Finally, we apply Ohm's law, {{math|1=''V''/''I'' = ''R''}}:


<math display=block>\rho = R\frac{A}{\ell}.</math>
<math display=block>\rho = R\frac{A}{\ell}.</math><br />
|}
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=== टेंसर प्रतिरोधकता ===
=== टेंसर प्रतिरोधकता ===
जब किसी सामग्री की प्रतिरोधकता में एक दिशात्मक घटक होता है, तो प्रतिरोधकता की सबसे सामान्य परिभाषा का उपयोग किया जाना चाहिए। यह ओम के नियम के टेंसर-वेक्टर रूप से शुरू होता है, जो एक सामग्री के अंदर विद्युत क्षेत्र को विद्युत प्रवाह से जोड़ता है। यह समीकरण पूरी तरह से सामान्य है, जिसका अर्थ है कि यह सभी मामलों में मान्य है, जिसमें ऊपर वर्णित भी शामिल है। हालांकि, यह परिभाषा सबसे जटिल है, इसलिए इसका उपयोग केवल [[ असमदिग्वर्ती होने की दशा ]] मामलों में किया जाता है, जहां अधिक सरल परिभाषाओं को लागू नहीं किया जा सकता है। यदि सामग्री अनिसोट्रोपिक नहीं है, तो टेंसर-वेक्टर परिभाषा को अनदेखा करना और इसके बजाय एक सरल अभिव्यक्ति का उपयोग करना सुरक्षित है।
जब किसी पदार्थ की प्रतिरोधकता में एक दिशात्मक घटक होता है, तो प्रतिरोधकता की सबसे सामान्य परिभाषा का उपयोग किया जाना चाहिए। यह ओम के नियम के टेंसर-वेक्टर रूप से प्रारंभ  होता है, जो एक पदार्थ के अंदर विद्युत क्षेत्र को विद्युत प्रवाह से जोड़ता है। यह समीकरण पूरी तरह से सामान्य है, जिसका अर्थ है कि यह सभी यदि में मान्य है, जिसमें ऊपर वर्णित भी सम्मलित है। चूँकि, यह परिभाषा सबसे जटिल है, इसलिए इसका उपयोग केवल [[ असमदिग्वर्ती होने की दशा ]] यदि में किया जाता है, जहां अधिक सरल परिभाषाओं को लागू नहीं किया जा सकता है। यदि पदार्थ अनिसोट्रोपिक नहीं है, तो टेंसर-वेक्टर परिभाषा को अनदेखा करना और इसके बजाय एक सरल अभिव्यक्ति का उपयोग करना सुरक्षित है।


यहाँ, अनिसोट्रॉपी का अर्थ है कि सामग्री के अलग-अलग दिशाओं में अलग-अलग गुण हैं। उदाहरण के लिए, [[ सीसा ]] के एक क्रिस्टल में सूक्ष्म रूप से चादरों का ढेर होता है, और प्रत्येक शीट के माध्यम से प्रवाह बहुत आसानी से होता है, लेकिन एक शीट से आसन्न एक तक बहुत आसानी से प्रवाहित होता है।<ref name=Pierson/>ऐसे मामलों में, विद्युत क्षेत्र के समान दिशा में करंट प्रवाहित नहीं होता है। इस प्रकार, उपयुक्त समीकरणों को त्रि-आयामी टेंसर रूप में सामान्यीकृत किया जाता है:<ref>J.R. Tyldesley (1975) ''An introduction to Tensor Analysis: For Engineers and Applied Scientists'', Longman, {{ISBN|0-582-44355-5}}</ref><ref>G. Woan (2010) ''The Cambridge Handbook of Physics Formulas'', Cambridge University Press, {{ISBN|978-0-521-57507-2}}</ref>
यहाँ, अनिसोट्रॉपी का अर्थ है कि पदार्थ के अलग-अलग दिशाओं में अलग-अलग गुण हैं। उदाहरण के लिए, [[ सीसा |सीसा]] के एक क्रिस्टल में सूक्ष्म रूप से चादरों का ढेर होता है, और प्रत्येक शीट के माध्यम से प्रवाह बहुत आसानी से होता है, किन्तु एक शीट से आसन्न एक तक बहुत आसानी से प्रवाहित होता है।<ref name=Pierson/> ऐसे यदि में, विद्युत क्षेत्र के समान दिशा में धारा प्रवाहित नहीं होता है। इस प्रकार, उपयुक्त समीकरणों को त्रि-आयामी टेंसर रूप में सामान्यीकृत किया जाता है:<ref>J.R. Tyldesley (1975) ''An introduction to Tensor Analysis: For Engineers and Applied Scientists'', Longman, {{ISBN|0-582-44355-5}}</ref><ref>G. Woan (2010) ''The Cambridge Handbook of Physics Formulas'', Cambridge University Press, {{ISBN|978-0-521-57507-2}}</ref>


<math display=block>\mathbf{J} = \boldsymbol\sigma \mathbf{E} \,\, \rightleftharpoons \,\, \mathbf{E} = \boldsymbol\rho \mathbf{J},</math>
<math display=block>\mathbf{J} = \boldsymbol\sigma \mathbf{E} \,\, \rightleftharpoons \,\, \mathbf{E} = \boldsymbol\rho \mathbf{J},</math>
जहां चालकता {{mvar|'''σ'''}} और प्रतिरोधकता {{mvar|'''ρ'''}} रैंक -2 [[ टेन्सर ]] और विद्युत क्षेत्र हैं {{math|'''E'''}} और वर्तमान घनत्व {{math|'''J'''}} वेक्टर हैं। इन टेंसरों को 3×3 मैट्रिसेस द्वारा दर्शाया जा सकता है, 3×1 मैट्रिसेस वाले वैक्टर, इन समीकरणों के दाईं ओर उपयोग किए गए [[ मैट्रिक्स गुणन ]] के साथ। मैट्रिक्स रूप में, प्रतिरोधकता संबंध द्वारा दिया जाता है:
जहां चालकता {{mvar|'''σ'''}} और प्रतिरोधकता {{mvar|'''ρ'''}} रैंक -2 [[ टेन्सर ]] और विद्युत क्षेत्र हैं {{math|'''E'''}} और धारा घनत्व {{math|'''J'''}} वेक्टर हैं। इन टेंसरों को 3×3 मैट्रिसेस द्वारा दर्शाया जा सकता है, 3×1 मैट्रिसेस वाले वैक्टर, इन समीकरणों के दाईं ओर उपयोग किए गए [[ मैट्रिक्स गुणन |मैट्रिक्स गुणन]] के साथ होता है। मैट्रिक्स रूप में, प्रतिरोधकता संबंध द्वारा दिया जाता है:


<math display=block>
<math display=block>
Line 132: Line 125:
   \end{bmatrix}\begin{bmatrix} J_x \\ J_y \\ J_z \end{bmatrix},
   \end{bmatrix}\begin{bmatrix} J_x \\ J_y \\ J_z \end{bmatrix},
</math>
</math>
कहाँ पे
जहाँ पे


{{plainlist|1=
{{plainlist|1=
* <math>\mathbf{E}</math> is the electric field vector, with components ({{math|''E''<sub>''x''</sub>, ''E''<sub>''y''</sub>, ''E''<sub>''z''</sub>}});
* <math>\mathbf{E}</math> घटकों के साथ विद्युत क्षेत्र वेक्टर है ({{math|''E''<sub>''x''</sub>, ''E''<sub>''y''</sub>, ''E''<sub>''z''</sub>}});
* <math>\boldsymbol{\rho}</math> is the resistivity tensor, in general a three by three matrix;
* <math>\boldsymbol{\rho}</math> प्रतिरोधकता टेंसर है, सामान्यतः तीन बटा तीन मैट्रिक्स;
* <math>\mathbf{J}</math> is the electric current density vector, with components ({{math|''J''<sub>''x''</sub>, ''J''<sub>''y''</sub>, ''J''<sub>''z''</sub>}}).
* <math>\mathbf{J}</math> घटकों के साथ विद्युत प्रवाह घनत्व वेक्टर है ({{math|''J''<sub>''x''</sub>, ''J''<sub>''y''</sub>, ''J''<sub>''z''</sub>}}).
}}
}}
समान रूप से, अधिक कॉम्पैक्ट [[ आइंस्टीन संकेतन ]] में प्रतिरोधकता दी जा सकती है:
समान रूप से, अधिक सघन [[ आइंस्टीन संकेतन |आइंस्टीन संकेतन]] में प्रतिरोधकता दी जा सकती है:


<math display=block>\mathbf{E}_i = \boldsymbol\rho_{ij} \mathbf{J}_j ~.</math>
<math display=block>\mathbf{E}_i = \boldsymbol\rho_{ij} \mathbf{J}_j ~.</math>
Line 149: Line 142:
E_z &= \rho_{zx} J_x + \rho_{zy} J_y + \rho_{zz} J_z
E_z &= \rho_{zx} J_x + \rho_{zy} J_y + \rho_{zz} J_z
\end{align}.</math>
\end{align}.</math>
चूंकि समन्वय प्रणाली का चुनाव स्वतंत्र है, इसलिए सामान्य परंपरा यह है कि a . को चुनकर व्यंजक को सरल बनाया जाए {{mvar|x}}-अक्ष वर्तमान दिशा के समानांतर, इसलिए {{math|1=''J''<sub>''y''</sub> = ''J''<sub>''z''</sub> = 0}}. यह छोड़ देता है:
चूंकि समन्वय प्रणाली का चुनाव स्वतंत्र है, इसलिए सामान्य परंपरा यह है कि a को चुनकर व्यंजक को सरल बनाया जाए {{mvar|x}}-अक्ष धारा दिशा के समानांतर, इसलिए {{math|1=''J''<sub>''y''</sub> = ''J''<sub>''z''</sub> = 0}}. यह छोड़ देता है:


<math display=block>\rho_{xx}=\frac{E_x}{J_x}, \quad \rho_{yx}=\frac{E_y}{J_x}, \text{ and }\rho_{zx}=\frac{E_z}{J_x}.</math>
<math display=block>\rho_{xx}=\frac{E_x}{J_x}, \quad \rho_{yx}=\frac{E_y}{J_x}, \text{ and }\rho_{zx}=\frac{E_z}{J_x}.</math>
Line 172: Line 165:
J_z = \sigma_{zx} E_x + \sigma_{zy} E_y + \sigma_{zz} E_z
J_z = \sigma_{zx} E_x + \sigma_{zy} E_y + \sigma_{zz} E_z
\end{align}.</math>
\end{align}.</math>
दो भावों को देखते हुए, <math>\boldsymbol{\rho}</math> तथा <math>\boldsymbol{\sigma}</math> एक दूसरे के [[ उलटा मैट्रिक्स ]] हैं। हालांकि, सबसे सामान्य मामले में, व्यक्तिगत मैट्रिक्स तत्व जरूरी नहीं कि एक दूसरे के पारस्परिक हों; उदाहरण के लिए, {{math|''σ<sub>xx</sub>''}} के बराबर नहीं हो सकता {{math|1/''ρ<sub>xx</sub>''}}. इसे [[ हॉल प्रभाव ]] में देखा जा सकता है, जहां <math>\rho_{xy}</math> शून्येतर है। हॉल प्रभाव में, के बारे में घूर्णी अपरिवर्तनशीलता के कारण {{mvar|z}}-एक्सिस, <math> \rho_{yy}=\rho_{xx} </math> तथा <math> \rho_{yx}=-\rho_{xy}</math>, इसलिए प्रतिरोधकता और चालकता के बीच संबंध सरल हो जाता है:<ref>{{cite web|url=http://www.damtp.cam.ac.uk/user/tong/qhe/qhe.pdf|title=The Quantum Hall Effect: TIFR Infosys Lectures|author=David Tong|date=Jan 2016|access-date=14 Sep 2018}}</ref>
दो भावों को देखते हुए, <math>\boldsymbol{\rho}</math> तथा <math>\boldsymbol{\sigma}</math> एक दूसरे के [[ उलटा मैट्रिक्स ]] हैं। चूँकि, सबसे सामान्य स्थिति में, व्यक्तिगत मैट्रिक्स तत्व जरूरी नहीं कि एक दूसरे के पारस्परिक हों; उदाहरण के लिए, {{math|''σ<sub>xx</sub>''}} के बराबर नहीं हो सकता {{math|1/''ρ<sub>xx</sub>''}}. इसे [[ हॉल प्रभाव ]]में देखा जा सकता है, जहां <math>\rho_{xy}</math> शून्येतर है। हॉल प्रभाव में, के बारे में घूर्णी अपरिवर्तनशीलता के कारण {{mvar|z}}-एक्सिस, <math> \rho_{yy}=\rho_{xx} </math> तथा <math> \rho_{yx}=-\rho_{xy}</math>, इसलिए प्रतिरोधकता और चालकता के बीच संबंध सरल हो जाता है:<ref>{{cite web|url=http://www.damtp.cam.ac.uk/user/tong/qhe/qhe.pdf|title=The Quantum Hall Effect: TIFR Infosys Lectures|author=David Tong|date=Jan 2016|access-date=14 Sep 2018}}</ref>


<math display=block>\sigma_{xx}=\frac{\rho_{xx}}{\rho_{xx}^2 + \rho_{xy}^2}, \quad \sigma_{xy} = \frac{-\rho_{xy}}{\rho_{xx}^2 + \rho_{xy}^2}.</math>
<math display=block>\sigma_{xx}=\frac{\rho_{xx}}{\rho_{xx}^2 + \rho_{xy}^2}, \quad \sigma_{xy} = \frac{-\rho_{xy}}{\rho_{xx}^2 + \rho_{xy}^2}.</math>
यदि विद्युत क्षेत्र लागू धारा के समानांतर है, <math>\rho_{xy}</math> तथा <math>\rho_{xz}</math> शून्य हैं। जब वे शून्य हों, एक संख्या, <math>\rho_{xx}</math>, विद्युत प्रतिरोधकता का वर्णन करने के लिए पर्याप्त है। फिर इसे सरलता से लिखा जाता है <math>\rho</math>, और यह सरल अभिव्यक्ति को कम कर देता है।
यदि विद्युत क्षेत्र लागू धारा के समानांतर है, <math>\rho_{xy}</math> तथा <math>\rho_{xz}</math> शून्य होता हैं। जब वे शून्य हों, एक संख्या, <math>\rho_{xx}</math>, विद्युत प्रतिरोधकता का वर्णन करने के लिए पर्याप्त है। फिर इसे सरलता से लिखा जाता है <math>\rho</math>, और यह सरल अभिव्यक्ति को कम कर देता है।


== चालकता और वर्तमान वाहक ==
== चालकता और धारा वाहक ==


=== वर्तमान घनत्व और विद्युत प्रवाह वेग के बीच संबंध ===
=== धारा घनत्व और विद्युत प्रवाह वेग के बीच संबंध ===
विद्युत प्रवाह विद्युत [[ आवेश ]]ों की क्रमबद्ध गति है।<ref name=":0" />
विद्युत प्रवाह विद्युत [[ आवेश |आवेश]] की क्रमबद्ध गति है।<ref name=":0" />
== चालकता के कारण ==
== चालकता के कारण ==


=== बैंड सिद्धांत सरलीकृत ===
=== बैंड सिद्धांत सरलीकृत ===
{{See also|Band theory}}
{{See also|बैंड सिद्धांत}}
{{Band structure filling diagram}}
{{Band structure filling diagram}}
प्राथमिक [[ क्वांटम यांत्रिकी ]] के अनुसार, एक परमाणु या क्रिस्टल में एक इलेक्ट्रॉन में केवल कुछ निश्चित ऊर्जा स्तर हो सकते हैं; इन स्तरों के बीच ऊर्जा असंभव है। जब इस तरह के अनुमत स्तरों की एक बड़ी संख्या में निकट-अंतराल ऊर्जा मान होते हैं - यानी ऐसी ऊर्जाएँ होती हैं जो केवल सूक्ष्म रूप से भिन्न होती हैं - संयोजन में उन निकट ऊर्जा स्तरों को ऊर्जा बैंड कहा जाता है। किसी पदार्थ में ऐसे कई ऊर्जा बैंड हो सकते हैं, जो घटक परमाणुओं की परमाणु संख्या पर निर्भर करता है<ref group=lower-alpha>The atomic number is the count of electrons in an atom that is electrically neutral – has no net electric charge.</ref> और क्रिस्टल के भीतर उनका वितरण।<ref group=lower-alpha>Other relevant factors that are specifically not considered are the size of the whole crystal and external factors of the surrounding environment that modify the energy bands, such as imposed electric or magnetic fields.</ref>
प्राथमिक [[ क्वांटम यांत्रिकी |क्वांटम यांत्रिकी]] के अनुसार, एक परमाणु या क्रिस्टल में एक इलेक्ट्रॉन में केवल कुछ निश्चित ऊर्जा स्तर हो सकते हैं; इन स्तरों के बीच ऊर्जा असंभव है। जब बड़ी संख्या में इस तरह के अनुमत स्तरों में निकट-स्थान वाले ऊर्जा मान होते हैं - अर्थात ऐसी ऊर्जाएँ होती हैं जो केवल सूक्ष्म रूप से भिन्न होती हैं - संयोजन में उन निकट ऊर्जा स्तरों को "ऊर्जा बैंड" कहा जाता है। किसी वस्तु में ऐसे कई ऊर्जा बैंड हो सकते हैं, जो घटक परमाणुओं की परमाणु संख्या <ref group=lower-alpha>The atomic number is the count of electrons in an atom that is electrically neutral – has no net electric charge.</ref> और क्रिस्टल के भीतर उनके वितरण पर निर्भर करते हैं।<ref group=lower-alpha>Other relevant factors that are specifically not considered are the size of the whole crystal and external factors of the surrounding environment that modify the energy bands, such as imposed electric or magnetic fields.</ref>
सामग्री के इलेक्ट्रॉन कम ऊर्जा वाले राज्यों में बसकर सामग्री में कुल ऊर्जा को कम करना चाहते हैं; हालाँकि, [[ पाउली अपवर्जन सिद्धांत ]] का अर्थ है कि ऐसे प्रत्येक राज्य में केवल एक ही मौजूद हो सकता है। तो इलेक्ट्रॉन नीचे से शुरू होकर बैंड संरचना को भरते हैं। वह अभिलाक्षणिक ऊर्जा स्तर जिस तक इलेक्ट्रॉन भर चुके हैं, [[ फर्मी स्तर ]] कहलाते हैं। बैंड संरचना के संबंध में फर्मी स्तर की स्थिति विद्युत चालन के लिए बहुत महत्वपूर्ण है: केवल फर्मी स्तर के पास या उससे ऊपर के ऊर्जा स्तरों में इलेक्ट्रॉन व्यापक सामग्री संरचना के भीतर जाने के लिए स्वतंत्र हैं, क्योंकि इलेक्ट्रॉन आसानी से आंशिक रूप से कब्जे वाले के बीच कूद सकते हैं उस क्षेत्र में राज्यों। इसके विपरीत, कम ऊर्जा वाले राज्य हर समय इलेक्ट्रॉनों की संख्या पर एक निश्चित सीमा से भरे होते हैं, और उच्च ऊर्जा वाले राज्य हर समय इलेक्ट्रॉनों से खाली होते हैं।
 
पदार्थ के इलेक्ट्रॉन कम ऊर्जा वाले स्थितियों में व्यवस्थित होकर वस्तु में कुल ऊर्जा को कम करना चाहते हैं; चूँकि, [[ पाउली अपवर्जन सिद्धांत |पाउली अपवर्जन सिद्धांत]] का अर्थ है कि ऐसे प्रत्येक स्थिति में केवल एक ही सम्मलित हो सकता है। तो इलेक्ट्रॉन नीचे से प्रारंभ होकर बैंड संरचना को भरते हैं। जिस अभिलाक्षणिक ऊर्जा स्तर तक इलेक्ट्रॉन भरे होते हैं उसे फर्मी स्तर कहते हैं। बैंड संरचना के संबंध में फर्मी स्तर की स्थिति विद्युत चालन के लिए बहुत महत्वपूर्ण है : फर्मी स्तर के पास या उससे ऊपर के ऊर्जा स्तरों में केवल इलेक्ट्रॉन व्यापक सामग्री संरचना के भीतर जाने के लिए स्वतंत्र हैं, चूंकि उस क्षेत्र में आंशिक रूप से व्याप्त राज्यों के बीच इलेक्ट्रॉन आसानी से सम्मलित हो सकते हैं। इसके विपरीत, कम ऊर्जा स्थिति हर समय इलेक्ट्रॉनों की संख्या पर एक निश्चित सीमा से भरे होते हैं, और उच्च ऊर्जा स्थिति हर समय इलेक्ट्रॉनों से खाली होते हैं।


विद्युत प्रवाह में इलेक्ट्रॉनों का प्रवाह होता है। धातुओं में फर्मी स्तर के पास कई इलेक्ट्रॉन ऊर्जा स्तर होते हैं, इसलिए स्थानांतरित करने के लिए कई इलेक्ट्रॉन उपलब्ध होते हैं। यही धातुओं की उच्च इलेक्ट्रॉनिक चालकता का कारण बनता है।
विद्युत प्रवाह में इलेक्ट्रॉनों का प्रवाह होता है। धातुओं में फर्मी स्तर के पास कई इलेक्ट्रॉन ऊर्जा स्तर होते हैं, इसलिए स्थानांतरित करने के लिए कई इलेक्ट्रॉन उपलब्ध होते हैं। यही धातुओं की उच्च इलेक्ट्रॉनिक चालकता का कारण बनता है।


बैंड सिद्धांत का एक महत्वपूर्ण हिस्सा यह है कि ऊर्जा के प्रतिबंधित बैंड हो सकते हैं: ऊर्जा अंतराल जिसमें कोई ऊर्जा स्तर नहीं होता है। इंसुलेटर और सेमीकंडक्टर्स में, इलेक्ट्रॉनों की संख्या कम ऊर्जा बैंड की एक निश्चित पूर्णांक संख्या को बिल्कुल सीमा तक भरने के लिए सही मात्रा है। इस मामले में, फर्मी स्तर एक बैंड गैप के भीतर आता है। चूंकि फर्मी स्तर के पास कोई उपलब्ध अवस्था नहीं है, और इलेक्ट्रॉन स्वतंत्र रूप से चलने योग्य नहीं हैं, इसलिए इलेक्ट्रॉनिक चालकता बहुत कम है।
बैंड सिद्धांत का एक महत्वपूर्ण हिस्सा यह है कि ऊर्जा के प्रतिबंधित बैंड हो सकते हैं: ऊर्जा अंतराल जिसमें कोई ऊर्जा स्तर नहीं होता है। विद्युत्‍रोधन और सेमीचालक्स में, इलेक्ट्रॉनों की संख्या कम ऊर्जा बैंड की एक निश्चित पूर्णांक संख्या को बिल्कुल सीमा तक भरने के लिए सही मात्रा है। इस स्थिति में, फर्मी स्तर एक बैंड गैप के भीतर आता है। चूंकि फर्मी स्तर के पास कोई उपलब्ध अवस्था नहीं है, और इलेक्ट्रॉन स्वतंत्र रूप से चलने योग्य नहीं हैं, इसलिए इलेक्ट्रॉनिक चालकता बहुत कम है।


=== धातुओं में ===
=== धातुओं में ===
{{main|Free electron model}}
{{main|मुक्त इलेक्ट्रॉन मॉडल}}
[[File:Newtons cradle animation.ogv|right|thumb|न्यूटन के पालने में गेंदों की तरह, एक धातु में इलेक्ट्रॉन अपने स्वयं के नगण्य आंदोलन के बावजूद, एक टर्मिनल से दूसरे में ऊर्जा स्थानांतरित करते हैं।]]
[[File:Newtons cradle animation.ogv|right|thumb|न्यूटन के पालने में गेंदों की तरह, एक धातु में इलेक्ट्रॉन अपने स्वयं के नगण्य आंदोलन के अतिरिक्त, एक टर्मिनल से दूसरे में ऊर्जा स्थानांतरित करते हैं।]]
एक [[ धातु |धातु]] में [[ परमाणु |परमाणु]] ओं की एक [[ क्रिस्टल लैटिस |क्रिस्टल लैटिस]] होती है, प्रत्येक में इलेक्ट्रॉनों के बाहरी आवरण होते हैं जो अपने मूल परमाणुओं से स्वतंत्र रूप से अलग हो जाते हैं और जाली के माध्यम से यात्रा करते हैं। इसे एक सकारात्मक आयनिक जाली के रूप में भी जाना जाता है।<ref>[https://web.archive.org/web/20120416024619/http://ibchem.com/IB/ibnotes/brief/bon-sl.htm Bonding (sl)]. ibchem.com</ref> वियोज्य इलेक्ट्रॉनों का यह 'समुद्र' धातु को विद्युत प्रवाह का संचालन करने की अनुमति देता है। जब एक विद्युत संभावित अंतर (एक [[ वोल्टेज ]]) धातु पर लागू होता है, तो परिणामी विद्युत क्षेत्र इलेक्ट्रॉनों को सकारात्मक टर्मिनल की ओर ले जाने का कारण बनता है। मीटर प्रति घंटे के परिमाण के क्रम में इलेक्ट्रॉनों का वास्तविक बहाव वेग सामान्यतः छोटा होता है। हालांकि, गतिमान इलेक्ट्रॉनों की भारी संख्या के कारण, यहां तक ​​कि एक धीमी बहाव वेग के परिणामस्वरूप एक बड़ा वर्तमान घनत्व होता है।<ref name=classroom>{{cite web|url=http://www.physicsclassroom.com/Class/circuits/u9l2c.cfm#p6 |title=Current versus Drift Speed |publisher=The physics classroom |access-date=20 August 2014}}</ref> यह क्रियाविधि न्यूटन के पालने में गेंदों के संवेग के स्थानांतरण के समान है<ref>{{cite book|url=http://www.dummies.com/how-to/content/electronics-basics-direct-and-alternating-current.html |title=Electronics All-in-One For Dummies |last=Lowe |first=Doug |isbn=978-0-470-14704-7 |publisher=John Wiley & Sons |year=2012}}</ref> लेकिन एक तार के साथ विद्युत ऊर्जा का तेजी से प्रसार यांत्रिक बलों के कारण नहीं होता है, बल्कि तार द्वारा निर्देशित ऊर्जा-वाहक विद्युत चुम्बकीय क्षेत्र का प्रसार होता है।
एक [[ धातु |धातु]] में [[ परमाणु |परमाणु]] ओं की एक [[ क्रिस्टल लैटिस |क्रिस्टल लैटिस]] होती है, प्रत्येक में इलेक्ट्रॉनों के बाहरी आवरण होते हैं जो अपने मूल परमाणुओं से स्वतंत्र रूप से अलग हो जाते हैं और जाली के माध्यम से यात्रा करते हैं। इसे एक सकारात्मक आयनिक जाली के रूप में भी जाना जाता है।<ref>[https://web.archive.org/web/20120416024619/http://ibchem.com/IB/ibnotes/brief/bon-sl.htm Bonding (sl)]. ibchem.com</ref> वियोज्य इलेक्ट्रॉनों का यह 'समुद्र' धातु को विद्युत प्रवाह का संचालन करने की अनुमति देता है। जब एक विद्युत संभावित अंतर (एक [[ वोल्टेज ]]) धातु पर लागू होता है, तो परिणामी विद्युत क्षेत्र इलेक्ट्रॉनों को सकारात्मक टर्मिनल की ओर ले जाने का कारण बनता है। मीटर प्रति घंटे के परिमाण के क्रम में इलेक्ट्रॉनों का वास्तविक बहाव वेग सामान्यतः छोटा होता है। चूँकि, गतिमान इलेक्ट्रॉनों की भारी संख्या के कारण, यहां तक ​​कि एक धीमी बहाव वेग के परिणामस्वरूप एक बड़ा धारा घनत्व होता है।<ref name=classroom>{{cite web|url=http://www.physicsclassroom.com/Class/circuits/u9l2c.cfm#p6 |title=Current versus Drift Speed |publisher=The physics classroom |access-date=20 August 2014}}</ref> यह क्रियाविधि न्यूटन के पालने में गेंदों के संवेग के स्थानांतरण के समान है<ref>{{cite book|url=http://www.dummies.com/how-to/content/electronics-basics-direct-and-alternating-current.html |title=Electronics All-in-One For Dummies |last=Lowe |first=Doug |isbn=978-0-470-14704-7 |publisher=John Wiley & Sons |year=2012}}</ref> किन्तु एक तार के साथ विद्युत ऊर्जा का तेजी से प्रसार यांत्रिक ऊर्जाों के कारण नहीं होता है, ऊर्जा्कि तार द्वारा निर्देशित ऊर्जा-वाहक विद्युत चुम्बकीय क्षेत्र का प्रसार होता है।


अधिकांश धातुओं में विद्युत प्रतिरोध होता है। सरल मॉडल (गैर क्वांटम मैकेनिकल मॉडल) में इसे इलेक्ट्रॉनों और क्रिस्टल जाली को तरंग जैसी संरचना से बदलकर समझाया जा सकता है। जब इलेक्ट्रॉन तरंग जाली के माध्यम से यात्रा करती है, तो तरंगें हस्तक्षेप करती हैं, जो प्रतिरोध का कारण बनती हैं। जाली जितनी अधिक नियमित होती है, उतनी ही कम अशांति होती है और इस प्रकार कम प्रतिरोध होता है। इस प्रकार प्रतिरोध की मात्रा मुख्य रूप से दो कारकों के कारण होती है। सबसे पहले, यह तापमान और इस प्रकार क्रिस्टल जाली के कंपन की मात्रा के कारण होता है। उच्च तापमान बड़े कंपन पैदा करते हैं, जो जाली में अनियमितताओं के रूप में कार्य करते हैं। दूसरा, धातु की शुद्धता प्रासंगिक है क्योंकि विभिन्न आयनों का मिश्रण भी एक अनियमितता है।<ref>{{cite web|url=http://education.jlab.org/qa/current_02.html |title=Questions & Answers – How do you explain electrical resistance?|author=Keith Welch|access-date=28 April 2017 |publisher=[[Thomas Jefferson National Accelerator Facility]]}}</ref><ref>{{cite web|title=Electromigration : What is electromigration?|url=http://www.csl.mete.metu.edu.tr/Electromigration/emig.htm|publisher=Middle East Technical University|access-date=31 July 2017 |quote=When electrons are conducted through a metal, they interact with imperfections in the lattice and scatter. […] Thermal energy produces scattering by causing atoms to vibrate. This is the source of resistance of metals.}}</ref> शुद्ध धातुओं के पिघलने पर चालकता में थोड़ी कमी लंबी दूरी के क्रिस्टलीय क्रम के नुकसान के कारण होती है। शॉर्ट रेंज ऑर्डर बना रहता है और आयनों की स्थिति के बीच मजबूत सहसंबंध के परिणामस्वरूप आसन्न आयनों द्वारा विवर्तित तरंगों के बीच सामंजस्य होता है।<ref>{{cite book |last1=Faber |first1=T.E. |title=Introduction to the Theory of Liquid Metals |date=1972 |publisher=Cambridge University Press |isbn=9780521154499 |url=https://www.cambridge.org/us/academic/subjects/physics/condensed-matter-physics-nanoscience-and-mesoscopic-physics/introduction-theory-liquid-metals?format=PB}}</ref>
अधिकांश धातुओं में विद्युत प्रतिरोध होता है। सरल मॉडल (गैर क्वांटम मैकेनिकल मॉडल) में इसे इलेक्ट्रॉनों और क्रिस्टल जाली को तरंग जैसी संरचना से बदलकर समझाया जा सकता है। जब इलेक्ट्रॉन तरंग जाली के माध्यम से यात्रा करती है, तो तरंगें हस्तक्षेप करती हैं, जो प्रतिरोध का कारण बनती हैं। जाली जितनी अधिक नियमित होती है, उतनी ही कम अशांति होती है और इस प्रकार कम प्रतिरोध होता है। इस प्रकार प्रतिरोध की मात्रा मुख्य रूप से दो कारकों के कारण होती है। सबसे पहले, यह तापमान और इस प्रकार क्रिस्टल जाली के कंपन की मात्रा के कारण होता है। उच्च तापमान बड़े कंपन उत्पन्नकरते हैं, जो जाली में अनियमितताओं के रूप में कार्य करते हैं। दूसरा, धातु की शुद्धता प्रासंगिक है क्योंकि विभिन्न आयनों का मिश्रण भी एक अनियमितता है।<ref>{{cite web|url=http://education.jlab.org/qa/current_02.html |title=Questions & Answers – How do you explain electrical resistance?|author=Keith Welch|access-date=28 April 2017 |publisher=[[Thomas Jefferson National Accelerator Facility]]}}</ref><ref>{{cite web|title=Electromigration : What is electromigration?|url=http://www.csl.mete.metu.edu.tr/Electromigration/emig.htm|publisher=Middle East Technical University|access-date=31 July 2017 |quote=When electrons are conducted through a metal, they interact with imperfections in the lattice and scatter. […] Thermal energy produces scattering by causing atoms to vibrate. This is the source of resistance of metals.}}</ref> शुद्ध धातुओं के पिघलने पर चालकता में थोड़ी कमी लंबी दूरी के क्रिस्टलीय क्रम के नुकसान के कारण होती है। शॉर्ट रेंज ऑर्डर बना रहता है और आयनों की स्थिति के बीच मजबूत सहसंबंध के परिणामस्वरूप आसन्न आयनों द्वारा विवर्तित तरंगों के बीच सामंजस्य होता है।<ref>{{cite book |last1=Faber |first1=T.E. |title=Introduction to the Theory of Liquid Metals |date=1972 |publisher=Cambridge University Press |isbn=9780521154499 |url=https://www.cambridge.org/us/academic/subjects/physics/condensed-matter-physics-nanoscience-and-mesoscopic-physics/introduction-theory-liquid-metals?format=PB}}</ref>




=== अर्धचालक और इन्सुलेटर में ===
=== अर्धचालक और इन्सुलेटर में ===
{{main|Semiconductor|Insulator (electricity)}}
{{main|
धातुओं में, फर्मी स्तर कंडक्शन बैंड में होता है (ऊपर बैंड थ्योरी देखें) मुक्त चालन इलेक्ट्रॉनों को जन्म देता है। हालांकि, [[ अर्धचालकों ]] में फर्मी स्तर की स्थिति बैंड गैप के भीतर होती है, कंडक्शन बैंड न्यूनतम (अनफिल्ड इलेक्ट्रॉन ऊर्जा स्तरों के पहले बैंड के नीचे) और वैलेंस बैंड अधिकतम (कंडक्शन के नीचे बैंड का शीर्ष) के बीच लगभग आधा होता है। बैंड, भरे हुए इलेक्ट्रॉन ऊर्जा स्तरों का)। यह आंतरिक (अनडॉप्ड) अर्धचालकों के लिए लागू होता है। इसका मतलब है कि परम शून्य तापमान पर, कोई मुक्त चालन इलेक्ट्रॉन नहीं होगा, और प्रतिरोध अनंत है। हालांकि, कंडक्शन बैंड में चार्ज कैरियर घनत्व (यानी, आगे की जटिलताओं को पेश किए बिना, इलेक्ट्रॉनों का घनत्व) के रूप में प्रतिरोध कम हो जाता है। बाह्य (डॉप्ड) अर्धचालकों में, डोपेंट परमाणु [[ चालन बैंड ]] में इलेक्ट्रॉनों को दान करके या वैलेंस बैंड में छेद पैदा करके बहुसंख्यक चार्ज वाहक एकाग्रता को बढ़ाते हैं। (एक छेद एक ऐसी स्थिति है जहां एक इलेक्ट्रॉन गायब है; ऐसे छेद इलेक्ट्रॉनों के समान व्यवहार कर सकते हैं।) दोनों प्रकार के दाता या स्वीकर्ता परमाणुओं के लिए, डोपेंट घनत्व बढ़ने से प्रतिरोध कम हो जाता है। इसलिए, अत्यधिक डोप किए गए अर्धचालक धात्विक रूप से व्यवहार करते हैं। बहुत अधिक तापमान पर, डोपेंट परमाणुओं के योगदान पर ऊष्मीय रूप से उत्पन्न वाहकों का योगदान हावी होता है, और तापमान के साथ प्रतिरोध तेजी से घटता है।
अर्धचालक| विद्युतरोधी (बिजली)}}
 
धातुओं में, फर्मी स्तर चालन बैंड में होता है (ऊपर बैंड थ्योरी देखें) मुक्त चालन इलेक्ट्रॉनों को जन्म देता है। चूँकि, [[ अर्धचालकों ]] में फर्मी स्तर की स्थिति बैंड गैप के भीतर होती है, चालन बैंड न्यूनतम (अभरित इलेक्ट्रॉन ऊर्जा स्तरों के पहले बैंड के नीचे) और संयोजी बंध अधिकतम (कंडक्शन के नीचे बैंड का शीर्ष) के बीच लगभग आधा होता है। बैंड, भरे हुए इलेक्ट्रॉन ऊर्जा स्तरों का)। यह आंतरिक (पूर्ववत) अर्धचालकों के लिए लागू होता है। इसका मतलब है कि परम शून्य तापमान पर, कोई मुक्त चालन इलेक्ट्रॉन नहीं होगा, और प्रतिरोध अनंत है। चूँकि, चालन बैंड में आवेश कैरियर घनत्व (अर्थात, आगे की जटिलताओं को प्रस्तुत किए बिना, इलेक्ट्रॉनों का घनत्व) के रूप में प्रतिरोध कम हो जाता है। बाह्य (डोपित) अर्धचालकों में, डोपित परमाणु [[ चालन बैंड |चालन बैंड]] में इलेक्ट्रॉनों को दान करके या संयोजी बंध में छेद उत्पन्नकरके बहुसंख्यक आवेश वाहक एकाग्रता को बढ़ाते हैं। (एक छेद एक ऐसी स्थिति है जहां एक इलेक्ट्रॉन गायब है; ऐसे छेद इलेक्ट्रॉनों के समान व्यवहार कर सकते हैं।) दोनों प्रकार के दाता या स्वीकर्ता परमाणुओं के लिए, डोपित घनत्व बढ़ने से प्रतिरोध कम हो जाता है। इसलिए, अत्यधिक डोप किए गए अर्धचालक धात्विक रूप से व्यवहार करते हैं। बहुत अधिक तापमान पर, डोपित परमाणुओं के योगदान पर ऊष्मीय रूप से उत्पन्न वाहकों का योगदान हावी होता है, और तापमान के साथ प्रतिरोध तेजी से घटता है।


=== आयनिक तरल पदार्थ/इलेक्ट्रोलाइट्स में ===
=== आयनिक तरल पदार्थ/इलेक्ट्रोलाइट्स में ===
{{main|Conductivity (electrolytic)}}
{{main|चालकता (इलेक्ट्रोलाइटिक)}}
[[ इलेक्ट्रोलाइट ]]्स में, विद्युत चालन बैंड इलेक्ट्रॉनों या छिद्रों से नहीं होता है, बल्कि पूर्ण परमाणु प्रजातियों ([[ आयन ]]ों) द्वारा यात्रा करता है, जिनमें से प्रत्येक में विद्युत आवेश होता है। आयनिक विलयनों (इलेक्ट्रोलाइट्स) की प्रतिरोधकता सांद्रता के साथ काफी भिन्न होती है - जबकि आसुत जल लगभग एक इन्सुलेटर है, [[ खारा पानी ]] एक उचित विद्युत कंडक्टर है। आयनिक द्रवों में चालन भी आयनों की गति से नियंत्रित होता है, लेकिन यहाँ हम विलेय आयनों की बजाय गलित लवणों की बात कर रहे हैं। [[ कोशिका झिल्ली ]] में धाराएं आयनिक लवणों द्वारा प्रवाहित होती हैं। कोशिका झिल्लियों में छोटे छेद, जिन्हें [[ आयन चैनल ]] कहा जाता है, विशिष्ट आयनों के लिए चयनात्मक होते हैं और झिल्ली प्रतिरोध को निर्धारित करते हैं।
[[ इलेक्ट्रोलाइट ]]्स में, विद्युत चालन बैंड इलेक्ट्रॉनों या छिद्रों से नहीं होता है, ऊर्जा्कि पूर्ण परमाणु प्रजातियों ([[ आयन ]]ों) द्वारा यात्रा करता है, जिनमें से प्रत्येक में विद्युत आवेश होता है। आयनिक विलयनों (इलेक्ट्रोलाइट्स) की प्रतिरोधकता सांद्रता के साथ काफी भिन्न होती है - जबकि आसुत जल लगभग एक इन्सुलेटर है, [[ खारा पानी ]] एक उचित विद्युत चालक है। आयनिक द्रवों में चालन भी आयनों की गति से नियंत्रित होता है, किन्तु यहाँ हम विलेय आयनों की बजाय गलित लवणों की बात कर रहे हैं। [[ कोशिका झिल्ली ]] में धाराएं आयनिक लवणों द्वारा प्रवाहित होती हैं। कोशिका झिल्लियों में छोटे छेद, जिन्हें [[ आयन चैनल ]] कहा जाता है, विशिष्ट आयनों के लिए चयनात्मक होते हैं और झिल्ली प्रतिरोध को निर्धारित करते हैं।


एक तरल में आयनों की एकाग्रता (उदाहरण के लिए, एक जलीय घोल में) एक हदबंदी गुणांक द्वारा विशेषता, भंग पदार्थ के पृथक्करण की डिग्री पर निर्भर करती है <math>\alpha</math>, जो आयनों की सांद्रता का अनुपात है <math>N</math> भंग पदार्थ के अणुओं की एकाग्रता के लिए <math>N_0</math>:
एक तरल में आयनों की एकाग्रता (उदाहरण के लिए, एक जलीय घोल में) एक हदबंदी गुणांक द्वारा विशेषता, भंग पदार्थ के पृथक्करण की डिग्री पर निर्भर करती है <math>\alpha</math>, जो आयनों की सांद्रता का अनुपात है <math>N</math> भंग पदार्थ के अणुओं की एकाग्रता के लिए <math>N_0</math>:


<math display=block>N = \alpha N_0 ~.</math>
<math display=block>N = \alpha N_0 ~.</math>
विशिष्ट विद्युत चालकता (<math>\sigma</math>) एक समाधान के बराबर है:
विशिष्ट विद्युत चालकता (<math>\sigma</math>) एक विलयन के बराबर है:


<math display=block> \sigma = q\left(b^+ + b^-\right)\alpha N_0 ~,</math>
<math display=block> \sigma = q\left(b^+ + b^-\right)\alpha N_0 ~,</math>
कहाँ पे <math>q</math>: आयन चार्ज का मॉड्यूल, <math>b^+</math> तथा <math>b^-</math>: धनात्मक तथा ऋणावेशित आयनों की गतिशीलता, <math>N_0</math>: घुले हुए पदार्थ के अणुओं की सांद्रता, <math>\alpha</math>: हदबंदी का गुणांक।
जहाँ पे <math>q</math>: आयन आवेश का मॉड्यूल, <math>b^+</math> तथा <math>b^-</math>: धनात्मक तथा ऋणावेशित आयनों की गतिशीलता, <math>N_0</math>: घुले हुए पदार्थ के अणुओं की सांद्रता, <math>\alpha</math>: हदबंदी का गुणांक।


=== अतिचालकता ===
=== अतिचालकता ===
{{main|Superconductivity}}
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अतिचालकता}}
[[File:Superconductivity 1911.gif|thumb|तापमान के एक कार्य के रूप में पारा तार के प्रतिरोध को दिखाते हुए [[ हेइक कामेरलिंग ओन्नेस ]] द्वारा 1911 के प्रयोग से मूल डेटा। प्रतिरोध में अचानक गिरावट अतिचालक संक्रमण है।]]
[[File:Superconductivity 1911.gif|thumb|तापमान के एक कार्य के रूप में पारा तार के प्रतिरोध को दिखाते हुए [[ हेइक कामेरलिंग ओन्नेस ]] द्वारा 1911 के प्रयोग से मूल डेटा। प्रतिरोध में अचानक गिरावट अतिचालक संक्रमण है।]]
तापमान कम होने पर धातु के कंडक्टर की विद्युत प्रतिरोधकता धीरे-धीरे कम हो जाती है। तांबे या [[ चांदी ]] जैसे सामान्य (अर्थात गैर-अतिचालक) कंडक्टरों में, यह कमी अशुद्धियों और अन्य दोषों से सीमित होती है। निरपेक्ष शून्य के पास भी, एक सामान्य कंडक्टर का वास्तविक नमूना कुछ प्रतिरोध दिखाता है। एक सुपरकंडक्टर में, जब सामग्री को उसके महत्वपूर्ण तापमान से नीचे ठंडा किया जाता है, तो प्रतिरोध अचानक शून्य हो जाता है। एक सामान्य कंडक्टर में, करंट एक वोल्टेज ग्रेडिएंट द्वारा संचालित होता है, जबकि एक सुपरकंडक्टर में, कोई वोल्टेज ग्रेडिएंट नहीं होता है और करंट इसके बजाय सुपरकंडक्टिंग ऑर्डर पैरामीटर के फेज ग्रेडिएंट से संबंधित होता है।<ref>
तापमान कम होने पर धातु के चालक की विद्युत प्रतिरोधकता धीरे-धीरे कम हो जाती है। तांबे या [[ चांदी ]] जैसे सामान्य (अर्थात गैर-अतिचालक) चालकों में, यह कमी अशुद्धियों और अन्य दोषों से सीमित होती है। निरपेक्ष शून्य के पास भी, एक सामान्य चालक का वास्तविक नमूना कुछ प्रतिरोध दिखाता है। एक अतिचालकता में, जब पदार्थ को उसके महत्वपूर्ण तापमान से नीचे ठंडा किया जाता है, तो प्रतिरोध अचानक शून्य हो जाता है। एक सामान्य चालक में, धारा एक वोल्टेज प्रवणपता द्वारा संचालित होता है, जबकि एक अतिचालकता में, कोई वोल्टेज प्रवणपता नहीं होता है और धारा इसके बजाय अतिचालकता ऑर्डर पैरामीटर के चरण प्रवणपता से संबंधित होता है।<ref>
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}}</ref> इसका एक परिणाम यह होता है कि [[ अतिचालक तार ]] के लूप में बहने वाली विद्युत धारा बिना किसी शक्ति स्रोत के अनिश्चित काल तक बनी रह सकती है।<ref name="Gallop">
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सुपरकंडक्टर्स के एक वर्ग में [[ टाइप II सुपरकंडक्टर ]]्स के रूप में जाना जाता है, जिसमें सभी ज्ञात उच्च-तापमान सुपरकंडक्टर्स शामिल हैं, एक बेहद कम लेकिन गैर-शून्य प्रतिरोधकता नाममात्र सुपरकंडक्टिंग संक्रमण से बहुत नीचे तापमान पर दिखाई देती है जब एक विद्युत प्रवाह एक मजबूत चुंबकीय क्षेत्र के संयोजन के साथ लागू होता है, जो विद्युत प्रवाह के कारण हो सकता है। यह इलेक्ट्रॉनिक सुपरफ्लुइड में एब्रिकोसोव भंवर की गति के कारण है, जो वर्तमान द्वारा की गई कुछ ऊर्जा को नष्ट कर देता है। इस प्रभाव के कारण प्रतिरोध गैर-अतिचालक सामग्री की तुलना में छोटा है, लेकिन संवेदनशील प्रयोगों में इसे ध्यान में रखा जाना चाहिए। हालांकि, जैसे-जैसे तापमान नाममात्र सुपरकंडक्टिंग संक्रमण से काफी कम हो जाता है, ये भंवर जमे हुए हो सकते हैं ताकि सामग्री का प्रतिरोध वास्तव में शून्य हो जाए।
 
अतिचालकता के एक वर्ग में [[ टाइप II सुपरकंडक्टर |टाइप II अतिचालकता]] के रूप में जाना जाता है, जिसमें सभी ज्ञात उच्च-तापमान अतिचालकता्स सम्मलित हैं, एक बेहद कम किन्तु गैर-शून्य प्रतिरोधकता नाममात्र अतिचालकता संक्रमण से बहुत नीचे तापमान पर दिखाई देती है जब एक विद्युत प्रवाह एक मजबूत चुंबकीय क्षेत्र के संयोजन के साथ लागू होता है, जो विद्युत प्रवाह के कारण हो सकता है। यह इलेक्ट्रॉनिक सुपरफ्लुइड में एब्रिकोसोव भंवर की गति के कारण है, जो धारा द्वारा की गई कुछ ऊर्जा को नष्ट कर देता है। इस प्रभाव के कारण प्रतिरोध गैर-अतिचालक पदार्थ की तुलना में छोटा है, किन्तु संवेदनशील प्रयोगों में इसे ध्यान में रखा जाना चाहिए। चूँकि, जैसे-जैसे तापमान नाममात्र अतिचालकता संक्रमण से काफी कम हो जाता है, ये भंवर जमे हुए हो सकते हैं जिससे कि  पदार्थ का प्रतिरोध वास्तव में शून्य हो जाए।


=== प्लाज्मा ===
=== प्लाज्मा ===
{{main|Plasma (physics)}}
{{main|
[[File:Lightning over Oradea Romania 3.jpg|thumb|right|बिजली पृथ्वी की सतह पर मौजूद प्लाज्मा का एक उदाहरण है। सामान्यतः, बिजली 100 मिलियन वोल्ट तक 30,000 एम्पीयर का निर्वहन करती है, और प्रकाश, रेडियो तरंगों और एक्स-रे का उत्सर्जन करती है।<ref>See [http://www.nasa.gov/vision/universe/solarsystem/rhessi_tgf.html Flashes in the Sky: Earth's Gamma-Ray Bursts Triggered by Lightning]</ref> बिजली में प्लाज्मा का तापमान 30,000 केल्विन (29,727 डिग्री सेल्सियस) (53,540 डिग्री फारेनहाइट) तक पहुंच सकता है, या सूर्य की सतह के तापमान से पांच गुना अधिक गर्म हो सकता है, और इलेक्ट्रॉन घनत्व 10 से अधिक हो सकता है।<sup>24</sup> मी<sup>-3</sup>.]]
प्लाज्मा (भौतिकी)}}
प्लाज्मा बहुत अच्छे चालक होते हैं और विद्युत विभव एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं।
[[File:Lightning over Oradea Romania 3.jpg|thumb|right|बिजली पृथ्वी की सतह पर सम्मलित प्लाज्मा का एक उदाहरण है। सामान्यतः, बिजली 100 मिलियन वोल्ट तक 30,000 एम्पीयर का निर्वहन करती है, और प्रकाश, रेडियो तरंगों और एक्स-रे का उत्सर्जन करती है।<ref>See [http://www.nasa.gov/vision/universe/solarsystem/rhessi_tgf.html Flashes in the Sky: Earth's Gamma-Ray Bursts Triggered by Lightning]</ref> बिजली में प्लाज्मा का तापमान 30,000 केल्विन (29,727 डिग्री सेल्सियस) (53,540 डिग्री फारेनहाइट) तक पहुंच सकता है, या सूर्य की सतह के तापमान से पांच गुना अधिक गर्म हो सकता है, और इलेक्ट्रॉन घनत्व 10 से अधिक हो सकता है।<sup>24</sup> मी<sup>-3</sup>.]]
प्लाज़्मा बहुत अच्छे संवाहक होते हैं और विद्युत क्षमता एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाती है।


आवेशित कणों के बीच की जगह में औसतन मौजूद होने की क्षमता, इस सवाल से स्वतंत्र है कि इसे कैसे मापा जा सकता है, इसे प्लाज्मा क्षमता या अंतरिक्ष क्षमता कहा जाता है। यदि एक इलेक्ट्रोड को प्लाज्मा में डाला जाता है, तो इसकी क्षमता सामान्यतः प्लाज्मा क्षमता से काफी कम होती है, जिसे डेबी म्यान कहा जाता है। प्लाज़्मा की अच्छी विद्युत चालकता उनके विद्युत क्षेत्र को बहुत छोटा कर देती है। इसका परिणाम क्वासिन्युट्रैलिटी की महत्वपूर्ण अवधारणा में होता है, जो कहता है कि ऋणात्मक आवेशों का घनत्व प्लाज्मा के बड़े आयतन पर धनात्मक आवेशों के घनत्व के लगभग बराबर होता है ({{math|1=''n''<sub>e</sub> = ⟨Z⟩>''n''<sub>i</sub>}}), लेकिन डेबी की लंबाई के पैमाने पर चार्ज असंतुलन हो सकता है। विशेष मामले में जब [[ डबल परत (प्लाज्मा) ]] बनती है, चार्ज पृथक्करण कुछ दसियों [[ डेबी लंबाई ]] बढ़ा सकता है।
आवेशित कणों के बीच की जगह में औसतम सम्मलित क्षमता, इस सवाल से स्वतंत्र कि इसे कैसे मापा जा सकता है, इसे प्लाज्मा क्षमता या अंतरिक्ष क्षमता कहा जाता है। यदि एक इलेक्ट्रोड को प्लाज्मा में डाला जाता है, तो इसकी क्षमता सामान्यतः प्लाज्मा क्षमता से काफी कम होती है, जिसे डेबी म्यान कहा जाता है। प्लाज़्मा की अच्छी विद्युत चालकता उनके विद्युत क्षेत्र को बहुत छोटा बना देती है। यह अर्ध-तटस्थता की महत्वपूर्ण अवधारणा का परिणाम है, जो कि ऋणात्मक आवेशों का घनत्व प्लाज्मा के बड़े आयतन पर धनात्मक आवेशों के घनत्व के लगभग बराबर होता है ({{math|1=''n''<sub>e</sub> = ⟨Z⟩>''n''<sub>i</sub>}}), किन्तु डेबी की लंबाई के पैमाने पर आवेश असंतुलन हो सकता है। विशेष स्थिति में जब [[ डबल परत (प्लाज्मा) |दोहरी ऊर्जा परत (प्लाज्मा)]] बनती है, आवेश पृथक्करण कुछ दसियों डिबाई लंबाई का विस्तार कर सकता है।


क्षमता और विद्युत क्षेत्रों का परिमाण केवल शुद्ध आवेश घनत्व को खोजने के अलावा अन्य माध्यमों से निर्धारित किया जाना चाहिए। एक सामान्य उदाहरण यह मान लेना है कि इलेक्ट्रॉन [[ बोल्ट्जमान संबंध ]] को संतुष्ट करते हैं:
क्षमता और विद्युत क्षेत्रों का परिमाण केवल शुद्ध आवेश घनत्व को खोजने के अलावा अन्य माध्यमों से निर्धारित किया जाना चाहिए। एक सामान्य उदाहरण यह मान लेना है कि इलेक्ट्रॉन [[ बोल्ट्जमान संबंध |बोल्ट्जमान संबंध]] को संतुष्ट करते हैं:
<math display=block>n_\text{e} \propto e^{e\Phi/k_\text{B} T_\text{e}}.</math>
<math display=block>n_\text{e} \propto e^{e\Phi/k_\text{B} T_\text{e}}.</math>
इस संबंध को अलग करने से घनत्व से विद्युत क्षेत्र की गणना करने का एक साधन मिलता है:
इस संबंध को अलग करने से घनत्व से विद्युत क्षेत्र की गणना करने का एक साधन मिलता है:
<math display=block>\mathbf{E} = -\frac{k_\text{B} T_\text{e}}{e}\frac{\nabla n_\text{e}}{n_\text{e}}.</math>
<math display=block>\mathbf{E} = -\frac{k_\text{B} T_\text{e}}{e}\frac{\nabla n_\text{e}}{n_\text{e}}.</math>
(∇ वेक्टर [[ ढाल ]] ऑपरेटर है; अधिक जानकारी के लिए [[ नाबला प्रतीक ]] और ग्रेडिएंट देखें।)
(∇ वेक्टर [[ ढाल |ढाल]] संचालक है; अधिक जानकारी के लिए [[ नाबला प्रतीक |ऊर्जाा प्रतीक]] और प्रवणपता देखें।)


ऐसे प्लाज्मा का उत्पादन करना संभव है जो क्वासीन्यूट्रल नहीं है। उदाहरण के लिए, एक इलेक्ट्रॉन बीम में केवल ऋणात्मक आवेश होते हैं। गैर-तटस्थ प्लाज्मा का घनत्व आम तौर पर बहुत कम होना चाहिए, या यह बहुत छोटा होना चाहिए। अन्यथा, प्रतिकारक [[ विद्युत बल ]] इसे नष्ट कर देता है।
ऐसे प्लाज्मा का उत्पादन करना संभव है जो क्वासीन्यूट्रल नहीं है। उदाहरण के लिए, एक इलेक्ट्रॉन बीम में केवल ऋणात्मक आवेश होते हैं। गैर-तटस्थ प्लाज्मा का घनत्व सामान्यतः बहुत कम होना चाहिए, या यह बहुत छोटा होना चाहिए। अन्यथा, प्रतिकारक [[ विद्युत बल |विद्युत ऊर्जा]] इसे नष्ट कर देता है।


[[ एस्ट्रोफिजिकल ]] प्लाज़्मा में, [[ विद्युत क्षेत्र स्क्रीनिंग ]] बिजली के क्षेत्रों को बड़ी दूरी पर प्लाज्मा को सीधे प्रभावित करने से रोकती है, यानी डेबी लंबाई से अधिक। हालांकि, आवेशित कणों के अस्तित्व के कारण प्लाज्मा उत्पन्न होता है, और [[ चुंबकीय क्षेत्र ]] से प्रभावित होता है। यह अत्यंत जटिल व्यवहार का कारण बन सकता है और करता है, जैसे प्लाज्मा डबल परतों की पीढ़ी, एक वस्तु जो कुछ दसियों डेबी लंबाई पर चार्ज को अलग करती है। [[ मैग्नेटोहाइड्रोडायनामिक्स ]] के अकादमिक अनुशासन में बाहरी और स्व-निर्मित चुंबकीय क्षेत्रों के साथ बातचीत करने वाले प्लाज़्मा की गतिशीलता का अध्ययन किया जाता है।
[[ एस्ट्रोफिजिकल ]]प्लाज़्मा में, [[ विद्युत क्षेत्र स्क्रीनिंग |विद्युत क्षेत्र स्क्रीनिंग]] बिजली के क्षेत्रों को बड़ी दूरी पर प्लाज्मा को सीधे प्रभावित करने से रोकती है, अर्थात डेबी लंबाई से अधिक। चूँकि, आवेशित कणों के अस्तित्व के कारण प्लाज्मा उत्पन्न होता है, और [[ चुंबकीय क्षेत्र |चुंबकीय क्षेत्र]] से प्रभावित होता है। यह अत्यंत जटिल व्यवहार का कारण बन सकता है और करता है, जैसे प्लाज्मा ऊर्जा परतों की पीढ़ी, एक वस्तु जो कुछ दसियों डेबी लंबाई पर आवेश को अलग करती है। [[ मैग्नेटोहाइड्रोडायनामिक्स ]]के अकादमिक अनुशासन में बाहरी और स्व-निर्मित चुंबकीय क्षेत्रों के साथ बातचीत करने वाले प्लाज़्मा की गतिशीलता का अध्ययन किया जाता है।


प्लाज्मा को अक्सर ठोस, तरल और गैसों के बाद पदार्थ की चौथी अवस्था कहा जाता है।<ref>Yaffa Eliezer, Shalom Eliezer, ''The Fourth State of Matter: An Introduction to the Physics of Plasma'', Publisher: Adam Hilger, 1989, {{ISBN|978-0-85274-164-1}}, 226 pages, page 5</ref><ref>{{cite book|author=Bittencourt, J.A.|title=Fundamentals of Plasma Physics|publisher=Springer|year=2004|isbn=9780387209753|page=1|url=https://books.google.com/books?id=qCA64ys-5bUC&pg=PA1}}</ref> यह इन और पदार्थ की अन्य निम्न-ऊर्जा अवस्थाओं से अलग है। यद्यपि यह गैस चरण से निकटता से संबंधित है, इसका कोई निश्चित रूप या आयतन भी नहीं है, यह निम्नलिखित सहित कई तरीकों से भिन्न होता है:
प्लाज्मा को अधिकांशतः ठोस, तरल और गैसों के बाद पदार्थ की चौथी अवस्था कहा जाता है।<ref>Yaffa Eliezer, Shalom Eliezer, ''The Fourth State of Matter: An Introduction to the Physics of Plasma'', Publisher: Adam Hilger, 1989, {{ISBN|978-0-85274-164-1}}, 226 pages, page 5</ref><ref>{{cite book|author=Bittencourt, J.A.|title=Fundamentals of Plasma Physics|publisher=Springer|year=2004|isbn=9780387209753|page=1|url=https://books.google.com/books?id=qCA64ys-5bUC&pg=PA1}}</ref> यह इन और पदार्थ की अन्य निम्न-ऊर्जा अवस्थाओं से अलग है। यद्यपि यह गैस चरण से निकटता से संबंधित है, इसका कोई निश्चित रूप या आयतन भी नहीं है, यह निम्नलिखित सहित कई विधियों से भिन्न होता है:


{| class="wikitable"
{| class="wikitable"
|-
|-
! Property !! Gas !! Plasma
! गुण !! गैस !! प्लाज्मा
|-
|-
! Electrical conductivity
! विद्युत् चालकता
| Very low: air is an excellent insulator until it breaks down into plasma at electric field strengths above 30 kilovolts per centimeter.<ref>{{cite web|url=http://hypertextbook.com/facts/2000/AliceHong.shtml|title=Dielectric Strength of Air|year=2000|first=Alice|last=Hong|work=The Physics Factbook}}</ref>
| बहुत कम: हवा एक उत्कृष्ट विद्युतरोधी है जब तक कि यह 30 किलोवोल्ट प्रति सेंटीमीटर से ऊपर विद्युत क्षेत्र की क्षमता पर प्लाज्मा में टूट न जाए।<ref>{{cite web|url=http://hypertextbook.com/facts/2000/AliceHong.shtml|title=Dielectric Strength of Air|year=2000|first=Alice|last=Hong|work=The Physics Factbook}}</ref>
| Usually very high: for many purposes, the conductivity of a plasma may be treated as infinite.
| सामान्यतः बहुत अधिक: कई उद्देश्यों के लिए, प्लाज्मा की चालकता को अनंत माना जा सकता है।
|-
|-
! Independently acting species
! स्वतन्त्र रूप से 
| One: all gas particles behave in a similar way, influenced by [[gravity]] and by [[collision]]s with one another.
अभिनय वर्ग
| Two or three: [[electron]]s, [[ion]]s, [[proton]]s and [[neutron]]s can be distinguished by the sign and value of their [[electric charge|charge]] so that they behave independently in many circumstances, with different bulk velocities and temperatures, allowing phenomena such as new types of [[waves in plasma|waves]] and [[Instability|instabilities]].
| एक: सभी गैस कण एक समान तरीके से व्यवहार करते हैं, गुरुत्वाकर्षण से प्रभावित होते हैं और एक दूसरे से [[collision|संघटित]] होते हैं।
| दो या तीन: [[electron|इलेक्ट्रॉन]],[[ion|आयन]], [[proton|प्रोटॉन]] और [[neutron|न्यूट्रॉन]] को उनके [[electric charge|आवेश]] के संकेत और मूल्य से अलग किया जा सकता है  जिससे कि  वे कई परिस्थितियों में अलग-अलग ऊर्जा्क वेग और तापमान के साथ स्वतंत्र रूप से व्यवहार करें, जिससे नए प्रकार की [[waves in plasma|तरंगों]] और [[Instability|अस्थिरता जैसी घटनाएं हो सकें।]]
|-
|-
! Velocity distribution
! वेग वितरण
| [[Maxwell–Boltzmann distribution|Maxwellian]]: collisions usually lead to a Maxwellian velocity distribution of all gas particles, with very few relatively fast particles.
| [[Maxwell–Boltzmann distribution|मैक्सवेलियन]]:टकराव सामान्यतः बहुत कम अपेक्षाकृत तेज़ कणों के साथ, सभी गैस कणों के मैक्सवेलियन वेग वितरण की ओर ले जाते हैं।
| Often non-Maxwellian: collisional interactions are often weak in hot plasmas and external forcing can drive the plasma far from local equilibrium and lead to a significant population of unusually fast particles.
| अधिकांशतः गैर-मैक्सवेलियन: गर्म प्लास्मा में टकराव की बातचीत अधिकांशतः कमजोर होती है और बाहरी ऊर्जा प्लाज्मा को स्थानीय संतुलन से दूर कर सकते हैं और असामान्य रूप से तेज कणों की एक महत्वपूर्ण आबादी का नेतृत्व कर सकते हैं।
|-
|-
! Interactions
! पारस्परिक प्रभाव
| Binary: two-particle collisions are the rule, three-body collisions extremely rare.
| बाइनरी: दो-कण टकराव नियम हैं, तीन-निकाय टकराव अत्यंत दुर्लभ हैं।
| Collective: waves, or organized motion of plasma, are very important because the particles can interact at long ranges through the electric and magnetic forces.
| समष्टीय: तरंगें, या प्लाज्मा की संगठित गति, बहुत महत्वपूर्ण हैं क्योंकि कण विद्युत और चुंबकीय ऊर्जाों के माध्यम से लंबी दूरी पर बातचीत कर सकते हैं।
|}
|}




== विभिन्न सामग्रियों की प्रतिरोधकता और चालकता == <!-- [[Supercapacitor]] links here -->
== विभिन्न सामग्रियों की प्रतिरोधकता और चालकता ==  
{{Main|Electrical resistivities of the elements (data page)}}
{{Main|तत्वों की विद्युत प्रतिरोधकता (डेटा पृष्ठ)}}
* धातु जैसे [[ सेमीकंडक्टर ]] में उच्च चालकता और कम प्रतिरोधकता होती है।
* धातु जैसे [[ सेमीकंडक्टर | सेमीचालक]] में उच्च चालकता और कम प्रतिरोधकता होती है।
* [[ कांच ]] जैसे विद्युत इन्सुलेशन में कम चालकता और उच्च प्रतिरोधकता होती है।
* [[ कांच ]] जैसे विद्युत इन्सुलेशन में कम चालकता और उच्च प्रतिरोधकता होती है।
* अर्धचालक की चालकता आम तौर पर मध्यवर्ती होती है, लेकिन विभिन्न परिस्थितियों में व्यापक रूप से भिन्न होती है, जैसे कि विद्युत क्षेत्र या प्रकाश की विशिष्ट आवृत्तियों के लिए सामग्री का एक्सपोजर, और सबसे महत्वपूर्ण, अर्धचालक सामग्री के [[ तापमान ]] और संरचना के साथ।
* अर्धचालक की चालकता सामान्यतःमध्यवर्ती होती है, किन्तु विभिन्न परिस्थितियों में व्यापक रूप से भिन्न होती है, जैसे कि विद्युत क्षेत्र या प्रकाश की विशिष्ट आवृत्तियों के लिए पदार्थ का एक्सपोजर, और सबसे महत्वपूर्ण, अर्धचालक पदार्थ के [[ तापमान |तापमान]] और संरचना के साथ।


डोपिंग की डिग्री (अर्धचालक) चालकता में एक बड़ा अंतर बनाती है। एक बिंदु तक, अधिक डोपिंग से उच्च चालकता होती है। एक [[ पानी (अणु) ]] / [[ जलीय ]] घोल (रसायन विज्ञान) की चालकता भंग [[ लवण ]]ों की सांद्रता, और अन्य रासायनिक प्रजातियों पर अत्यधिक निर्भर है जो समाधान में [[ आयनीकरण ]] करते हैं। पानी के नमूनों की विद्युत चालकता का उपयोग इस बात के संकेतक के रूप में किया जाता है कि नमूना कितना नमक-मुक्त, आयन-मुक्त या अशुद्धता-मुक्त है; पानी जितना शुद्ध होगा, चालकता उतनी ही कम होगी (प्रतिरोधकता जितनी अधिक होगी)। पानी में चालकता माप को अक्सर शुद्ध पानी की चालकता के सापेक्ष विशिष्ट चालकता के रूप में रिपोर्ट किया जाता है {{val|25|u=°C}}. एक [[ ईसी मीटर ]] सामान्यतः एक समाधान में चालकता को मापने के लिए प्रयोग किया जाता है। एक मोटा सारांश इस प्रकार है:
डोपिंग की डिग्री (अर्धचालक) चालकता में एक बड़ा अंतर बनाती है। एक बिंदु तक, अधिक डोपिंग से उच्च चालकता होती है। एक[[ पानी (अणु) ]]/ [[ जलीय |जलीय]] घोल (रसायन विज्ञान) की चालकता भंग [[ लवण |लवणों]] की सांद्रता, और अन्य रासायनिक प्रजातियों पर अत्यधिक निर्भर है जो विलयन में [[ आयनीकरण ]]करते हैं। पानी के नमूनों की विद्युत चालकता का उपयोग इस बात के संकेतक के रूप में किया जाता है कि नमूना कितना नमक-मुक्त, आयन-मुक्त या अशुद्धता-मुक्त है; पानी जितना शुद्ध होगा, चालकता उतनी ही कम होगी (प्रतिरोधकता जितनी अधिक होगी)। पानी में चालकता माप को अधिकांशतः शुद्ध पानी की चालकता के सापेक्ष विशिष्ट चालकता के रूप में रिपोर्ट किया जाता है {{val|25|u=°C}}. एक [[ ईसी मीटर |ईसी मीटर]] सामान्यतः एक विलयन में चालकता को मापने के लिए प्रयोग किया जाता है। एक मोटा सारांश इस प्रकार है:


{|class="wikitable plainrowheaders"
{|class="wikitable plainrowheaders"
|+ Resistivity of classes of materials
|+ पदार्थ के वर्गों की प्रतिरोधकता
|-
|-
! scope="col" | Material
! scope="col" | पदार्थ
! scope="col" | Resistivity, {{mvar|ρ}} (Ω·m)
! scope="col" | प्रतिरोधकता, {{mvar|ρ}} (Ω·m)
|-
|-
! scope="row" |[[Superconductors]]
! scope="row" | [[Superconductors|अतिसंवाहक]]
| 0
| 0
|-
|-
! scope="row" |[[Metal]]s
! scope="row" | [[Metal|धातु]]  
| 10<sup>−8</sup>
| 10<sup>−8</sup>
|-
|-
! scope="row" |[[Semiconductor]]s
! scope="row" | [[Semiconductor|अर्धचालक]]
| Variable
| परिवर्तनीय
|-
|-
! scope="row" |[[Electrolyte]]s
! scope="row" | [[Electrolyte|विद्युत् अपघट्य]]  
| Variable
| परिवर्तनीय
|-
|-
! scope="row" |[[Electrical insulation|Insulators]]
! scope="row" | [[Electrical insulation|ऊष्मारोधी]]
| 10<sup>16</sup>
| 10<sup>16</sup>
|-
|-
! scope="row" |[[Superinsulator]]s
! scope="row" |[[Superinsulator|सुपरइन्सुलेटर]]
| ∞
| ∞
|}
|}
Line 313: Line 313:


{| class="wikitable sortable plainrowheaders"
{| class="wikitable sortable plainrowheaders"
|+ Resistivity, conductivity, and temperature coefficient for several materials
|+ कई सामग्रियों के लिए प्रतिरोधकता, चालकता और तापमान गुणांक
|-
|-
! scope="col" | Material
! scope="col" | पदार्थ
! scope="col" data-sort-type="number" | Resistivity, {{mvar|ρ}}, <br/>at {{val|20|u=°C}} (Ω·m)
! scope="col" data-sort-type="number" | प्रतिरोधकता, {{mvar|ρ}}, <br/>पर {{val|20|u=°C}} (Ω·m)
! scope="col" data-sort-type="number" | Conductivity, {{mvar|σ}}, <br/>at {{val|20|u=°C}} (S/m)
! scope="col" data-sort-type="number" | चालकता, {{mvar|σ}}, <br/>पर {{val|20|u=°C}} (एस/एम)
! scope="col" data-sort-type="number" | Temperature<br /> coefficient<ref group=lower-alpha>The numbers in this column increase or decrease the [[significand]] portion of the resistivity. For example, at {{convert|30|C|K|abbr=on}}, the resistivity of silver is {{val|1.65|e=-8}}. This is calculated as {{math|1=Δ''ρ'' = ''α'' Δ''T ρ''<sub>0</sub>}} where {{math|''ρ''<sub>0</sub>}} is the resistivity at {{val|20|u=°C}} (in this case) and {{mvar|α}} is the temperature coefficient.</ref> (K<sup>−1</sup>)
! scope="col" data-sort-type="number" | तापमान<br /> गुणांक<ref group=lower-alpha>The numbers in this column increase or decrease the [[significand]] portion of the resistivity. For example, at {{convert|30|C|K|abbr=on}}, the resistivity of silver is {{val|1.65|e=-8}}. This is calculated as {{math|1=Δ''ρ'' = ''α'' Δ''T ρ''<sub>0</sub>}} where {{math|''ρ''<sub>0</sub>}} is the resistivity at {{val|20|u=°C}} (in this case) and {{mvar|α}} is the temperature coefficient.</ref> (K<sup>−1</sup>)
! scope="col" class="unsortable" | Reference
! scope="col" class="unsortable" | संदर्भ
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! scope="row" | [[Silver]]<ref group=lower-alpha>The conductivity of metallic silver is not significantly better than metallic copper for most practical purposes – the difference between the two can be easily compensated for by thickening the copper wire by only 3%. However silver is preferred for exposed electrical contact points because ''corroded'' silver is a tolerable conductor, but corroded copper is a fairly good insulator, like most corroded metals.</ref>
! scope="row" | [[Silver|चाँदी]]<ref group=lower-alpha>The conductivity of metallic silver is not significantly better than metallic copper for most practical purposes – the difference between the two can be easily compensated for by thickening the copper wire by only 3%. However silver is preferred for exposed electrical contact points because ''corroded'' silver is a tolerable conductor, but corroded copper is a fairly good insulator, like most corroded metals.</ref>
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! scope="row" | [[Annealing (metallurgy)|एनीलेल्ड कॉपर]]<ref group=lower-alpha>Referred to as 100% IACS or ''International Annealed Copper Standard''. The unit for expressing the conductivity of nonmagnetic materials by testing using the [[eddy current]] method. Generally used for temper and alloy verification of aluminium.</ref>
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! scope="row" | [[Sea water|समुद्र का पानी]]<ref group=lower-alpha>Corresponds to an average salinity of 35&nbsp;g/kg at {{val|20|u=°C}}.</ref>
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! scope="row" | Swimming pool water<ref group=lower-alpha>The pH should be around 8.4 and the conductivity in the range of 2.5–3&nbsp;mS/cm. The lower value is appropriate for freshly prepared water. The conductivity is used for the determination of TDS (total dissolved particles).</ref>
! scope="row" | स्विमिंग पूल का पानी<ref group=lower-alpha>The pH should be around 8.4 and the conductivity in the range of 2.5–3&nbsp;mS/cm. The lower value is appropriate for freshly prepared water. The conductivity is used for the determination of TDS (total dissolved particles).</ref>
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! scope="row" | [[Glass|काँच]]
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! scope="row" | [[Hard rubber|कठोर रबर]]
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! scope="row" | [[Fused quartz|फ्यूज्ड क्वार्ट्ज]]
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! scope="row" | [[Polyethylene terephthalate|पेट्]]
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! scope="row" | पीटीएफई (टेफ्लॉन)
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|}
प्रभावी तापमान गुणांक सामग्री के तापमान और शुद्धता स्तर के साथ बदलता रहता है। अन्य तापमानों पर उपयोग किए जाने पर 20 डिग्री सेल्सियस मान केवल एक अनुमान है। उदाहरण के लिए, तांबे के लिए उच्च तापमान पर गुणांक कम हो जाता है, और मान 0.00427 सामान्यतः निर्दिष्ट किया जाता है {{val|0|u=°C}}.<ref>[http://library.bldrdoc.gov/docs/nbshb100.pdf Copper Wire Tables] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20100821071645/http://library.bldrdoc.gov/docs/nbshb100.pdf |date=2010-08-21 }}. US Dep. of Commerce. National Bureau of Standards Handbook. February 21, 1966</ref>
प्रभावी तापमान गुणांक पदार्थ के तापमान और शुद्धता स्तर के साथ बदलता रहता है। अन्य तापमानों पर उपयोग किए जाने पर 20 डिग्री सेल्सियस मान केवल एक अनुमान है। उदाहरण के लिए, तांबे के लिए उच्च तापमान पर गुणांक कम हो जाता है, और मान 0.00427 सामान्यतः निर्दिष्ट किया जाता है {{val|0|u=°C}}.<ref>[http://library.bldrdoc.gov/docs/nbshb100.pdf Copper Wire Tables] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20100821071645/http://library.bldrdoc.gov/docs/nbshb100.pdf |date=2010-08-21 }}. US Dep. of Commerce. National Bureau of Standards Handbook. February 21, 1966</ref>
चांदी की अत्यंत कम प्रतिरोधकता (उच्च चालकता) धातुओं की विशेषता है। [[ जॉर्ज गामो ]] ने अपनी लोकप्रिय विज्ञान पुस्तक वन, टू, थ्री ... इन्फिनिटी (1947) में इलेक्ट्रॉनों के साथ धातुओं के व्यवहार की प्रकृति को स्पष्ट रूप से अभिव्यक्त किया:
चांदी की अत्यंत कम प्रतिरोधकता (उच्च चालकता) धातुओं की विशेषता है। [[ जॉर्ज गामो ]]ने अपनी लोकप्रिय विज्ञान पुस्तक वन, टू, थ्री ... इन्फिनिटी (1947) में इलेक्ट्रॉनों के साथ धातुओं के व्यवहार की प्रकृति को स्पष्ट रूप से अभिव्यक्त किया:
{{Quote|
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The metallic substances differ from all other materials by the fact that the outer shells of their atoms are bound rather loosely, and often let one of their electrons go free. Thus the interior of a metal is filled up with a large number of unattached electrons that travel aimlessly around like a crowd of displaced persons. When a metal wire is subjected to electric force applied on its opposite ends, these free electrons rush in the direction of the force, thus forming what we call an electric current.}}
धात्विक पदार्थ अन्य सभी सामग्रियों से इस तथ्य से भिन्न होते हैं कि उनके परमाणुओं के बाहरी गोले ढीले ढंग से बंधे होते हैं, और अधिकांशतः उनके एक इलेक्ट्रॉन को मुक्त होने देते हैं। इस प्रकार एक धातु का आंतरिक भाग बड़ी संख्या में अनासक्त इलेक्ट्रॉनों से भरा होता है जो विस्थापित व्यक्तियों की भीड़ की तरह लक्ष्यहीन होकर इधर-उधर घूमते रहते हैं। जब एक धातु के तार को उसके विपरीत सिरों पर लगाए गए विद्युत बल के अधीन किया जाता है, तो ये मुक्त इलेक्ट्रॉन बल की दिशा में दौड़ते हैं, इस प्रकार जिसे हम विद्युत धारा कहते हैं, बनाते हैं।}}
अधिक तकनीकी रूप से, [[ मुक्त इलेक्ट्रॉन मॉडल ]] धातुओं में इलेक्ट्रॉन प्रवाह का मूल विवरण देता है।
अधिक तकनीकी रूप से, [[ मुक्त इलेक्ट्रॉन मॉडल |मुक्त इलेक्ट्रॉन मॉडल]] धातुओं में इलेक्ट्रॉन प्रवाह का मूल विवरण देता है।
 
लकड़ी को व्यापक रूप से एक अत्यंत अच्छा इन्सुलेटर माना जाता है, लेकिन इसकी प्रतिरोधकता नमी की मात्रा पर संवेदनशील रूप से निर्भर होती है, जिसमें नम लकड़ी कम से कम एक कारक होती है। {{val|e=10}} ओवन-ड्राई से भी बदतर इंसुलेटर।<ref name="Transmission Lines data"/>किसी भी मामले में, पर्याप्त रूप से उच्च वोल्टेज - जैसे कि बिजली के हमलों या कुछ उच्च-तनाव वाली बिजली लाइनों में - स्पष्ट रूप से सूखी लकड़ी के साथ भी इन्सुलेशन टूटने और इलेक्ट्रोक्यूशन जोखिम पैदा कर सकता है।{{Citation needed|date=June 2020}}
 


लकड़ी को व्यापक रूप से एक अत्यंत अच्छा इन्सुलेटर माना जाता है, किन्तु इसकी प्रतिरोधकता नमी की मात्रा पर संवेदनशील रूप से निर्भर होती है, जिसमें नम लकड़ी कम से कम एक कारक होती है। {{val|e=10}} ओवन-ड्राई से विद्युत्‍रोधन।<ref name="Transmission Lines data"/> किसी भी स्थिति में, पर्याप्त रूप से उच्च वोल्टेज - जैसे कि बिजली के हमलों या कुछ उच्च-तनाव वाली बिजली लाइनों में - स्पष्ट रूप से सूखी लकड़ी के साथ भी विद्युत्‍रोधन भंजन और विद्युत्मारण जोखिम उत्पन्न कर सकता है।{{Citation needed|date=June 2020}}
==तापमान निर्भरता ==
==तापमान निर्भरता ==


=== रैखिक सन्निकटन ===
=== रैखिक सन्निकटन ===
अधिकांश सामग्रियों की विद्युत प्रतिरोधकता तापमान के साथ बदलती है। यदि तापमान {{mvar|T}} बहुत अधिक भिन्न नहीं होता है, सामान्यतः एक [[ रैखिक सन्निकटन ]] का उपयोग किया जाता है:
अधिकांश सामग्रियों की विद्युत प्रतिरोधकता तापमान के साथ बदलती है। यदि तापमान {{mvar|T}} बहुत अधिक भिन्न नहीं होता है, सामान्यतः [[ रैखिक सन्निकटन |रैखिक सन्निकटन]] का उपयोग किया जाता है:
<math display=block>\rho(T) = \rho_0[1 + \alpha (T - T_0)],</math>
<math display=block>\rho(T) = \rho_0[1 + \alpha (T - T_0)],</math>
कहाँ पे <math>\alpha</math> प्रतिरोधकता का तापमान गुणांक कहलाता है, <math>T_0</math> एक निश्चित संदर्भ तापमान है (सामान्यतः कमरे का तापमान), और <math>\rho_0</math> तापमान पर प्रतिरोधकता है <math>T_0</math>. पैरामीटर <math>\alpha</math> माप डेटा से लगाया गया एक अनुभवजन्य पैरामीटर है{{clarify span|, equal to 1/<math>\kappa</math>|date=October 2021}}. क्योंकि रैखिक सन्निकटन केवल एक सन्निकटन है, <math>\alpha</math> विभिन्न संदर्भ तापमान के लिए अलग है। इस कारण से तापमान को निर्दिष्ट करना सामान्य है कि <math>\alpha</math> एक प्रत्यय के साथ मापा गया था, जैसे कि <math>\alpha_{15}</math>, और संबंध केवल संदर्भ के आस-पास के तापमान की एक सीमा में रहता है।<ref>{{cite book |last1=Ward |first1=Malcolm R. |title=Electrical engineering science |date=1971 |publisher=McGraw-Hill |location=Maidenhead, UK |isbn=9780070942554 |pages=36–40 |series=McGraw-Hill technical education}}</ref> जब तापमान एक बड़ी तापमान सीमा में भिन्न होता है, तो रैखिक सन्निकटन अपर्याप्त होता है और अधिक विस्तृत विश्लेषण और समझ का उपयोग किया जाना चाहिए।
जहाँ पे <math>\alpha</math>को प्रतिरोधकता का तापमान गुणांक कहा जाता है, <math>T_0</math> एक निश्चित संदर्भ तापमान (सामान्यतः कमरे का तापमान), और <math>\rho_0</math> तापमान पर प्रतिरोधकता है <math>T_0</math>।  पैरामीटर <math>\alpha</math> माप डेटा से लगाया गया एक अनुभवजन्य पैरामीटर है{{clarify span|,के बराबर है1/<math>\kappa</math>|date=October 2021}}. क्योंकि रैखिक सन्निकटन एक सन्निकटन है, <math>\alpha</math> विभिन्न संदर्भ तापमान के लिए अलग है। इस कारण से तापमान को निर्दिष्ट करना सामान्य है कि <math>\alpha</math> एक प्रत्यय के साथ मापा गया था, जैसे कि <math>\alpha_{15}</math>, और संबंध केवल संदर्भ के आस-पास के तापमान की एक सीमा में रहता है।<ref>{{cite book |last1=Ward |first1=Malcolm R. |title=Electrical engineering science |date=1971 |publisher=McGraw-Hill |location=Maidenhead, UK |isbn=9780070942554 |pages=36–40 |series=McGraw-Hill technical education}}</ref> जब तापमान एक बड़ी तापमान सीमा में भिन्न होता है, तो रैखिक सन्निकटन अपर्याप्त होता है और अधिक विस्तृत विश्लेषण और समझ का उपयोग किया जाना चाहिए।


=== धातु ===
=== धातु ===
{{See also|Bloch–Grüneisen temperature|Free electron model#Mean free dependence of the resistivity of gold, copper and silver.}}
{{See also|बलोच-ग्रुनेसेन तापमान|मुक्त इलेक्ट्रॉन मॉडल सोने, तांबे और चांदी की प्रतिरोधकता की मुक्त निर्भरता का मतलब है।}}
सामान्य तौर पर, धातुओं की विद्युत प्रतिरोधकता तापमान के साथ बढ़ जाती है। इलेक्ट्रॉन-फोनन इंटरेक्शनल एक महत्वपूर्ण भूमिका निभा सकता है। उच्च तापमान पर, धातु का प्रतिरोध तापमान के साथ रैखिक रूप से बढ़ता है। जैसे ही धातु का तापमान कम होता है, प्रतिरोधकता की तापमान निर्भरता तापमान के एक शक्ति कानून के कार्य का अनुसरण करती है। गणितीय रूप से प्रतिरोधकता की तापमान निर्भरता {{mvar|ρ}} बलोच-ग्रुनेसेन सूत्र के माध्यम से एक धातु का अनुमान लगाया जा सकता है:<ref>{{Cite journal|last=Grüneisen|first=E.|date=1933|title=Die Abhängigkeit des elektrischen Widerstandes reiner Metalle von der Temperatur|url=https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/andp.19334080504|journal=Annalen der Physik|language=en|volume=408|issue=5|pages=530–540|doi=10.1002/andp.19334080504|bibcode=1933AnP...408..530G|issn=1521-3889}}</ref>
 
सामान्यतः, धातुओं की विद्युत प्रतिरोधकता तापमान के साथ बढ़ जाती है। इलेक्ट्रॉन-फोनन इंटरेक्शनल एक महत्वपूर्ण भूमिका निभा सकता है। उच्च तापमान पर, धातु का प्रतिरोध तापमान के साथ रैखिक रूप से बढ़ता है। जैसे ही धातु का तापमान कम होता है, प्रतिरोधकता की तापमान निर्भरता तापमान ऊर्जा नियम के कार्य का अनुसरण करती है। गणितीय रूप से प्रतिरोधकता की तापमान निर्भरता {{mvar|ρ}} ऊर्जाोच-ग्रुनेसेन सूत्र के माध्यम से एक धातु का अनुमान लगाया जा सकता है:<ref>{{Cite journal|last=Grüneisen|first=E.|date=1933|title=Die Abhängigkeit des elektrischen Widerstandes reiner Metalle von der Temperatur|url=https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/andp.19334080504|journal=Annalen der Physik|language=en|volume=408|issue=5|pages=530–540|doi=10.1002/andp.19334080504|bibcode=1933AnP...408..530G|issn=1521-3889}}</ref>


<math display=block>\rho(T) = \rho(0) + A\left(\frac{T}{\Theta_R}\right)^n \int_0^{\Theta_R/T} \frac{x^n}{(e^x - 1)(1 - e^{-x})} \, dx ,</math>
<math display=block>\rho(T) = \rho(0) + A\left(\frac{T}{\Theta_R}\right)^n \int_0^{\Theta_R/T} \frac{x^n}{(e^x - 1)(1 - e^{-x})} \, dx ,</math>
कहाँ पे <math>\rho(0)</math> दोष प्रकीर्णन के कारण अवशिष्ट प्रतिरोधकता है, A एक स्थिरांक है जो [[ फर्मी सतह ]] पर इलेक्ट्रॉनों के वेग, [[ डेबी त्रिज्या ]] और धातु में इलेक्ट्रॉनों की संख्या घनत्व पर निर्भर करता है। <math>\Theta_R</math> प्रतिरोधकता माप से प्राप्त [[ डेबी तापमान ]] है और विशिष्ट ताप माप से प्राप्त डेबी तापमान के मूल्यों के साथ बहुत निकटता से मेल खाता है। n एक पूर्णांक है जो अंतःक्रिया की प्रकृति पर निर्भर करता है:
जहाँ पे <math>\rho(0)</math> दोष प्रकीर्णन के कारण अवशिष्ट प्रतिरोधकता है, A एक स्थिरांक है जो [[ फर्मी सतह |फर्मी सतह]] पर इलेक्ट्रॉनों के वेग, [[ डेबी त्रिज्या |डेबी त्रिज्या]] और धातु में इलेक्ट्रॉनों की संख्या घनत्व पर निर्भर करता है। <math>\Theta_R</math> प्रतिरोधकता माप से प्राप्त [[ डेबी तापमान |डेबी तापमान]] है और विशिष्ट ताप माप से प्राप्त डेबी तापमान के मूल्यों के साथ बहुत निकटता से मेल खाता है। n एक पूर्णांक है जो अंतःक्रिया की प्रकृति पर निर्भर करता है:


* {{mvar|n}}= 5 का तात्पर्य है कि प्रतिरोध फोनन द्वारा इलेक्ट्रॉनों के बिखरने के कारण होता है (जैसा कि साधारण धातुओं के लिए होता है)
* {{mvar|n}}= 5 का तात्पर्य है कि प्रतिरोध फोनन द्वारा इलेक्ट्रॉनों के बिखरने के कारण होता है (जैसा कि साधारण धातुओं के लिए होता है)
* {{mvar|n}}= 3 का तात्पर्य है कि प्रतिरोध s-d इलेक्ट्रॉन प्रकीर्णन के कारण है (जैसा कि संक्रमण धातुओं के मामले में है)
* {{mvar|n}}= 3 का तात्पर्य है कि प्रतिरोध s-d इलेक्ट्रॉन प्रकीर्णन के कारण है (जैसा कि संक्रमण धातुओं के स्थिति में है)
* {{mvar|n}}= 2 का तात्पर्य है कि प्रतिरोध इलेक्ट्रॉन-इलेक्ट्रॉन परस्पर क्रिया के कारण है।
* {{mvar|n}}= 2 का तात्पर्य है कि प्रतिरोध इलेक्ट्रॉन-इलेक्ट्रॉन परस्पर क्रिया के कारण है।


बलोच-ग्रुनेसेन फॉर्मूला एक अनुमान है जो यह मानते हुए प्राप्त किया गया है कि अध्ययन की गई धातु में गोलाकार फर्मी सतह है जो पहले ब्रिलौइन क्षेत्र और एक [[ डेबी मॉडल ]] के भीतर अंकित है।<ref>{{Cite book|url=https://www.worldcat.org/oclc/33335083|title=Quantum theory of real materials|date=1996|publisher=Kluwer Academic Publishers|others=James R. Chelikowsky, Steven G. Louie|isbn=0-7923-9666-9|location=Boston|pages=219–250|oclc=33335083}}</ref>
ऊर्जाोच-ग्रुनेसेन फॉर्मूला एक अनुमान है जो यह मानते हुए प्राप्त किया गया है कि अध्ययन की गई धातु में गोलाकार फर्मी सतह है जो पहले ब्रिलौइन क्षेत्र और एक [[ डेबी मॉडल ]]के भीतर अंकित है।<ref>{{Cite book|url=https://www.worldcat.org/oclc/33335083|title=Quantum theory of real materials|date=1996|publisher=Kluwer Academic Publishers|others=James R. Chelikowsky, Steven G. Louie|isbn=0-7923-9666-9|location=Boston|pages=219–250|oclc=33335083}}</ref>
यदि प्रकीर्णन के एक से अधिक स्रोत एक साथ मौजूद हैं, तो मैथिसेन का नियम (पहली बार 1860 के दशक में [[ ऑगस्टस मैथिसेसेन ]] द्वारा तैयार किया गया)<ref>A. Matthiessen, Rep. Brit. Ass. 32, 144 (1862)</ref><ref>A. Matthiessen, Progg. Anallen, 122, 47 (1864)</ref> बताता है कि कुल प्रतिरोध का अनुमान कई अलग-अलग शब्दों को जोड़कर लगाया जा सकता है, जिनमें से प्रत्येक का उचित मान है{{mvar|n}}.
 
यदि प्रकीर्णन के एक से अधिक स्रोत एक साथ सम्मलित हैं, तो मैथेथेसन का नियम (पहली बार 1860 के दशक में [[ ऑगस्टस मैथिसेसेन |ऑगस्टस मैथिसेसेन]] द्वारा तैयार किया गया)<ref>A. Matthiessen, Rep. Brit. Ass. 32, 144 (1862)</ref><ref>A. Matthiessen, Progg. Anallen, 122, 47 (1864)</ref> बताता है कि कुल प्रतिरोध को कई अलग-अलग शब्दों को जोड़कर अनुमानित किया जा सकता है, जिनमें से प्रत्येक n के उचित मान के साथ है।


चूंकि धातु का तापमान पर्याप्त रूप से कम हो जाता है (ताकि सभी फोनों को 'फ्रीज' कर दिया जाए), प्रतिरोधकता सामान्यतः एक स्थिर मूल्य तक पहुंच जाती है, जिसे अवशिष्ट प्रतिरोधकता के रूप में जाना जाता है। यह मान न केवल धातु के प्रकार पर निर्भर करता है, बल्कि इसकी शुद्धता और थर्मल इतिहास पर भी निर्भर करता है। किसी धातु की अवशिष्ट प्रतिरोधकता का मान उसकी अशुद्धता सान्द्रता से निर्धारित होता है। [[ अतिचालकता ]] नामक प्रभाव के कारण कुछ पदार्थ पर्याप्त रूप से कम तापमान पर सभी विद्युत प्रतिरोधकता खो देते हैं।
चूंकि धातु का तापमान पर्याप्त रूप से कम हो जाता है (जिससे कि सभी फोनों को 'फ्रीज' कर दिया जाए), प्रतिरोधकता सामान्यतः स्थिर मूल्य तक पहुंच जाती है, जिसे अवशिष्ट प्रतिरोधकता के रूप में जाना जाता है। यह मान न केवल धातु के प्रकार पर निर्भर करता है, ऊर्जा्कि इसकी शुद्धता और ऊष्पीय इतिहास पर भी निर्भर करता है। किसी धातु की अवशिष्ट प्रतिरोधकता का मान उसकी अशुद्धता सान्द्रता से निर्धारित होता है। [[ अतिचालकता |अतिचालकता]] नामक प्रभाव के कारण कुछ पदार्थ पर्याप्त रूप से कम तापमान पर सभी विद्युत प्रतिरोधकता खो देते हैं।


धातुओं की निम्न-तापमान प्रतिरोधकता की एक जांच, हेइक कामेरलिंग ओन्स के प्रयोगों की प्रेरणा थी, जिसके कारण 1911 में अतिचालकता की खोज हुई। विवरण के लिए [[ अतिचालकता का इतिहास ]] देखें।
धातुओं की निम्न-तापमान प्रतिरोधकता की एक जांच, हेइक कामेरलिंग ओन्स के प्रयोगों की प्रेरणा थी, जिसके कारण 1911 में अतिचालकता की खोज हुई। विवरण के लिए [[ अतिचालकता का इतिहास |अतिचालकता का इतिहास]] देखें।


==== विडेमैन-फ्रांज कानून ====
==== विडेमैन-फ्रांज नियम ====
विडेमैन-फ्रांज कानून कहता है कि सामान्य तापमान पर धातुओं की विद्युत चालकता का गुणांक तापमान के व्युत्क्रमानुपाती होता है:<ref>{{Cite book|last1= Jones|first1=William|last2=March |first2=Norman H. |year=1985 |title=Theoretical Solid State Physics|publisher=Dover Publications }}</ref>
विडेमैन-फ्रांज नियम कहता है कि सामान्य तापमान पर धातुओं की विद्युत चालकता का अनुपात तापमान के समानुपाती होता है:<ref>{{Cite book|last1= Jones|first1=William|last2=March |first2=Norman H. |year=1985 |title=Theoretical Solid State Physics|publisher=Dover Publications }}</ref>


<math display=block>\sigma \thicksim {1 \over T}.</math>
<math display=block>\sigma \thicksim {1 \over T}.</math>
उच्च तापमान पर धातुओं के लिए, विडेमैन-फ्रांज कानून मानता है:
उच्च तापमान पर धातुओं के लिए, विडेमैन-फ्रांज नियम मानता है:


<math display=block>{K \over \sigma} = {\pi^2 \over 3} \left(\frac{k}{e}\right)^2 T,</math>
<math display=block>{K \over \sigma} = {\pi^2 \over 3} \left(\frac{k}{e}\right)^2 T,</math>
कहाँ पे <math>K</math> धातु की तापीय चालकता है, <math>k</math> बोल्ट्जमान नियतांक है, <math>e</math> इलेक्ट्रॉन चार्ज है, <math>T</math> तापमान है, और <math>\sigma</math> विद्युत चालकता गुणांक है।
जहाँ पे <math>K</math>तापीय चालकता है, <math>k</math> बोल्ट्जमान स्थिरांक है, <math>e</math> इलेक्ट्रॉन आवेश, <math>T</math> तापमान है, और <math>\sigma</math> विद्युत चालकता गुणांक है। rhs पर अनुपात को लॉरेंज संख्या कहा जाता है।


=== अर्धचालक ===
=== अर्धचालक ===
{{main|Semiconductor}}
{{main|अर्धचालक}}
सामान्य तौर पर, बढ़ते तापमान के साथ [[ आंतरिक अर्धचालक ]] प्रतिरोधकता कम हो जाती है। इलेक्ट्रॉनों को तापीय ऊर्जा द्वारा चालन बैंड से टकराया जाता है, जहां वे स्वतंत्र रूप से प्रवाहित होते हैं, और ऐसा करने में [[ संयोजी बंध ]] में [[ इलेक्ट्रॉन छेद ]] को पीछे छोड़ देते हैं, जो स्वतंत्र रूप से भी बहता है। एक विशिष्ट आंतरिक अर्धचालक (गैर डोप्ड) अर्धचालक का विद्युत प्रतिरोध तापमान के साथ [[ घातीय क्षय ]] को कम करता है:
 
सामान्यतः, बढ़ते तापमान के साथ [[ आंतरिक अर्धचालक |आंतरिक अर्धचालक]] प्रतिरोधकता घट जाती है। इलेक्ट्रॉनों को तापीय ऊर्जा द्वारा चालन बैंड से टकराया जाता है, जहां वे स्वतंत्र रूप से प्रवाहित होते हैं, और ऐसा करने में [[ संयोजी बंध |संयोजी बंध]] में [[ इलेक्ट्रॉन छेद ]]को पीछे छोड़ देते हैं, जो स्वतंत्र रूप से प्रवाहित होते हैं। एक विशिष्ट आंतरिक अर्धचालक (गैर डोप्ड) अर्धचालक का विद्युत प्रतिरोध तापमान के साथ [[ घातीय क्षय |चरघातांकी]] को कम करता है:


<math display=block>\rho = \rho_0 e^{-aT}.</math>
<math display=block>\rho = \rho_0 e^{-aT}.</math>
स्टीनहार्ट-हार्ट समीकरण द्वारा अर्धचालक की प्रतिरोधकता की तापमान निर्भरता का और भी बेहतर अनुमान दिया गया है:
अर्धचालक की प्रतिरोधकता की तापमान निर्भरता का और भी बेहतर सन्निकटन स्टाइनहार्ट-हार्ट समीकरण द्वारा दिया गया है:


<math display=block>\frac{1}{T} = A + B \ln\rho + C (\ln\rho)^3,</math>
<math display=block>\frac{1}{T} = A + B \ln\rho + C (\ln\rho)^3,</math>
कहाँ पे {{mvar|A}}, {{mvar|B}} तथा {{mvar|C}} तथाकथित स्टीनहार्ट-हार्ट गुणांक हैं।
जहाँ पे {{mvar|A}}, {{mvar|B}} तथा {{mvar|C}} तथाकथित स्टीनहार्ट-हार्ट गुणांक हैं।
 
इस समीकरण का उपयोग ताप प्रतिरोधक को अंशशोधन करने के लिए किया जाता है।


इस समीकरण का उपयोग [[ thermistor ]]्स को कैलिब्रेट करने के लिए किया जाता है।
[[ बाहरी अर्धचालक | बाहरी (डोप्ड) अर्धचालकों]] का तापमान अधिक जटिल होता है। जैसे ही तापमान पूर्ण शून्य से प्रारंभ होता है, वे पहले प्रतिरोध में तेजी से घटते हैं क्योंकि वाहक दाताओं या स्वीकारकर्ताओं को छोड़ देते हैं। अधिकांश दाताओं या स्वीकारकर्ताओं के अपने वाहक खो देने के बाद, वाहकों की घटती गतिशीलता (जैसे धातु में) के कारण प्रतिरोध फिर से थोड़ा बढ़ने लगता है। उच्च तापमान पर, वे आंतरिक अर्धचालकों की तरह व्यवहार करते हैं क्योंकि दाताओं/स्वीकारकर्ताओं के वाहक उष्मीय रूप से उत्पन्न वाहकों की तुलना में नगण्य हो जाते हैं।<ref>J. Seymour (1972)  ''Physical Electronics'', chapter 2, Pitman</ref>


[[ बाहरी अर्धचालक ]] | एक्सट्रिंसिक (डॉप्ड) सेमीकंडक्टर्स का तापमान प्रोफाइल कहीं अधिक जटिल होता है। जैसे ही तापमान पूर्ण शून्य से शुरू होता है, वे पहले प्रतिरोध में तेजी से कम हो जाते हैं क्योंकि वाहक दाताओं या स्वीकारकर्ताओं को छोड़ देते हैं। अधिकांश दाताओं या स्वीकर्ता के अपने वाहक खो जाने के बाद, वाहकों की घटती गतिशीलता (एक धातु के समान) के कारण प्रतिरोध फिर से थोड़ा बढ़ने लगता है। उच्च तापमान पर, वे आंतरिक अर्धचालकों की तरह व्यवहार करते हैं क्योंकि दाताओं/स्वीकर्ता के वाहक थर्मली उत्पन्न वाहक की तुलना में महत्वहीन हो जाते हैं।<ref>J. Seymour (1972)  ''Physical Electronics'', chapter 2, Pitman</ref>
गैर-क्रिस्टलीय अर्धचालकों में, आवेश [[ क्वांटम टनलिंग |क्वांटम टनलिंग]] द्वारा एक स्थानीय साइट से दूसरे में चालन हो सकता है। इसे [[ परिवर्तनीय रेंज hopping | परिवर्तनीय क्षेत्र हॉपिंग]] के रूप में जाना जाता है और इसका विशिष्ट रूप है
गैर-क्रिस्टलीय अर्धचालकों में, एक स्थानीय साइट से दूसरे स्थान पर [[ क्वांटम टनलिंग ]] चार्ज द्वारा चालन हो सकता है। इसे [[ परिवर्तनीय रेंज hopping ]] के रूप में जाना जाता है और इसका विशिष्ट रूप है
<math display="block">\rho = A\exp\left(T^{-\frac{1}{n}}\right),</math>
<math display=block>\rho = A\exp\left(T^{-\frac{1}{n}}\right),</math>
जहाँ पे {{mvar|n}} = 2, 3, 4, प्रणाली की विमीयता पर निर्भर करता है।
कहाँ पे {{mvar|n}} = 2, 3, 4, सिस्टम की आयामीता पर निर्भर करता है।


==जटिल प्रतिरोधकता और चालकता ==
==जटिल प्रतिरोधकता और चालकता ==
वैकल्पिक विद्युत क्षेत्रों ([[ ढांकता हुआ स्पेक्ट्रोस्कोपी ]]) के लिए सामग्री की प्रतिक्रिया का विश्लेषण करते समय,<ref>{{cite journal |last1=Stephenson |first1=C. |last2= Hubler |first2=A. |title= Stability and conductivity of self-assembled wires in a transverse electric field |journal=Sci. Rep. |volume=5 |date=2015 |page= 15044 |doi= 10.1038/srep15044 |pmid=26463476 |pmc=4604515 |bibcode= 2015NatSR...515044S }}</ref> [[ विद्युत प्रतिबाधा टोमोग्राफी ]] जैसे अनुप्रयोगों में,<ref>Otto H. Schmitt, University of Minnesota [https://web.archive.org/web/20101013215436/http://www.otto-schmitt.org/OttoPagesFinalForm/Sounds/Speeches/MutualImpedivity.htm Mutual Impedivity Spectrometry and the Feasibility of its Incorporation into Tissue-Diagnostic Anatomical Reconstruction and Multivariate Time-Coherent Physiological Measurements]. otto-schmitt.org. Retrieved on 2011-12-17.</ref> प्रतिरोधकता को एक [[ जटिल संख्या ]] मात्रा के साथ प्रतिस्थापित करना सुविधाजनक है जिसे प्रतिबाधा कहा जाता है ([[ विद्युत प्रतिबाधा ]] के अनुरूप)। प्रतिबाधा एक वास्तविक घटक, प्रतिरोधकता और एक काल्पनिक घटक, प्रतिक्रियाशीलता ([[ प्रतिक्रिया (इलेक्ट्रॉनिक्स) ]] के अनुरूप) का योग है। प्रतिबाधा का परिमाण प्रतिरोधकता और प्रतिक्रियाशीलता के परिमाण के वर्गों के योग का वर्गमूल है।
[[ विद्युत प्रतिबाधा टोमोग्राफी |विद्युत प्रतिबाधा टोमोग्राफी]] जैसे अनुप्रयोगों में, वैकल्पिक विद्युत क्षेत्रों ([[ ढांकता हुआ स्पेक्ट्रोस्कोपी ]])<ref>{{cite journal |last1=Stephenson |first1=C. |last2= Hubler |first2=A. |title= Stability and conductivity of self-assembled wires in a transverse electric field |journal=Sci. Rep. |volume=5 |date=2015 |page= 15044 |doi= 10.1038/srep15044 |pmid=26463476 |pmc=4604515 |bibcode= 2015NatSR...515044S }}</ref> के लिए पदार्थ की प्रतिक्रिया का विश्लेषण करते समय<ref>Otto H. Schmitt, University of Minnesota [https://web.archive.org/web/20101013215436/http://www.otto-schmitt.org/OttoPagesFinalForm/Sounds/Speeches/MutualImpedivity.htm Mutual Impedivity Spectrometry and the Feasibility of its Incorporation into Tissue-Diagnostic Anatomical Reconstruction and Multivariate Time-Coherent Physiological Measurements]. otto-schmitt.org. Retrieved on 2011-12-17.</ref> प्रतिरोधकता को एक [[ जटिल संख्या |जटिल]] मात्रा के साथ प्रतिस्थापित करना सुविधाजनक है जिसे प्रतिबाधा कहा जाता है ([[ विद्युत प्रतिबाधा |विद्युत प्रतिबाधा]] के अनुरूप)। प्रतिबाधा एक वास्तविक घटक, प्रतिरोधकता और एक काल्पनिक घटक, प्रतिक्रियात्मकता ([[ प्रतिक्रिया (इलेक्ट्रॉनिक्स) | प्रतिक्रिया]] के अनुरूप) का योग है। प्रतिबाधा का परिमाण प्रतिरोधकता और प्रतिक्रियाशीलता के परिमाण के वर्गों के योग का वर्गमूल है।


इसके विपरीत, ऐसे मामलों में चालकता को एक सम्मिश्र संख्या (या यहाँ तक कि जटिल संख्याओं के मैट्रिक्स के रूप में, [[ एनिस्ट्रोपिक ]] सामग्री के मामले में) के रूप में व्यक्त किया जाना चाहिए, जिसे ''[[ प्रवेश ]]'' कहा जाता है। स्वीकार्यता एक वास्तविक घटक का योग है जिसे चालकता कहा जाता है और एक काल्पनिक घटक जिसे संवेदनशीलता कहा जाता है।
इसके विपरीत, ऐसे स्थितियों में चालकता को एक जटिल संख्या के रूप में व्यक्त किया जाना चाहिए  (या [[ एनिस्ट्रोपिक |अनिसोट्रोपिक]] सामग्रियों के स्थिति में जटिल संख्याओं के एक मैट्रिक्स के रूप में भी) जिसे स्वीकार्यता कहा जाता है। स्वीकार्यता एक वास्तविक घटक का योग है जिसे चालकता कहा जाता है और एक काल्पनिक घटक जिसे संवेदनशीलता कहा जाता है।


प्रत्यावर्ती धाराओं की प्रतिक्रिया का एक वैकल्पिक विवरण वास्तविक पारगम्यता के साथ-साथ वास्तविक (लेकिन आवृत्ति-निर्भर) चालकता का उपयोग करता है। चालकता जितनी बड़ी होती है, उतनी ही तेजी से वैकल्पिक-वर्तमान संकेत सामग्री द्वारा अवशोषित होता है (यानी, अधिक [[ अस्पष्टता (प्रकाशिकी) ]] सामग्री है)। विवरण के लिए, [[ अस्पष्टता का गणितीय विवरण ]] देखें।
वैकल्पिक धाराओं की प्रतिक्रिया का एक वैकल्पिक विवरण वास्तविक पारगम्यता के साथ-साथ वास्तविक (किन्तु आवृत्ति-निर्भर) चालकता का उपयोग करता है।जितनी बड़ी चालकता होती है, उतनी ही तेजी से प्रत्यावर्ती-धारा संकेत पदार्थ द्वारा अवशोषित हो जाता है (अर्थात, पदार्थ जितनी अधिक अपारदर्शी होती है)। विवरण के लिए, [[ अस्पष्टता का गणितीय विवरण |अपारदर्शिता का गणितीय विवरण]] देखें।


==जटिल ज्यामिति में प्रतिरोध बनाम प्रतिरोधकता==
==जटिल ज्यामिति में प्रतिरोध बनाम प्रतिरोधकता==
भले ही सामग्री की प्रतिरोधकता ज्ञात हो, इससे बनी किसी चीज के प्रतिरोध की गणना, कुछ मामलों में, सूत्र से कहीं अधिक जटिल हो सकती है <math>R = \rho \ell /A </math> के ऊपर। एक उदाहरण प्रतिरोध प्रोफाइलिंग फैला रहा है, जहां सामग्री अमानवीय है (विभिन्न स्थानों में अलग प्रतिरोधकता), और वर्तमान प्रवाह के सटीक पथ स्पष्ट नहीं हैं।
यदि पदार्थ की प्रतिरोधकता ज्ञात हो, इससे बनी किसी चीज़ के प्रतिरोध की गणना करना, कुछ स्थितियों में, सूत्र की तुलना में बहुत अधिक जटिल हो सकता है<math>R = \rho \ell /A </math> के ऊपर। एक उदाहरण प्रसार प्रतिरोध रूपरेखा है, जहां पदार्थ विषम है (विभिन्न स्थानों में अलग-अलग प्रतिरोधकता), और धारा प्रवाह के त्रुटिहीन पथ स्पष्ट नहीं हैं।


ऐसे मामलों में, सूत्र
इस तरह के स्थितियों में, सूत्र
<math display=block>J = \sigma E \,\, \rightleftharpoons \,\, E = \rho J</math>
<math display=block>J = \sigma E \,\, \rightleftharpoons \,\, E = \rho J</math>
के साथ प्रतिस्थापित किया जाना चाहिए
के साथ प्रतिस्थापित किया जाना चाहिए
<math display=block>\mathbf{J}(\mathbf{r}) = \sigma(\mathbf{r}) \mathbf{E}(\mathbf{r}) \,\, \rightleftharpoons \,\, \mathbf{E}(\mathbf{r}) = \rho(\mathbf{r}) \mathbf{J}(\mathbf{r}),</math>
<math display=block>\mathbf{J}(\mathbf{r}) = \sigma(\mathbf{r}) \mathbf{E}(\mathbf{r}) \,\, \rightleftharpoons \,\, \mathbf{E}(\mathbf{r}) = \rho(\mathbf{r}) \mathbf{J}(\mathbf{r}),</math>
कहाँ पे {{mvar|'''E'''}} तथा {{math|'''J'''}} अब [[ वेक्टर क्षेत्र ]] हैं। यह समीकरण, निरंतरता समीकरण के साथ {{mvar|'''J'''}} और पॉइसन के समीकरण के लिए {{mvar|'''E'''}}आंशिक अवकल समीकरणों का समुच्चय बनाते हैं। विशेष मामलों में, इन समीकरणों का एक सटीक या अनुमानित समाधान हाथ से तैयार किया जा सकता है, लेकिन जटिल मामलों में बहुत सटीक उत्तरों के लिए, कंप्यूटर विधियों जैसे परिमित तत्व विधि की आवश्यकता हो सकती है।
जहाँ पे {{mvar|'''E'''}} तथा {{math|'''J'''}} अब[[ वेक्टर क्षेत्र | सदिश क्षेत्र]] हैं। यह समीकरण, {{mvar|'''J'''}} के लिए निरंतरता समीकरण और {{mvar|'''E'''}} के लिए पोइसन के समीकरण के साथ, आंशिक अवकल समीकरणों का समुच्चय बनाते हैं। विशेष स्थितियो में, इन समीकरणों का एक त्रुटिहीन या अनुमानित विलयन हाथ से तैयार किया जा सकता है, किन्तु जटिल स्थितियों में बहुत सटीक उत्तरों के लिए परिमित तत्व विश्लेषण जैसी कंप्यूटर विधियों की आवश्यकता हो सकती है।


==प्रतिरोधकता-[[ घनत्व ]] उत्पाद==
==प्रतिरोधकता-[[ घनत्व ]] उत्पाद==
कुछ अनुप्रयोगों में जहां किसी वस्तु का वजन बहुत महत्वपूर्ण होता है, प्रतिरोधकता और घनत्व का उत्पाद पूर्ण निम्न प्रतिरोधकता की तुलना में अधिक महत्वपूर्ण होता है - उच्च प्रतिरोधकता के लिए कंडक्टर को मोटा बनाना अक्सर संभव होता है; और फिर एक कम प्रतिरोधकता-घनत्व-उत्पाद सामग्री (या समकक्ष रूप से एक उच्च चालकता-से-घनत्व अनुपात) वांछनीय है। उदाहरण के लिए, लंबी दूरी की ओवरहेड बिजली लाइनों के लिए, तांबे (Cu) के बजाय अक्सर एल्यूमीनियम का उपयोग किया जाता है क्योंकि यह समान चालन के लिए हल्का होता है।
कुछ अनुप्रयोगों में जहां किसी वस्तु का वजन बहुत महत्वपूर्ण होता है, प्रतिरोधकता और घनत्व का उत्पाद पूर्ण निम्न प्रतिरोधकता की तुलना में अधिक महत्वपूर्ण होता है - उच्च प्रतिरोधकता के लिए चालकता को ठोस, बनाना अधिकांशतः संभव होता है; और फिर एक कम प्रतिरोधकता-घनत्व-उत्पाद पदार्थ (या समकक्ष रूप से एक उच्च चालकता-से-घनत्व अनुपात) वांछनीय है।उदाहरण के लिए, लंबी दूरी की ओवरहेड बिजली लाइनों के लिए, तांबे (Cu) के अतिरिक्त अधिकांशतःएल्यूमीनियम का उपयोग किया जाता है क्योंकि यह समान चालन के लिए हल्का होता है।


चांदी, हालांकि यह ज्ञात सबसे कम प्रतिरोधी धातु है, उच्च घनत्व है और इस उपाय से तांबे के समान प्रदर्शन करता है, लेकिन यह बहुत अधिक महंगा है। कैल्शियम और क्षार धातुओं में सबसे अच्छा प्रतिरोधकता-घनत्व वाले उत्पाद होते हैं, लेकिन पानी और ऑक्सीजन (और शारीरिक शक्ति की कमी) के साथ उनकी उच्च प्रतिक्रियाशीलता के कारण कंडक्टरों के लिए शायद ही कभी उपयोग किया जाता है। एल्युमीनियम कहीं अधिक स्थिर है। विषाक्तता बेरिलियम की पसंद को बाहर करती है।<ref>{{Cite web|url=https://www.lenntech.com/periodic/elements/be.htm|title = Berryllium (Be) - Chemical properties, Health and Environmental effects}}</ref> (शुद्ध बेरिलियम भी भंगुर होता है।) इस प्रकार, एल्यूमीनियम सामान्यतः पसंद की धातु होती है जब कंडक्टर का वजन या लागत ड्राइविंग विचार होता है।
चूँकि, चांदी यह सबसे कम प्रतिरोधी धातु है, इसका उच्च घनत्व है और इस उपाय से यह तांबे के समान प्रदर्शन करती है, किन्तु यह बहुत अधिक महंगा होता है। कैल्शियम और क्षार धातुओं में सबसे अच्छा प्रतिरोधकता-घनत्व उत्पाद होते हैं, किन्तु पानी और ऑक्सीजन (और शारीरिक शक्ति की कमी) के साथ उनकी उच्च प्रतिक्रियाशीलता के कारण चालकों के लिए संभवतः ही कभी उपयोग किया जाता है। एल्युमीनियम कहीं अधिक स्थिर होती है। विषाक्तता बेरिलियम विकल्प को बाहर करती है।<ref>{{Cite web|url=https://www.lenntech.com/periodic/elements/be.htm|title = Berryllium (Be) - Chemical properties, Health and Environmental effects}}</ref> (शुद्ध बेरिलियम भी भंगुर होता है।) इस प्रकार, एल्यूमीनियम सामान्यतः विकल्प धातु होती है, जब चालक का वजन या लागत परिचालन पर विचार होता है।


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|+ Resistivity, density, and resistivity-density products of selected materials
|+ चयनित पदार्थ के प्रतिरोधकता, घनत्व और प्रतिरोधकता-घनत्व उत्पाद
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! scope="colgroup" colspan=2 | ... {{abbr|Cu|copper}} के सापेक्ष,समान आचरण दे रहा
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==यह भी देखें==
==यह भी देखें==
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*ताँबा
*ताँबा
*अब्रीकोसोव भंवर
*अब्रीकोसोव भंवर
*उच्च तापमान सुपरकंडक्टर
*उच्च तापमान अतिचालकता
*बिजली चमकना
*बिजली चमकना
*देबी म्यान
*देबी म्यान
*चार्ज का घनत्व
*आवेश का घनत्व
*वस्तुस्थिति
*वस्तुस्थिति
*द्रव्य की अवस्थाएं
*द्रव्य की अवस्थाएं
*डोपिंग (अर्धचालक)
*डोपिंग (अर्धचालक)
*एकाग्रता
*एकाग्रता
*समाधान (रसायन विज्ञान)
*विलयन (रसायन विज्ञान)
*रोशनी
*रोशनी
*विद्युतीय इन्सुलेशन
*विद्युतीय इन्सुलेशन
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Latest revision as of 10:38, 28 June 2023

Resistivity
सामान्य प्रतीक
ρ
Si   इकाईohm meter (Ω⋅m)
SI आधार इकाइयाँ मेंkg⋅m3⋅s−3⋅A−2
अन्य मात्राओं से
व्युत्पत्तियां
आयाम
Conductivity
सामान्य प्रतीक
σ, κ, γ
Si   इकाईsiemens per metre (S/m)
SI आधार इकाइयाँ मेंkg−1⋅m−3⋅s3⋅A2
अन्य मात्राओं से
व्युत्पत्तियां
आयाम

विद्युत प्रतिरोधकता (जिसे विशिष्ट विद्युत प्रतिरोध या आयतन प्रतिरोधकता भी कहा जाता है) एक पदार्थ का मूलभूत गुण है जो यह मापता है कि विद्युत प्रवाह का कितनी दृढ़ता से प्रतिरोध करता है। कम प्रतिरोधकता ऐसी सामग्री को इंगित करती है जो आसानी से विद्युत प्रवाह की अनुमति देता है विद्युत प्रतिरोधकता की SI इकाई ओम -मीटर (Ω⋅m) है।[1][2][3] उदाहरण के लिए, यदि a 1 m3 पदार्थ के ठोस घन में दो विपरीत फलकों पर शीट संपर्क होते हैं, और इन संपर्कों के बीच प्रतिरोध 1 Ω है, तो पदार्थ की प्रतिरोधकता 1 Ω⋅m होती है।

विद्युत चालकता (या विशिष्ट चालकता) विद्युत प्रतिरोधकता का व्युत्क्रम है। यह विद्युत प्रवाह संचालित करने के लिए पदार्थ की क्षमता का प्रतिनिधित्व करता है। यह सामान्यतः ग्रीक अक्षर द्वारा दर्शाया जाता है σ (सिग्मा) द्वारा दर्शाया जाता है, किन्तु κ (विशेषकर विद्युत अभियन्त्रण में) और γ (गामा) कभी-कभी उपयोग किया जाता है। विद्युत चालकता की SI इकाई सीमेंस (इकाई) प्रति मीटर (एस/एम) है।

प्रतिरोधकता और चालकता पदार्थ में सघन विशेषताएं होती है, जो वस्तु के मानक घन के प्रतिरोध को धारा में प्रदान करते है। विद्युत प्रतिरोध और चालन संबंधित व्यापक गुण होते हैं जो विद्युत प्रवाह कों किसी विशिष्ट वस्तु का प्रतिरोध प्रदान करते हैं।

परिभाषा

अनुकूल स्थति

दोनों सिरों पर विद्युत संपर्कों के साथ प्रतिरोधक पदार्थ का एक टुकड़ा।

एक आदर्श स्थिति में, जांच की गई पदार्थ का अंतः वर्ग और भौतिक संरचना पूरे प्रतिरूप में समान होते है, और विद्युत क्षेत्र और धारा घनत्व दोनों समानांतर और स्थिर होते हैं। कई प्रतिरोधों और विद्युत चालकों में वास्तव में विद्युत प्रवाह के एक समान प्रवाह के साथ एक समान अनुप्रस्थ काट होता है, और वे एक ही पदार्थ से बने होते हैं, जिससे कि यह एक अच्छा मॉडल हो। (आसन्न आरेख देखें।) जब ऐसा होता है, विद्युत प्रतिरोधकता ρ(ग्रीक: Rho (अक्षर)) द्वारा गणना की जा सकती है:

जहाँ पे

प्रतिरोधकता को एसआई इकाई ओम मीटर (Ω⋅m) का उपयोग करके व्यक्त किया जा सकता है - अर्थात ओम को वर्ग मीटर (अनुप्रस्थ काट क्षेत्र के लिए) से गुणा किया जाता है और फिर मीटर (लंबाई के लिए) से विभाजित किया जाता है

प्रतिरोध और प्रतिरोधकता दोनों वर्णन करते हैं कि किसी पदार्थ के माध्यम से विद्युत प्रवाह बनाना कितना मुश्किल है, किन्तु प्रतिरोध के विपरीत, प्रतिरोधकता आंतरिक विशेषता है। इसका मतलब यह है कि सभी शुद्ध तांबे के तार (जो उनकी क्रिस्टलीय संरचना आदि के विरूपण के अधीन नहीं हैं), उनके आकार और आकार के अतिरिक्त, एक ही प्रतिरोधकता है, किन्तु एक लंबे, पतले तांबे के तार में मोटे तार की तुलना में बहुत अधिक प्रतिरोध होता है। लघु तांबे के तार प्रत्येक वस्तु की अपनी विशिष्ट प्रतिरोधकता होती है। उदाहरण के लिए, रबर में तांबे की तुलना में बहुत अधिक प्रतिरोधकता होती है।

द्रवगैसप्रवाह सादृश्य में, उच्च-प्रतिरोधक वस्तु के माध्यम से धारा पास करना रेत से भरे पाइप के माध्यम से पानी को धकेलने जैसा है - जबकि कम-प्रतिरोधक पदार्थ के माध्यम से धारा पास करना एक खाली पाइप के माध्यम से पानी को धकेलने जैसा है। यदि पाइप समान आकार का हैं, तो रेत से भरे पाइप में प्रवाह के लिए उच्च प्रतिरोध होता है। प्रतिरोध, चूँकि, केवल रेत की उपस्थिति या अनुपस्थिति से निर्धारित नहीं होता है। यह पाइप की लंबाई और चौड़ाई पर भी निर्भर करता है: छोटे या चौड़े पाइप में संकीर्ण या लंबे पाइप की तुलना में कम प्रतिरोध होता है।

उपरोक्त समीकरण को पॉइलेट के नियम (क्लाउड पौइलेट के नाम पर) प्राप्त करने के लिए स्थानांतरित किया जा सकता है:

किसी दिए गए तत्व का प्रतिरोध लंबाई के समानुपाती होता है, किन्तु अनुप्रस्थ काट के क्षेत्रफल के व्युत्क्रमानुपाती होता है। उदाहरण के लिए, यदि A = 1 m2,  = 1 m (विपरीत चेहरों पर पूरी तरह से प्रवाहकीय संपर्कों के साथ एक घन बनाना), तो ओम में इस तत्व का प्रतिरोध संख्यात्मक रूप से उस पदार्थ की प्रतिरोधकता के बराबर होता है जिससे यह Ω⋅m में बना होता है।

चालकता, σ, प्रतिरोधकता का विपरीत है:

चालकता में सीमेंस (इकाई) प्रति मीटर (एस/एम) की एसआई इकाइयां हैं।

सामान्य अदिश राशि

कम आदर्श स्थितियों लिए, जैसे कि अधिक जटिल ज्यामिति, या जब वस्तु के विभिन्न हिस्सों में धारा और विद्युत क्षेत्र भिन्न होते हैं, तो अधिक सामान्य अभिव्यक्ति का उपयोग करना आवश्यक होता है जिसमें किसी विशेष बिंदु पर प्रतिरोधकता को अनुपात के रूप में परिभाषित किया जाता है विद्युत क्षेत्र धारा के धारा घनत्व के लिए उस बिंदु पर बनाता है:

जहाँ पे

  • चालकता, सामग्री की प्रतिरोधकता है,
  • विद्युत क्षेत्र का परिमाण है,
  • वर्तमान घनत्व का परिमाण है,

जिसमें तथा चालक के अंदर हैं।

चालकता प्रतिरोधकता का विलोम (पारस्परिक) है। यहाँ, इसके द्वारा दिया गया है:

उदाहरण के लिए, रबर एक ऐसी वस्तु है जिसमें बड़े ρ और छोटा σ- क्योंकि रबर में एक बहुत बड़ा विद्युत क्षेत्र भी इसके माध्यम से लगभग कोई प्रवाह नहीं करता है। दूसरी ओर, तांबा एक छोटी सी वस्तु है ρ और बड़ा σ- क्योंकि एक छोटा विद्युत क्षेत्र भी इसके माध्यम से बहुत अधिक धारा खींचता है।

जैसा कि नीचे दिखाया गया है, जब विद्युत क्षेत्र और पदार्थ में धारा घनत्व स्थिर होता है, तो यह अभिव्यक्ति एकल संख्या तक सरल हो जाती है।

टेंसर प्रतिरोधकता

जब किसी पदार्थ की प्रतिरोधकता में एक दिशात्मक घटक होता है, तो प्रतिरोधकता की सबसे सामान्य परिभाषा का उपयोग किया जाना चाहिए। यह ओम के नियम के टेंसर-वेक्टर रूप से प्रारंभ होता है, जो एक पदार्थ के अंदर विद्युत क्षेत्र को विद्युत प्रवाह से जोड़ता है। यह समीकरण पूरी तरह से सामान्य है, जिसका अर्थ है कि यह सभी यदि में मान्य है, जिसमें ऊपर वर्णित भी सम्मलित है। चूँकि, यह परिभाषा सबसे जटिल है, इसलिए इसका उपयोग केवल असमदिग्वर्ती होने की दशा यदि में किया जाता है, जहां अधिक सरल परिभाषाओं को लागू नहीं किया जा सकता है। यदि पदार्थ अनिसोट्रोपिक नहीं है, तो टेंसर-वेक्टर परिभाषा को अनदेखा करना और इसके बजाय एक सरल अभिव्यक्ति का उपयोग करना सुरक्षित है।

यहाँ, अनिसोट्रॉपी का अर्थ है कि पदार्थ के अलग-अलग दिशाओं में अलग-अलग गुण हैं। उदाहरण के लिए, सीसा के एक क्रिस्टल में सूक्ष्म रूप से चादरों का ढेर होता है, और प्रत्येक शीट के माध्यम से प्रवाह बहुत आसानी से होता है, किन्तु एक शीट से आसन्न एक तक बहुत आसानी से प्रवाहित होता है।[4] ऐसे यदि में, विद्युत क्षेत्र के समान दिशा में धारा प्रवाहित नहीं होता है। इस प्रकार, उपयुक्त समीकरणों को त्रि-आयामी टेंसर रूप में सामान्यीकृत किया जाता है:[5][6]

जहां चालकता σ और प्रतिरोधकता ρ रैंक -2 टेन्सर और विद्युत क्षेत्र हैं E और धारा घनत्व J वेक्टर हैं। इन टेंसरों को 3×3 मैट्रिसेस द्वारा दर्शाया जा सकता है, 3×1 मैट्रिसेस वाले वैक्टर, इन समीकरणों के दाईं ओर उपयोग किए गए मैट्रिक्स गुणन के साथ होता है। मैट्रिक्स रूप में, प्रतिरोधकता संबंध द्वारा दिया जाता है:

जहाँ पे

  • घटकों के साथ विद्युत क्षेत्र वेक्टर है (Ex, Ey, Ez);
  • प्रतिरोधकता टेंसर है, सामान्यतः तीन बटा तीन मैट्रिक्स;
  • घटकों के साथ विद्युत प्रवाह घनत्व वेक्टर है (Jx, Jy, Jz).

समान रूप से, अधिक सघन आइंस्टीन संकेतन में प्रतिरोधकता दी जा सकती है:

किसी भी स्थिति में, प्रत्येक विद्युत क्षेत्र घटक के लिए परिणामी व्यंजक है:

चूंकि समन्वय प्रणाली का चुनाव स्वतंत्र है, इसलिए सामान्य परंपरा यह है कि a को चुनकर व्यंजक को सरल बनाया जाए x-अक्ष धारा दिशा के समानांतर, इसलिए Jy = Jz = 0. यह छोड़ देता है:

चालकता को इसी तरह परिभाषित किया गया है:[7]

या

दोनों के परिणामस्वरूप:

दो भावों को देखते हुए, तथा एक दूसरे के उलटा मैट्रिक्स हैं। चूँकि, सबसे सामान्य स्थिति में, व्यक्तिगत मैट्रिक्स तत्व जरूरी नहीं कि एक दूसरे के पारस्परिक हों; उदाहरण के लिए, σxx के बराबर नहीं हो सकता 1/ρxx. इसे हॉल प्रभाव में देखा जा सकता है, जहां शून्येतर है। हॉल प्रभाव में, के बारे में घूर्णी अपरिवर्तनशीलता के कारण z-एक्सिस, तथा , इसलिए प्रतिरोधकता और चालकता के बीच संबंध सरल हो जाता है:[8]

यदि विद्युत क्षेत्र लागू धारा के समानांतर है, तथा शून्य होता हैं। जब वे शून्य हों, एक संख्या, , विद्युत प्रतिरोधकता का वर्णन करने के लिए पर्याप्त है। फिर इसे सरलता से लिखा जाता है , और यह सरल अभिव्यक्ति को कम कर देता है।

चालकता और धारा वाहक

धारा घनत्व और विद्युत प्रवाह वेग के बीच संबंध

विद्युत प्रवाह विद्युत आवेश की क्रमबद्ध गति है।[2]

चालकता के कारण

बैंड सिद्धांत सरलीकृत

संतुलन पर विभिन्न प्रकार की सामग्रियों में इलेक्ट्रॉनिक अवस्थाओं को भरना। यहां, ऊंचाई ऊर्जा है जबकि चौड़ाई सूचीबद्ध सामग्री में एक निश्चित ऊर्जा के लिए उपलब्ध राज्यों का घनत्व है। Tवह शेड फर्मी-डिराक वितरण (काला: सभी राज्य भर गए, सफेद: कोई राज्य नहीं भरा) का अनुसरण करता है। धातुएस और सेमीमेटलएस में फर्मी स्तर F कम से कम एक बैंड के अंदर स्थित है।
इंसुलेटरएस और सेमीकंडक्टरएस में फर्मी स्तर एक बैंड गैप के अंदर होता है; हालाँकि, अर्धचालकों में बैंड इलेक्ट्रॉनों या होलएस के साथ थर्मली पॉप्युलेट होने के लिए फर्मी स्तर के काफी करीब होते हैं।

प्राथमिक क्वांटम यांत्रिकी के अनुसार, एक परमाणु या क्रिस्टल में एक इलेक्ट्रॉन में केवल कुछ निश्चित ऊर्जा स्तर हो सकते हैं; इन स्तरों के बीच ऊर्जा असंभव है। जब बड़ी संख्या में इस तरह के अनुमत स्तरों में निकट-स्थान वाले ऊर्जा मान होते हैं - अर्थात ऐसी ऊर्जाएँ होती हैं जो केवल सूक्ष्म रूप से भिन्न होती हैं - संयोजन में उन निकट ऊर्जा स्तरों को "ऊर्जा बैंड" कहा जाता है। किसी वस्तु में ऐसे कई ऊर्जा बैंड हो सकते हैं, जो घटक परमाणुओं की परमाणु संख्या [lower-alpha 1] और क्रिस्टल के भीतर उनके वितरण पर निर्भर करते हैं।[lower-alpha 2]

पदार्थ के इलेक्ट्रॉन कम ऊर्जा वाले स्थितियों में व्यवस्थित होकर वस्तु में कुल ऊर्जा को कम करना चाहते हैं; चूँकि, पाउली अपवर्जन सिद्धांत का अर्थ है कि ऐसे प्रत्येक स्थिति में केवल एक ही सम्मलित हो सकता है। तो इलेक्ट्रॉन नीचे से प्रारंभ होकर बैंड संरचना को भरते हैं। जिस अभिलाक्षणिक ऊर्जा स्तर तक इलेक्ट्रॉन भरे होते हैं उसे फर्मी स्तर कहते हैं। बैंड संरचना के संबंध में फर्मी स्तर की स्थिति विद्युत चालन के लिए बहुत महत्वपूर्ण है : फर्मी स्तर के पास या उससे ऊपर के ऊर्जा स्तरों में केवल इलेक्ट्रॉन व्यापक सामग्री संरचना के भीतर जाने के लिए स्वतंत्र हैं, चूंकि उस क्षेत्र में आंशिक रूप से व्याप्त राज्यों के बीच इलेक्ट्रॉन आसानी से सम्मलित हो सकते हैं। इसके विपरीत, कम ऊर्जा स्थिति हर समय इलेक्ट्रॉनों की संख्या पर एक निश्चित सीमा से भरे होते हैं, और उच्च ऊर्जा स्थिति हर समय इलेक्ट्रॉनों से खाली होते हैं।

विद्युत प्रवाह में इलेक्ट्रॉनों का प्रवाह होता है। धातुओं में फर्मी स्तर के पास कई इलेक्ट्रॉन ऊर्जा स्तर होते हैं, इसलिए स्थानांतरित करने के लिए कई इलेक्ट्रॉन उपलब्ध होते हैं। यही धातुओं की उच्च इलेक्ट्रॉनिक चालकता का कारण बनता है।

बैंड सिद्धांत का एक महत्वपूर्ण हिस्सा यह है कि ऊर्जा के प्रतिबंधित बैंड हो सकते हैं: ऊर्जा अंतराल जिसमें कोई ऊर्जा स्तर नहीं होता है। विद्युत्‍रोधन और सेमीचालक्स में, इलेक्ट्रॉनों की संख्या कम ऊर्जा बैंड की एक निश्चित पूर्णांक संख्या को बिल्कुल सीमा तक भरने के लिए सही मात्रा है। इस स्थिति में, फर्मी स्तर एक बैंड गैप के भीतर आता है। चूंकि फर्मी स्तर के पास कोई उपलब्ध अवस्था नहीं है, और इलेक्ट्रॉन स्वतंत्र रूप से चलने योग्य नहीं हैं, इसलिए इलेक्ट्रॉनिक चालकता बहुत कम है।

धातुओं में

न्यूटन के पालने में गेंदों की तरह, एक धातु में इलेक्ट्रॉन अपने स्वयं के नगण्य आंदोलन के अतिरिक्त, एक टर्मिनल से दूसरे में ऊर्जा स्थानांतरित करते हैं।

एक धातु में परमाणु ओं की एक क्रिस्टल लैटिस होती है, प्रत्येक में इलेक्ट्रॉनों के बाहरी आवरण होते हैं जो अपने मूल परमाणुओं से स्वतंत्र रूप से अलग हो जाते हैं और जाली के माध्यम से यात्रा करते हैं। इसे एक सकारात्मक आयनिक जाली के रूप में भी जाना जाता है।[9] वियोज्य इलेक्ट्रॉनों का यह 'समुद्र' धातु को विद्युत प्रवाह का संचालन करने की अनुमति देता है। जब एक विद्युत संभावित अंतर (एक वोल्टेज ) धातु पर लागू होता है, तो परिणामी विद्युत क्षेत्र इलेक्ट्रॉनों को सकारात्मक टर्मिनल की ओर ले जाने का कारण बनता है। मीटर प्रति घंटे के परिमाण के क्रम में इलेक्ट्रॉनों का वास्तविक बहाव वेग सामान्यतः छोटा होता है। चूँकि, गतिमान इलेक्ट्रॉनों की भारी संख्या के कारण, यहां तक ​​कि एक धीमी बहाव वेग के परिणामस्वरूप एक बड़ा धारा घनत्व होता है।[10] यह क्रियाविधि न्यूटन के पालने में गेंदों के संवेग के स्थानांतरण के समान है[11] किन्तु एक तार के साथ विद्युत ऊर्जा का तेजी से प्रसार यांत्रिक ऊर्जाों के कारण नहीं होता है, ऊर्जा्कि तार द्वारा निर्देशित ऊर्जा-वाहक विद्युत चुम्बकीय क्षेत्र का प्रसार होता है।

अधिकांश धातुओं में विद्युत प्रतिरोध होता है। सरल मॉडल (गैर क्वांटम मैकेनिकल मॉडल) में इसे इलेक्ट्रॉनों और क्रिस्टल जाली को तरंग जैसी संरचना से बदलकर समझाया जा सकता है। जब इलेक्ट्रॉन तरंग जाली के माध्यम से यात्रा करती है, तो तरंगें हस्तक्षेप करती हैं, जो प्रतिरोध का कारण बनती हैं। जाली जितनी अधिक नियमित होती है, उतनी ही कम अशांति होती है और इस प्रकार कम प्रतिरोध होता है। इस प्रकार प्रतिरोध की मात्रा मुख्य रूप से दो कारकों के कारण होती है। सबसे पहले, यह तापमान और इस प्रकार क्रिस्टल जाली के कंपन की मात्रा के कारण होता है। उच्च तापमान बड़े कंपन उत्पन्नकरते हैं, जो जाली में अनियमितताओं के रूप में कार्य करते हैं। दूसरा, धातु की शुद्धता प्रासंगिक है क्योंकि विभिन्न आयनों का मिश्रण भी एक अनियमितता है।[12][13] शुद्ध धातुओं के पिघलने पर चालकता में थोड़ी कमी लंबी दूरी के क्रिस्टलीय क्रम के नुकसान के कारण होती है। शॉर्ट रेंज ऑर्डर बना रहता है और आयनों की स्थिति के बीच मजबूत सहसंबंध के परिणामस्वरूप आसन्न आयनों द्वारा विवर्तित तरंगों के बीच सामंजस्य होता है।[14]


अर्धचालक और इन्सुलेटर में

धातुओं में, फर्मी स्तर चालन बैंड में होता है (ऊपर बैंड थ्योरी देखें) मुक्त चालन इलेक्ट्रॉनों को जन्म देता है। चूँकि, अर्धचालकों में फर्मी स्तर की स्थिति बैंड गैप के भीतर होती है, चालन बैंड न्यूनतम (अभरित इलेक्ट्रॉन ऊर्जा स्तरों के पहले बैंड के नीचे) और संयोजी बंध अधिकतम (कंडक्शन के नीचे बैंड का शीर्ष) के बीच लगभग आधा होता है। बैंड, भरे हुए इलेक्ट्रॉन ऊर्जा स्तरों का)। यह आंतरिक (पूर्ववत) अर्धचालकों के लिए लागू होता है। इसका मतलब है कि परम शून्य तापमान पर, कोई मुक्त चालन इलेक्ट्रॉन नहीं होगा, और प्रतिरोध अनंत है। चूँकि, चालन बैंड में आवेश कैरियर घनत्व (अर्थात, आगे की जटिलताओं को प्रस्तुत किए बिना, इलेक्ट्रॉनों का घनत्व) के रूप में प्रतिरोध कम हो जाता है। बाह्य (डोपित) अर्धचालकों में, डोपित परमाणु चालन बैंड में इलेक्ट्रॉनों को दान करके या संयोजी बंध में छेद उत्पन्नकरके बहुसंख्यक आवेश वाहक एकाग्रता को बढ़ाते हैं। (एक छेद एक ऐसी स्थिति है जहां एक इलेक्ट्रॉन गायब है; ऐसे छेद इलेक्ट्रॉनों के समान व्यवहार कर सकते हैं।) दोनों प्रकार के दाता या स्वीकर्ता परमाणुओं के लिए, डोपित घनत्व बढ़ने से प्रतिरोध कम हो जाता है। इसलिए, अत्यधिक डोप किए गए अर्धचालक धात्विक रूप से व्यवहार करते हैं। बहुत अधिक तापमान पर, डोपित परमाणुओं के योगदान पर ऊष्मीय रूप से उत्पन्न वाहकों का योगदान हावी होता है, और तापमान के साथ प्रतिरोध तेजी से घटता है।

आयनिक तरल पदार्थ/इलेक्ट्रोलाइट्स में

इलेक्ट्रोलाइट ्स में, विद्युत चालन बैंड इलेक्ट्रॉनों या छिद्रों से नहीं होता है, ऊर्जा्कि पूर्ण परमाणु प्रजातियों (आयन ों) द्वारा यात्रा करता है, जिनमें से प्रत्येक में विद्युत आवेश होता है। आयनिक विलयनों (इलेक्ट्रोलाइट्स) की प्रतिरोधकता सांद्रता के साथ काफी भिन्न होती है - जबकि आसुत जल लगभग एक इन्सुलेटर है, खारा पानी एक उचित विद्युत चालक है। आयनिक द्रवों में चालन भी आयनों की गति से नियंत्रित होता है, किन्तु यहाँ हम विलेय आयनों की बजाय गलित लवणों की बात कर रहे हैं। कोशिका झिल्ली में धाराएं आयनिक लवणों द्वारा प्रवाहित होती हैं। कोशिका झिल्लियों में छोटे छेद, जिन्हें आयन चैनल कहा जाता है, विशिष्ट आयनों के लिए चयनात्मक होते हैं और झिल्ली प्रतिरोध को निर्धारित करते हैं।

एक तरल में आयनों की एकाग्रता (उदाहरण के लिए, एक जलीय घोल में) एक हदबंदी गुणांक द्वारा विशेषता, भंग पदार्थ के पृथक्करण की डिग्री पर निर्भर करती है , जो आयनों की सांद्रता का अनुपात है भंग पदार्थ के अणुओं की एकाग्रता के लिए :

विशिष्ट विद्युत चालकता () एक विलयन के बराबर है:

जहाँ पे : आयन आवेश का मॉड्यूल, तथा : धनात्मक तथा ऋणावेशित आयनों की गतिशीलता, : घुले हुए पदार्थ के अणुओं की सांद्रता, : हदबंदी का गुणांक।

अतिचालकता

तापमान के एक कार्य के रूप में पारा तार के प्रतिरोध को दिखाते हुए हेइक कामेरलिंग ओन्नेस द्वारा 1911 के प्रयोग से मूल डेटा। प्रतिरोध में अचानक गिरावट अतिचालक संक्रमण है।

तापमान कम होने पर धातु के चालक की विद्युत प्रतिरोधकता धीरे-धीरे कम हो जाती है। तांबे या चांदी जैसे सामान्य (अर्थात गैर-अतिचालक) चालकों में, यह कमी अशुद्धियों और अन्य दोषों से सीमित होती है। निरपेक्ष शून्य के पास भी, एक सामान्य चालक का वास्तविक नमूना कुछ प्रतिरोध दिखाता है। एक अतिचालकता में, जब पदार्थ को उसके महत्वपूर्ण तापमान से नीचे ठंडा किया जाता है, तो प्रतिरोध अचानक शून्य हो जाता है। एक सामान्य चालक में, धारा एक वोल्टेज प्रवणपता द्वारा संचालित होता है, जबकि एक अतिचालकता में, कोई वोल्टेज प्रवणपता नहीं होता है और धारा इसके बजाय अतिचालकता ऑर्डर पैरामीटर के चरण प्रवणपता से संबंधित होता है।[15] इसका एक परिणाम यह होता है कि अतिचालक तार के लूप में बहने वाली विद्युत धारा बिना किसी शक्ति स्रोत के अनिश्चित काल तक बनी रह सकती है।[16]

अतिचालकता के एक वर्ग में टाइप II अतिचालकता के रूप में जाना जाता है, जिसमें सभी ज्ञात उच्च-तापमान अतिचालकता्स सम्मलित हैं, एक बेहद कम किन्तु गैर-शून्य प्रतिरोधकता नाममात्र अतिचालकता संक्रमण से बहुत नीचे तापमान पर दिखाई देती है जब एक विद्युत प्रवाह एक मजबूत चुंबकीय क्षेत्र के संयोजन के साथ लागू होता है, जो विद्युत प्रवाह के कारण हो सकता है। यह इलेक्ट्रॉनिक सुपरफ्लुइड में एब्रिकोसोव भंवर की गति के कारण है, जो धारा द्वारा की गई कुछ ऊर्जा को नष्ट कर देता है। इस प्रभाव के कारण प्रतिरोध गैर-अतिचालक पदार्थ की तुलना में छोटा है, किन्तु संवेदनशील प्रयोगों में इसे ध्यान में रखा जाना चाहिए। चूँकि, जैसे-जैसे तापमान नाममात्र अतिचालकता संक्रमण से काफी कम हो जाता है, ये भंवर जमे हुए हो सकते हैं जिससे कि पदार्थ का प्रतिरोध वास्तव में शून्य हो जाए।

प्लाज्मा

बिजली पृथ्वी की सतह पर सम्मलित प्लाज्मा का एक उदाहरण है। सामान्यतः, बिजली 100 मिलियन वोल्ट तक 30,000 एम्पीयर का निर्वहन करती है, और प्रकाश, रेडियो तरंगों और एक्स-रे का उत्सर्जन करती है।[17] बिजली में प्लाज्मा का तापमान 30,000 केल्विन (29,727 डिग्री सेल्सियस) (53,540 डिग्री फारेनहाइट) तक पहुंच सकता है, या सूर्य की सतह के तापमान से पांच गुना अधिक गर्म हो सकता है, और इलेक्ट्रॉन घनत्व 10 से अधिक हो सकता है।24 मी-3.

प्लाज़्मा बहुत अच्छे संवाहक होते हैं और विद्युत क्षमता एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाती है।

आवेशित कणों के बीच की जगह में औसतम सम्मलित क्षमता, इस सवाल से स्वतंत्र कि इसे कैसे मापा जा सकता है, इसे प्लाज्मा क्षमता या अंतरिक्ष क्षमता कहा जाता है। यदि एक इलेक्ट्रोड को प्लाज्मा में डाला जाता है, तो इसकी क्षमता सामान्यतः प्लाज्मा क्षमता से काफी कम होती है, जिसे डेबी म्यान कहा जाता है। प्लाज़्मा की अच्छी विद्युत चालकता उनके विद्युत क्षेत्र को बहुत छोटा बना देती है। यह अर्ध-तटस्थता की महत्वपूर्ण अवधारणा का परिणाम है, जो कि ऋणात्मक आवेशों का घनत्व प्लाज्मा के बड़े आयतन पर धनात्मक आवेशों के घनत्व के लगभग बराबर होता है (ne = ⟨Z⟩>ni), किन्तु डेबी की लंबाई के पैमाने पर आवेश असंतुलन हो सकता है। विशेष स्थिति में जब दोहरी ऊर्जा परत (प्लाज्मा) बनती है, आवेश पृथक्करण कुछ दसियों डिबाई लंबाई का विस्तार कर सकता है।

क्षमता और विद्युत क्षेत्रों का परिमाण केवल शुद्ध आवेश घनत्व को खोजने के अलावा अन्य माध्यमों से निर्धारित किया जाना चाहिए। एक सामान्य उदाहरण यह मान लेना है कि इलेक्ट्रॉन बोल्ट्जमान संबंध को संतुष्ट करते हैं:

इस संबंध को अलग करने से घनत्व से विद्युत क्षेत्र की गणना करने का एक साधन मिलता है:
(∇ वेक्टर ढाल संचालक है; अधिक जानकारी के लिए ऊर्जाा प्रतीक और प्रवणपता देखें।)

ऐसे प्लाज्मा का उत्पादन करना संभव है जो क्वासीन्यूट्रल नहीं है। उदाहरण के लिए, एक इलेक्ट्रॉन बीम में केवल ऋणात्मक आवेश होते हैं। गैर-तटस्थ प्लाज्मा का घनत्व सामान्यतः बहुत कम होना चाहिए, या यह बहुत छोटा होना चाहिए। अन्यथा, प्रतिकारक विद्युत ऊर्जा इसे नष्ट कर देता है।

एस्ट्रोफिजिकल प्लाज़्मा में, विद्युत क्षेत्र स्क्रीनिंग बिजली के क्षेत्रों को बड़ी दूरी पर प्लाज्मा को सीधे प्रभावित करने से रोकती है, अर्थात डेबी लंबाई से अधिक। चूँकि, आवेशित कणों के अस्तित्व के कारण प्लाज्मा उत्पन्न होता है, और चुंबकीय क्षेत्र से प्रभावित होता है। यह अत्यंत जटिल व्यवहार का कारण बन सकता है और करता है, जैसे प्लाज्मा ऊर्जा परतों की पीढ़ी, एक वस्तु जो कुछ दसियों डेबी लंबाई पर आवेश को अलग करती है। मैग्नेटोहाइड्रोडायनामिक्स के अकादमिक अनुशासन में बाहरी और स्व-निर्मित चुंबकीय क्षेत्रों के साथ बातचीत करने वाले प्लाज़्मा की गतिशीलता का अध्ययन किया जाता है।

प्लाज्मा को अधिकांशतः ठोस, तरल और गैसों के बाद पदार्थ की चौथी अवस्था कहा जाता है।[18][19] यह इन और पदार्थ की अन्य निम्न-ऊर्जा अवस्थाओं से अलग है। यद्यपि यह गैस चरण से निकटता से संबंधित है, इसका कोई निश्चित रूप या आयतन भी नहीं है, यह निम्नलिखित सहित कई विधियों से भिन्न होता है:

गुण गैस प्लाज्मा
विद्युत् चालकता बहुत कम: हवा एक उत्कृष्ट विद्युतरोधी है जब तक कि यह 30 किलोवोल्ट प्रति सेंटीमीटर से ऊपर विद्युत क्षेत्र की क्षमता पर प्लाज्मा में टूट न जाए।[20] सामान्यतः बहुत अधिक: कई उद्देश्यों के लिए, प्लाज्मा की चालकता को अनंत माना जा सकता है।
स्वतन्त्र रूप से

अभिनय वर्ग

एक: सभी गैस कण एक समान तरीके से व्यवहार करते हैं, गुरुत्वाकर्षण से प्रभावित होते हैं और एक दूसरे से संघटित होते हैं। दो या तीन: इलेक्ट्रॉन,आयन, प्रोटॉन और न्यूट्रॉन को उनके आवेश के संकेत और मूल्य से अलग किया जा सकता है जिससे कि वे कई परिस्थितियों में अलग-अलग ऊर्जा्क वेग और तापमान के साथ स्वतंत्र रूप से व्यवहार करें, जिससे नए प्रकार की तरंगों और अस्थिरता जैसी घटनाएं हो सकें।
वेग वितरण मैक्सवेलियन:टकराव सामान्यतः बहुत कम अपेक्षाकृत तेज़ कणों के साथ, सभी गैस कणों के मैक्सवेलियन वेग वितरण की ओर ले जाते हैं। अधिकांशतः गैर-मैक्सवेलियन: गर्म प्लास्मा में टकराव की बातचीत अधिकांशतः कमजोर होती है और बाहरी ऊर्जा प्लाज्मा को स्थानीय संतुलन से दूर कर सकते हैं और असामान्य रूप से तेज कणों की एक महत्वपूर्ण आबादी का नेतृत्व कर सकते हैं।
पारस्परिक प्रभाव बाइनरी: दो-कण टकराव नियम हैं, तीन-निकाय टकराव अत्यंत दुर्लभ हैं। समष्टीय: तरंगें, या प्लाज्मा की संगठित गति, बहुत महत्वपूर्ण हैं क्योंकि कण विद्युत और चुंबकीय ऊर्जाों के माध्यम से लंबी दूरी पर बातचीत कर सकते हैं।


विभिन्न सामग्रियों की प्रतिरोधकता और चालकता

  • धातु जैसे सेमीचालक में उच्च चालकता और कम प्रतिरोधकता होती है।
  • कांच जैसे विद्युत इन्सुलेशन में कम चालकता और उच्च प्रतिरोधकता होती है।
  • अर्धचालक की चालकता सामान्यतःमध्यवर्ती होती है, किन्तु विभिन्न परिस्थितियों में व्यापक रूप से भिन्न होती है, जैसे कि विद्युत क्षेत्र या प्रकाश की विशिष्ट आवृत्तियों के लिए पदार्थ का एक्सपोजर, और सबसे महत्वपूर्ण, अर्धचालक पदार्थ के तापमान और संरचना के साथ।

डोपिंग की डिग्री (अर्धचालक) चालकता में एक बड़ा अंतर बनाती है। एक बिंदु तक, अधिक डोपिंग से उच्च चालकता होती है। एकपानी (अणु) / जलीय घोल (रसायन विज्ञान) की चालकता भंग लवणों की सांद्रता, और अन्य रासायनिक प्रजातियों पर अत्यधिक निर्भर है जो विलयन में आयनीकरण करते हैं। पानी के नमूनों की विद्युत चालकता का उपयोग इस बात के संकेतक के रूप में किया जाता है कि नमूना कितना नमक-मुक्त, आयन-मुक्त या अशुद्धता-मुक्त है; पानी जितना शुद्ध होगा, चालकता उतनी ही कम होगी (प्रतिरोधकता जितनी अधिक होगी)। पानी में चालकता माप को अधिकांशतः शुद्ध पानी की चालकता के सापेक्ष विशिष्ट चालकता के रूप में रिपोर्ट किया जाता है 25 °C. एक ईसी मीटर सामान्यतः एक विलयन में चालकता को मापने के लिए प्रयोग किया जाता है। एक मोटा सारांश इस प्रकार है:

पदार्थ के वर्गों की प्रतिरोधकता
पदार्थ प्रतिरोधकता, ρ (Ω·m)
अतिसंवाहक 0
धातु 10−8
अर्धचालक परिवर्तनीय
विद्युत् अपघट्य परिवर्तनीय
ऊष्मारोधी 1016
सुपरइन्सुलेटर

यह तालिका प्रतिरोधकता दर्शाती है (ρ), विभिन्न सामग्रियों की चालकता और तापमान गुणांक 20 °C (68 °F; 293 K).

कई सामग्रियों के लिए प्रतिरोधकता, चालकता और तापमान गुणांक
पदार्थ प्रतिरोधकता, ρ,
पर 20 °C (Ω·m)
चालकता, σ,
पर 20 °C (एस/एम)
तापमान
गुणांक[lower-alpha 3] (K−1)
संदर्भ
चाँदी[lower-alpha 4] 1.59×10−8 6.30×107 3.80×10−3 [21][22]
ताँबा[lower-alpha 5] 1.68×10−8 5.96×107 4.04×10−3 [23][24]
एनीलेल्ड कॉपर[lower-alpha 6] 1.72×10−8 5.80×107 3.93×10−3 [25]
सोना[lower-alpha 7] 2.44×10−8 4.11×107 3.40×10−3 [21]
अल्युमीनियम[lower-alpha 8] 2.65×10−8 3.77×107 3.90×10−3 [21]
कैल्शियम 3.36×10−8 2.98×107 4.10×10−3
टंगस्टन 5.60×10−8 1.79×107 4.50×10−3 [21]
जस्ता 5.90×10−8 1.69×107 3.70×10−3 [26]
कोबाल्ट[lower-alpha 9] 6.24×10−8 1.60×107 7.00×10−3[28]
[unreliable source?]
निकैल 6.99×10−8 1.43×107 6.00×10−3
रूथेनियम[lower-alpha 9] 7.10×10−8 1.41×107
लिथियम 9.28×10−8 1.08×107 6.00×10−3
लोहा 9.70×10−8 1.03×107 5.00×10−3 [21]
प्लैटिनम 10.6×10−8 9.43×106 3.92×10−3 [21]
टिन 10.9×10−8 9.17×106 4.50×10−3
गैलियम 14.0×10−8 7.10×106 4.00×10−3
नाइओबियम 14.0×10−8 7.00×106 [29]
कार्बन स्टील (1010) 14.3×10−8 6.99×106 [30]
लीड 22.0×10−8 4.55×106 3.90×10−3 [21]
गलिस्तान 28.9×10−8 3.46×106 [31]
टाइटेनियम 42.0×10−8 2.38×106 3.80×10−3
रेणुदिष्ट इस्पात 46.0×10−8 2.17×106 [32]
मैंगनिन 48.2×10−8 2.07×106 0.002×10−3 [33]
कॉन्स्टेंटन 49.0×10−8 2.04×106 0.008×10−3 [34]
स्टेनलेस स्टील[lower-alpha 10] 69.0×10−8 1.45×106 0.94×10−3 [35]
Mercury 98.0×10−8 1.02×106 0.90×10−3 [33]
मैंगनीज 144×10−8 6.94×105
निक्रोम[lower-alpha 11] 110×10−8 6.70×105
[citation needed]
0.40×10−3 [21]
कार्बन (ग्रेफाइट)
बेसल प्लेन के समानांतर[lower-alpha 12]
250×10−8 to 500×10−8 2×105 to 3×105
[citation needed]
[4]
कार्बन (अनाकार) 0.5×10−3 to 0.8×10−3 1.25×103 to 2.00×103 −0.50×10−3 [21][36]
कार्बन (ग्रेफाइट)
बेसल प्लेन के लिए लंबवत
3.0×10−3 3.3×102 [4]
जीएएस 10−3 to 108
[clarification needed]
10−8 to 103
[dubious ]
[37]
जर्मेनियम[lower-alpha 13] 4.6×10−1 2.17 −48.0×10−3 [21][22]
समुद्र का पानी[lower-alpha 14] 2.1×10−1 4.8 [38]
स्विमिंग पूल का पानी[lower-alpha 15] 3.3×10−1 to 4.0×10−1 0.25 to 0.30 [39]
पेय जल[lower-alpha 16] 2×101 to 2×103 5×10−4 to 5×10−2 [citation needed]
सिलिकॉन[lower-alpha 13] 2.3×103 4.35×10−4 −75.0×10−3 [40][21]
लकड़ी(नम) 103 to 104 10−4 to 10−3 [41]
अल्ट्राप्योर पानी[lower-alpha 17] 1.8×105 4.2×10−5 [42]
अल्ट्राप्योर पानी 1.82×109 5.49×10−10 [43][44]
काँच 1011 to 1015 10−15 to 10−11 [21][22]
कार्बन (हीरा) 1012 ~10−13 [45]
कठोर रबर 1013 10−14 [21]
वायु 109 to 1015 ~10−15 to 10−9 [46][47]
लकड़ी (ओवन ड्राई) 1014 to 1016 10−16 to 10−14 [41]
सल्फर 1015 10−16 [21]
फ्यूज्ड क्वार्ट्ज 7.5×1017 1.3×10−18 [21]
पेट् 1021 10−21
पीटीएफई (टेफ्लॉन) 1023 to 1025 10−25 to 10−23

प्रभावी तापमान गुणांक पदार्थ के तापमान और शुद्धता स्तर के साथ बदलता रहता है। अन्य तापमानों पर उपयोग किए जाने पर 20 डिग्री सेल्सियस मान केवल एक अनुमान है। उदाहरण के लिए, तांबे के लिए उच्च तापमान पर गुणांक कम हो जाता है, और मान 0.00427 सामान्यतः निर्दिष्ट किया जाता है 0 °C.[48] चांदी की अत्यंत कम प्रतिरोधकता (उच्च चालकता) धातुओं की विशेषता है। जॉर्ज गामो ने अपनी लोकप्रिय विज्ञान पुस्तक वन, टू, थ्री ... इन्फिनिटी (1947) में इलेक्ट्रॉनों के साथ धातुओं के व्यवहार की प्रकृति को स्पष्ट रूप से अभिव्यक्त किया:

धात्विक पदार्थ अन्य सभी सामग्रियों से इस तथ्य से भिन्न होते हैं कि उनके परमाणुओं के बाहरी गोले ढीले ढंग से बंधे होते हैं, और अधिकांशतः उनके एक इलेक्ट्रॉन को मुक्त होने देते हैं। इस प्रकार एक धातु का आंतरिक भाग बड़ी संख्या में अनासक्त इलेक्ट्रॉनों से भरा होता है जो विस्थापित व्यक्तियों की भीड़ की तरह लक्ष्यहीन होकर इधर-उधर घूमते रहते हैं। जब एक धातु के तार को उसके विपरीत सिरों पर लगाए गए विद्युत बल के अधीन किया जाता है, तो ये मुक्त इलेक्ट्रॉन बल की दिशा में दौड़ते हैं, इस प्रकार जिसे हम विद्युत धारा कहते हैं, बनाते हैं।

अधिक तकनीकी रूप से, मुक्त इलेक्ट्रॉन मॉडल धातुओं में इलेक्ट्रॉन प्रवाह का मूल विवरण देता है।

लकड़ी को व्यापक रूप से एक अत्यंत अच्छा इन्सुलेटर माना जाता है, किन्तु इसकी प्रतिरोधकता नमी की मात्रा पर संवेदनशील रूप से निर्भर होती है, जिसमें नम लकड़ी कम से कम एक कारक होती है। 1010 ओवन-ड्राई से विद्युत्‍रोधन।[41] किसी भी स्थिति में, पर्याप्त रूप से उच्च वोल्टेज - जैसे कि बिजली के हमलों या कुछ उच्च-तनाव वाली बिजली लाइनों में - स्पष्ट रूप से सूखी लकड़ी के साथ भी विद्युत्‍रोधन भंजन और विद्युत्मारण जोखिम उत्पन्न कर सकता है।[citation needed]

तापमान निर्भरता

रैखिक सन्निकटन

अधिकांश सामग्रियों की विद्युत प्रतिरोधकता तापमान के साथ बदलती है। यदि तापमान T बहुत अधिक भिन्न नहीं होता है, सामान्यतः रैखिक सन्निकटन का उपयोग किया जाता है:

जहाँ पे को प्रतिरोधकता का तापमान गुणांक कहा जाता है, एक निश्चित संदर्भ तापमान (सामान्यतः कमरे का तापमान), और तापमान पर प्रतिरोधकता है । पैरामीटर माप डेटा से लगाया गया एक अनुभवजन्य पैरामीटर है,के बराबर है1/[clarify]. क्योंकि रैखिक सन्निकटन एक सन्निकटन है, विभिन्न संदर्भ तापमान के लिए अलग है। इस कारण से तापमान को निर्दिष्ट करना सामान्य है कि एक प्रत्यय के साथ मापा गया था, जैसे कि , और संबंध केवल संदर्भ के आस-पास के तापमान की एक सीमा में रहता है।[49] जब तापमान एक बड़ी तापमान सीमा में भिन्न होता है, तो रैखिक सन्निकटन अपर्याप्त होता है और अधिक विस्तृत विश्लेषण और समझ का उपयोग किया जाना चाहिए।

धातु

सामान्यतः, धातुओं की विद्युत प्रतिरोधकता तापमान के साथ बढ़ जाती है। इलेक्ट्रॉन-फोनन इंटरेक्शनल एक महत्वपूर्ण भूमिका निभा सकता है। उच्च तापमान पर, धातु का प्रतिरोध तापमान के साथ रैखिक रूप से बढ़ता है। जैसे ही धातु का तापमान कम होता है, प्रतिरोधकता की तापमान निर्भरता तापमान ऊर्जा नियम के कार्य का अनुसरण करती है। गणितीय रूप से प्रतिरोधकता की तापमान निर्भरता ρ ऊर्जाोच-ग्रुनेसेन सूत्र के माध्यम से एक धातु का अनुमान लगाया जा सकता है:[50]

जहाँ पे दोष प्रकीर्णन के कारण अवशिष्ट प्रतिरोधकता है, A एक स्थिरांक है जो फर्मी सतह पर इलेक्ट्रॉनों के वेग, डेबी त्रिज्या और धातु में इलेक्ट्रॉनों की संख्या घनत्व पर निर्भर करता है। प्रतिरोधकता माप से प्राप्त डेबी तापमान है और विशिष्ट ताप माप से प्राप्त डेबी तापमान के मूल्यों के साथ बहुत निकटता से मेल खाता है। n एक पूर्णांक है जो अंतःक्रिया की प्रकृति पर निर्भर करता है:

  • n= 5 का तात्पर्य है कि प्रतिरोध फोनन द्वारा इलेक्ट्रॉनों के बिखरने के कारण होता है (जैसा कि साधारण धातुओं के लिए होता है)
  • n= 3 का तात्पर्य है कि प्रतिरोध s-d इलेक्ट्रॉन प्रकीर्णन के कारण है (जैसा कि संक्रमण धातुओं के स्थिति में है)
  • n= 2 का तात्पर्य है कि प्रतिरोध इलेक्ट्रॉन-इलेक्ट्रॉन परस्पर क्रिया के कारण है।

ऊर्जाोच-ग्रुनेसेन फॉर्मूला एक अनुमान है जो यह मानते हुए प्राप्त किया गया है कि अध्ययन की गई धातु में गोलाकार फर्मी सतह है जो पहले ब्रिलौइन क्षेत्र और एक डेबी मॉडल के भीतर अंकित है।[51]

यदि प्रकीर्णन के एक से अधिक स्रोत एक साथ सम्मलित हैं, तो मैथेथेसन का नियम (पहली बार 1860 के दशक में ऑगस्टस मैथिसेसेन द्वारा तैयार किया गया)[52][53] बताता है कि कुल प्रतिरोध को कई अलग-अलग शब्दों को जोड़कर अनुमानित किया जा सकता है, जिनमें से प्रत्येक n के उचित मान के साथ है।

चूंकि धातु का तापमान पर्याप्त रूप से कम हो जाता है (जिससे कि सभी फोनों को 'फ्रीज' कर दिया जाए), प्रतिरोधकता सामान्यतः स्थिर मूल्य तक पहुंच जाती है, जिसे अवशिष्ट प्रतिरोधकता के रूप में जाना जाता है। यह मान न केवल धातु के प्रकार पर निर्भर करता है, ऊर्जा्कि इसकी शुद्धता और ऊष्पीय इतिहास पर भी निर्भर करता है। किसी धातु की अवशिष्ट प्रतिरोधकता का मान उसकी अशुद्धता सान्द्रता से निर्धारित होता है। अतिचालकता नामक प्रभाव के कारण कुछ पदार्थ पर्याप्त रूप से कम तापमान पर सभी विद्युत प्रतिरोधकता खो देते हैं।

धातुओं की निम्न-तापमान प्रतिरोधकता की एक जांच, हेइक कामेरलिंग ओन्स के प्रयोगों की प्रेरणा थी, जिसके कारण 1911 में अतिचालकता की खोज हुई। विवरण के लिए अतिचालकता का इतिहास देखें।

विडेमैन-फ्रांज नियम

विडेमैन-फ्रांज नियम कहता है कि सामान्य तापमान पर धातुओं की विद्युत चालकता का अनुपात तापमान के समानुपाती होता है:[54]

उच्च तापमान पर धातुओं के लिए, विडेमैन-फ्रांज नियम मानता है:

जहाँ पे तापीय चालकता है, बोल्ट्जमान स्थिरांक है, इलेक्ट्रॉन आवेश, तापमान है, और विद्युत चालकता गुणांक है। rhs पर अनुपात को लॉरेंज संख्या कहा जाता है।

अर्धचालक

सामान्यतः, बढ़ते तापमान के साथ आंतरिक अर्धचालक प्रतिरोधकता घट जाती है। इलेक्ट्रॉनों को तापीय ऊर्जा द्वारा चालन बैंड से टकराया जाता है, जहां वे स्वतंत्र रूप से प्रवाहित होते हैं, और ऐसा करने में संयोजी बंध में इलेक्ट्रॉन छेद को पीछे छोड़ देते हैं, जो स्वतंत्र रूप से प्रवाहित होते हैं। एक विशिष्ट आंतरिक अर्धचालक (गैर डोप्ड) अर्धचालक का विद्युत प्रतिरोध तापमान के साथ चरघातांकी को कम करता है:

अर्धचालक की प्रतिरोधकता की तापमान निर्भरता का और भी बेहतर सन्निकटन स्टाइनहार्ट-हार्ट समीकरण द्वारा दिया गया है:

जहाँ पे A, B तथा C तथाकथित स्टीनहार्ट-हार्ट गुणांक हैं।

इस समीकरण का उपयोग ताप प्रतिरोधक को अंशशोधन करने के लिए किया जाता है।

बाहरी (डोप्ड) अर्धचालकों का तापमान अधिक जटिल होता है। जैसे ही तापमान पूर्ण शून्य से प्रारंभ होता है, वे पहले प्रतिरोध में तेजी से घटते हैं क्योंकि वाहक दाताओं या स्वीकारकर्ताओं को छोड़ देते हैं। अधिकांश दाताओं या स्वीकारकर्ताओं के अपने वाहक खो देने के बाद, वाहकों की घटती गतिशीलता (जैसे धातु में) के कारण प्रतिरोध फिर से थोड़ा बढ़ने लगता है। उच्च तापमान पर, वे आंतरिक अर्धचालकों की तरह व्यवहार करते हैं क्योंकि दाताओं/स्वीकारकर्ताओं के वाहक उष्मीय रूप से उत्पन्न वाहकों की तुलना में नगण्य हो जाते हैं।[55]

गैर-क्रिस्टलीय अर्धचालकों में, आवेश क्वांटम टनलिंग द्वारा एक स्थानीय साइट से दूसरे में चालन हो सकता है। इसे परिवर्तनीय क्षेत्र हॉपिंग के रूप में जाना जाता है और इसका विशिष्ट रूप है

जहाँ पे n = 2, 3, 4, प्रणाली की विमीयता पर निर्भर करता है।

जटिल प्रतिरोधकता और चालकता

विद्युत प्रतिबाधा टोमोग्राफी जैसे अनुप्रयोगों में, वैकल्पिक विद्युत क्षेत्रों (ढांकता हुआ स्पेक्ट्रोस्कोपी )[56] के लिए पदार्थ की प्रतिक्रिया का विश्लेषण करते समय[57] प्रतिरोधकता को एक जटिल मात्रा के साथ प्रतिस्थापित करना सुविधाजनक है जिसे प्रतिबाधा कहा जाता है (विद्युत प्रतिबाधा के अनुरूप)। प्रतिबाधा एक वास्तविक घटक, प्रतिरोधकता और एक काल्पनिक घटक, प्रतिक्रियात्मकता ( प्रतिक्रिया के अनुरूप) का योग है। प्रतिबाधा का परिमाण प्रतिरोधकता और प्रतिक्रियाशीलता के परिमाण के वर्गों के योग का वर्गमूल है।

इसके विपरीत, ऐसे स्थितियों में चालकता को एक जटिल संख्या के रूप में व्यक्त किया जाना चाहिए (या अनिसोट्रोपिक सामग्रियों के स्थिति में जटिल संख्याओं के एक मैट्रिक्स के रूप में भी) जिसे स्वीकार्यता कहा जाता है। स्वीकार्यता एक वास्तविक घटक का योग है जिसे चालकता कहा जाता है और एक काल्पनिक घटक जिसे संवेदनशीलता कहा जाता है।

वैकल्पिक धाराओं की प्रतिक्रिया का एक वैकल्पिक विवरण वास्तविक पारगम्यता के साथ-साथ वास्तविक (किन्तु आवृत्ति-निर्भर) चालकता का उपयोग करता है।जितनी बड़ी चालकता होती है, उतनी ही तेजी से प्रत्यावर्ती-धारा संकेत पदार्थ द्वारा अवशोषित हो जाता है (अर्थात, पदार्थ जितनी अधिक अपारदर्शी होती है)। विवरण के लिए, अपारदर्शिता का गणितीय विवरण देखें।

जटिल ज्यामिति में प्रतिरोध बनाम प्रतिरोधकता

यदि पदार्थ की प्रतिरोधकता ज्ञात हो, इससे बनी किसी चीज़ के प्रतिरोध की गणना करना, कुछ स्थितियों में, सूत्र की तुलना में बहुत अधिक जटिल हो सकता है के ऊपर। एक उदाहरण प्रसार प्रतिरोध रूपरेखा है, जहां पदार्थ विषम है (विभिन्न स्थानों में अलग-अलग प्रतिरोधकता), और धारा प्रवाह के त्रुटिहीन पथ स्पष्ट नहीं हैं।

इस तरह के स्थितियों में, सूत्र

के साथ प्रतिस्थापित किया जाना चाहिए
जहाँ पे E तथा J अब सदिश क्षेत्र हैं। यह समीकरण, J के लिए निरंतरता समीकरण और E के लिए पोइसन के समीकरण के साथ, आंशिक अवकल समीकरणों का समुच्चय बनाते हैं। विशेष स्थितियो में, इन समीकरणों का एक त्रुटिहीन या अनुमानित विलयन हाथ से तैयार किया जा सकता है, किन्तु जटिल स्थितियों में बहुत सटीक उत्तरों के लिए परिमित तत्व विश्लेषण जैसी कंप्यूटर विधियों की आवश्यकता हो सकती है।

प्रतिरोधकता-घनत्व उत्पाद

कुछ अनुप्रयोगों में जहां किसी वस्तु का वजन बहुत महत्वपूर्ण होता है, प्रतिरोधकता और घनत्व का उत्पाद पूर्ण निम्न प्रतिरोधकता की तुलना में अधिक महत्वपूर्ण होता है - उच्च प्रतिरोधकता के लिए चालकता को ठोस, बनाना अधिकांशतः संभव होता है; और फिर एक कम प्रतिरोधकता-घनत्व-उत्पाद पदार्थ (या समकक्ष रूप से एक उच्च चालकता-से-घनत्व अनुपात) वांछनीय है।उदाहरण के लिए, लंबी दूरी की ओवरहेड बिजली लाइनों के लिए, तांबे (Cu) के अतिरिक्त अधिकांशतःएल्यूमीनियम का उपयोग किया जाता है क्योंकि यह समान चालन के लिए हल्का होता है।

चूँकि, चांदी यह सबसे कम प्रतिरोधी धातु है, इसका उच्च घनत्व है और इस उपाय से यह तांबे के समान प्रदर्शन करती है, किन्तु यह बहुत अधिक महंगा होता है। कैल्शियम और क्षार धातुओं में सबसे अच्छा प्रतिरोधकता-घनत्व उत्पाद होते हैं, किन्तु पानी और ऑक्सीजन (और शारीरिक शक्ति की कमी) के साथ उनकी उच्च प्रतिक्रियाशीलता के कारण चालकों के लिए संभवतः ही कभी उपयोग किया जाता है। एल्युमीनियम कहीं अधिक स्थिर होती है। विषाक्तता बेरिलियम विकल्प को बाहर करती है।[58] (शुद्ध बेरिलियम भी भंगुर होता है।) इस प्रकार, एल्यूमीनियम सामान्यतः विकल्प धातु होती है, जब चालक का वजन या लागत परिचालन पर विचार होता है।

चयनित पदार्थ के प्रतिरोधकता, घनत्व और प्रतिरोधकता-घनत्व उत्पाद
पदार्थ प्रतिरोधकता
(nΩ·m)
घनत्व
(जी / सेमी3)
प्रतिरोधकता × घनत्व ... Cu के सापेक्ष,समान आचरण दे रहा अनुमानित मूल्य,पर
9 दिसंबर 2018[citation needed]
(g·mΩ/m2) सापेक्ष
को Cu
आयतन द्रव्यमान (यूएसडी प्रति किलो) Cu के सापेक्ष
सोडियम 47.7 0.97 46 31% 2.843 0.31
लिथियम 92.8 0.53 49 33% 5.531 0.33
कैल्शियम 33.6 1.55 52 35% 2.002 0.35
पोटैशियम 72.0 0.89 64 43% 4.291 0.43
बेरीलियम 35.6 1.85 66 44% 2.122 0.44
अल्युमीनियम 26.50 2.70 72 48% 1.5792 0.48 2.0 0.16
मैगनीशियम 43.90 1.74 76 51% 2.616 0.51
ताँबा 16.78 8.96 150 100% 1 1 6.0 1
चाँदी 15.87 10.49 166 111% 0.946 1.11 456 84
सोना 22.14 19.30 427 285% 1.319 2.85 39,000 19,000
लोहा 96.1 7.874 757 505% 5.727 5.05

यह भी देखें


टिप्पणियाँ

  1. The atomic number is the count of electrons in an atom that is electrically neutral – has no net electric charge.
  2. Other relevant factors that are specifically not considered are the size of the whole crystal and external factors of the surrounding environment that modify the energy bands, such as imposed electric or magnetic fields.
  3. The numbers in this column increase or decrease the significand portion of the resistivity. For example, at 30 °C (303 K), the resistivity of silver is 1.65×10−8. This is calculated as Δρ = α ΔT ρ0 where ρ0 is the resistivity at 20 °C (in this case) and α is the temperature coefficient.
  4. The conductivity of metallic silver is not significantly better than metallic copper for most practical purposes – the difference between the two can be easily compensated for by thickening the copper wire by only 3%. However silver is preferred for exposed electrical contact points because corroded silver is a tolerable conductor, but corroded copper is a fairly good insulator, like most corroded metals.
  5. Copper is widely used in electrical equipment, building wiring, and telecommunication cables.
  6. Referred to as 100% IACS or International Annealed Copper Standard. The unit for expressing the conductivity of nonmagnetic materials by testing using the eddy current method. Generally used for temper and alloy verification of aluminium.
  7. Despite being less conductive than copper, gold is commonly used in electrical contacts because it does not easily corrode.
  8. Commonly used for overhead power line with steel reinforced (ACSR)
  9. 9.0 9.1 Cobalt and ruthenium are considered to replace copper in integrated circuits fabricated in advanced nodes[27]
  10. 18% chromium and 8% nickel austenitic stainless steel
  11. Nickel-iron-chromium alloy commonly used in heating elements.
  12. Graphite is strongly anisotropic.
  13. 13.0 13.1 The resistivity of semiconductors depends strongly on the presence of impurities in the material.
  14. Corresponds to an average salinity of 35 g/kg at 20 °C.
  15. The pH should be around 8.4 and the conductivity in the range of 2.5–3 mS/cm. The lower value is appropriate for freshly prepared water. The conductivity is used for the determination of TDS (total dissolved particles).
  16. This value range is typical of high quality drinking water and not an indicator of water quality
  17. Conductivity is lowest with monatomic gases present; changes to 12×10−5 upon complete de-gassing, or to 7.5×10−5 upon equilibration to the atmosphere due to dissolved CO2


संदर्भ

  1. Lowrie, William (2007). Fundamentals of Geophysics. Cambridge University Press. pp. 254–55. ISBN 978-05-2185-902-8. Retrieved March 24, 2019.
  2. 2.0 2.1 Kumar, Narinder (2003). Comprehensive Physics for Class XII. New Delhi: Laxmi Publications. pp. 280–84. ISBN 978-81-7008-592-8. Retrieved March 24, 2019.
  3. Bogatin, Eric (2004). Signal Integrity: Simplified. Prentice Hall Professional. p. 114. ISBN 978-0-13-066946-9. Retrieved March 24, 2019.
  4. 4.0 4.1 4.2 Hugh O. Pierson, Handbook of carbon, graphite, diamond, and fullerenes: properties, processing, and applications, p. 61, William Andrew, 1993 ISBN 0-8155-1339-9.
  5. J.R. Tyldesley (1975) An introduction to Tensor Analysis: For Engineers and Applied Scientists, Longman, ISBN 0-582-44355-5
  6. G. Woan (2010) The Cambridge Handbook of Physics Formulas, Cambridge University Press, ISBN 978-0-521-57507-2
  7. Josef Pek, Tomas Verner (3 Apr 2007). "Finite‐difference modelling of magnetotelluric fields in two‐dimensional anisotropic media". Geophysical Journal International. 128 (3): 505–521. doi:10.1111/j.1365-246X.1997.tb05314.x.
  8. David Tong (Jan 2016). "The Quantum Hall Effect: TIFR Infosys Lectures" (PDF). Retrieved 14 Sep 2018.
  9. Bonding (sl). ibchem.com
  10. "Current versus Drift Speed". The physics classroom. Retrieved 20 August 2014.
  11. Lowe, Doug (2012). Electronics All-in-One For Dummies. John Wiley & Sons. ISBN 978-0-470-14704-7.
  12. Keith Welch. "Questions & Answers – How do you explain electrical resistance?". Thomas Jefferson National Accelerator Facility. Retrieved 28 April 2017.
  13. "Electromigration : What is electromigration?". Middle East Technical University. Retrieved 31 July 2017. When electrons are conducted through a metal, they interact with imperfections in the lattice and scatter. […] Thermal energy produces scattering by causing atoms to vibrate. This is the source of resistance of metals.
  14. Faber, T.E. (1972). Introduction to the Theory of Liquid Metals. Cambridge University Press. ISBN 9780521154499.
  15. "The Feynman Lectures in Physics, Vol. III, Chapter 21: The Schrödinger Equation in a Classical Context: A Seminar on Superconductivity". Retrieved 26 December 2021.
  16. John C. Gallop (1990). SQUIDS, the Josephson Effects and Superconducting Electronics. CRC Press. pp. 3, 20. ISBN 978-0-7503-0051-3.
  17. See Flashes in the Sky: Earth's Gamma-Ray Bursts Triggered by Lightning
  18. Yaffa Eliezer, Shalom Eliezer, The Fourth State of Matter: An Introduction to the Physics of Plasma, Publisher: Adam Hilger, 1989, ISBN 978-0-85274-164-1, 226 pages, page 5
  19. Bittencourt, J.A. (2004). Fundamentals of Plasma Physics. Springer. p. 1. ISBN 9780387209753.
  20. Hong, Alice (2000). "Dielectric Strength of Air". The Physics Factbook.
  21. 21.00 21.01 21.02 21.03 21.04 21.05 21.06 21.07 21.08 21.09 21.10 21.11 21.12 21.13 21.14 Raymond A. Serway (1998). Principles of Physics (2nd ed.). Fort Worth, Texas; London: Saunders College Pub. p. 602. ISBN 978-0-03-020457-9.
  22. 22.0 22.1 22.2 David Griffiths (1999) [1981]. "7 Electrodynamics". In Alison Reeves (ed.). Introduction to Electrodynamics (3rd ed.). Upper Saddle River, New Jersey: Prentice Hall. p. 286. ISBN 978-0-13-805326-0. OCLC 40251748.
  23. Matula, R.A. (1979). "Electrical resistivity of copper, gold, palladium, and silver". Journal of Physical and Chemical Reference Data. 8 (4): 1147. Bibcode:1979JPCRD...8.1147M. doi:10.1063/1.555614. S2CID 95005999.
  24. Douglas Giancoli (2009) [1984]. "25 Electric Currents and Resistance". In Jocelyn Phillips (ed.). Physics for Scientists and Engineers with Modern Physics (4th ed.). Upper Saddle River, New Jersey: Prentice Hall. p. 658. ISBN 978-0-13-149508-1.
  25. "Copper wire tables". United States National Bureau of Standards. Retrieved 3 February 2014 – via Internet Archive - archive.org (archived 2001-03-10).
  26. Physical constants. (PDF format; see page 2, table in the right lower corner). Retrieved on 2011-12-17.
  27. IITC – Imec Presents Copper, Cobalt and Ruthenium Interconnect Results
  28. "Temperature Coefficient of Resistance | Electronics Notes".
  29. Material properties of niobium.
  30. AISI 1010 Steel, cold drawn. Matweb
  31. Karcher, Ch.; Kocourek, V. (December 2007). "Free-surface instabilities during electromagnetic shaping of liquid metals". Proceedings in Applied Mathematics and Mechanics. 7 (1): 4140009–4140010. doi:10.1002/pamm.200700645. ISSN 1617-7061.
  32. "JFE steel" (PDF). Retrieved 2012-10-20.
  33. 33.0 33.1 Douglas C. Giancoli (1995). Physics: Principles with Applications (4th ed.). London: Prentice Hall. ISBN 978-0-13-102153-2.
    (see also Table of Resistivity. hyperphysics.phy-astr.gsu.edu)
  34. John O'Malley (1992) Schaum's outline of theory and problems of basic circuit analysis, p. 19, McGraw-Hill Professional, ISBN 0-07-047824-4
  35. Glenn Elert (ed.), "Resistivity of steel", The Physics Factbook, retrieved and archived 16 June 2011.
  36. Y. Pauleau, Péter B. Barna, P. B. Barna (1997) Protective coatings and thin films: synthesis, characterization, and applications, p. 215, Springer, ISBN 0-7923-4380-8.
  37. Milton Ohring (1995). Engineering materials science, Volume 1 (3rd ed.). Academic Press. p. 561. ISBN 978-0125249959.
  38. Physical properties of sea water Archived 2018-01-18 at the Wayback Machine. Kayelaby.npl.co.uk. Retrieved on 2011-12-17.
  39. [1]. chemistry.stackexchange.com
  40. Eranna, Golla (2014). Crystal Growth and Evaluation of Silicon for VLSI and ULSI. CRC Press. p. 7. ISBN 978-1-4822-3281-3.
  41. 41.0 41.1 41.2 Transmission Lines data. Transmission-line.net. Retrieved on 2014-02-03.
  42. R. M. Pashley; M. Rzechowicz; L. R. Pashley; M. J. Francis (2005). "De-Gassed Water is a Better Cleaning Agent". The Journal of Physical Chemistry B. 109 (3): 1231–8. doi:10.1021/jp045975a. PMID 16851085.
  43. ASTM D1125 Standard Test Methods for Electrical Conductivity and Resistivity of Water
  44. ASTM D5391 Standard Test Method for Electrical Conductivity and Resistivity of a Flowing High Purity Water Sample
  45. Lawrence S. Pan, Don R. Kania, Diamond: electronic properties and applications, p. 140, Springer, 1994 ISBN 0-7923-9524-7.
  46. S. D. Pawar; P. Murugavel; D. M. Lal (2009). "Effect of relative humidity and sea level pressure on electrical conductivity of air over Indian Ocean". Journal of Geophysical Research. 114 (D2): D02205. Bibcode:2009JGRD..114.2205P. doi:10.1029/2007JD009716.
  47. E. Seran; M. Godefroy; E. Pili (2016). "What we can learn from measurements of air electric conductivity in 222Rn ‐ rich atmosphere". Earth and Space Science. 4 (2): 91–106. Bibcode:2017E&SS....4...91S. doi:10.1002/2016EA000241.
  48. Copper Wire Tables Archived 2010-08-21 at the Wayback Machine. US Dep. of Commerce. National Bureau of Standards Handbook. February 21, 1966
  49. Ward, Malcolm R. (1971). Electrical engineering science. McGraw-Hill technical education. Maidenhead, UK: McGraw-Hill. pp. 36–40. ISBN 9780070942554.
  50. Grüneisen, E. (1933). "Die Abhängigkeit des elektrischen Widerstandes reiner Metalle von der Temperatur". Annalen der Physik (in English). 408 (5): 530–540. Bibcode:1933AnP...408..530G. doi:10.1002/andp.19334080504. ISSN 1521-3889.
  51. Quantum theory of real materials. James R. Chelikowsky, Steven G. Louie. Boston: Kluwer Academic Publishers. 1996. pp. 219–250. ISBN 0-7923-9666-9. OCLC 33335083.{{cite book}}: CS1 maint: others (link)
  52. A. Matthiessen, Rep. Brit. Ass. 32, 144 (1862)
  53. A. Matthiessen, Progg. Anallen, 122, 47 (1864)
  54. Jones, William; March, Norman H. (1985). Theoretical Solid State Physics. Dover Publications.
  55. J. Seymour (1972) Physical Electronics, chapter 2, Pitman
  56. Stephenson, C.; Hubler, A. (2015). "Stability and conductivity of self-assembled wires in a transverse electric field". Sci. Rep. 5: 15044. Bibcode:2015NatSR...515044S. doi:10.1038/srep15044. PMC 4604515. PMID 26463476.
  57. Otto H. Schmitt, University of Minnesota Mutual Impedivity Spectrometry and the Feasibility of its Incorporation into Tissue-Diagnostic Anatomical Reconstruction and Multivariate Time-Coherent Physiological Measurements. otto-schmitt.org. Retrieved on 2011-12-17.
  58. "Berryllium (Be) - Chemical properties, Health and Environmental effects".


अग्रिम पठन


इस पृष्ठ में अनुपलब्ध आंतरिक कड़ियों की सूची

  • रो (पत्र)
  • तथा
  • व्यापक संपत्ति
  • विद्युत प्रतिरोध और चालकता
  • अवरोध
  • बहाव का वेग
  • तरंग हस्तक्षेप
  • दोपंत
  • आयनिक तरल
  • परम शुन्य
  • ताँबा
  • अब्रीकोसोव भंवर
  • उच्च तापमान अतिचालकता
  • बिजली चमकना
  • देबी म्यान
  • आवेश का घनत्व
  • वस्तुस्थिति
  • द्रव्य की अवस्थाएं
  • डोपिंग (अर्धचालक)
  • एकाग्रता
  • विलयन (रसायन विज्ञान)
  • रोशनी
  • विद्युतीय इन्सुलेशन
  • फोनोन
  • ब्रिलॉइन क्षेत्र
  • ऊष्मीय चालकता
  • ग्रहणशीलता
  • परावैद्युतांक
  • प्रसार प्रतिरोध रूपरेखा
  • सातत्य समीकरण
  • आंशिक विभेदक समीकरण
  • सीमित तत्व विधि
  • ओवरहेड पावर लाइन
  • अंतःस्रावी दहलीज के पास चालकता
  • त्वचा का प्रभाव

बाहरी संबंध